技术特征：
1.一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：包括缸体（18）、同轴安装在缸体（18）内的活塞杆（21）、可拆卸安装在缸体（18）两端并用于支撑活塞杆（21）往复运动的两个缸体端盖（2）以及设置在活塞杆（21）外壁中部的线圈；所述活塞杆（21）中间设有凸起部，所述线圈安装在凸起部上，凸起部将缸体（18）的腔室分隔为腔室ⅰ（19）和腔室ⅱ（14），且腔室ⅰ（19）和腔室ⅱ（14）之间通过凸起部与缸体（18）内壁之间的间隙连通。2.根据权利要求1所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：所述线圈由内侧励磁线圈（11）和外侧励磁线圈（10）组成；所述内侧励磁线圈（11）缠绕于活塞杆（21）凸台部设有的绕线槽中，所述外侧励磁线圈（10）缠绕于圆环磁极（6）上设有的绕线槽中，所述圆环磁极（6）套装在内侧励磁线圈（11）外侧，使圆环磁极（6）和内侧励磁线圈（11）之间设置间隙构成内侧节流通道，所述外侧励磁线圈（10）和缸体（18）内壁之间的间隙构成外侧节流通道，腔室ⅰ（19）和腔室ⅱ（14）内的磁流变液能够在内外两个节流通道中自由流动，且圆环磁极（6）由设置在活塞杆（21）凸台部两端的活塞端盖（5）夹紧固定。3.根据权利要求2所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：所述具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器还包括内侧导磁环ⅰ（15）、内侧导磁环ⅱ（17）、内侧隔磁环（16）、外侧导磁环ⅰ（7）、外侧导磁环ⅱ（9）及外侧隔磁环（8）；所述内侧导磁环ⅰ（15）与内侧导磁环ⅱ（17）均套装在活塞杆（21）凸起部的外表面，通过两个活塞端盖（5）实现夹紧，所述内侧隔磁环（16）设置在内侧导磁环ⅰ（15）与内侧导磁环ⅱ（17）之间，且套装于内侧励磁线圈（11）的外表面；所述外侧导磁环ⅰ（7）与外侧导磁环ⅱ（9）均套装于圆环磁极（6）的外表面，通过两个活塞端盖（5）实现夹紧；所述外侧隔磁环（8）设置在外侧导磁环ⅰ（7）与外侧导磁环ⅱ（9）之间，且套装于外侧励磁线圈（10）外表面；所述内侧导磁环ⅰ（15）的外壁、内侧隔磁环（16）的外壁、内侧导磁环ⅱ（17）的外壁与圆环磁极（6）的内壁形成内侧节流通道；所述外侧导磁环ⅰ（7）、外侧隔磁环（8）、外侧导磁环ⅱ（9）的外壁与缸体（18）的内壁形成外侧节流通道。4.根据权利要求3所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：两个所述缸体端盖（2）与缸体（18）均通过螺栓（3）连接，并且在缸体端盖（2）上和缸体（18）相接处的端面设计有缸体端盖密封圈（13），防止缸体（18）内部磁流变液溢出，在两个所述缸体端盖（2）中位于上方的缸体端盖（2）端面上设计有一处注液孔（20），磁流变阻尼器装配完成后，磁流变液从注液孔（20）中注入。5.根据权利要求4所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：两个所述活塞端盖（5）分别套装在活塞杆（21）的凸起部上下两侧，并且通过螺钉（12）固定在活塞杆（21），两个活塞端盖（5）的端面上均布设置多个弧形通孔（23），与内侧节流通道连通用于磁流变液的导通，两个活塞端盖（5）的端面上均布设置多个螺钉孔（24），用于安装螺钉（12）。6.根据权利要求5所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：两个活塞端盖（5）的端面上设置一个圆环型凹槽（22），与圆环磁极（6）的外壁
上设有圆环型凸台（27）配合，用于圆环磁极（6）的定位与夹紧。7.根据权利要求6所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：位于上方的活塞端盖（5）的端面上设置一个径向的缸体端盖导线槽（25），用于外侧励磁线圈（10）导线的引出。8.根据权利要求7所述的一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，其特征在于：所述内侧励磁线圈（11）的引线通过活塞杆（21）上设有的引线孔（4）引出；所述外侧励磁线圈（10）的引线通过圆环磁极（6）的导线槽、缸体端盖导线槽（25）和引线孔（4）引出。
技术总结
一种具有低零场阻尼力与宽阻尼可调范围的磁流变阻尼器，属于减振系统技术领域。包括缸体、同轴安装在缸体内的活塞、可拆卸安装在缸体两端并用于支撑活塞往复运动的两个缸体端盖以及设置在活塞外壁中部的线圈；所述活塞中间设有凸起部，所述线圈安装在凸起部上，凸起部将缸体的腔室分隔为腔室Ⅰ和腔室Ⅱ，且腔室Ⅰ和腔室Ⅱ之间通过凸起部与缸体内壁之间的间隙连通。本发明所提出磁流变阻尼器能够提供更小的零场阻尼力。在励磁线圈不通电的工况下，磁流变液能够在内外两个环形节流通道中自由流动，相较于传统的单通道磁流变阻尼器，节流通道的截面积大大增加，能够降低阻尼器的最小阻尼力输出值，提升高频激励工况下的隔振效果。果。果。
技术研发人员：陈照波 邢旭东 闫辉 于东
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2022.08.10
技术公布日：2022/10/3