磁流变阻尼器及其操作方法与流程

本发明总体上涉及一种用于车辆的悬架阻尼器。更具体地，本发明涉及一种包括磁流变(mr)流体的悬架阻尼器。

背景技术：

1、阻尼器组件在本领域中众所周知用于车辆。在专利公开us5706920a中公开了一种这样的mr阻尼器，该专利公开us5706920a公开了一种单管mr阻尼器，该单管mr阻尼器包括设置在中心轴线上并且在第一端与第二端之间延伸的主管。阻尼器在第一端与第二端之间限定了用于容纳工作流体的流体隔室。主活塞可滑动地设置在流体隔室中，将流体隔室分成回弹隔室和压缩隔室。活塞杆设置在中心轴线上，沿着中心轴线延伸到远端并且附接到主活塞，用于在压缩冲程和回弹冲程之间移动主活塞。

2、磁流变(mr)阻尼器越来越多地用于车辆上，以持续控制阻尼特性，以便在所有驾驶情况下都能正确驾驶和操控。磁流变流体通常由具有悬浮颗粒的透明载体或基液(例如聚α烯烃)组成。当颗粒被磁场充电时，它们排列起来(line up)并改变流体的粘度，这进而可以用来控制阻尼力。

技术实现思路

1、本发明提供一种磁流变(mr)阻尼器。所述mr阻尼器包括：主管，所述主管限定了容纳有mr流体的mr腔室。所述mr流体具有响应于磁场的施加而变化的粘度。所述mr阻尼器还包括：活塞杆，所述活塞杆至少部分地设置在所述主管内；mr活塞，所述mr活塞连接到所述活塞杆并且将所述mr腔室分成mr回弹腔室和mr压缩腔室。所述mr活塞包括mr回弹阀，所述mr回弹阀被配置为在回弹冲程期间调节所述mr流体从所述mr回弹腔室进入所述mr压缩腔室的流量(flow)，从而产生回弹阻尼力。所述mr阻尼器还包括：标准流体腔室，所述标准流体腔室容纳有标准流体。所述标准流体具有不随着磁场的施加而变化的粘度。所述mr阻尼器还包括：底阀组件(base valve assembly)，所述底阀组件被配置为调节标准流体的流量。所述回弹阻尼力基本上完全由所述mr活塞的所述mr回弹阀产生。

2、本发明还提供一种用于操作磁流变(mr)阻尼器的方法。所述方法包括以下步骤：通过活塞杆使mr活塞移动通过容纳有mr流体的mr腔室，所述mr流体具有响应于磁场的施加而变化的粘度，所述mr活塞将所述mr腔室分成mr回弹腔室和mr压缩腔室；在回弹冲程期间，通过所述mr活塞的mr回弹阀调节所述mr流体从所述mr回弹腔室进入所述mr压缩腔室的流量，从而产生回弹阻尼力；以及通过底阀组件调节具有不随着磁场的施加而变化的粘度的标准流体的流量。所述回弹阻尼力基本上完全由所述mr活塞的所述mr回弹阀产生。

技术特征：

1.一种磁流变mr阻尼器，所述mr阻尼器包括：

2.根据权利要求1所述的mr阻尼器，其中，所述mr阻尼器具有双管配置，所述双管配置包括围绕所述主管同轴地设置的外管，并且在所述主管与所述外管之间环形地限定了补偿腔室。

3.根据权利要求2所述的mr阻尼器，其中，所述底阀组件包括：

4.根据权利要求2所述的mr阻尼器，所述mr阻尼器进一步包括流体分离器，所述流体分离器设置在所述主管内并且将所述mr腔室与所述标准流体腔室分开，用于将所述mr流体与所述标准流体隔离。

5.根据权利要求4所述的mr阻尼器，其中，所述流体分离器包括浮动活塞，所述浮动活塞能够在所述主管内沿轴向方向滑动。

6.根据权利要求1所述的mr阻尼器，其中，所述mr阻尼器具有单管配置，所述单管配置包括限定了所述标准流体腔室的所述主管，并且其中，所述底阀组件将所述标准流体腔室分成上腔室和下腔室。

7.根据权利要求6所述的mr阻尼器，其中，所述底阀组件包括：

8.根据权利要求6所述的mr阻尼器，所述mr阻尼器进一步包括流体分离器，所述流体分离器设置在所述主管内并且将所述mr腔室与所述标准流体腔室分开，用于将所述mr流体与所述标准流体隔离。

9.根据权利要求8所述的mr阻尼器，其中，所述流体分离器包括浮动活塞，所述浮动活塞能够在所述主管内沿轴向方向滑动。

10.根据权利要求5所述的mr阻尼器，所述mr阻尼器进一步包括气杯，所述气杯设置在所述主管中并且将所述标准流体腔室与容纳有气体的气体隔室分开，其中，所述气杯能够在所述主管内沿轴向方向滑动。

11.根据权利要求1所述的mr阻尼器，其中，所述mr活塞具有非对称的力分布，在压缩方向上产生的力小于在回弹方向上产生的所述回弹阻尼力。

12.根据权利要求1所述的mr阻尼器，所述mr阻尼器进一步包括mr线圈，所述mr线圈设置在所述mr活塞内并且被配置为产生磁场，从而在压缩方向上调节所述回弹阻尼力和压缩阻尼力中的至少一个。

13.根据权利要求12所述的mr阻尼器，其中，所述mr线圈被配置为调节所述回弹阻尼力和所述压缩阻尼力两者。

14.一种用于操作磁流变mr阻尼器的方法，所述方法包括以下步骤：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述mr阻尼器具有双管配置，所述双管配置包括围绕主管同轴地设置的外管，并且在所述主管与所述外管之间环形地限定了补偿腔室。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，调节标准流体的流量的步骤进一步包括：

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述mr阻尼器具有单管配置，所述单管配置包括限定了容纳有所述标准流体的标准流体腔室的主管，并且其中，所述底阀组件将所述标准流体腔室分成上腔室和下腔室。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，调节标准流体的流量的步骤进一步包括：

19.根据权利要求14所述的方法，所述方法进一步包括通过设置在所述mr活塞内的mr线圈产生磁场，从而沿压缩方向调节所述回弹阻尼力和压缩阻尼力中的至少一个。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述mr线圈被配置为调节所述回弹阻尼力和所述压缩阻尼力两者。

技术总结
本公开提供了一种磁流变阻尼器及其操作方法。一种磁流变(MR)阻尼器包括：主管，所述主管限定了容纳有MR流体的MR腔室，MR流体具有响应于磁场的施加而变化的粘度。活塞杆至少部分地设置在主管内。MR活塞连接到活塞杆并且将MR腔室分成MR回弹腔室和MR压缩腔室。MR活塞包括MR回弹阀，该MR回弹阀在回弹冲程期间调节MR流体从MR回弹腔室进入MR压缩腔室的流量，从而产生回弹阻尼力。底阀组件调节标准流体的流量。回弹阻尼力基本上完全由MR活塞的MR回弹阀产生。MR活塞的MR压缩阀与底阀组件一起产生压缩阻尼力。

技术研发人员：M·克那普兹克,W·韦德拉
受保护的技术使用者：北京京西重工有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15