专利名称：双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种微电子器件电性能测试技术，尤其涉及一种用于电源管理电路中的双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路。
背景技术：
目前现有技术的测量设备对电源管理电路中的双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管(简称LDMOS)的导通电阻的测试时，均将LDMOS工作在较高的电压下，测试时的电源电压高达40V。在实际测量时存在的缺陷是1.由于电源管理电路的LDMOS工作在较高的电压下，因此对测试设备带来较高的要求；2.由于器件LDMOS器件在测量时只能输入方波信号，因此测试导通电阻时比较麻烦，即只能先测试信号的底部电平，然后再除以此时的电流，最后才得出电阻值；但是由于输出信号往往不是直流信号，因此仍然无法用直流方法测试底部电平，从而无法测量或得到真正的电阻值，为此人们只能用比较电平法不断逼近实际测试值，这种测试方法，不仅难以正确获得真正的电阻值，并且必须花费较多的时间进行测量与计算；3.由于生产中测试仪到测试电路板的走线有约两米长，无可避免地走线之间的干扰信号产生了“毛刺”，该“毛刺”的产生势必影响测试结果的真实性；由于被测信号较低(只有0.7v左右)而测量精度要求高，为此在测量仪器中需设置滤除毛刺的电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路，它能解决现有技术在对LDMOS导通电阻测试时因无法避免信号毛刺影响导致测试结果相对于真实值偏低的问题，并且使测量简单时间短。
本发明的目的是这样实现的一种LDMOS管导通电阻的测试电路，包括40伏直流电源和被测器件座，该被测器件座具有与被测器件栅极连接的C端、与被测器件漏极连接的D端、与被测器件源极连接的S端；其特点是在所述的被测器件座D端与40伏直流电源之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2的一端与被测器件座D端连接，开关S2的一端与40伏直流电源连接；在所述的被测器件座C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源，在被测器件座C端与公共接地端之间并联连接两电容C1和C2；在所述的被测器件座D端与公共接地端之间并联连接一电容C3。
在上述的LDMOS管导通电阻的测试电路中，其中，所述的设置在被测器件座D端与公共接地端之间的电容C3是一470uF的高压电容。
在上述的LDMOS管导通电阻的测试电路中，其中，所述的设置在被测器件座C端与公共接地端之间两电容C2和C1分别是一小于1uF的电容和大于45uF的电容，用以滤去高频和低频的电源干扰信号。
本发明，LDMOS管导通电阻的测试电路，由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果1.本发明由于在被测器件座的D端与公共接地之间并接一个大容量高压电容，使得输出信号由方波变成一条平滑的直线，因此用直流法就可以简单测得该输出电平，根据这个电平查找在实验室相同测试环境下得到的对比表可以得出该器件的对应的导通电阻，因此不仅测量方法变得简单，并且一次测试即可得到数据，减少了测量的时间将测量时间从2秒降低到毫秒级；2.本发明由于在被测器件座的C端与公共接地端之间并联一大容量的电容C1和一小容量的电容C2，从而可以滤去电源的高频和低频干扰信号；也避免了毛刺的出现影响。
通过以下对本发明LDMOS管导通电阻的测试电路的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1是本发明LDMOS管导通电阻的测试电路的电原理图。
具体实施例方式
请参见图1所示，这是本发明LDMOS管导通电阻的测试电路的电原理图。本发明LDMOS导通电阻的测试电路，包括40伏直流电源1和被测器件座2，该被测器件座2具有与被测器件栅极连接的C端、与被测器件漏极连接的D端、与被测器件源极连接的S端；在被测器件座2的D端与40伏直流电源1之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2的一端与被测器件座2的D端连接，另一端与开关S2的一端连接，开关S2的另一端与40伏直流电源1连接；在被测器件座2的C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源3，可调节电源3的另一端接地，在被测器件座2的C端与公共接地端之间还并联连接两电容C1和C2，电容C1是一大于45uF的电容，在本实施例中，电容C1采用的是一47uF的电容，用以滤去电源的低频干扰信号，电容C2是一小于1uF的电容，在本实施例中，电容C2采用的是一0.1uF的电容，用以滤去电源的高频干扰信号；在被测器件座2的D端与公共接地端之间并联连接的一电容C3，该电容C3是一个1000uF的大容量耐高压电容。
本发明LDMOS管导通电阻的测试电路是这样工作的当对LDMOS的导通电阻的进行测试时，将LDMOS器件安置在被测器件座2中，使被测器件LDMOS的栅极、漏极、源极分别对应被测器件座2的C端、D端和S端；在被测器件座2的D端与公共接地之间并接一个1000uF的大容量耐高压电容C3；然后按常规进行测量。由于在D端对地并一个1000uF的大容量耐高压电容C3，使得输出信号由方波变成一条平滑的直线，因此用直流法就可以简单测得输出电平，根据这个电平查找在实验室相同测试环境下得到的对比表可以得出该器件的对应的导通电阻。
综上所述，本发明，LDMOS管导通电阻的测试电路，由于在被测器件座的D端与公共接地之间并接一个大容量高压电容，由此可简单测得该输出电平，通过对比表即可得出该器件的对应的导通电阻，因此测量方法简单且减少了测量的时间；同时，由于在被测器件座的C端与公共接地端之间并联一大容量电容和一小容量电容，从而可以滤去电源的高频和低频干扰信号，保证了测试结果真实可靠，因此极为实用。
权利要求
1.一种LDMOS管导通电阻的测试电路，包括40伏直流电源(1)和被测器件座(2)，该被测器件座(2)具有与被测器件栅极连接的C端、与被测器件漏极连接的D端、与被测器件源极连接的S端；其特征在于在所述的被测器件座(2)D端与40伏直流电源(1)之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2的一端与被测器件座(2)D端连接，开关S2的一端与40伏直流电源(1)连接；在所述的被测器件座(2)C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源(3)，在被测器件座(2)C端与公共接地端之间并联连接两电容C1和C2；在所述的被测器件座(2)D端与公共接地端之间并联连接一电容C3。
2.如权利要求1所述的LDMOS管导通电阻的测试电路，其特征在于所述的设置在被测器件座(2)D端与公共接地端之间的电容C3是一个1000的耐高压电容。
3.如权利要求1所述的LDMOS管导通电阻的测试电路，其特征在于所述的设置在被测器件座(2)C端与公共接地端之间两电容C2和C1分别是一小于0.5uF的电容和大于45uF的电容，用以滤去高频和低频的电源干扰信号。
全文摘要
本发明涉及一种双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路，包括40伏直流电源和被测器件座，被测器件座具有与被测器件栅、漏、源极连接的C、D、S端；其特点是在D端与40伏直流电源之间串接电阻R2和开关S2，电阻R2一端与D端连接，开关S2一端与40伏直流电源连接；在C端依次串接开关S1、电阻R1和可调节电源，在C端与接地端之间并联连接两电容C1和C2；在D端与接地端之间并联连接一电容C3。本发明由于在D端与接地间并接大容量高压电容，由此可测得输出电平，通过对比表得出导通电阻，该方法简单且减少测量时间，同时解决了毛刺影响；另外由于在C端与接地端之间并联容量不同的两电容，从而可滤去电源高低频干扰信号，因此极为实用。
文档编号G01R31/40GK1635390SQ20031012209
公开日2005年7月6日 申请日期2003年12月30日 优先权日2003年12月30日
发明者杨承宁, 张宇锋, 端木丽俊 申请人:上海贝岭股份有限公司