专利名称：用于形成光限定微电触点的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造用于测试半导体芯片的微型微探针或电触点的方法。
背景技术：
在用于电连续性的测试探针卡领域中已知，使用通过将直段线机械地形成为期望的形状以提供必要的尺寸和弹力而生成的探针来执行这样的测试。图1-3示出由Brookfield，Connecticut的WentworthLaboratories，INC.所生产的传统“CobraTM”探针测试头。这样的探针头由保持在相对的第一(上)模(die)42和第二(下)模44之间的探针64阵列组成。每个探针具有相对的上端和下端。上模和下模42、44包含对应于集成电路接触衬垫(contact pad)间隔上间隔的孔图案，它们在这里被称为下模孔图案和上模孔图案。每个探针的上端由上模孔图案保持，而每个探针的下端穿过下模孔图案并延伸超出下模44以在探针尖端终止。参考图13，示出了附加包括安装膜1301。安装膜1301通常由合适的聚合电介质一诸如聚酯薄膜-形成，并将蚀刻的探针81保持在适当位置。对于CobraTM型探针，下模孔图案相对于上模42中的孔图案偏移，且该偏移被形成到探针中，使得探针如弹簧般作用。返回到图1到3，当测试头与待检测晶片接触时，探针上端主要地保持静止，而下端压到测试头体内。这种顺性允许探针长度、头平面性和晶片形貌的变化。典型地通过型锻或冲压直的线而形成探针，以产生期望的探针形状和厚度。型锻过程使探针的中心和弯曲部分平整和加宽，以便实现每密耳探针偏移的期望力。
型锻区域的下端和上端也防止探针延伸太远而穿过模。在传统探针制造过程中，探针是由直段线形成的，典型地由铍铜合金形成。定制加工被用于每个探针尺寸和设计。加工冲压和形成线的中心部分，以实现期望的形状和厚度，从而生成期望的弹性系数(spring rate)。
参考图9，示出了现有技术中用于制造探针的线的横截面图。横截面90示出预冲压后的线的一般圆形。横截面91示出冲压后并加工后的线的一般椭圆形。横截面90和横截面91的横截面面积基本相同。参考横截面91，形成探针的冲压后的线的宽度95约为7密耳(1密耳等于0.001英寸)，高度97约为1.8密耳。当组装在探针头结构中时，优选地在用于探针头中的多个探针之间保持至少1密耳的间隔。由于宽度95约为7密耳并要求1密耳的间隔，所以设置在探针头中的传统探针通常每8密耳间隔一个探针。然后，将线切成一定长度，且在探针末端上研磨所期望的探针尖几何构型。最终探针的总长度的公差为+/-.002”。因为用于适当测试的探针之间的变化太大，探针被组装到探针头中，且整个探针阵列被折叠(lapped)以实现更一致的探针长度。
参考图8，示出了本领域公知的标准探针83，和本发明的蚀刻的探针81。参考图5，示出了探针的基本元件。探针基部5001是连接到探针轴5003的相对短且直的扩张段(expanse)。探针轴5003是探针81、83的轻微弯曲的扩张段，其终止于探针末端5005。在操作中，探针末端5005与待测试电路接触。
用于形成探针的传统冲压工艺经常导致探针中的残余应力，其可能导致减小的疲劳寿命。因为这些残余应力可随时间改变，所以可能出现探针硬度的改变。此外，探针要求的改变需要再加工。这样的再加工使得这样制造的探针成本高，并在探针形成之前需要相当的交付时间。也可能是这样的情况，即机械形成的探针更难以重新设计，因为它们的构建紧密地与制造探针的机械装置有关。
因此，有必要提供一种方法，其制造能够避免机械成形所引起的问题的探针。还需要这样一种方法，其能够充分地修改以制造不同设计的探针，而无须延长的再加工过程。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种制造多个微探针的方法，包括以下步骤限定多个探针的形状为一个或多个掩模；应用光刻胶到金属箔的第一和第二相对侧；在金属箔的相对的第一和第二侧上覆盖一个掩模；将光刻胶暴露给穿过每个掩模的光；显影光刻胶；除去部分光刻胶以暴露部分金属箔；并在金属箔的表面上应用蚀刻剂，以除去暴露的部分从而生成多个探针。
本发明的另一方面是提供一种制造多个微探针的方法，包括以下步骤限定多个探针的形状为掩模；应用光刻胶到第一金属材料的一侧；在所述第一金属材料的所述侧上覆盖所述掩模；将所述光刻胶暴露给穿过所述掩模的光；显影所述光刻胶；除去部分所述光刻胶以暴露部分所述第一金属材料；在所述第一金属材料的所述暴露部分上电形成(electroform)第二金属材料；和除去所述第二金属材料以制造多个探针。
本发明的另一方面是提供一种根据前述方法所制造的微探针，其中微探针包括厚度基本一致的探针基部，其由多个边缘定界并在平面内延伸一个基本为直的长度；连接到探针基部的探针轴，探针轴的厚度基本一致，并由多个边缘定界且在平面内沿弯曲的扩张段延伸；连接到探针轴的探针末端，探针末端厚度基本一致，并由多个边缘定界且在平面内延伸一个基本为直的距离，其中该直距离近似平行于直的长度；以及基本绕由探针基部、探针轴和探针末端的边缘所构成的周边延伸的扇形(scallop)。
本发明的再一方面是提供一种探针测试头，其包括第一模，该第一模包括第一和第二相对平表面，第一模还包括第一模孔的图案，该第一模孔在垂直于第一和第二平表面的方向上延伸穿过第一模；第二模，该第二模包括第三和第四相对平表面，该第二模还包括第二模孔的图案，其对应于第一模孔的图案，该第二模孔在该方向上延伸穿过第二模，其中第三平表面被设置在与第二平表面接触的平面中，使得第二模孔相对于第一模孔在基本一致的方向上偏移，且与已经通过蚀刻形成的相当地完成多个探针，其中每个探针延伸穿过一个第一模孔和一个第二模孔，探针具有表面。
图1是本领域公知的探针测试头透视图。
图2是本领域公知的探针测试头横截面的透视图。
图3是本领域公知的探针测试头的部分横截面视图。
图4是本发明的探针的前视图。
图5是本发明的探针的侧视图。
图6是本发明的探针的等轴测视图。
图7是本发明的掩模的照片。
图8是本领域公知的标准探针和本发明的光限定探针的照片。
图9是本领域公知探针在加工前和加工后的横截面视图。
图10是本发明的探针在蚀刻后的横截面视图。
图11是本发明的探针的尖端的透视图。
图12是蚀刻前本发明的掩模、光刻胶、和扁材(flat stock)结构的透视图。
图13是本发明的探针测试头的部分的横截面视图。
具体实施例方式
本发明是为了提供一种以提供改进的一致性同时降低探针制造成本的方式制造探针的方法。利用其中探针被光限定的工艺制造探针。“光限定”表示，探针的期望形状首先被指定为图形形式的图像，该图像用于制作具有期望的探针轮廓的重复图案的掩模。掩模然后与光刻胶一起被使用在光蚀刻或光限定的电形成过程中，而非本领域中主流做法的机械冲压。
参考图8，示出了本发明的光限定探针81。探针的期望形状首先被指定为图形形式的图像，且图像被用于制造具有期望的探针轮廓的重复图案的玻璃掩模。图7示出了这样的掩模73的样品。掩模73包括多个探针形状72和暗空间71。探针形状72限定对应于本发明的光限定探针的区域，并被构造以允许光基本无阻挡地通过探针形状72。暗空间71主要在探针形状72之间延伸，并用于将掩模73上的一个探针72与其他探针72明显区分开。
在本发明的第一实施例中，掩模73被用在以下过程中，其中探针81被从薄金属扁材中蚀刻，典型地是铍铜合金。在本发明第二实施例中，利用掩模73形成不锈钢心轴，且进而由薄金属-典型地为镍或镍钴合金-在心轴上电形成探针81。
实施例1-蚀刻的探针参考图12，示出了用于制造本发明第一实施例的蚀刻探针的探针结构1205。扁材1201是薄金属的主要为平面的片，其具有相对的平表面。扁材1201具有对应于成品探针的期望宽度的宽度。扁材1201的优选宽度约为3密耳。
光刻胶1001然后被应用到扁材1201的两个相对的平表面上。然后，两个相同的掩模73被固定到扁材1201的相对侧，每个掩模73的一侧与覆盖扁材1201一侧的光刻胶1001接触。两个掩模73被对准，使得一个掩模73中对应于另一掩模73中相同特征的任何一个特征跨过垂直于扁材1201平表面的扩张段的轴被精确对准。然后，光被应用到每个掩模73，从而曝光位于每个掩模73和扁材1201之间的光刻胶1001。掩模73然后被从探针结构1205上分离。在光刻胶1001的曝光之后，显影和漂洗光刻胶1001。作为漂洗的结果，掩模73上对应于探针形状72的被曝光光刻胶1001保持连接在扁材1201上，而对应于暗空间71的未曝光部分的光刻胶1001被漂洗掉，并不与扁材1201接触。
然后几乎同时将蚀刻剂应用到扁材1201的两个表面。蚀刻剂开始在从扁材1201的外表面沿垂直于扁材1201平扩张段的轴延伸、并从每个相对平表面指向扁材1201内的方向上溶解扁材1201。向贴在金属衬底上的光刻胶施加蚀刻剂以溶解金属衬底的一个属性是存在底切。如这里所用的，“底切”指被施加以溶解金属的蚀刻剂偏离垂直于蚀刻剂所施加到的表面延伸的蚀刻路径的倾向。特别地，蚀刻剂在进入金属的过程中倾向于向外延伸。
参考图10，示出了本发明的蚀刻探针的底切效果。图10是本发明的蚀刻探针在施加蚀刻剂后的横截面视图。如图所示，蚀刻剂已经有效地从由底切1005和蚀刻限(etch limit)1007定界的区域中除去包括扁材1201的金属。如所示的那样，底切1005从扁材1201的外表面向扁材1201的内表面延伸。注意，底切1005稍微偏离垂直轴1009，该垂直轴1009垂直于扁材1201的表面延伸。蚀刻限1007是指示直到蚀刻剂被中和或不能进一步蚀刻时蚀刻剂除去扁材1201的范围。因为蚀刻剂以基本恒定的速率蚀刻并遵从沿偏离垂直轴1009的底切1005的路径，所以所得到的蚀刻限1007形成略微弯曲的边界。通过控制蚀刻剂暴露给扁材1201的时间量，可以生成如图10所示的每个探针的横截面几何构型。
两个相对蚀刻限1007的所得到的叠加导致出现锋锐凸起或绕每个蚀刻探针的周边延伸的扇形1003。注意，扇形基部1013到扇形尖端1015的距离形成扇形尺寸1011。参考图11，示出探针端部5005的透视图。如图所示，扇形1003在绕包括探针尖部1101的蚀刻探针81的边缘1107延伸。外探针尖部1105位于包括探针末端5005的在最远端处的蚀刻探针81的扁材1201的相对侧上。由于绕探针末端5005终点延伸的扇形1003，可以看到探针尖部1101延伸超出外探针尖部1105。所得到的探针尖部1101延伸超出外探针尖部1105就允许在蚀刻电路81被使用时与电路更好的接触。
除去未暴露的金属则导致在它们顶端处连接的探针阵列。探针阵列然后被化学抛光和镀覆。然后，探针被从扁材1201中移除，并准备好装配到探针头中。形成组件的探针的顶部被折叠，同时尖部相对平表面被保持，以使探针长度相等。
实施例2-电形成的探针在本发明的第二实施例中，掩模73、或掩模73的负片(negative)被用于形成用于电形成探针81阵列的不锈钢心轴。在该实施例中，光刻胶被应用到不锈钢板的一侧，掩模73被应用在光刻胶上。然后，光被应用到掩模和暴露的光刻胶。光刻胶被显影和漂洗，从而在不锈钢板上留下对应于探针形状的构图开口或暴露区域。被构图的不锈钢板可用作电形成的心轴。
在电形成期间，心轴被放置在合适的电解质溶液槽中，光刻胶限定的触点的制造和复制是通过将阳极材料(例如镍或镍钴合金)电沉积到心轴的暴露(阴极)部分上而制造的。电沉积的材料随后与心轴分离，作为在它们顶端连接的探针阵列。各个探针然后被从阵列中移除，准备组装到探针头中。形成组件的探针的顶部被折叠，而尖部相对平表面被保持以使探针长度相等。
参考图4到6，示出了利用蚀刻或电形成方法所制造的本发明的光限定探针的形状。参考图8，如已经描述的那样，本发明的光限定探针81被制造成期望的结构，而不需机械冲压或其它一般导致探针81中存在残余应力的工艺。如这里所用的那样，“残余应力”指由于塑性变形而残留的应力。传统探针倾向于含有由于用于产生所期望探针横截面的机械冲压和加工所导致的残余应力。这些残余应力至少以两种主要方式限制传统探针的功能。首先，残余应力使传统探针响应于一定时间段上施加于探针的一系列恒定偏移而表现出不一致的阻力。因此，在一定时间段上规则地使用的传统探针在对在一定时间段上所施加的一致偏移提供恒定阻力的能力方面倾向于恶化。第二，含残余应力的传统探针更容易响应于偏移而断裂。相反，本发明的光限定探针81是通过蚀刻或电形成过程制造的，这不需要机械冲压或加工以实现所期望的横截面特征。因此，探针81不含加工或冲压所产生的任何残余应力。
如这里所用的，“屈服强度”指探针偏移的特性，或在主要线性的方向上当施加力时同时保持返回到没有施加力的初始无偏转状态的能力的屈服。探针屈服强度越大，在探针到达其屈服点-从而探针不能返回到其初始形状-之前可施加到探针上的线性偏移越大。申请人预料本发明的光限定探针相比于机械处理所形成的探针具有更高的屈服强度。特别地，申请人预料光限定探针可被偏移的线性距离比传统探针在到达其屈服点之前可被偏移的距离约大20％。
此外，预料本发明的光限定探针将比传统方式形成的探针具有改善的弹力一致性。如这里所用的，“弹力”指被偏移一定距离的探针中所生成的反向阻力。特别地，预料探针测试头中所有光限定探针中弹力的最大差比相似探针测试头装置中所有传统探针中弹力最大差约低20％。
参考图10，蚀刻的探针81具有深度1017和宽度1019。深度1017典型地约为3密耳，而宽度1019典型地约为1密耳。电形成的探针81可被制成相似尺寸。因为光限定探针81(无论是蚀刻的还是电形成的)比传统探针83窄的多，当组装在探针头中时，光限定探针81可间隔约每4密耳地被组装，而传统探针83典型地间隔约8密耳。因为组装在探针头中的本发明的光限定探针之间中心到中心的距离可小到4密耳，相比于传统探针所要求的约8密耳，光限定探针可被用于测试更小的集成电路，其中集成电路晶片上触点间的距离小到约4密耳。
此外，由于(在每种情形中)使用公共掩模73由单个扁材1201(在蚀刻的情形中)或由单个电形成过程(在电形成的情形中)形成多个光限定探针81，所以每个蚀刻探针81在物理特征方面基本与其它蚀刻探针81相同。
例1下面的例子详细列出实施本发明一个实施例的优选参数。优选地，实践多个步骤，包括材料制备、光掩模、蚀刻、化学抛光、镀覆、和个别化由此形成的探针的过程。如这里所用的，“DI”是表示被去离子的符号。此外，如这里所用的，“UX DI”指超声搅动的去离子水(ultrasonically agitated de-ionized water)。
为了制备形成探针的材料，BeCu 17200扁材被切成边长约为4英寸的正方形。然后用Citra-solv(Danbury，CT的Citra-Solv，LLC的)/DI H2O 20ML/1L(UX 15Min.)清洗扁材。然后扁材的表面被用空气吹干，所得到的部件在真空中以600热硬化约2小时。
然后，对所制备的材料进行光掩模。为了实现光掩模，材料被再次用Clean Citra-solv/DI H2O 20ML/1L(UX 15Min.)清洗。然后，为材料提供脱落速率(withdraw rate)为13.8Sec./lin.(ShipleySP2029-1)、在21℃薄化到35Zon/Sec.的浸渍涂层。然后，材料在90℃干燥约30分钟，并被允许在大于50％相对湿度的条件下冷却到室温。然后，材料的所制备的表面被暴露给约100毫焦(milijules)365毫微米波长的UV光。然后，暴露给光的表面被显影约1分钟30秒(在85时，Shipley 303显影剂，Newton Massachusetts的ShipleyInc.)。最后，所制备的表面在梯级(cascading)DI水中漂洗15分钟，然后用空气吹干并贮藏。
然后，利用Huntington Beach，California的Marseco Inc.的Marseco Mod.#CES-24执行蚀刻。然后，利用Phibro-Tech High SpeedCircuit蚀刻溶液进行高速电路蚀刻，参数设置如下-温度设定128(动作127)-泵速(泵#1-45％)(泵#2-73％)-传送装置(11％)-振动(正常)然后，箔测试片被安装在托架上，并移动通过蚀刻剂。然后，测量所得到的由箔测试片所产生的部件的临界尺寸，且如果需要，对该临界尺寸进行调整。在调整后，余下的箔以30秒的间隔通过蚀刻剂。
然后，对通过蚀刻所形成的探针应用化学抛光/浸渍抛光。探针被浸入2L烧杯中145-150的PNA Etch中，同时搅动。溶液包括如下成分磷酸760ML，98％溶液硝酸40ML，69-70％溶液醋酸1200ML，60％溶液首先，利用材料的测试片建立蚀刻率(etch rate)。然后，蚀刻探针材料以除去0.0001”。然后，在热DI中漂洗材料，在UX DI中漂洗约15分钟，在DI梯级中漂洗约2分钟。最后，探针在100℃被烘干直到干燥。
然后，利用Cranston Rhode Island的Technic Inc.的5％的Pallamerse Immersion Palladium溶液和25％的Technic Inc.生产的Pd催化剂溶液、以及Wilmington，Delaware的Dupont Fluoroproducts的Vertrel溶剂来镀覆探针。然后，对探针称量并记录其重量。然后，探针在Vertrel溶剂中洗约2分钟。然后，探针在DI H2O中漂洗1分钟，且在10％硫酸溶液中漂洗2分钟，接着又在DI H2O中漂洗2分钟。然后，探针被浸入Technic Pa催化剂中30秒，并再次在DI H2O中漂洗30秒。然后，探针被浸入Technic Immersion Palladium中45分钟同时缓慢搅动，以流动的DI H2O漂洗并干燥。接着，再称量探针并记录重量。
最后，探针被个别化。探针样品-优选为5个或6个探针-被测试以测量在偏移1到8毫米-每次增加1毫米-时每个探针中所生成的阻力的克。在表1中示出这样一个测试组的探针的结果。测试结果被用于评估从任何一个初始扁材所产生的探针的一致性以及与所期望特性的符合性。然后，探针被放到容器(vile)中，并标上尖部和杆部尺寸(shank dimension)。
表1
因此，这里提供了大规模生产用于半导体芯片测试的微型微探针或电触点的工艺，其相比于传统探针制造工艺具有如下优点。首先，本发明的方法提供了探针间改善的一致性和尺寸精度。玻璃掩模决定探针的几何构型，从而消除了探针间的机械变化。因此，探针的刚度更一致，从而允许阵列上平衡的接触力。
此外，不存在制造过程中在探针中产生的应力，从而导致改善的探针强度和耐用性。传统冲压工艺导致残余应力，从而引起减小的疲劳寿命。应力可随时间改变，从而引起探针刚度的改变。
本发明提供了更低的制造成本和交付时间。同时制造很多探针，且尖端几何构型可通过蚀刻或电形成过程而非后续过程步骤而形成。抛光和镀覆过程也同时完成。
本发明的探针设计可很容易地被修改。如果使用蚀刻，则可通过改变用于产生玻璃掩模的图模和通过所选金属扁材的厚度而控制弹性系数。如果使用电形成，则可通过改变用于产生玻璃掩模的图模和通过控制电形成的厚度而改变弹性系数。在这两种情形中，都可仅通过产生新掩模而实现新设计。不需要昂贵的且耗时间的再加工。
最后，由本发明的方法所制造的蚀刻的或电形成的探针不需要型铁以实现所需硬度。因此，探针可设置得更近，从而允许更密的阵列。
权利要求
1.一种用于制造多个微探针的方法，包括以下步骤限定多个探针(81)的形状(72)为掩模(73)；应用光刻胶(1001)至第一金属材料(1201)的一侧；将所述掩模(73)覆盖到所述第一金属材料(1201)的所述侧；将所述光刻胶(1001)暴露给通过所述掩模(73)的光；显影所述光刻胶(1001)；除去部分所述光刻胶(1001)以暴露部分所述第一金属材料(1201)；在所述第一金属材料(1201)的所述暴露部分上电形成第二金属材料；以及除去所述第二金属材料以生成多个探针(81)。
2.根据权利要求1的方法所制造的微探针，其中所述微探针包括厚度基本一致的探针基部(5001)，其被多个边缘定界并在平面内延伸一个基本为直的长度；连接到所述探针基部(5001)的探针轴(5003)，其中所述探针轴(5003)具有所述基本一致的厚度，由多个边缘定界，且在所述平面内沿弯曲的扩张段延伸；连接到所述探针轴(5003)的探针末端(5005)，其中所述探针末端(5005)具有所述基本一致的厚度，由多个边缘定界，且在所述平面内延伸一个基本为直的距离，其中所述直的距离近似平行于所述直的长度；以及基本绕由所述探针基部(5001)、所述探针轴(5003)、和所述探针末端(5005)的边缘所构成的周边延伸的扇形(1003)。
3.一种探针测试头，包括包括第一和第二相对平表面的第一模(42)，其中所述第一模(42)还包括第一模孔图案，所述第一模孔在垂直于所述第一和第二平表面的方向上延伸穿过所述第一模(42)；包括第三和第四相对平表面的第二模(44)，其中所述第二模(44)还括对应于所述第一模孔图案的第二模孔图案，所述第二模孔在所述方向上延伸穿过所述第二模(44)，所述第三平表面以与所述第二平表面面接触的方式被设置，使得所述第二模孔在基本一致的方向上相对于所述第一模孔偏移；以及多个探针(81)，其中所述探针(81)中的每一个都延伸穿过所述第一模孔中一个和所述第二模孔中一个，所述探针具有与已经通过电形成所形成的相称的表面。
4.如权利要求3所述的探针测试头，其中所述多个探针(81)中的每一个在与所述多个探针(81)中另一个相互比较时在形状上基本一致。
5.如权利要求3所述的探针测试头，其中所述多个探针(81)中每一个的长度与所述多个探针(81)中其它探针相比在0.002英寸内或更小。
6.如权利要求5所述的探针测试头，其中所述多个探针(81)中每一个的长度与所述多个探针(81)中其他探针相比在0.0005英寸内或更小。
7.一种用于制造探针测试头的方法，所述方法包括限定多个探针(81)的形状为一个或多个掩模(73)；用于利用所述一个或多个掩模(73)制造所述多个探针(81)的步骤；排列所述多个探针(81)通过第一模(42)中相应的第一组多个孔，其中所述第一模(42)包括第一和第二相对平表面，所述第一组多个孔在所述第一和第二相对平表面之间延伸穿过所述第一模(42)；以及排列所述多个探针(81)通过第二模(44)中相应的第二组多个孔，其中所述第二模(44)包括第三和第四相对平表面，所述第二组多个孔在所述第三和第四相对平表面之间延伸穿过所述第二模(44)。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述利用一个或多个掩模制造多个探针(81)的步骤包括应用光刻胶(1001)到第一金属材料(1201)的一侧；将所述一个或多个掩模(73)覆盖在所述第一金属材料(1201)的所述一侧上；将所述光刻胶(1001)暴露给通过所述一个或多个掩模(73)的光；显影所述光刻胶(1001)；除去部分所述光刻胶(1001)以暴露部分所述第一金属材料(1201)；在所述第一金属材料(1201)的暴露部分上电形成第二金属材料；以及除去所述第二金属材料以制造多个探针(81)。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述利用一个或多个掩模制造多个探针(81)的步骤包括应用光刻胶(1001)到金属箔的第一和第二相对侧；将至少一个所述掩模(73)覆盖在所述金属箔的相对第一和第二侧上；将所述光刻胶(1001)暴露给通过每个所述掩模(73)的光；显影所述光刻胶(1001)；除去部分所述光刻胶(1001)以暴露部分所述金属箔；在所述金属箔的表面上施加蚀刻剂以除去所述暴露的部分，从而制造多个探针(81)。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述多个探针(81)中每个探针包括具有基本一致厚度的探针基部(5001)，其由多个边缘定界并在平面内延伸一个基本为直的长度；连接到所述探针基部(5001)的探针轴(5003)，其中所述探针轴(5003)厚度基部一致，由多个边缘定界，并在所述平面内沿弯曲扩张段延伸；连接到所述探针轴(5003)的探针末端(5005)，其中所述探针末端(5005)厚度基本一致，由多个边缘定界，且在所述平面内延伸一个基本为直的距离，所述直的距离近似平行于所述直的长度；以及基本绕由所述探针基部(5001)、所述探针轴(5003)、和所述探针末端(5005)的边缘所构成的周边延伸的扇形(1003)。
全文摘要
一种制造探针测试头的方法，该探针测试头用于半导体集成电路的测试，该方法包括限定多个探针(81)的形状为一个或多个掩模(73)，用于用掩模(73)制造多个探针的步骤；和排列多个探针(81)穿过第一模(42)和第二模(44)中的相应孔。用于制造多个探针(81)的步骤可包括光蚀刻和光限定电形成中的一个。
文档编号G01R1/073GK1871522SQ200480031460
公开日2006年11月29日 申请日期2004年10月22日 优先权日2003年10月24日
发明者弗朗西丝·T·迈奎德, 查尔斯·L·巴托, 菲利普·M·特拉科尔 申请人:温特沃斯实验室公司