气敏元件的制作方法

专利名称：气敏元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种采用金属氧化物半导体的气敏元件。
背景技术：
通常，已知有气敏元件采用金属氧化物半导体，比如二氧化锡(SnO2)作为敏感层并且能借助于金属氧化物半导体的电特性变化(例如电阻的变化)来检测是否已经具有待检测的气体或者检测其浓度变化。用于气敏元件中的金属氧化物半导体具有金属氧化物半导体中的传导电子数目减小以及电阻变高的特征，这是由于大气中氧气的负电荷(O2-)被吸附到金属氧化物半导体的表面上。在此状态下，如果任何还原气体(比如一氧化碳)作为测量环境中要被检测的气体，那么被吸附到金属氧化物半导体的表面上的O2-将被解除吸附，从而使得金属氧化物半导体的电阻降低。基于金属氧化物半导体的电阻中的这种变化，气敏元件可以对待检测气体进行检测。也就是说，气敏元件的敏感度可以用金属氧化物半导体根据待检测气体存在或不存在的电阻比来表示。
由于金属氧化物半导体容易受到湿度的影响，气敏元件的敏感度就倾向于在湿度的影响之下退化。如果测量环境中的湿度增大，测量环境中潮气作为羟基OH-被吸收到O2-应当被吸收之处的数量将增加。于是，O2-被吸附到金属氧化物半导体的表面上的数量就会降低。因此，在其中没有待检测气体的测量环境中，金属氧化物半导体的电阻就会变得很小，而这个电阻通常应当很高。而且，如果测量环境中的湿度很高，羟基OH-的吸附量将会增加，因此就减小了O2-的被吸附量。此外，被吸附到金属氧化物半导体上的羟基OH-不会被待检测的气体解除吸附。即使测量环境中存在着待检测的气体，金属氧化物半导体的电阻也不会很小，而是很大。因而，当测量环境中的湿度增加时，气敏元件的敏感度就会退化。
因此，通过将比如钒、铌和钽之类的五价过渡金属以及比如铬之类的三价过渡金属增加到用作气体检测体(敏感层)的金属氧化物半导体之中，O2-和金属氧化物半导体表面之间的结合力就变得大于羟基OH-和金属氧化物半导体表面之间的结合力。从而就可以提高气敏元件的防潮性能。(例如参见日本专利申请JP 2001-305089)然而，在JP 2001-305089中公开的气敏元件中，在评测防潮性能时，只是采用了相对低负荷之下的季节性相关度。然而没有考虑到车辆中气敏元件所需的高温和高湿度环境(例如60℃，95％RH)之下的防潮性能。

发明内容
为了解决上述问题已经构思出了本发明并且本发明的目标是提供一种即使用于高温和高湿度环境下也具有极好防潮性能的气敏元件。
为了完成上述目标，本发明实施例的气敏元件包括气敏部分，该气敏部分由电特性根据待检测气体而变化的金属氧化物半导体部分和分散在金属氧化物半导体部分的表面上的催化部分形成；和绝缘部分，该绝缘部分形成于气敏部分的表面上以使得一部分气敏部分可以暴露出来；其中金属氧化物半导体部分主要由SnO2构成，催化部分由贵金属M构成并且绝缘部分主要由SiO2构成，其中具有绝缘部分的气敏部分的由Si/(M+Si)表示的代表Si与M的原子数目比值的表面添加比值被确定为65％或者更大至97％或更小，并且气敏部分的由Si/(Sn+Si)表示的代表Si与Sn的原子数目比值表面添加比值被确定为75％或者更大至97％或更小。
而且，除了本实施例之外，贵金属M优选地是Pd或Pt。
此外，除了本实施例之外，金属氧化物半导体部分、催化部分和绝缘部分优选地分别采取薄膜的形式。
而且，除了本实施例之外，优选地，气敏元件还包括硅衬底；和绝缘层，该绝缘层形成于硅衬底上并且其中用于加热金属氧化物半导体部分的加热元件被埋入其中，其中硅衬底包括有开口，该开口形成于直接位于加热元件下面的位置处，和其中金属氧化物半导体部分形成于绝缘层上以直接位于加热元件之上。
在本发明的第一方面，催化部分(催化物质)分散地形成于金属氧化物半导体部分的表面上，并且绝缘部分分散地形成于金属氧化物半导体部分上形成催化部分之处的表面上(即气敏部分上)。金属氧化物半导体部分的由Si/(M+Si)表示的表面添加比值被确定为65％或者更大至97％或更小，并且半导体部分的由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值被确定为75％或者更大至97％或更小。也就是说，构成气敏部分的金属氧化物半导体部分和催化部分暴露给绝缘部分的表面以使得，环境中氧气的负电荷(O2-)可以被吸附到金属氧化物半导体部分的表面上，从而用作气敏元件。而且，构成绝缘部分的SiO2具有捕获羟基OH-的特性，防止了OH-被吸附到金属氧化物半导体部分在高温和高湿度下吸附O2-的位置处。本发明的气敏元件可以显示极好的检测精度和防潮性能，因为催化部分和绝缘部分形成于金属氧化物半导体部分的表面上以使得其表面添加比值可以在上述范围内。
当金属氧化物半导体部分的由Si/(M+Si)表示的表面添加比值小于65％时，或者当半导体部分的由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值小于75％时，金属氧化物半导体部分和催化部分被暴露在绝缘部分之间的比例将会很大。于是，绝缘部分的比例将相对较小，导致羟基OH-不大可能在高温和高湿度环境下被捕获，从而气敏元件的敏感度(在存在或不存在待检测气体时金属氧化物半导体部分中电阻值的比值)将退化。另一方面，当金属氧化物半导体部分的由Si/(M+Si)表示的表面添加比值大于97％时，或者当半导体部分的由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值大于97％时，金属氧化物半导体部分和催化部分被暴露在绝缘部分之间的比例将会很小。也就是说，由于气敏元件中吸附O2-的位置减少，无论待检测气体是否存在，金属氧化物半导体部分的电阻值几乎不变(即保持在很大的数值)，导致气敏元件的敏感度退化。
而且，由于绝缘部分主要由SiO2构成，其可以廉价地制造，同时降低了环境负荷。
另外，在本发明中，表面添加比值从由X射线光电光谱学(XPS)测量的原子数目获得。具体地，存在于金属氧化物半导体部分中的各种元素之中要进行测量的元素的光电峰值区域由X射线表面分析仪(Quantera SXM，Physical Electronics制造)进行测量，在100μm的检测区域中检测深度为4至5nm(引出角度为45度)的情况下利用AlKα射线(1486kev)进行测量。然后，被测量的每种元素的原子数目由公式(1)所给出的公式定量地确定(相对确定的数量)。根据每种元素如此确定数量的原子数目计算出上述表面添加比值。
Ci＝{(Ai/RSFi)/(∑iAi/RSFi)}×100...(1)其中，Ci表示被测量的元素i的确定数量值(原子百分比)，Ai表示被测量的元素i的光电峰值区域，并且RSFi表示被测量的元素i的相对敏感度系数。
而且，在本发明中，“主要成分”表示重量占包含的所有成分的80％或更大的成分，优选地占90％或更大，更优选地占95％或更大。
在基于其第一方面的本发明的第二方面中，由于气敏元件使用Pd或Pt作为构成催化部分的贵金属M，气敏元件显示了对于当前应用极好的耐用性，以及在测量环境中还原气体浓度变化的极好敏感度。
在基于其第二方面的本发明的第三方面中，气敏元件可通过以薄膜形式形成的绝缘部分来有效地保护金属氧化物半导体部分的表面中O2-的吸附位置，使得气敏元件具有极好的防潮性能，并且对于当前应用极好的耐用性。
在本发明的第四方面，构成气敏部分的金属氧化物半导体部分形成于绝缘层上以便直接位于加热元件之上，并且开口部分形成于直接位于硅衬底中加热元件下面之处，其通过层压绝缘层形成。因此，在使用气敏元件时，可以借助于加热元件有效地加热金属氧化物半导体部分。通过借助于加热元件有效地加热金属氧化物半导体部分，金属氧化物半导体部分将被很好地激励，这样就能更好地检测在测量环境中待检测气体浓度的变化。
本发明可应用于用于检测还原气体的气敏元件。


以下将参照

本发明的实施例，其中图1示出气敏元件1的局部剖面图(具体地，从图面的左侧横截到右侧的视图，包括一个包含图3所示气敏元件1的气敏部分4的位置)；图2示出气敏元件1的加热元件5的触点9附近的局部剖面图；以及图3示出从形成气敏元件1的气敏部分4的一侧看的俯视图。
附图标记说明1气敏元件2硅衬底3绝缘部分4气敏部分
5 加热元件6 电极7 绝缘部分8 金属氧化物半导体体9 触点10导线部分11触片12导线部分21开口部分31 SiO2层32 Si3N4层33 SiO2层34 Si3N4层35 SiO2层36 Si3N4层41金属氧化物半导体部分42催化部分91引出电极92触片具体实施方式
下文中，将参照附图描述具体化本发明的气敏元件1的实施例。
首先，将参照图1和图2解释气敏元件1的结构。图1是气敏元件1的局部剖面图。图2是示出气敏元件1的加热元件的触点9附近的局部剖面图。图3是从形成气敏元件1的气敏部分4一侧看的俯视图。
如图3所示，气敏元件1在俯视图中呈矩形并且在硅衬底2的顶面和底面上都形成有绝缘部分3，其中形成于一个表面上的绝缘部分3具有气敏部分4和绝缘部分7。气敏元件1能通过利用其电特性来对待检测的气体浓度的变化进行检测，其电特性根据待检测的气体而变化。这里，待检测的气体是还原气体，其包括例如氧化碳气体、烃系气体(LPG、城市煤气、天然气、甲烷、卤化烃系气体等)、醇系气体、醛系气体、氢气、硫化氢气体。特别地，气敏元件1适于检测一氧化碳气体浓度的变化。
绝缘部分3由形成于硅衬底2一面上的绝缘层31、32、33、34和形成于硅衬底另一面上的绝缘层35、36构成。由二氧化硅(SiO2)制成的绝缘层31、35在厚度方向上分别形成于硅衬底2的两个表面上，以将硅衬底2夹在中间。而且，由氮化硅(Si3N4)制成的绝缘层32、36分别形成于绝缘层31、35的外表面上。此外，由氧化硅制成的绝缘层33形成于绝缘层32的外表面上，并且由氮化硅制成的绝缘层34覆盖在绝缘层33上。
在绝缘层33中，用于热清洁的加热元件5被埋在其中，其加热金属氧化物半导体部分以便在气敏元件1的敏感度(存在或不存在待检测气体时金属氧化物半导体部分中电阻值的比值)降低时使气敏元件1返回到其初始状态。而且，电连接到加热元件5的导线部分12被埋入绝缘层33，并且如图2所示，用于将加热元件5连接到外部电路的触点9形成于导线部分12的端部处。加热元件5和导线部分12被制成为具有由铂(Pt)层和钽(Ta)层构成的双层结构。此外，用于加热元件5的触点9具有一种结构，其中由金(Au)制成的触片92形成于由钛(Ti)层和铂层构成的引出电极91的表面上。另外，用于加热元件5的触点9成对地形成于气敏元件1中(参见图3)。
而且，如图1所示，开口部分21形成于硅衬底2上形成绝缘层36的那一面处。开口部分21被形成为使得一部分硅衬底2和一部分绝缘层35、36被移除从而露出一部分绝缘层31。开口部分21被定位在与被埋入绝缘层33的加热元件5相应的位置处(即直接位于加热元件5下面)。
接着，如图1所示，在绝缘层34的表面上，形成有位于加热元件5和导线部分10(参见图2)上的电极6，该导线部分10用于电连接到电极6。类似于用于加热元件5的触点9的引出电极91，电极6和导线部分10由形成于绝缘层34上的钛层和覆盖在钛层上的铂层所构成。而且，如图2所示，由金制成的触片11形成在导线部分10的一端之上以作为金属氧化物半导体体触点部分8，以便从而连接到外部电路。另外，金属氧化物半导体触点部分8成对地形成于气敏元件1中。
接着，如图1所示，气敏部分4形成于绝缘层34上以覆盖电极6并且由金属氧化物半导体部分41和催化部分42构成，金属氧化物半导体部分41主要由氧化锡(SnO2)构成，催化部分42由钯(Pd)构成并且分散地形成于金属氧化物半导体部分41的表面上。也就是说，在本实施例中，催化部分42意味着分散在金属氧化物半导体部分41的表面上的每个钯颗粒。而且，由二氧化硅(SiO2)制成的绝缘部分7分散地形成于气敏部分4的表面上。另外，金属氧化物半导体部分41(气敏部分4)形成于绝缘部分3(具体地，绝缘层33、34)上以直接位于加热元件5之上。
顺便说一句，在本实施例的气敏元件1中，气敏部分4的催化部分42以及绝缘部分7以上述顺序分别形成于金属氧化物半导体部分41的表面上，并且它们的成分都是分散的。这意味着金属氧化物半导体部分41的表面不是被催化部分42完全覆盖，金属氧化物半导体部分41的表面和催化部分42也不是被绝缘部分7完全覆盖。这通过利用XPS进行测量的结果证实，其中在气敏元件1的具有绝缘部分7的气敏部分4的表面上观察到了Si、Pd和Sn。很显然，在本实施例中，利用上述装置在与前述相同的情况下执行由XPS进行的分析(测量)。在本实施例中，基于下述评测的结果，由Si/(Pd+Si)表示的表面添加比值，即Si(构成其表面上的绝缘部分7)和Pd(构成催化部分42)的原子数目比，被确定为65％或者更大至97％或更小，并且由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值，即Si和Sn(构成金属氧化物半导体部分41的原子数目比，被确定为75％或者更大至97％或更小。
第一实施例为了确认本发明关于上述气敏元件1的作用，基于下述每个步骤产生七个样品，每个样品都具有不同的表面添加比值(针对金属氧化物半导体部分41中的Si、构成催化部分42的贵金属M以及Sn)，并且随后对它们进行评测。另外，气敏元件1在生产过程中的半成品工件将被称作衬底。
(1)硅衬底2的清洗首先，将厚度为400μm的硅衬底2浸入清洗液并对其进行清洗处理。
(2)绝缘层31、35的形成将硅衬底2投入热处理炉并对其进行热氧化处理以便在硅衬底2上形成厚度全为100nm的二氧化硅层(绝缘层31和35)。
(3)绝缘层32、36的形成接着，通过利用作为源气体的SiH2Cl2和NH3进行LP-CVD，在硅衬底2的一面上形成厚度为200nm的氮化硅层(绝缘层32)。类似地，在硅衬底2的另一面上形成厚度为100nm的氮化硅层(绝缘层36)。
(4)一部分绝缘层(下层)33的形成接着，通过利用TEOS和作为源气体的O2进行等离子CVD，在绝缘层32的表面上形成厚度为100nm的氧化硅层(一部分绝缘层33)。
(5)加热元件5和导线部分12的形成然后，利用直流(DC)溅射装置，在绝缘层33的表面上形成厚度为20nm的钽层，并且在钽层上形成厚度为220nm的铂层。在溅射处理之后，通过光刻形成保护层图案，并且通过湿式蚀刻处理形成加热元件5和导线部分12的图案。
(6)绝缘层(上层)33的形成类似于(4)，通过利用TEOS和作为源气体的O2进行等离子CVD，在绝缘层33(下层)和加热元件5的表面上形成厚度为100nm的氧化硅层(绝缘层33(上层))。因而，加热元件5和导线部分12被埋在厚度为200nm的绝缘层33中。
(7)绝缘层34的形成此外，类似于(3)，通过利用SiH2Cl2和作为源气体的NH3进行LP-CVD，在绝缘层33的表面上形成厚度为200nm的氮化硅层(绝缘层34)。
(8)用于接触加热元件5的开口的形成随后，通过光刻形成保护层图案。然后，通过干蚀刻方法对绝缘层33和34进行蚀刻以在将要形成用于与加热元件5相接触的触点9之处形成孔以使得导线部分12的一端的一部分被暴露出来。
(9)电极6、导线部分10和引出电极91的形成接着，利用直流溅射装置，在绝缘层34的表面上形成厚度为20nm的钽层，并且在钽层上形成厚度为40nm的铂层。在溅射处理之后，通过光刻形成保护层图案，并且通过湿式蚀刻处理形成电极6、导线部分10和引出电极91的图案。
(10)触片11、92的形成然后，利用直流溅射装置在衬底的形成电极之的表面上形成厚度为400nm的金层。在溅射处理之后，通过光刻形成保护层图案，并且通过湿式蚀刻处理形成触片11、92的图案。
(11)开口部分21的形成随后，通过光刻形成保护层图案，并且通过干蚀刻处理形成用作掩模的绝缘膜。然后，将硅衬底2进入TMAH溶液并对其进行各向异性蚀刻以便对形成绝缘层35、36的表面进行开口并且在相应于加热元件5之处形成开口部分21从而暴露出绝缘层31。
(12)气敏部分4和绝缘部分7的形成接着，通过以下方法在绝缘层34的表面上形成气敏部分4。首先，利用RF溅射装置在相应于加热元件5和开口部分21的位置处形成氧化锡层(金属氧化物半导体部分41)。随后，通过利用RF溅射装置在氧化锡层上提供贵金属M(具体地，Pd或Pt)来在其上形成催化部分42以完成气敏部分4。此外，利用RF溅射装置将氧化硅附着到气敏部分4的表面以完成绝缘部分7。在上述每个步骤中，对衬底进行加热以使得在形成为薄膜时每个部分的温度都处于50-400℃范围内。金属氧化物半导体部分41、催化部分42和绝缘部分7按上述顺序依照上述步骤形成。催化部分42和绝缘部分7通过调整溅射处理时期来形成，以使得由Si/(M+Si)表示的表面添加比值能够变为65％或更大至97％或更小，并且由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值能够变为75％或更大至97％或更小，这些比值通过利用XPS测量绝缘部分7的表面来获得。
(13)衬底的热处理将衬底插入热处理炉并在300-500℃下在环境中对其进行1-10小时的热处理。
(14)衬底的切割和气敏元件的时效处理利用划片机对衬底进行切割以获得从上面看尺寸为2.6mm×2mm的气敏元件1。然后在250℃下在环境中对气敏元件1进行超过100小时的时效处理以完成气敏元件1。
另外，这样制造的气敏元件1将被安装在具有传感器控制电路等的电路板上。
对气敏元件1的样品执行对于待检测气体敏感度的评测。另外，样品1至6利用Pd作为贵金属M来构成催化部分42，样品7利用Pt作为贵金属M。如表1所示，样品1至7的催化部分42被形成为使得由Si/(M+Si)表示的金属氧化物半导体部分41的表面添加比值分别变为0、67、89、97、99、33和96(％)。此外，样品1至7的绝缘部分7被形成为使得由Si/(Sn+Si)表示的金属氧化物半导体部分41的表面添加比值分别变为0、76、92、97、99、77和97(％)。
利用金导线将每个样品电连接到测量工具。然后，将每个样品放置在60℃、相对湿度RH为95％的环境中并且电连接加热元件5并将其保持50小时以使得其温度能够为250℃以执行防潮性能测试。而且，在执行测试时，还将气体检测电压施加到金属氧化物半导体部分41。
在评测中，比较防潮性能测试前后对于一氧化碳(CO)的敏感度的变化。这里，基于用以下方法测量的气敏元件的电阻，计算对CO气体的敏感度。首先，利用基准气体来测量气敏元件的电阻(Rair)，所述基准气体温度为25℃、相对湿度RH为40％，这里基准气体为混合气体时的成分为氧气(O2)占20.9％(体积)、其余为氮气。接着，使气敏传感器的周围环境大气进入其中30ppm的CO气体被混合入基准气体的环境大气中以便测量气敏元件在混合5秒之后的电阻(Rgas)。然后，将这两个电阻的比值(Rgas/Rair)计算为敏感度(气敏响应值)。另外，能对待检测气体进行检测的敏感度值小于0.95。
样品1在防潮性能测试之前测得的敏感度为0.80，在测试之后为0.98。然后，激励加热元件并在350℃下热清洗30秒，并且随后再次测量敏感度。其结果为0.97，这显示出敏感度没有恢复。然后，再次激励样品1的加热元件并在500℃下热清洗1分钟。气敏元件的敏感度变为0.90。样品6在防潮性能测试之前测得的敏感度为0.94，在测试之后为0.97。
样品2至4在防潮性能测试之前测得的敏感度分别为0.80、0.76和0.81，在测试之后分别为0.92、0.90和0.93。与上述情况类似，样品在350℃下热清洗30秒。于是，样品2至4的敏感度分别变为0.84、0.80和0.88。
样品5在防潮性能测试之前的敏感度为0.97。
另一方面，利用Pt作为贵金属M的样品7在防潮性能测试之前的敏感度为0.85，在测试之后为0.89。与上述情况类似，样品7在350℃下热清洗30秒。样品7的敏感度变为0.86。
表1

作为评测的结果，在没有形成主要由SiO2构成的绝缘部分7的样品1中观察到了由于羟基OH-在测试之后被吸附到金属氧化物半导体部分41上所导致的敏感度退化。在350℃下进行低温热清洗之后，在样品1中没有观察到敏感度的任何恢复。然而，在500℃下进行高温热清洗之后，其将较大的负荷施加在金属氧化物半导体部分41上，确认了样品1中敏感度的恢复。
而且，在Si/(M+Si)和Si/(Sn+Si)中的表面添加比值都为99％的样品5中，即使在正常情况(即在防潮性能测试之前)下其敏感度也不好，因为构成金属氧化物半导体部分41的SnO2几乎没有暴露在绝缘部分7之间。
样品6的由Si/(M+Si)表示的表面添加比值小于65％。而且，催化部分42中用作贵金属M的Pd被过度地暴露在绝缘部分7之间，将绝缘部分7的形成限制到相当低的量。于是，在防潮性能测试之后观察到了样品6的敏感度的退化。
样品2至4的由Si/(M+Si)表示的表面添加比值为65％或者更大至97％或更小，并且由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值为75％或者更大至97％或更小。样品2至4在测试之前和之后的敏感度小于0.95——敏感度的数值使得可以对待检测的气体进行检测。此外，如果测试之后在350℃下执行低温热清洗，可以确认敏感度被恢复到测试之后的数值附近。
此外，在催化部分42中采用Pt作为贵金属M的样品7中，如果由Si/(M+Si)表示的表面添加比值为65％或者更大至97％或更小，并且由Si/(Sn+Si)表示的表面添加比值为75％或者更大至97％或更小，就观察到了类似于样品2至4中的气敏元件的良好敏感度。
另外，本发明并不特别限于上述实施例，而是可以在本发明的范围内以各种方式变化或修改。例如，尽管硅衬底2由硅酮制成，但也可以由氧化铝或其它半导体材料制成。而且，气敏元件1的平面形状不是必须采取矩形形式，而是可以为多边形或圆形，并且大小和厚度是不限的。此外，在上述实施例中，金属氧化物半导体部分41、催化部分42和绝缘部分7是利用溅射方法以薄膜的形式形成。然而，除了溅射方法之外，也可以使用汽相外延方法(例如汽相沉积)。
权利要求
1.一种气敏元件(1)，包括气敏部分(4)，该气敏部分由电特性根据待检测气体变化的金属氧化物半导体部分(41)和分散在金属氧化物半导体部分(41)的表面上的催化部分(42)形成；和绝缘部分(7)，该绝缘部分形成于气敏部分(4)的表面上以使得一部分气敏部分(4)可以暴露出来；其中金属氧化物半导体部分(41)主要由SnO2构成，催化部分(42)由贵金属M构成，并且绝缘部分(7)主要由SiO2构成，其中具有绝缘部分(7)的气敏部分(4)的由Si/(M+Si)表示的代表Si与M的原子数目比值的表面添加比值被确定为65％或者更大至97％或更小，并且气敏部分(4)的由Si/(Sn+Si)表示的代表Si与Sn的原子数目比值的表面添加比值被确定为75％或者更大至97％或更小。
2.如权利要求1所述的气敏元件(1)，其中贵金属M是Pd或Pt。
3.如权利要求1所述的气敏元件(1)，其中金属氧化物半导体部分(41)、催化部分(42)和绝缘部分(7)分别采取薄膜的形式。
4.如权利要求2所述的气敏元件(1)，其中金属氧化物半导体部分(41)、催化部分(42)和绝缘部分(7)分别采取薄膜的形式。
5.如权利要求1至4中任一项所述的气敏元件(1)，还包括硅衬底(2)；和绝缘层(33)，该绝缘层形成于硅衬底(2)上并且其中用于加热金属氧化物半导体部分(41)的加热元件(5)被埋入其中，其中硅衬底(2)包括开口(21)，该开口形成于直接位于加热元件(5)下面的位置处，并且其中金属氧化物半导体部分(41)形成于绝缘层(33)上以直接位于加热元件(5)之上。
全文摘要
本发明提供一种即使在高温和高湿度环境下使用时也具有极好防潮性能的气敏元件。根据本发明，一种气敏元件(1)包括硅衬底(2)；主要由SnO
文档编号G01N27/407GK1825102SQ20061000942
公开日2006年8月30日 申请日期2006年2月22日 优先权日2005年2月22日
发明者中川伸一, 中野吉博, 喜田真史, 小岛多喜男 申请人:日本特殊陶业株式会社