包括引线框架的传感器和及其形成方法

专利名称：包括引线框架的传感器和及其形成方法
技术领域：
本发明总体上涉及包括引线框架的传感器和形成包括引线框架的传感器的方法。
本发明要求于2005年2月25日提交的日本专利申请No.2005-50879和于2005年3月29日提交的日本专利申请No.2005-93636的优先权，它们的全部内容通过参考并入这里。
背景技术：
为了更充分地描述本发明涉及的技术领域的状态，将下面在本申请中引用或指出的全部专利、专利申请、专利出版物、科学论文等的全部内容通过参考并入这里。
近年来，不断要求将诸如移动电话等的终端装置与指示有关用户位置的信息的GPS(全球定位系统)集成。GPS功能可通过使用诸如磁性传感器或加速传感器的用于传感或测量物理量的传感器实现。集成在终端装置中的磁性传感器传感或测量地磁场，以传感或测量终端装置的三维空间中的方位角或方向。集成在终端装置中的加速传感器传感或测量终端装置的运动方向，以传感或测量终端装置的位置。用于传感物理量的传感器的典型实例可包括但不限于彼此倾斜放置的多个诸如磁性传感器芯片的传感器芯片。传感器芯片的这种放置方式有助于减小传感器尺寸和减少传感器的厚度。
具有倾斜的传感器芯片的传感器在垂直于包括倾斜传感器的平面的轴向方向上具有高灵敏度，在诸如平行于基板表面的轴向方向的其它轴向方向上具有低灵敏度。这种类型的传感器将是未来的主要趋势。
图24示出了用于传感物理量的传统传感器的平面图。图25是图24的传感器的横截面图。图26是用于形成图24所示传感器的引线框架的平面图。用于传感物理量的传感器1包括一对传感器芯片2和3，这对传感器芯片彼此倾斜，以便传感或测量外部磁场的方向和大小。图24的传感器1可使用图26的引线框架4形成。引线框架4可通过金属板的压力加工和/或蚀刻工艺形成。
图26的引线框架4包括框架5和由框架5支撑的一对台6和7。框架5进一步包括矩形框架部分5a、多个引线5b、和修改的连接引线5d。矩形框架部分5a限定矩形内部区域。矩形框架部5a具有四个角部5c、两个长边和两个短边。多个引线5b从矩形框架部分5a延伸进所述内部区域。修改的连接引线5d从矩形框架部分5a的角部5c延伸进所述内部区域。台6和7设置在所述内部区域内，并且由第一对修改的连接引线5d和第二对修改的连接引线5d支撑。
引线框架4具有平行于矩形框架部分5a的两个长边的第一中心线和平行于矩形框架部分5a的两个短边的第二中心线。第一和第二中心线彼此垂直。台6和7具有矩形形状。第二中心线将所述内部区域分成两个子区域。台6和7分别设置在两个子区域内，以便远离第二中心线。台6和7相对于第二中心线的反射对称轴对称地定位。台6和7的每一个都相对于第一中心线的另一反射对称轴对称地延伸。框架5相对于第一和第二中心线的反射对称轴对称。台6具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中传感器芯片2安装在所述第一表面上。台7具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中传感器芯片3安装在所述第一表面上。台6具有一对突出部8，这对突出部向着对应台7突出，并且从包括台6的平面朝着第二表面面对的空间倾斜。突出部8远离第二中心线。台7具有一对突出部9，这对突出部向着对应台6突出，并且从包括台7的平面朝着第二表面面向的空间倾斜。突出部9远离第二中心线。
修改的连接引线5d包括从矩形框架部分5a悬挂台6和7的悬挂引线。每个修改的连接引线5d都具有可扭曲部分5e，所述可扭曲部分5e与台6或7的侧边缘6b或7b相邻并相连。可扭曲部分5e包括由凹陷侧限定的窄部分。扭曲可扭曲部分5e使得台6或7从包括框架5的平面倾斜。
图24和25中所示的传感器1包括多个引线5b、具有扭曲部分5e的修改的连接引线5d、具有倾斜的传感器芯片2和3的倾斜台6和7、将倾斜的传感器芯片2和3电连接至引线5b的布线10、和封装传感器芯片2和3和多个引线5b的树脂模11。树脂模11通过注模工艺形成。当注模工艺已经完成时，引线5b和修改的连接引线5d具有位于树脂模11和矩形框架部分5a外面的外侧部分。切去引线5b和修改的连接引线5d的一部分，以去除外侧部分和矩形框架部分5a，从而完成传感器1。这在日本未审专利申请首次公布No.2004-128473中作了披露。
图24、25、和26中的虚线表示树脂模11的周边。树脂模11在平面图中具有矩形形状，在截面图中具有梯形形状。树脂模11具有第一表面和与第一表面相对的第二表面11a。所述第一表面是顶表面，所述第二表面11a是底表面。引线框架4具有第一表面和与第一表面相对的第二表面4a。引线框架5具有第一表面和与第一表面相对的第二表面5g。第二表面4a包括第二表面5g。引线框架5的第二表面5g出现在树脂模11的第二表面11a中。即，第二表面5g从第二表面11a暴露。突出部8和9具有定位在树脂模11的第二表面11a上的顶部8a和9a。具有传感器芯片2和3的台6和7从树脂模11的第二表面11a倾斜。台6在从第二平面倾斜的第一平面内延伸，所述第二平面包括树脂模11的第二表面11a。台7在第三平面内延伸，所述第三平面从第二平面倾斜，也从第一平面倾斜。第一平面和第三平面彼此以锐角相交。传感器芯片2和3安装在倾斜的台6和7上。具有倾斜的传感器芯片2和3的倾斜的台6和7固定至树脂模11，并且由树脂模11封装。
将描述形成传感器1的传统方法。图27A是处于形成图24和25的传感器1的方法所涉及的步骤中的图26的引线框架4的局部截面图。图27B是处于形成图24和25的传感器1的方法所涉及的另一步骤中的引线框架4的局部截面图。图27C是处于形成图24和25的传感器1的方法所涉及的又一步骤中的引线框架4的局部截面图。
如图26和27A中所示，准备具有预定内部区域的金属板。金属板的所述预定内部区域经受光蚀刻工艺，以减少一半的厚度，并且形成厚度减小的板。厚度减小的板接着经受压力加工和/或蚀刻工艺，以形成引线框架4，所述引线框架包括框架5和具有突出部8和9的台6和7。台6和7由连接至矩形框架部分5a的修改的连接引线5d支撑。每个修改的连接引线5d都具有可扭曲部分5e，所述可扭曲部分包括由凹陷侧限定的窄部分。突出部8从台6向对应台7延伸，并且从包括台6的平面倾斜。突出部9从台7向对应台6延伸，并且从包括台7的平面倾斜。
传感器芯片2和3分别结合到台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。布线10是柔性的，并且松弛地延伸，以便允许在后续工艺中具有传感器芯片2和3的台6和7从包括框架5的平面倾斜。每个布线10都具有第一结合部分10a和第二结合部分10b，所述第一结合部分与传感器芯片2或3结合，所述第二结合部分与引线5b结合。倾斜具有传感器芯片2和3的台6和7增加了布线10的第一和第二结合部分10a和10b之间的距离。布线10的松弛允许台6和7被倾斜。
如图27B中所示，引线框架4放入第一和第二模具“D”和“E”之间。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有平坦表面“E1”。第二模具“E”向第一模具“D”移动，从而平坦表面“E1”上压突起部8和9，直到第一和第二模具“D”和“E”夹住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，并且台6和7从包括框架5的平面倾斜。
如图27C中所示，台6和7从包括框架5的平面倾斜。分别安装在台6和7上的磁性传感器芯片2和3也与台6和7一起倾斜。倾斜的磁性传感器芯片2和3相对于正方形框架部分5a和平坦表面“E1”具有预定倾角。所述预定倾角由可扭曲部5e和突出部8或9的顶部8a或9a之间的距离确定。
熔融的树脂被注入模具“D”和“E”的空腔中，同时使第二模具“E”上推突出部8和9，从而形成树脂模11，所述树脂模封装和固定倾斜的传感器芯片2和3和倾斜的台6和7。正方形框架部分5a和引线5b的外侧部分和修改的连接引线5d定位在树脂模11外面。引线5b和修改的连接引线5d的第二表面、正方形框架部分5a、引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分从树脂模11暴露。
接着将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，以在暴露的表面上形成镀层。引线5b和修改的连接引线5d被切去一部分，以去除正方形框架部分5a以及引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分，同时在引线5b的剩余部分和修改的连接引线5d的剩余部分的第二表面上留下镀层，从而完成传感器1。
传感器1安装在电路板上，从而剩余引线5b和剩余的修改的连接引线5d的第二表面上的镀层与电路板电连接。
图28是沿图24的A-A线得到的传感器的底视图。执行注模工艺，同时突出部8和9的顶部8a和9a与模具“E”的平坦表面“E1”接触。这样，熔融的树脂在注模时不能覆盖突出部8和9的顶部8a和9a，从而顶部8a和9a从树脂模11的第二表面11a暴露。当传感器1安装在电路板上时，暴露的顶部8a和9a与电路板的导电图案电接触，从而形成短路。
图29是放入模具“D”和“E”之间的传统的引线框架的截面图。如图29中所示，使用成对的模具“D”和“E”。模具“D”具有凹部分“D1”和用片状物“S”覆盖的脊部分，而模具“E”具有用片状物“S”覆盖的平坦表面“E1”。片状物“S”是柔性的。当模具“D”和“E”闭合时，顶部8a和9a与片状物“S”紧密接触。在注模工艺中，熔融的树脂填充空腔，但不密封或覆盖顶部8a和9a，由此顶部8a和9a没有被树脂模11覆盖，并且从树脂模11的底表面11a突出。传感器1具有底表面，所述底表面包括树脂模11的平坦底部、引线5b的底表面、和突出的顶部8a和9a。引线5b的底表面与树脂模11的平坦底部在相同的水平高度上。突出的顶部8a和9a与引线5b的底表面和树脂模11的平坦底部的水平高度不同。突出的顶部8a和9a防止引线5b与电路板的导电图案接触，由此引线5b不能电连接至电路板。突出的顶部8a和9a进一步阻止传感器令人满意地安装在电路板上。
在从模具“D”和“E”释放具有树脂模11的传感器后，可选地将传感器浸入电镀液内，由此诸如焊料层的镀层不仅形成在引线5b的暴露的底表面上，而且形成在突出的顶部8a和9a上。覆盖突出的顶部8a和9a的镀层是不必要的。当传感器安装在电路板上时，覆盖顶部8a和9a的不必要的镀层放入传感器和电路板之间。所述不必要的镀层阻止引线5b与电路板的导电图案接触，由此引线5b不能电连接至电路板。不必要的镀层进一步阻止传感器令人满意地安装在电路板上。
鉴于上述，本领域的技术人员根据此披露易知，需要一种改进的引线框架、包括所述改进的引线框架的传感器、形成引线框架的方法、和使用所述引线框架形成传感器的方法。本发明致力于本领域中的这些需要和本领域的技术人员根据此披露易知的其它需要。

发明内容
因此，本发明的一个主要目的是提供一种传感物理量且包括引线框架的传感器。
本发明的另一目的是提供一种形成传感物理量且包括引线框架的传感器的方法。
根据本发明第一方面，一种传感器包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有在水平高度上比所述底表面高的顶部。
根据本发明第二方面，一种传感器包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述至少一个突出部的顶部；以及所述多个引线的底表面上的镀层，所述镀层在水平高度上比所述绝缘层低。
根据本发明第三方面，一种传感器包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部包括在从所述第一和第二平面倾斜的方向上从所述台延伸的主部和在平行于所述引线的底表面的第二方向上从所述主部延伸的顶部，所述顶部在水平高度上等于或高于所述底表面。
根据本发明第四方面，一种传感器包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构，所述修改的连接引线结构与所述多个引线电断开；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有在水平高度上等于或高于所述底表面的顶部。
根据本发明第五方面，一种传感器包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；及所述多个引线的底表面上的镀层，所述镀层在水平高度上比所述顶部低。
根据本发明第六方面，一种形成传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；形成树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上；及在所述底部内形成凹陷部，所述凹陷部具有第二平坦表面，所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高且与所述顶部在同一水平高度上。
根据本发明第七方面，一种形成传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部，所述顶部在水平高度上比所述底表面低；及将所述顶部移动到在水平高度上比所述底表面高的第一水平高度，同时从所述第一平面倾斜所述台。
根据本发明第八方面，一种形成传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；形成树脂模，所述树脂模封装除底表面和顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有与所述底表面在同一水平高度的第一平坦表面；及将所述底表面暴露于电镀液，同时将所述顶部与所述电镀液隔离。
根据本发明第九方面，一种形成传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；及将所述修改的连接引线结构分成彼此电断开的第一部分和第二部分，所述第一部分电连接至所述至少一个突出部，所述第二部分电连接至所述多个引线。
根据本发明第十方面，一种形成用于传感物理量的传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括矩形框架部分、从所述矩形框架部分向内延伸的引线，从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线、由所述修改的连接引线支撑的台、和从所述台向下突出且从所述台倾斜的突出部；将用于传感所述物理量的传感器芯片紧固在所述台上；向上推所述突出部，以便从所述矩形框架部分倾斜具有所述传感器芯片的台；在空腔中形成树脂模，所述树脂模封装所述台、所述传感器芯片、所述突出部、所述引线、和所述修改的连接引线；及将所述突出部的顶部定位在第一水平高度，所述第一水平高度比所述引线的底表面的第二水平高度高。
根据本发明第十一方面，一种形成用于传感物理量的传感器的方法包括制备引线框架，所述引线框架包括矩形框架部分、从所述矩形框架部分向内延伸的引线，从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线、由所述修改的连接引线支撑的台、和从所述台向下突出且从所述台倾斜的突出部；将用于传感所述物理量的传感器芯片紧固在所述台上；向上推所述突出部，以便从所述矩形框架部分倾斜具有所述传感器芯片的台；在空腔中形成树脂模，所述树脂模封装所述台、所述传感器芯片、所述突出部、所述引线、和所述修改的连接引线；及将具有树脂模的引线框架浸入电镀液中，以在所述引线的底表面上形成镀层且不在所述突出部的顶部的每一个上形成镀层。
根据本发明第十二方面，一种用于传感物理量的传感器，包括矩形框架部分；从所述矩形框架部分向内延伸的引线；从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线；由修改的连接引线支撑并且从所述矩形框架部分倾斜的台；用于传感物理量的传感器芯片，所述传感器芯片被紧固在台上且从矩形框架部分倾斜；突出部，所述突出部从所述台向下突出且从所述台倾斜；树脂模，所述树脂模封装除所述引线的底表面和所述突出部的顶部之外的所述引线、所述修改的连接引线、所述台、所述传感器芯片、和所述突出部；及镀层，所述镀层覆盖所述引线的底表面。
在下面结合附图对本发明的实施例详细描述，本发明的这些和其它目的、特性、方面、和优点对于本领域的技术人员而言将更加明显。


现在参考构成本原始公开的一部分的附图图1示出根据本发明第一优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图2是图1的传感器的底视图；图3示出根据本发明第一优选实施例的修改的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图4示出根据本发明第一优选实施例的另一修改的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图5A示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的传感器修改的突出部的局部截面图；图5B是图5A的突出部的局部平面图；图6示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的传感器的修改的突出部的局部截面图；图7示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的用于传感物理量的传感器的局部平面图；图8示出图7的传感器的局部截面图；图9A是根据本发明第二实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的步骤中；图9B是根据本发明第二实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的另一步骤中；图10A是根据本发明第三实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的步骤中；图10B是根据本发明第三实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的另一步骤中；图11示出根据本发明第四优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部平面图；图12示出根据本发明第四优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图13是图11和12的传感器的底视图；图14A是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的步骤中；图14B是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的另一步骤中；图14C是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的另一步骤中；图15是根据本发明第四实施例的修改的用于传感物理量的传感器的局部截面图；
图16示出根据本发明第五优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图17示出图16的传感器的局部平面图；图18是示出在本发明第五实施例的修改中的修改的连接引线的内部和外部之间的分离间隙的局部截面图；图19示出根据本发明第六优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图；图20示出图19的传感器的局部底视图；图21是根据本发明第六实施例的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图19和20的传感器的方法所涉及的步骤中；图22是根据本发明第七实施例的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成所述传感器的方法所涉及的步骤中；图23是根据本发明第七实施例的修改的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成所述传感器的另一方法所涉及的步骤中；图24示出用于传感物理量的传统传感器的平面图；图25是图24的传感器的截面图；图26是用于形成图24的传感器的引线框架的平面图；图27A是图26的引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图24和25的传感器的方法所涉及的步骤中；图27B是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图24和25的传感器的方法所涉及的另一步骤中；图27C是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图24和25的传感器的方法所涉及的又一步骤中；图28是沿图24的A-A线得到的传感器的底视图；以及图29是放入模具“D”和“E”之间的传统引线框架的截面图。
具体实施例方式
现在将参考附图描述本发明的被选择的实施例。本领域的技术人员根据本公开将易知，下面对本发明实施例的描述仅为示例性的，而不是用于限制由所附权利要求书及其等同物所限定的本发明。
第一实施例图1示出根据本发明第一优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图。图2是图1的传感器的底视图。下面的描述将针对第一实施例的传感器与上述传统传感器的区别。
用于传感物理量的传感器1在图1中示出。传感器1包括一对倾斜的传感器芯片，这对传感器芯片用于传感或测量外部磁场的方向和大小。传感器1使用图26中所示的引线框架4形成。传感器1可以是诸如QFN(四侧无引脚扁平)封装和SON(小外型无引脚)封装的表面安装封装类型。
图1和2中所示的传感器1包括多个引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、布线10、和树脂模11。具有突出部8和9的引线框架4由诸如金属的导电材料制成。倾斜台6和7由修改的连接引线5d支撑。传感器芯片2和3分别安装在倾斜台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。突出部8和9分别从台6和7延伸。树脂模11封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、以及布线10。
树脂模11的截面大体为梯形形状，所述梯形形状由平坦顶部、倾斜侧壁、和下部限定。下部进一步包括底部11a和凹陷部11b。底部11a具有平坦表面。凹陷部11b由平坦表面11c和侧壁11d限定。平坦表面11c与底部11a的平坦表面所处的水平高度不同。即，平坦表面11c具有比底部11a的平坦表面的水平高度高的水平高度。凹陷部11b在平面图中具有圆形形状。突出部8和9具有与凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度的顶部8a和9a。这样，顶部8a和9a与底部11a的平坦表面所处的水平高度不同。即，顶部8a和9a具有高于底部11a的平坦表面的水平高度的水平高度。引线5b具有限定引线框架4的底表面4a的第二表面5g。顶部8a和9a与引线5的第二表面5g所处的水平高度不同。即，顶部8a和9a具有高于引线5的第二表面5g的水平高度的水平高度。
凹陷部11b可通过凹进或切割树脂模11底部的一部分形成。
将描述形成上述传感器1的方法。上面参考图26描述的引线框架用已知方法制备。传感器芯片2和3分别安装在台6和7的表面6c和7c上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。
再次参考图27A、27B、和27C，制备引线框架4。将引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7被倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。
执行注模工艺，以将熔融的树脂注入由组合的模具“D”和“E”限定的空腔中，以便形成树脂模11，所述树脂模封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、及倾斜的传感器芯片2和3。
图28是示出封装引线框架4的树脂模11的底视图。引线5b具有从树脂模11的底表面11a暴露的表面。突出部8和9的顶部8a和9a也从树脂模11的底表面11a暴露。
具有树脂模11的引线框架4被从模具“D”和“E”释放，接着浸入电镀液内，以便在引线5b和突出部8和9的顶部8a和9a的暴露表面上形成镀层。所述镀层可以是焊料层，但不限于焊料层。
当已经完成注模工艺时，树脂模11的截面大体为梯形形状，所述梯形形状由平坦顶部、倾斜侧壁、和平坦底部11a限定。底部11a具有包括顶部8a和9a的预定区域。底部11a的预定区域通过使用诸如激光束或喷砂的已知技术去除，以便形成由无凹陷底部11a围绕的凹陷部11b，同时切去突出部8和9的一部分，并且形成被切的突出部8和9的新顶部8a和9a。这种去除可在具有树脂模11的引线框架4已经从模具“D”和“E”释放之后且被浸入电镀液之前进行。可选地，所述去除可在具有树脂模11的引线框架4被浸入电镀液之后进行。树脂模11的下部包括底部11a和凹陷部11b。底部11a具有平坦表面。凹陷部11b由平坦表面11c和侧壁11d限定。平坦表面11c与底部11a的平坦表面所处的水平高度不同。即，平坦表面11c具有比底部11a的平坦表面的水平高度高的水平高度。凹陷部11b在平面图中具有圆形形状。突出部8和9的顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度。这样，顶部8a和9a与底部11a的平坦表面所处的水平高度不同。底部11a的平坦表面与引线5的第二表面5g在相同的水平高度上。即，顶部8a和9a具有比底部11a的平坦表面和引线5的第二表面5g的水平高度高的水平高度。
引线5b和修改的连接引线5b具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。矩形框架部分5a也定位在树脂模11外面。接着从树脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分被切去一部分并从树脂模11去除，从而完成传感器1。
传感器1具有引线5b，所述引线具有用金属层覆盖的第二表面5g。镀层通过将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内形成。传感器1安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层与电路板的导电图案接触，同时被切的突出部8和9的顶部8a和9a远离电路板，所述顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度。这确保引线5b与电路板的导电图案接触，由此引线5b电连接至电路板，且传感器可被可靠地安装在电路板上。
根据形成传感器1的上述方法，在已经完成注模工艺后或在已经将具有引线框架4的树脂模11浸入电镀液之前，切去突出部8和9的一部分，同时去除底部11a的预定区域，从而形成凹陷部11b。被切的突出部8和9的顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度，并且在水平高度上比引线5b的第二表面5g高。这确保引线5b与电路板的导电图案接触，由此引线5b电连接至电路板，且传感器1可被可靠地安装在电路板上。
根据第一实施例，突出部8和9被切去一部分，同时去除树脂模11的底部11a的预定区域。作为对第一实施例的修改，可能切去突出部8和9的一部分，但不去除树脂模11的底部11a的任何部分，从而被切的突出部8和9的顶部8a和9a在水平高度上比树脂模11的底部11a的平坦表面高。
根据第一实施例，突出部8和9成形为细杆形。台6具有靠近台7的近侧6a。台7具有靠近台6的近侧7a。突出部8和9分别从近侧6a和7a向台7和6延伸。作为修改，可选地，多个突出部8和9可能在台6和7的宽度方向上对准。突出部8和9从其延伸的位置不应限于近侧6a和7a。突出部8和9的形状不应限于细杆形。
图3示出根据本发明第一优选实施例的一个修改的用于传感物理量的传感器的局部截面图。如图3中所示，突出部8和9具有平行于树脂模11的底部11a的平坦表面延伸的弯曲部分8b和9b。突出部8和9埋在树脂模11中。弯曲部分8b和9b具有从树脂模11的底面11a的平坦表面示出的暴露表面。弯曲部分8b和9b的暴露表面可用在浸在电镀液内时形成的金属层覆盖。有利的是进一步修改所述弯曲部分8b和9b，以便减小覆盖弯曲部分8b和9b的表面的金属层的面积，或使得容易从弯曲部分8b和9b的表面去除金属层。
图4示出根据本发明第一优选实施例的另一修改的传感器的修改的突出部的局部截面图。突出部8和9具有修改的弯曲部分8b和9b，所述修改的弯曲部分具有一个或多个槽8c和9c。槽8c和9c减小了弯曲部分8b和9b的暴露表面的面积，从而减小了覆盖弯曲部分8b和9b表面的金属层的面积，并且也使得容易从弯曲部分8b和9b的表面去除金属层。
图5A示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的传感器的修改的突出部的局部截面图。图5B是图5A的突出部的局部平面图。突出部8和9具有进一步修改的弯曲部分8b和9b，所述弯曲部分具有多个通孔8d和9d。通孔8d和9d减小了弯曲部分8b和9b的暴露表面的面积，从而减小了覆盖弯曲部分8b和9b的表面的金属层的面积，并且也使得容易从弯曲部分8b和9b的表面去除金属层。
图6示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的传感器的修改的突出部的局部截面图。突出部8和9具有修改的弯曲部分8b和9b，所述弯曲部分具有向下凸出的凸起8e和9e。凸起8e和9e被暴露，同时修改的弯曲部分8b和9b埋在树脂模11内，从而减小了覆盖弯曲部分8b和9b的表面的金属层的面积，并且也使得容易从弯曲部分8b和9b的表面去除金属层。
根据本发明第一实施例，修改的连接引线5d具有如图24-27C中所示的可扭曲部5e，作为第一实施例的修改，修改的连接引线可具有可弯曲部分和不可扭曲部分。弯曲修改的引线5d的可弯曲部分而不扭曲不可扭曲部分，使得台被倾斜。图7示出根据本发明第一优选实施例的又一修改的用于传感物理量的传感器的局部平面图。图8示出图7的传感器的局部截面图。可弯曲部分5f宽度比修改的连接引线5d的其它部分窄。弯曲修改的引线5d的可弯曲部分5f而不扭曲不可扭曲部分5e，使得台6或7被倾斜。
如图7和8中所示，传感器芯片2和3具有第一侧2a和3a，所述第一侧2a和3a靠近引线5b，并且定位在引线5b的内部上方和台6和7外面。传感器芯片2和3的第一侧2a和3a通过布线10电连接至引线5b。引线5b的内部机械支撑传感器芯片2和3的第一侧2a和3a。传感器芯片2和3的第一侧2a和3a可连接至引线5b的内部。所述内部比引线5b的其余部分薄，从而所述内部是可弯曲的。所述内部的厚度的典型实例可以是引线5b的厚度的一半，但不限于此。作为第一实施例的另一修改，引线5b的内部可机械支撑在传感器芯片2和3的第一侧2a和3a且在传感器芯片2和3的第一侧2a和3a下面延伸，且引线5b的内部不连接至传感器芯片2和3的第一侧2a和3a。即，传感器芯片2和3的第一侧2a和3a可定位在引线5b的内部上方。
模具“E”向着配对模具“D”移动，同时平坦表面“E1”推突出部8和9，以便弯曲修改的连接引线5d的可弯曲部分5f和引线5d的薄内部，从而使得台6和7倾斜，且不扭曲不可扭曲部分5e。
第二实施例将描述本发明第二实施例。下面的描述将针对第二实施例与上述第一实施例的区别。第二实施例提供了与第一实施例具有相同结构的传感器1。即，传感器1具有与图1、2、和24-28中所示相同的结构。将描述形成传感器1的方法。图24中所示的引线框架4以与第一实施例中描述的相同方式制备。图9A是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的步骤中。图9B是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的另一步骤中。
如图9A中所示，引线框架4放入第一模具“D”和第二模具“E”之间。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有周边部分和突出部分，所述周边部分具有第一平坦表面“E1”，所述突出部分具有第二平坦表面“E2”。第二平坦表面“E2”在水平高度上高于第一平坦表面“E1”。所述突出部分具有距第一平坦表面“E1”的预定高度。突出部8和9定位在第二模具“E”的突出部分的第二平坦表面“E2”上方。
如图9B中所示，第二模具“E”向着第一模具“D”移动，从而第二平坦表面“E2”上推突出部8和9，直到第一模具“D”和第二模具“E”夹住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，且台6和7从包括框架5的平面倾斜。并且，分别安装在台6和7上的磁性传感器芯片2和3与台6和7一起倾斜。倾斜的磁性传感器芯片2和3相对于包括正方形框架部分5a的平面具有预定倾角。突出部8和9具有与第二模具“E”的突出部的第二平坦表面“E2”紧密接触的顶部8a和9a。引线5b具有与第二模具“E”的周边部分的第一平坦表面“E1”紧密接触的第二表面5g。顶部8a和9a的水平高度与引线5b的第二表面5g的水平高度之间的差异对应第二模具“E”的突出部分的高度。顶部8a和9b和引线5d的第二表面5g之间的水平高度之差相应于第二模具“E”的突出部分的高度。
熔融的树脂注入第一模具“D”和第二模具“E”的空腔内，同时第二模具“E”继续上推突出部8和9，从而形成封装和固定倾斜的传感器芯片2和3及倾斜台6和7的树脂模11。矩形框架部分5a定位在树脂模11外面。引线5b和修改的连接引线5d的每个都具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。引线5具有在树脂模11的第二表面上示出的第二表面。
具有图9A和9B的第二平坦表面“E2”的突出部限定图1和2的树脂模11的凹陷部11b。凹陷部11b的深度相应于突出部的高度。具有图9A和9B的第二平坦表面“E2”的突出部也限定突出部8和9的顶部8a和9a的水平高度。因此，顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于树脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面与引线5的第二表面5g在相同的水平高度上。因此，顶部8a和9a在水平高度上高于底部11a的平坦表面和引线5的第二表面5g。
引线5b和修改的连接引线5d被切去一部分，以去除矩形框架部分5a和引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分，从而完成传感器1。
根据第二实施例，第一模具“D”和第二模具“E”闭合，同时第二模具“E”的突出部的第二平坦表面“E2”上推第一和第二突出部8和9的顶部8a和9a，由此具有传感器芯片2和3的台6和7倾斜。执行注模工艺，以形成树脂模11，同时第二平坦表面“E2”继续上推顶部8a和9a。这样，顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于树脂模11的底部11a的平坦表面。顶部8a和9a与引线5的第二表面5g的水平高度之差允许传感器1被安装在电路板上，而不会形成任何问题或缺点。
根据第二实施例，突出部8和9成形为细杆形。突出部8和9分别从近侧6a和7a向台7和6延伸。作为修改，可选地，多个突出部8和9可能在台6和7的宽度方向上对准。突出部8和9从其延伸的位置不应限于近侧6a和7a。突出部8和9的形状不应限于细杆形。
根据本发明第二实施例，修改的连接引线5d具有可扭曲部分5e。作为第二实施例的修改，修改的连接引线可具有可弯曲部分和不可扭曲部分。弯曲修改引线5d的可弯曲部分但不扭曲不可扭曲部分使得台倾斜。
第三实施例将描述本发明第三实施例。下面的描述将针对第三实施例与上述第一和第二实施例的区别。第三实施例提供了与第一实施例具有相同结构的传感器1。即，传感器1具有与图1、2、和24-28中所示相同的结构。将描述形成传感器1的方法。图26中所示的引线框架4以与第一实施例中描述的相同方式制备。图10A是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的步骤中。图10B是引线框架4的局部截面图，所述引线框架处于形成图1和2的传感器的方法所涉及的另一步骤中。
如图10A中所示，引线框架4放入第一模具“D”和第二模具“E”之间。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有周边部分和用于容纳脱模销“E4”的开口“E3”，所述周边部分具有第一平坦表面“E1”，所述开口具有第二平坦表面“E5”。开口“E3”具有与脱模销“E4”接触的内壁，以便允许脱模销“E4”沿垂直于第一和第二平坦表面“E1”和“E5”的方向在内壁上滑动。脱模销“E4”在开口“E3”中的第一和第二位置之间滑动。当脱模销“E4”具有第一位置时，脱模销“E4”的第二平坦表面“E5”与周边部分的第一平坦表面“E1”在相同的水平高度上。当脱模销“E4”具有第二位置时，脱模销“E4”的第二平坦表面“E5”在水平高度上高于周边部分的第一平坦表面“E1”。突出部8和9定位在脱模销“E4”的第二平坦表面“E5”上方。
具有与第一平坦表面“E1”具有相同的水平高度的第二平坦表面“E5”的第二模具“E”向着第一模具“D”移动，从而第二平坦表面“E5”上推突出部8和9，直到第一和第二模具“D”和“E”夹住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，并且台6和7从包括框架5的平面倾斜。并且，分别安装在台6和7上的磁性传感器芯片2和3也与台6和7一起倾斜。倾斜的磁性传感器芯片2和3相对于包括正方形框架部分5a的表面具有预定的第一倾角。突出部8和9具有顶部8a和9a，所述顶部与第二平坦表面“E5”紧密接触，所述第二平坦表面与第一平坦表面“E1”在相同的水平高度上。引线5b具有第二表面5g，所述第二表面与第二模具“E”的周边部分的第一平坦表面“E1”紧密接触。顶部8a和9a与引线5b的第二表面5g在相同的水平高度上。
如图10B中所示，脱模销“E4”向第一模具“D”移动，以便进入由第一模具“D”和第二模具“E”之间限定的空腔。第二平坦表面“E5”升高，并且变得在水平高度上高于第一平坦表面“E1”，同时进一步上推突出部8和9，由此可扭曲部分5e被进一步扭曲，且倾斜台6和7进一步倾斜。并且，分别安装在台6和7上的磁性传感器芯片2和3也与台6和7一起进一步倾斜。倾斜的磁性传感器芯片2和3具有比第一倾角大的预定第二倾角。突出部8和9具有顶部8a和9a，所述顶部8a和9a与升高的第二平坦表面“E5”紧密接触，所述第二平坦表面在水平高度上高于第一平坦表面“E1”。引线5b具有第二表面5g，所述第二表面与第二模具“E”的周边部分的第一平坦表面“E1”紧密接触。顶部8a和9a在水平高度上高于引线5b的第二表面5g。顶部8a和9a和引线5d的第二表面5g之间的水平高度之差对应于脱模销“E4”的移动量。
熔融的树脂注入第一模具“D”和第二模具“E”之间的空腔内，同时脱模销“E4”的第二平坦表面“E5”继续上推突出部8和9，从而形成封装和固定倾斜的传感器芯片2和3及倾斜台6和7的树脂模11。矩形框架部分5a定位在树脂模11外面。引线5b和修改的连接引线5d的每个都具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。引线5具有在树脂模11的第二表面上示出的第二表面。
具有图10B的第二平坦表面“E5”的脱模销“E4”限定图1和2的树脂模11的凹陷部11b。凹陷部11b的深度相应于第二平坦表面“E5”和第一平坦表面“E1”之间的水平高度差。具有图10B的第二平坦表面“E2”的脱模销“E4”也限定突出部8和9的顶部8a和9a的水平高度。因此，顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但在水平高度上高于树脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面与引线5的第二表面5g在相同的水平高度上。因此，顶部8a和9a在水平高度上高于引线5的第二表面5g。
具有树脂模11的引线框架4被从具有脱模销“E4”的模具“D”和“E”释放。引线5b和修改的连接引线5d被切去一部分，以去除框架部分5a及引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分，从而完成传感器1。
根据第三实施例，在第一模具“D”和第二模具“E”之间已经闭合后，脱模销“E4”进入所述空腔，同时第二平坦表面“E5”进一步上推第一和第二突出部8和9的顶部8a和9a，由此具有传感器芯片2和3的台6和7进一步倾斜。执行注模工艺，以形成树脂模11，同时第二平坦表面“E5”继续上推顶部8a和9a。这样，顶部8a和9a与凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于树脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面与引线5的第二表面5g在相同的水平高度上。顶部8a和9a与引线5的第二表面5g之间的水平高度之差允许传感器1被安装在电路板上，而不会形成任何问题或缺点。
根据第三实施例，突出部8和9成形为细杆形。突出部8和9分别从近侧6a和7a向台7和6延伸。作为修改，可选地，多个突出部8和9可能在台6和7的宽度方向上对准。突出部8和9从其延伸的位置不应限于近侧6a和7a。突出部8和9的形状不应限于细杆形。
根据本发明第三实施例，修改的连接引线5d具有可扭曲部分5e。作为第三实施例的修改，修改的连接引线可具有可弯曲部分和不可扭曲部分。弯曲修改引线5d的可弯曲部分但不扭曲不可扭曲部分，使得台倾斜。
第四实施例图11是示出根据本发明第四优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部平面图。图12示出根据本发明第四优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图。图13是图11和12的传感器的底视图。下面的描述将针对第四实施例的传感器与上述传统传感器的区别。
传感器1包括一对倾斜的传感器芯片，这对传感器芯片用于传感或测量外部磁场的方向和大小。传感器1使用图26中所示的引线框架4形成。传感器1可以是诸如QFN(四侧无引脚扁平)封装和SON(小外型无引脚)封装的表面安装封装类型。
图11和12中所示的传感器1包括多个引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、布线10、和树脂模11。倾斜台6和7由修改的连接引线5d支撑。传感器芯片2和3分别安装在倾斜台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。突出部8和9分别从台6和7延伸。树脂模11封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、以及布线10。
树脂模11的截面大体为梯形形状，所述梯形形状由平坦顶部、倾斜侧壁、和下部限定。
突出部8和9具有用绝缘层12覆盖的顶部8a和9a。绝缘层12的典型实例可包括但不限于环氧树脂层和四氟乙烯树脂层。
如图12中所示，引线5b具有第一表面和与第一表面相对的第二表面5g。第二表面5g用镀层5h覆盖，所述镀层可通过将第二表面5g暴露于电镀液形成。引线5b的第二表面5g上的镀层5h在树脂模11的平坦底部上示出。覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的绝缘层12在树脂模11的平坦底部上示出。
将描述形成上述传感器1的方法。上面参考图26描述的引线框架用已知方法制备。图14A是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的步骤中。图14B是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的另一步骤中。图14C是根据本发明第四实施例的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图11和12的传感器的方法所涉及的另一步骤中。
如图14A中所示，传感器芯片2和3分别安装在台6和7的表面6c和7c上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。绝缘材料有选择地施加到突出部8和9的顶部8a和9a，以便形成覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的每个的绝缘层12。所述绝缘材料是不导电的，例如环氧树脂或四氟乙烯树脂。
如图14B和14C中所示，引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”具有凹部分和围绕凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。
执行注模工艺，将熔融的树脂注入由组合的模具“D”和“E”限定的空腔11e内，以便形成树脂模11，所述树脂模封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、及倾斜的传感器芯片2和3。熔融的树脂被注入空腔11e内，以便填充所述空腔，同时第二表面5g和覆盖顶部8a和9a的绝缘层12的部分与平坦表面“E1”紧密接触，由此熔融的树脂没有覆盖第二表面5g和覆盖顶部8a和9a的绝缘层12的部分。
将具有树脂模11的引线框架4从模具“D”和“E”释放。第二表面5g和覆盖顶部8a和9a的绝缘层12的部分在树脂模11的平坦底表面上示出。
接着将具有树脂模11的引线框架4浸入与DC电源的阴极连接的电镀液内，以便在引线5b的第二表面5g的每个上形成镀层5h。当树脂模11暴露于电镀液时，在电镀液和第二表面5g之间形成电流，由此在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h。除引线5b的第二表面5g外的引线框架4用树脂模11和绝缘层12覆盖。突出部8和9的顶部8a和9a通过绝缘层12与电镀液隔离。由于树脂模11和绝缘层12是不导电的，所以没有在电镀液和树脂模11或绝缘层12之间产生电流，由此没有镀层形成在树脂模11和绝缘层12上。
从电镀液拾取具有树脂模11和镀层5h的引线框架4。引线5b和修改的连接引线5d具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。矩形框架部分5a也定位在树脂模11外面。接着从树脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分被切去一部分，并且从树脂模31去除，从而完成传感器1。
传感器1安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层5h与电路板的导电图案接触，同时覆盖顶部8a和9a的绝缘层12远离电路板。在覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的绝缘层12上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b电连接至电路板，且传感器1可被可靠地安装在电路板上。
根据本发明第四实施例，在形成树脂模11之前形成覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的绝缘层12，从而除引线5b的第二表面5g外的引线框架4用树脂模11和绝缘层12覆盖。当具有树脂模11和绝缘层12的引线框架4进入电镀液内时，除引线5b的第二表面5g外的引线框架4没有暴露于电镀液，同时第二表面5g暴露于电镀液，从而在引线5b的第二表面5g上形成镀层5h。即，突出部8和9的顶部8a和9a通过绝缘层12与电镀液隔离，从而没有在覆盖顶部8a和9a的绝缘层12上形成镀层。
绝缘层12上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被令人满意地安装在电路板上。绝缘层12上不存在任何镀层防止任何短路形成在突出部8和9及电路板的导电图案之间。
根据第四实施例，将诸如环氧树脂和四氟乙烯树脂的不导电的绝缘材料应用于突出部8和9的顶部8a和9a上，以便形成覆盖顶部8a和9a的绝缘层12。作为修改，可能将诸如聚酰亚胺密封物或四氟乙烯密封物的不导电的绝缘件粘到顶部8a和9a上，以便形成绝缘层12。作为另一修改，也可能执行灌封、浸渍、或涂覆工艺，将绝缘材料施加到顶部8a和9a，从而形成绝缘层12。作为第四实施例的修改，突出部8和9也可能由诸如绝缘材料的不导电材料制成。
根据第四实施例，绝缘层12在树脂模11形成之前形成。作为进一步的修改，可能的是，在形成树脂模11后，绝缘层12形成在顶部8a和9a的暴露表面上，所树暴露表面在树脂模11的底表面上示出。
根据第四实施例，突出部8和9成形为细杆形。台6具有靠近台7的近侧6a。台7具有靠近台6的近侧7a。突出部8和9分别从近侧6a和7a向台7和6延伸。作为修改，可选地，多个突出部8和9可能在台6和7的宽度方向上对准。突出部8和9从其延伸的位置不应限于近侧6a和7a。突出部8和9的形状不应限于细杆形。
图15是根据本发明第四优选实施例的修改的用于传感物理量的传感器的局部截面图。如图15中所示，突出部8和9具有平行于树脂模11的底部11a的平坦表面延伸的弯曲部分8b和9b。弯曲部分8b和9b具有从树脂模11的底面11a的平坦表面示出的暴露表面。弯曲部分8b和9b用绝缘层12覆盖。突出部8和9埋在树脂模11中。覆盖弯曲部分8b和9b的绝缘层12从树脂模11的底部11a的平坦表面示出。即，突出部8和9用树脂模11和绝缘层12覆盖。换句话说，除了用绝缘层12覆盖的规定部分外，突出部8和9用树脂模11覆盖。
第五实施例将描述本发明第五实施例。图16示出根据本发明第五优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图。图17示出图16的传感器1的局部平面图。下面的描述将针对第五实施例与上述第四传感器的区别。
图16和17中所示的传感器1包括多个引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、布线10、和树脂模11。倾斜台6和7由修改的连接引线5d支撑。传感器芯片2和3分别安装在倾斜台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。突出部8和9分别从台6和7延伸。树脂模11封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、以及布线10。
每个导线5b都具有用镀层5h覆盖的第二表面5g。突出部8和9由例如金属等导电材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在树脂模11的底表面11a上的顶部8a和9a。突出部8和9的顶部8a和9a被暴露，并且未用任何绝缘层或镀层覆盖。即，顶部8a和9a没有任何覆盖层(例如绝缘层和镀层等)。每个修改的连接导线5d进一步包括内部5j和经由一个或多个分离间隙13与内部5j断开的外部5i。内部5j通过分离间隙13与外部5i电断开。然而，内部5j经由可扭曲部分5e连接至台6或7。
突出部8或9从台6或7延伸。修改的连接引线5d的内部5j电连接至台6或7和突出部8或9。修改的连接引线5d电连接至引线5b。引线5b和外部5i从内部5j、台6或7、和突出部8或9电断开。
顶部8a和9a在水平高度上比镀层5h的底表面高镀层5h的厚度。即，镀层不存在于突出部8和9的顶部8a和9a上形成顶部8a和9a和覆盖引线5b的第二表面5g的镀层5h的底表面之间的水平高度差。镀层5h的厚度对应于所述水平高度差。
将描述形成上述传感器1的方法。上面参考图26描述的引线框架用已知方法制备。
传感器芯片2和3分别安装在台6和7的表面6c和7c上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。
类似于参考图14B描述的第四实施例的工艺，将引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”具有凹部分和围绕凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。
类似于参考图14C描述的第四实施例的工艺，执行注模工艺，将熔融的树脂注入由组合的模具“D”和“E”限定的空腔11e内，以便形成树脂模11，所述树脂模封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、及倾斜的传感器芯片2和3。熔融的树脂被注入空腔11e内，以便填充所述空腔，同时第二表面5g和顶部8a和9a的部分与平坦表面“E1”紧密接触，由此熔融的树脂没有覆盖第二表面5g和顶部8a和9a的部分。
执行另一工艺，以分开每个修改的连接引线5d，使得每个修改的连接引线5d都包括由分离间隙13分开的内部5j和外部5i。所述另一工艺的典型实例可包括但不限于激光束辐射或喷砂。可从树脂模11的底表面11a进行所述另一工艺。将引线5b结合到矩形框架部分5a。在处理树脂模11以分开修改的连接引线期间没有分开树脂模11。突出部8和9、台6和7、和修改的连接引线5d的内部5j彼此电连接，但是经由分离间隙13与外部5i和引线5b电断开。
接着将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，以便在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h，其中DC电源的阴极连接至所述电镀液。当树脂模11暴露于电镀液时，在电镀液和第二表面5g之间产生电流，由此在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h。突出部8和9的顶部8a和9a暴露于电镀液。然而，由于突出部8和9、台6和7、和修改的连接引线5d的内部5j经由分离间隙13与外部5i和引线5b电断开，所以没有在电镀液和突出部8和9的顶部8a和9a之间产生电流，由此没有镀层形成在顶部8a和9a上。
从电镀液拾取具有树脂模11和镀层5h的引线框架4。引线5b和修改的连接引线5d具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。矩形框架部分5a也定位在树脂模11外面。接着从树脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分被截短，并且从树脂模31去除，从而完成传感器1。
传感器1安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层5h与电路板的导电图案接触，同时突出部8和9的顶部8a和9a远离电路板。在突出部8和9的顶部8a和9a上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被可靠地安装在电路板上。
每个修改的连接引线5d都被分成内部5j和外部5i，从而在具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液之前，在树脂模11的底表面11a上示出的顶部8a和9a电浮动。在引线5b的第二表面5g和电镀液之间产生电流，而没有电流在顶部8a和9a和电镀液之间产生，由此镀层5h形成在引线5b的第二表面5g上，而顶部8a和9a未用任何镀层覆盖。在突出部8和9的顶部8a和9a上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被令人满意地安装在电路板上。
根据第五实施例，每个修改的连接引线5d都在树脂模11内的位置被分成内部5e和外部5i。即，将修改的连接引线5d的内部5j与其外部5i分离的分离间隙13定位在树脂模11内。作为修改，可在树脂模11外面的另一位置分开修改的连接引线，从而将修改的连接引线5d的内部5j与其外部5i分离的分离间隙13定位在树脂模11内。即，修改的连接引线5d的内部5j从树脂模11的内部延伸到其外部。在此情形下，可执行分开或分离工艺，而不处理或蚀刻树脂模11。
根据第五实施例，分开或分离工艺可使用激光束辐射或喷砂执行。作为第五实施例的一个修改，可使用时刻工艺或钻孔工艺执行分开或分离工艺。当在树脂模11外面的位置分开修改的连接引线5d时，可利用压力加工执行分开或分离工艺。不管怎样，对分开修改的连接引线5d的方法没有限制。
根据第五实施例，在形成树脂模11后，将修改的连接引线5d分成内部5j和外部5i。作为第五实施例的进一步的修改，可在形成树脂模11之前分开修改的连接引线5d。图18示出在修改的连接引线5d的内部5j和外部5i之间的分离间隙13的局部截面图。修改的连接引线5d被分成内部5j和外部5i，所述内部和外部经由分离间隙13彼此隔开。并且，不导电的绝缘件14形成在分离间隙13处，从而将绝缘件14放入修改的连接引线5d的内部5j和外部5i之间，从而机械连接它们，同时使它们彼此电绝缘。将引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7被倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。有利的是，绝缘件14可具有高柔性，允许绝缘件14弯曲但不扭曲可扭曲部分5e，以便倾斜具有传感器芯片2盒3的台8和9，同时模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9。
第六实施例将描述本发明第六实施例。图19示出根据本发明第六优选实施例的用于传感物理量的传感器的局部截面图。图20示出图19的传感器的局部底视图。图21是根据本发明第六实施例的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成图19和20的传感器的方法所涉及的步骤中。下面的描述将针对第六实施例与上述第四和第五实施例的区别。
图19和20中所示的传感器1包括多个引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、布线10、和树脂模11。
倾斜台6和7由修改的连接引线5d支撑。传感器芯片2和3分别安装在倾斜台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。突出部8和9分别从台6和7延伸。树脂模11封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、以及布线10。
每个导线5b都具有用镀层5h覆盖的第二表面5g。突出部8和9由例如金属等导电材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在树脂模11的底表面11a上的顶部8a和9a。突出部8和9的顶部8a和9a被暴露，并且未用任何绝缘层或任何镀层覆盖。即，顶部8a和9a没有任何覆盖层(例如绝缘层和镀层等)。
顶部8a和9a在水平高度上比镀层5h的底表面高镀层5h的厚度。即，镀层不存在于突出部8和9的顶部8a和9a上形成顶部8a和9a和覆盖引线5b的第二表面5g的镀层5h的底表面之间的水平高度差。镀层5h的厚度对应于所述水平高度差。
将描述形成上述传感器1的方法。上面参考图26描述的引线框架用已知方法制备。
传感器芯片2和3分别安装在台6和7的表面6c和7c上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。
类似于参考图14B描述的第四实施例的工艺，将引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”具有凹部分和围绕凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。
类似于参考图14C描述的第四实施例的工艺，执行注模工艺，将熔融的树脂注入由组合的模具“D”和“E”限定的空腔11e内，以便形成树脂模11，所述树脂模封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、及倾斜的传感器芯片2和3。熔融的树脂被注入空腔11e内，以便填充所述空腔，同时第二表面5g和顶部8a和9a的部分与平坦表面“E1”紧密接触，由此熔融的树脂没有覆盖第二表面5g和顶部8a和9a的部分。
执行另一工艺，以在树脂模11的底表面11a的预定区域上形成不导电密封物20。所述预定区域包括底视图中的顶部8a和9a。不导电密封物20覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的暴露部分。不导电密封物20可通常是绝缘密封物，例如环氧树脂密封物和四氟乙烯树脂密封物等。
接着将具有树脂模11和不导电密封物20的引线框架4浸入电镀液内，以便在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h，其中DC电源的阴极连接至所述电镀液。当树脂模11暴露于电镀液时，在电镀液和第二表面5g之间形成电流，由此在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h。由于突出部8和9的顶部8a和9a通过不导电密封物20与电镀液隔开，所以没有在电镀液和覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的不导电密封物20之间产生电流，由此没有镀层形成在顶部8a和9a上。
从电镀液拾取具有树脂模11的引线框架4。从树脂模11的底表面11a去除不导电密封物20。引线5b和修改的连接引线5d具有在树脂模11外面延伸的外侧部分。矩形框架部分5a也定位在树脂模11外面。接着从树脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引线5b和修改的连接引线5d的外侧部分被切去一部分，并且从树脂模31去除，从而完成传感器1。
传感器1安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层5h与电路板的导电图案接触，同时突出部8和9的顶部8a和9a远离电路板。在突出部8和9的顶部8a和9a上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被令人满意地安装在电路板上。顶部8a和9a上不存在任何镀层防止任何短路形成在突出部8和9及电路板的导电图案之间。
根据第六实施例，不导电密封物20包括绝缘材料，例如环氧树脂密封物和四氟乙烯树脂密封物等。作为第六实施例的修改，可形成覆盖突出部8和9的顶部8a和9a的导电密封物。当具有树脂模11和导电密封物的引线框架4浸入电镀液内时，在导电密封物和电镀液之间产生电流，从而在导电密封物上形成镀层。在从电镀液拾取具有树脂模11的引线框架4后，从树脂模11的底表面11a去除具有镀层的导电密封物。接着将传感器安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层5h与电路板的导电图案接触，同时突出部8和9的顶部8a和9a远离电路板。在突出部8和9的顶部8a和9a上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被令人满意地安装在电路板上。顶部8a和9a上不存在任何镀层防止任何短路形成在突出部8和9及电路板的导电图案之间。
可使用任何其它盖部件代替不导电密封物20，用于在将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内时覆盖突出部8的顶部8a和9a的暴露部分。盖部件可以是用于使顶部8a和9a与电镀液分离的固体或液体部件。所述盖部件可通过固化液体材料形成。所述盖部件可以呈液相。
第七实施例将描述本发明第七实施例。图22是根据本发明第七实施例的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成所述传感器的方法所涉及的步骤中。下面的描述将针对第七实施例与上述第四和第五实施例的区别。
类似于参考图19和20描述的第六实施例，传感器1包括多个引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、布线10、和树脂模11。倾斜台6和7由修改的连接引线5d支撑。传感器芯片2和3分别安装在倾斜台6和7上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。突出部8和9分别从台6和7延伸。树脂模11封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、传感器芯片2和3、突出部8和9、以及布线10。
每个导线5b都具有用镀层5h覆盖的第二表面5g。突出部8和9由例如金属等导电材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在树脂模11的底表面11a上的顶部8a和9a。突出部8和9的顶部8a和9a被暴露，并且未用任何绝缘层或任何镀层覆盖。即，顶部8a和9a没有任何覆盖层(例如绝缘层和镀层等)。
顶部8a和9a在水平高度上比镀层5h的底表面高镀层5h的厚度。即，镀层不存在于突出部8和9的顶部8a和9a上形成顶部8a和9a和覆盖引线5b的第二表面5g的镀层5h的底表面之间的水平高度差。镀层5h的厚度对应于所述水平高度差。
将描述形成上述传感器1的方法。上面参考图26描述的引线框架用已知方法制备。
传感器芯片2和3分别安装在台6和7的表面6c和7c上。传感器芯片2和3通过布线10电连接至引线5b。
类似于参考图14B描述的第四实施例的工艺，将引线框架4放在成对的模具“D”和“E”之间。模具“D”具有凹部分和围绕凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向着配对模具“E”移动，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的连接引线5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性传感器芯片2和3的台6和7倾斜，同时突出部8和9的顶部8a和9a仍与平坦表面“E1”紧密接触。
类似于参考图14C描述的第四实施例的工艺，执行注模工艺，将熔融的树脂注入由组合的模具“D”和“E”限定的空腔11e内，以便形成树脂模11，所述树脂模封装引线5b、修改的连接引线5d、倾斜台6和7、及倾斜的传感器芯片2和3。熔融的树脂被注入空腔11e内，以便填充所述空腔，同时第二表面5g和顶部8a和9a的部分与平坦表面“E1”紧密接触，由此熔融的树脂没有覆盖第二表面5g和顶部8a和9a的部分。
一对第一21-1夹具和第二夹具21-2用于保持具有树脂模11的引线框架4和将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，其中DC电源的阴极连接至所述电镀液。第一夹具21-1具有与树脂模11的底表面11a的预定区域紧密接触的第一接触表面21a。第一接触表面21a与突出部8和9的顶部8a和9a的暴露部分紧密接触。第二夹具21-2具有与树脂模11的顶表面的预定区域紧密接触的第二接触表面。引线5b的第二表面被暴露，未用第一夹具21-1的第一接触表面21a覆盖。第一21-1夹具和第二夹具21-2可由绝缘材料制成。
第一21-1夹具和第二夹具21-2用于保持具有树脂模11的引线框架4和将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，从而引线5b的第二表面5g暴露于电镀液，同时突出部8和9的顶部8a和9a通过第一接触表面21a与电镀液分离。在电镀液和第二表面5g之间形成电流，从而在引线5b的每个第二表面5g上形成镀层5h。由于突出部8和9的顶部8a和9a通过第一夹具21-1的第一接触表面21a从电镀液隔开，所以没有在电镀液和顶部8a和9a之间产生电流，由此没有镀层形成在顶部8a和9a上。
根据第七实施例，将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，以将引线5b的第二表面5g暴露于电镀液，同时突出部8和9的顶部8a和9a的暴露部分用第一夹具21-1的第一接触表面21a覆盖，并且通过第一夹具21-1与第一接触表面21a隔开。镀层5h形成在引线5b的第二表面5g上，而无镀层形成在突出部8和9的顶部8a和9a上。
传感器1安装在电路板上，从而覆盖第二表面5g的镀层5h与电路板的导电图案接触，同时突出部8和9的顶部8a和9a远离电路板。在突出部8和9的顶部8a和9a上不存在任何镀层允许引线5b的第二表面5g上的镀层5h与电路板的导电图案牢固地接触，由此导线5b可被电连接至电路板，且传感器1可被令人满意地安装在电路板上。顶部8a和9a上不存在任何镀层防止任何短路形成在突出部8和9及电路板的导电图案之间。
根据第七实施例，将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，同时使第一夹具21-1的第一接触表面21a与树脂模11的底表面11a的预定区域紧密接触，以便使突出部8和9的顶部8a和9a的暴露表面从电镀液分离，并且暴露引线5b的第二表面5g于电镀液，从而在引线5b的第二表面5g上形成镀层5h，而没有在突出部8和9的顶部8a和9a的暴露部分上形成任何镀层。
作为第七实施例的修改，第一夹具21-1可具有修改的接触表面。图23是根据本发明第七实施例的修改的具有树脂模的引线框架的局部截面图，所述引线框架处于形成所述传感器的另一方法所涉及的步骤中。第一夹具21-1具有第一接触表面21a，所述第一接触表面具有凹槽21b。第一接触表面21a在底视图中围绕凹槽21b。凹槽21b由具有第一接触表面21a的隆起(ridge)围绕。第一接触表面21a与树脂模11的底表面11a的预定环形区域紧密接触。所述预定环形区域围绕或包围突出部8和9的顶部8a和9a。凹槽21b面对突出部8和9的顶部8a和9a。
将具有树脂模11的引线框架4浸入电镀液内，同时使第一夹具21-1的第一接触表面21a与树脂模11的底表面11a的预定环形区域紧密接触，且突出部8和9的顶部8a和9a面对凹槽21b，以便使突出部8和9的顶部8a和9a的暴露表面从电镀液分离，并且暴露引线5b的第二表面5g于电镀液，从而在引线5b的第二表面5g上形成镀层5h，而没有在突出部8和9的顶部8a和9a的暴露部分上形成任何镀层。
如这里所使用的，方向术语“上、下、向内、向外、向前、向后、上方、向上、向下、正交、垂直、水平、下方、和横向”以及任何其它类似术语是指装配有本发明的设备的方向。因此，描述本发明所使用的术语应就装配有本发明的设备进行理解。
如这里所使用的，术语“矩形”是指具有四个直边和四个直角的形状。术这里所使用的术语“正方形”是指具有四个长度相同的边和四个直角的形状。术语“长方形”是指具有两个长边和两个短边和四个直角的形状。因此，术语“矩形”包括术语“正方形”和术语“长方形”。
如这里所使用的，术语“物理量”通常指矢量。术语“物理量”可包括标量、矢量、和张量。
如这里所使用的，例如“大体上”、“大致”、“约”和“大约”等程度术语是指修改的术语的合理的偏离量，使得最终结果没有较大改变。
尽管上面已经描述和例示本发明的优选实施例，但应理解，这些是本发明的范例，并不应认为是限制。可进行增添、省略、替换、和其它修改，而不偏离本发明的精神或范围。因此，本发明不应认为由前面的描述所限制，而是仅由所附权利要求书的范围限制。
权利要求
1.一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有在水平高度上比所述底表面高的顶部。
2.根据权利要求1所述的传感器，进一步包括树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部和凹陷部，所述底部具有第一平坦表面且所述凹陷部具有在水平高度上比所述第一平坦表面高的第二平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上，且所述第二平坦表面与所述顶部在同一水平高度上。
3.一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述至少一个突出部的顶部；以及所述多个引线的底表面上的镀层，所述镀层在水平高度上比所述绝缘层低。
4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述至少一个突出部包括在所述第一方向上从所述台延伸的主部和在平行于所述引线的底表面的第二方向上从所述主部延伸的顶部。
5.根据权利要求3所述的传感器，进一步包括树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上且在水平高度上比所述镀层高。
6.一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部包括在从所述第一和第二平面倾斜的第一方向上从所述台延伸的主部和在平行于所述引线的底表面的第二方向上从所述主部延伸的顶部，所述顶部在水平高度上等于或高于所述底表面。
7.根据权利要求6所述的传感器，其中所述顶部具有至少一个向下开口的槽。
8.根据权利要求6所述的传感器，其中所述顶部具有至少一个通孔。
9.根据权利要求6所述的传感器，其中所述顶部具有至少一个向下凸出的凸起，且所述凸起与所述多个引线的第二表面在同一水平高度上。
10.根据权利要求6所述的传感器，进一步包括覆盖所述顶部的绝缘层。
11.根据权利要求6所述的传感器，进一步包括树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上。
12.一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构，所述修改的连接引线结构与所述多个引线电断开；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有在水平高度上等于或高于所述底表面的顶部。
13.根据权利要求12所述的传感器，其中所述修改的连接引线结构包括从所述台延伸的第一部分和电连接至所述多个引线且与所述第一部分电断开的第二部分。
14.根据权利要求13所述的传感器，其中所述第一部分和所述第二部分通过间隙彼此分远离。
15.根据权利要求13所述的传感器，其中所述修改的连接引线结构进一步包括将所述第一部分和所述第二部分彼此分远离的绝缘部件。
16.根据权利要求12所述的传感器，进一步包括树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上。
17.根据权利要求16所述的传感器，进一步包括所述多个引线的底表面上的镀层，所述镀层在水平高度上比所述顶部和所述树脂模的第一平坦表面低。
18.一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；及所述多个引线的底表面上的镀层，所述镀层在水平高度上比所述顶部低。
19.根据权利要求18所述的传感器，进一步包括树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上且在水平高度上比所述镀层高。
20.一种形成传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；形成树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和所述顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度上；及在所述底部内形成凹陷部，所述凹陷部具有第二平坦表面，所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高且与所述顶部在同一水平高度上。
21.根据权利要求20所述的方法，其中形成所述凹陷部包括有选择地去除所述树脂模的底部和所述至少一个突出部。
22.一种形成传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部，所述顶部在水平高度上比所述底表面低；及将所述顶部移动到在水平高度上比所述底表面高的第一水平高度，同时从所述第一平面倾斜所述台。
23.根据权利要求22所述的方法，其中移动所述顶部包括用模具的突出部推所述顶部。
24.根据权利要求22所述的方法，其中移动所述顶部包括用接合在模具的孔中的脱模销推所述顶部。
25.一种形成传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；形成树脂模，所述树脂模封装除底表面和顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有与所述底表面在同一水平高度的第一平坦表面；及将所述底表面暴露于电镀液，同时将所述顶部与所述电镀液隔离。
26.根据权利要求25所述的方法，其中将所述底表面暴露于电镀液同时将所述顶部与所述电镀液隔离包括将具有所述树脂模的引线框架浸入所述电镀液中，同时用盖部件将所述顶部与所述电镀液隔离。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述盖部件包括覆盖所述顶部的绝缘层。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述盖部件包括粘接在树脂模底部的第一平坦表面的预定区域上的盖片，且所述预定区域包括所述顶部的暴露部分且不包括所述引线的底表面。
29.根据权利要求26所述的方法，其中所述盖部件包括具有凸出部分的夹具，所述凸出部分与所述树脂模底部的第一平坦表面的预定区域的接触，且所述预定区域包括所述顶部的暴露部分且不包括所述引线的底表面。
30.根据权利要求26所述的方法，其中所述盖部件包括具有凹陷和围绕凹陷的凸出部分的夹具，所述凹陷面对所述顶部，同时所述凸出部分与所述树脂模底部的第一平坦表面的预定环形区域接触，且所述预定环形区域围绕所述顶部的暴露部分，同时所述引线的底表面位于所述预定环形区域外面。
31.一种形成传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括具有在第一平面内延伸的底表面的多个引线、在从所述第一平面倾斜的第二平面内延伸的台、被支撑在所述台上的传感器芯片、支撑所述台的修改的连接引线结构、和在第一方向上从所述台延伸的至少一个突出部，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜，且所述至少一个突出部具有顶部；及将所述修改的连接引线结构分成彼此电断开的第一部分和第二部分，所述第一部分电连接至所述至少一个突出部，所述第二部分电连接至所述多个引线。
32.根据权利要求31所述的方法，进一步包括在分开所述修改的连接引线结构之前形成树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和顶部以外的所述多个引线、所述台、所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度；及将所述引线的底表面和所述至少一个突出部的顶部暴露于电镀液，以便在所述底表面上形成镀层且不在所述顶部上形成任何镀层。
33.根据权利要求31所述的方法，进一步包括在分开所述修改的连接引线结构之后形成绝缘部件，所述绝缘部件机械连接所述第一和第二部分且电断开所述第一部分和第二部分；在形成所述绝缘部件之后形成树脂模，所述树脂模封装除所述底表面和顶部以外的所述多个引线、所述台、具有绝缘部件的所述修改的连接引线结构、和所述至少一个突出部，所述树脂模进一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面与所述底表面在同一水平高度；及将所述引线的底表面和所述至少一个突出部的顶部暴露于电镀液，以便在所述底表面上形成镀层且不在所述顶部上形成任何镀层。
34.一种形成用于传感物理量的传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括矩形框架部分、从所述矩形框架部分向内延伸的引线，从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线、由所述修改的连接引线支撑的台、和从所述台向下突出且从所述台倾斜的突出部；将用于传感所述物理量的传感器芯片紧固在所述台上；向上推所述突出部，以便从所述矩形框架部分倾斜具有所述传感器芯片的台；在空腔中形成树脂模，所述树脂模封装所述台、所述传感器芯片、所述突出部、所述引线、和所述修改的连接引线；及将所述突出部的顶部定位在第一水平高度，所述第一水平高度比所述引线的底表面的第二水平高度高。
35.根据权利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的顶部包括在形成所述树脂模之后部分地去除所述突出部，从而所述突出部具有位于所述第一水平高度的顶部。
36.根据权利要求35所述的方法，其中部分地去除所述突出部通过使用激光束执行。
37.根据权利要求35所述的方法，其中部分地去除所述突出部通过使用喷沙执行。
38.根据权利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的顶部包括在形成树脂模之后将具有树脂模的引线框架浸入电镀液中，以在所述引线的底表面上和所述突出部的顶部上形成镀层；及从突出部的顶部去除镀层，同时在所述底表面上留下所述镀层。
39.根据权利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的顶部包括利用模具向上推所述突出部，其中所述模具具有与所述引线的第二表面接触的第一平坦表面和与所述突出部的顶部接触的第二平坦表面，且所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高。
40.根据权利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的顶部包括通过朝着所述突出部移动所述脱模销，利用接合在模具的开口内的脱模销的第三平坦表面向上推所述突出部。
41.一种形成用于传感物理量的传感器的方法，所述方法包括准备引线框架，所述引线框架包括矩形框架部分、从所述矩形框架部分向内延伸的引线，从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线、由所述修改的连接引线支撑的台、和从所述台向下突出且从所述台倾斜的突出部；将用于传感所述物理量的传感器芯片紧固在所述台上；向上推所述突出部，以便从所述矩形框架部分倾斜具有所述传感器芯片的台；在空腔中形成树脂模，所述树脂模封装所述台、所述传感器芯片、所述突出部、所述引线、和所述修改的连接引线；及将具有树脂模的引线框架浸入电镀液中，以在所述引线的底表面上形成镀层且不在所述突出部的顶部的每一个上形成镀层。
42.根据权利要求41所述的方法，进一步包括在形成树脂模之前在所述突出部的顶部的每一个上形成绝缘层，从而用所述树脂模和所述绝缘层覆盖所述突出部。
43.根据权利要求41所述的方法，进一步包括在将具有树脂模的引线框架浸入电镀液之前在所述突出部的顶部的每一个上形成绝缘层，同时用树脂模和绝缘层覆盖突出部。
44.根据权利要求41所述的方法，进一步包括在将具有树脂模的引线框架浸入电镀液之前，将修改的连接引线的每一个分成通过分离间隙彼此分开的内部和外部，所述内部连接至所述突出部，且所述外部连接至所述引线。
45.根据权利要求41所述的方法，进一步包括在形成树脂模之后形成盖部件，所述盖部件覆盖所述突出部的顶部的暴露表面，从而当具有树脂模的引线框架被浸入电镀液中时，突出部与电镀液通过树脂模和盖部件隔离。
46.一种用于传感物理量的传感器，包括矩形框架部分；从所述矩形框架部分向内延伸的引线；从所述矩形框架部分向内延伸的修改的连接引线；由修改的连接引线支撑并且从所述矩形框架部倾斜的台；用于传感物理量的传感器芯片，所述传感器芯片被紧固在台上且从矩形框架部分倾斜；突出部，所述突出部从所述台向下突出且从所述台倾斜；树脂模，所述树脂模封装除所述引线的底表面和所述突出部的顶部之外的所述引线、所述修改的连接引线、所述台、所述传感器芯片、和所述突出部；及镀层，所述镀层覆盖所述引线的底表面。
47.根据权利要求46所述的传感器，进一步包括覆盖所述突出部的顶部的绝缘层。
48.根据权利要求46所述的传感器，其中所述修改的连接引线的每一个都包括多个部分，所述多个部分彼此断开以便所述突出部与所述引线被电断开。
全文摘要
本发明提供了一种传感器，包括多个引线，所述多个引线具有在第一平面内延伸的底表面；在第二平面内延伸的台，所述第二平面从所述第一平面倾斜；被支撑在所述台上的传感器芯片；支撑所述台的修改的连接引线结构；及至少一个突出部，所述至少一个突出部在第一方向上从所述台延伸，所述第一方向从所述第一平面和第二平面倾斜。所述至少一个突出部具有在水平高度上比所述底表面高的顶部。
文档编号G01R33/02GK1825133SQ200610009458
公开日2006年8月30日 申请日期2006年2月23日 优先权日2005年2月25日
发明者白坂健一 申请人:雅马哈株式会社