专利名称：性能改进的固体探测器的制作方法
性能舰的固^l^测器本发明涉湖于医学成像设备的探测器，更具体地，涉及通过M4、向 非期望位置的电子泄漏而使性能改进的固体探测器，诸如从像素到像素， 从块到像素间间隙纖块到f腺的像素。在医学成像设备中，x射线或伽马射线从源传^^lt,并且由探测器探测。探测器一般包括用于将x射线或伽马射线辐射转换成电信号的材 料。 一种最有前景和广泛1糊的材料是镉、锌、碲合金(CdZnTe或更一般 的，CZT)。当x射线或伽马射线辐射撞击CZT材料时，产生电子。为了重 新得到产生的电子的量和位置，将图案化的电极放置在材料表面上。有时影响CZT探测器性能的一个问题是电子有时会"泄漏"或由于 CZT材料的导电性而从电极移动到电极。像素化(pixdlated)的电极之间 的该干扰(crosstalk)导致不精确的电子錢探测和电荷麟效率的损失， 其从而引起最终图像不精确。CZT探测器中的表面泄漏问题已乡SM:用湿式化学或氧等离子体氧化CZT表面、增加像素间距离^在像素间^S负电荷电极栅而得到处理。 这种方法已经产生了稍好的性能，并且增加了探测器的制造财。例如， 在像素间^顿负电荷电极栅迫使电子朝向正偏置的像素。然而，为了避免 像素间的电荷损失，栅格的宽度和栅格至像素的距离需要最小化，同时在 像素和栅格之间保持足够大的距离以确保良好的分离和良好的可制造性。现有固條测器的另一个问题是电极不能良好i僻占附預如CZT的转 换材料上。电极和CZT之间的不良粘附可能导致电学和光i皆性能斷氐，由 于收縮特性的恶化而弓胞的时间退化，以及由于接触的录搞而弓跑的在模 ±央组件和/，作期间的可靠性问题。同样地，需要鄉一种具有电极布置的探测器，其解决了表面泄漏问 题，而不顿过需要附加结构而增加探测器的成本。还需要提供一种探测 器，其中电极粘附于CZT材料上。6本发明涉及一种成像探测器，其减少了电极之间的泄漏。在一个实施 例中，探测器由直接转换材料和金属电极形成，所述金属电极由在直接转 换材料中形成的槽分离开。该槽增加了电极之间的导电路径的距离，因而 减少了电极之间的表面泄漏，而不减少区 盖度。在一些实施例中，将电极栅设置在电极之间。电极栅与电极位于不同 平面上，从而允许最小化电^t间的距离。在一些实施例中，4顿图案化的电极，其中，电极部分地粘附至转换 材料，并且部分地粘附至诸如介电材料的钝化层。在并入本说明书中并且构皿一部分的附图中，示出了本发明的实施 例，其与上述本发明的基本描述以及下述的详细描述一同用于说明本发明 的原理。本领域技术人员应当意识到，这些说明性的实施例并不意H據限 制本发明，而是仅仅提供了并入了本发明的原理的实例。此外，可以组合 各种实施例，例如以获得具有钝化层和槽的探测器或者具有钝化层和电极 栅的探测器。图l示出了现有技术的探测器；图2示出了包括分离电极的槽的探测器的实施例； 图3示出了制作图2中所示的探测器的一种方法； 图4示出了制作图2中所示的探测器的另一种方法； 图5示出了制作包括分离电极的槽的填料的探测器的另一实施例的一 种方法；图6示出了M不同的t赅仿法获得两种不同的槽的外形，戶舰不同 的蚀刻方法可以用于制作本申请范围中的探测器的任何实施例的任何实施 例中；图7A和7B示出了具有栅格电极(grid electrode)的现有技术探测器;图8A和8B示出了包括槽和栅格电极的探观螺的实施例；图9示出了制作包括槽和栅格电极的探测器的一种方法；
图10示出了制作包括槽和 格电极的探测器的另一种方法；图11示出了制作包括槽和栅格电极的探测器的另一种方法；图12示出了审怖包括槽和栅格电极的探测器的另一种方法；图13示出了制作包括槽和栅格电极的探测器的另一种方法；图14示出了制作包括槽、栅格电极和槽的填料的探测器的另一种方法；图15a示出了包括图案化的电极的探测器的实施例，0M电极部分粘 附至直接转换材料，并且部分粘附至钝化层；图15b示出了图15a中所示的探测器实施例的顶视图；图16a示出了包括图案化的电极和电极栅的探测器的实施例；图16b示出了图16a中所示的探测器实施例的顶视图；图17示出了在阳极和阴极侧都具有图案化电极的探测器的实施例；图18示出了在阳极和阴极侧都具有图案化的电极的另一探测器实施例；图19示出了包括图案化的电极和用于分离图案化的电极的槽的探测 器实施例；图20示出了制作具有图案化的电极和氧化层的探测器的一种典型方法；图21示出了制作具有图案化的电极的探测器的典型方法； 图22示出了制作具有图案化的电极和电极栅的探测器的典型方法； 图23示出了包括图案化的电极和钝化层的探测器的实施例，戶脱钝化 层具有与电极不同的图案。在此公开的探测器Jli共了鹏的电极布置，其 >了电子表面泄漏。 CZT材料表面上的电极具有在它们之间的^JE离，而未M^像素尺寸。 在电极之间形i^f，由此增加电子必须t，以从一个电极通向另一电极的 路径。另外， 一些实施例包括负电荷电极的栅，其可以放置在槽中，以阻 止电子聚集在像素间间隙中或错误的像素处。在一些实施例中，钝化层用 于提供电极对转换材料的改善的粘附，或者用于将电极与栅格电极结构屏图1示出了现有技术探测，置D。在CZT材料CZT的两侧體金 属电极ME，从而形成阳极侧A和阴极侧C。阳极侧的电极由氧化CZTO 的间隙G分离。当在电极(如图1中所示顶部的电极)之间存在电荷差时， 电荷可以通过氧化CZT间隙O流向其它电极，示为Ie。电子从一个电极至另一个电极的泄露造成了成像的不精确。或者，当由辐射在CZT块中产生 电子时，这些可以流向错误的像素，或者结束在像素间间隙中，从而导致 成像不精确和损失成像信息。图2示出了本发明的实施例，其中，电极由槽分离开。探测器10包括 位于诸如CZT材料的直接转换材料25的fiHi上以形成阳极侧30和阴极 侧32的金属电极20。直接转换材料25可以是任何^g的材料，包括但不 局限于硒、碘化荥、氧化铅、碘化铅、溴化铊、碘化铋、砷化镓或其它合 适的材料。根据该应用，直接转换材料可以替换为闪烁体，或者用于将辐 射直接或间接转换成电子的倒可其它魏的材料。应当意识到，更多的导 电材料具有在电极电位之间的较高表面泄漏。而且，应当意识到，该申请 中所述的概念不局限于任何特定的材料合成物。这种材料仅列举作为说明 性实例。阳极侧30上的电极20由氧化材料35的间隙33分离开。应当注意到， 氧化材料仅是间隙33中材料钝化的说明性实例。在本申请中也可以预期其 它钝化手段。间隙33形成槽40，其延长了电子从电极移动到电极必须M 的路径Ib。槽40有效地增加了电极20之间的导电路径Ib，但是电极20之 间的侧向距离保持不变。这意據电极20的侧向距离和区OTM^可以用 于最优化^f,辨n电荷TO效率，同时槽40减少了表面泄漏。槽40的深度可以改变以实5 优结果。作为实例，Mai创建深度^l:等于电极2o之间的侧向距离的一半的槽40，使得导电路径Ib的距离加倍。如果深度等于 电极20之间的侧向距离，导电路径Ib的距离将增MH倍。图3示出了制作图2中所示的探测器10的一种方、法。如在100所示， 电极^M20沉积CT:接转换材料25的表面。在IIO，施加皿抗蚀剂材料 44，并且将其烘干在电极金属20上，并且随后iiii光^l皮暴露以定义电 极图案。随后，从像素间区鄉除;)^蚀剂材料44。在120，电极金属 20和直接转换材料25 t駭赃像素间区:^间隙33中以形，40。在130， 从电极金属20上剥离和清除抗蚀剂材料44,从而暴露像素化的电极20。 最终，在140，使槽40的表面氧化，以形成诸如氧化CZT的氧化材料35 的钝化层。图4示出了制作图2中所示的探测器10的第二方法。在200，电极金 属20沉积ffl:接转,25的表面上。在210，施加^i^蚀剂材料44，并且将其烘干在电极金属20上，并且随后舰光繊暴露以定义电极图案。 随后，从像素间区鄉除^i^[蚀剂材料44。在220，蚀刻金属20以形成 像素化电极20。在230，从电极賴20上剥离并清除抗蚀剂材料44，从而 暴露像素化的电极20。在240， t駭附料25以形^t曹40。在一些实施例中， 步骤230和240也可以以相反的顺皿行。最终，在250，使槽40的表面 被氧化，以形成诸如氧化CZT的氧化材料35的钝化层。虽然该方法由于以 分离的步骤蚀刻金属和直接转换材料而增加了步骤，但是该方法确实具有 一靴点。首先，由于以分离的步骤蚀刻金属和直接转换材料，可以最优 化每^t膽U步骤220、 240。第二金属t駭U形成了用于t顿值接转换材料、图4中戶诚的方馳可以应用于探测器，其中以不同的方法形成图案 化的电极，包括转写(pattern-wise)沉积、剥离工艺(lift off process)、印 刷、转印技术，随后4顿金属作为繊进行槽t赅诉口钝化(步骤240—250)。 图5示出了形成探测器的另一实施例的另一方法。在300，方法如图3 中100至120中所进行的。在310，槽40的表面被氧化以形成诸如氧化CZT 的氧化材料35的钝化层。在320,槽40填充有介电材料50，诸如例如光 im蚀剂、BCB、 SU-8、 PI、氧化硅、氮化硅、氧化铝或其他统的材料。 介电材料50将像素间区域与环境屏蔽开，并且M^了像素之间的耦合。介 电材料50还有助于例如M板(未示出)而到读出电子器件的结合。最终， 在330，从电^^属20上剥离和清除抗蚀剂材料44，从而暴露像素化的电 极20。也可以使用在已经形^t曹40和已经施加钝化涂层之后形成介电材料 50的方法。这种方法可以包Mil常规平版印刷斜卩t脑怵的应用，随后 暴露和显影以定义图案的光i^才料的应用，或者诸如通过喷墨或其它印刷 技术而綱斗的选择腿用。图6示出了不同类型的t^ij。左侧，示出了各向异性(干)1:顿」之后 的探测器。舰各向异性嫩U形成的槽40包括适当地成方形的職。右侧， 示出了在各向同性(湿或干)蚀刻之后的探测器。M31各向同性蚀刻形成 的槽40包括适当地圆形的边缘，从而形i^H像碗状的槽。应当意识到，在 任一所述实施例或在本申请的范围中的任意实施例中可以使用任一类型的 t顿J。在此描述的探测器可以用于任何成{魏置，并且在医学成f魏置中具 有特殊应用。这种成《蝶置通常包括成像区域、 一个或多个探测器和图像 处理器。图7A和7B示出了现有技术探测器D'，其并入了位于金属电极ME 之间的负电荷电极栅G。栅格G使得电子朝向正偏置的电极。然而，为了 避免像素之间的电荷损失，应当最小化栅格的宽度和栅格至金属电极的距 离。另外，金属电极ME之间的距离4应当最小化以确保良好的表面鶴 度。然而，如上所述，金属电极ME之间的矢邵巨离允许电子ilil导电CZT材料泄漏。如图8A和8B中所示，栅格60可以放ffith述的槽40中。通过将栅 格60放置在槽40中，电极20之间的距离4可以小于现有技术的距离dc。 该减小的距离dbJlf共在表面M^之间，并且因而提高了电荷麟效率。 另外，如上戶舰，槽40延^M3i直接转换材料25的导电路径，从而M^、 电子泄漏。图9示出了帝,包括槽40和负电荷电极栅60的探测器10的一种方法。 该方法在1000开始，具有诸如图3中在140贼图4中250 ^i^f示的探测 器布置。在IOIO，栅格电极材料60沉积在电极20和槽40的表面上。在 1020，在电极20和槽40中形成栅60的限定的区域上施加抗蚀剂材料44 并且形成图案。在1030，从非抗蚀剂覆盖的区域上嫩卿格电极材料60。 在1040，移除抗蚀剂材料44。如在1040所示，得到的探测 置包括由 其中包^li格60的槽40分离的电极20。槽40示为具有可选的钝化层35。 该方法允许独立于像素电极结构而定义的栅格结构。根据所使用的材料和 抗蚀剂图案，栅格电极材料可以存在于像素电社^M其上移除。图10示出了制作包括槽40和负电荷电极栅60的探测器10的另一方 法。与图9中戶标方法相同，该方法开始于1100，具有诸如图3中在140 处或图4中250处所示的探测器布置。在1110，在电极20和槽40中除将 形繊格60的限定区ii^外的部分，施加抗蚀剂材料44并且形成图案。 在1120，栅格电极材料60沿着表面沉积。在1130，录嗨抗蚀剂材料44, 其也移除沉积在抗蚀剂材料上的倒可栅格电极材料60。如113中所示，得 到的探测 置包括由其中包含栅格60的槽40分离的电极20。同样，槽 40示为具有可选的钝化层35。该方^^以于图9中所示的方法，除了其少一个步5fe外，如省略了蚀刻步骤。图11示出了制作包括槽40和负电荷电极栅60的探测器10的另一方 法。该方法开始于1200，具有与在先两种方法的开始点相同的探测器布置。 在1210，栅格电极材料沿着电极20表面和髓槽40的底部沉积。使用不 允许材料沿着槽的侧壁沉积的沉积技术。同样，钝化是可选的步骤。该方 法的优点在于其不需要附加的掩膜步骤。然而，该工艺可以更严格，尤其 对于像素和栅格电极之间的短距离。这可以通过最优化像素电极和槽形状 而得以離。如在1230所示，i:駭赠40以改变槽的靴，从而鹏电极 分离。图12示出了形成具有分离电极20的槽40和设置在槽40中的负电荷 电极栅60的探测器10的布置的"集成"方法。该方法开始于1300，具有 包括由槽40分离开的电极20和已经存在但 于电极20的抗蚀剂材料44 的探测器布置。这是槽形成中的中间状态，如例如图3中120处和图5中 320处所描述的。在1310，栅格电极材料60沉积在电极20上且沿着槽40 的底部，其类似于图11中所示的方法。在1320，剥离抗蚀剂材料44，从 而移除沉积在电极60上的栅格电极材料60。如在1320处所示，探测器布 置包括在电极20之间的槽40，其中，栅格60设置在槽中。图13示出了第怖包括槽40和负电荷电极栅60的探测器10的另一方 法，其包括在制作槽之后对像素和栅格电极的定义。该方法开始于1400， 其中在直接转换材料25的表面上施加抗蚀剂材料44并形成图案。在1410， t膽值接转换材料25以形成槽40。在1420，剥离抗蚀剂材料44。在1430， 沿着直接转换材料25的表面的水平表面沉积电极丰才料。因而电极材料g 槽40中的顶部表面和电极栅60形成电极20。在1440，将可选的钝化层施 加在电极20之间的导电足各径。图14示出了形成包括槽40和负电荷电极栅60的探测器10的另一种 方法。该方法开始于1500，其中，^t接转换材料25中形淑曹40，可选 的钝化层35施加在电极20之间的导电路纟5上，并且抗蚀剂材料44设置在 电极20上。在1510，栅格电极材料60沉积在槽40的底部和抗蚀剂材料 44上。在1520，介电材料50沉积在探测器的表面上，从而±真充槽40。在 1530，从电极20上剥离抗蚀剂材料44，从而移除沉积在抗蚀剂材料44上 的招可栅格电极材料60和介电材料50。如在1530所示，探测器布置包括由填充有介电材料50的槽40分离开的电极20。介电材料50包围栅格60。也可以借助其它手 加介电材料，诸如平版印刷术或印刷技术，类 似于图5中所述的实例。在一些实施例中，可以使用图案化的电极20'，来改善电极和转换层 25之间的粘附。图案化的电极20'部分粘附至转鹏25，并且部分粘附至 钝化层50。钝化层50在转换层和电极之间衛共改善的粘附。而且，钝化层 改善了对转换层-电极接触的保护，其减少了被氧气和湿气降解的可能。正 如在其它实施例中，钝化层也^>了电流泄漏，从而M^、了干扰。而且， 可以〗CT钝化层作为表面电极和栅格电极结构之间的屏障。可以使用作为钝化层的材料包括，但不局限于诸如，抗蚀剂、BCB、 SU-8、 PI、氧化硅、氮化硅、氧化铝或其它M的材料的介电材料。由于电可检测性，这种实施例可以鹏其它优点。当测鄉头接触钝 化材料顶部的电极时，可以不产^t转换层的损伤。图15a示出了j顿阳极侧30上的图案化的电极20'的实施例。在这种 实施例中，图案化的电极20'部分粘附至转换层25，且部分粘附至诸如介电 材料50的钝化层。图15a中的实施例示出了图案化的电极20'之间的可选 氧化层35。图15b示出了图15a中所示实施例的顶视图。图16a示出了除了已经在图案化的电极20，之间添加电极栅60之夕卜， 类似于图15a中所示的实施例。可以使用电极栅60以进一步减少图案化的电极20，之间的干扰，并^aM:将电子导向正电荷电极而改善电荷麟效率。图16b示出了图16a中所示的实施例的顶视图。应当注意到，可以在阳极侧30、阴极侧32或两侧P(顿图案化的电极 20，，诸如图17和18中所示的实施例。而且，还应当意识到，可以改变图 案化的电极20'的图案就何微。例如，图15-18中所示的图案化的电极 为基本上为正方形鄉巨形的。然而，任何图案或几何形状可以为合适的， 从而图案化的电极20'部分粘附至转,25，并且部分粘附至钝化层50。 而且，钝化层的图案和电极不需要相同图23中示出了不同的图案和尺寸 的实例。图19示出了包括图案化的电极20邻分离该图案化的电极的槽40的探 观IJ器实施例。图案化的电极20'，以与图5中戶标的实施例相似的方式，部 分粘附至转换材料25，并且部分粘附至±真充槽40的钝化层50。沿着图案化的电极20'之间的导电路径的一部分可以包括可选的氧化层35。与其它实 施例一样，也可以包括电极栅(未示出)。图20示出了制作包括图案化的电极20'的探测器的典型方法。在1600, CZT层或其它转换层25，设置有氧化层35和钝化层50。在1610，使钝化 层50图案化。在1620，表面 1」移除了暴露的氧化层35，其位于图案化 的钝化层50之间。在1630，施加电极金属。在1640，使电极金属图案化， 以形成图案化的电极20'。使电极金属图案化可以以各种方式进行，包括， 但不局限于平版印刷术、湿或^t膽lj、剥离工艺 31阴影 进行沉积。 应当注意到，诸如图20中所述的包摘屯化层50的实施例的优点在于，不 存在关于转船25而选择性地1:駭啲问题。图21示出了制作具有图案化的电极20'的探测器的另一典型方法。在 1700，提供转矛娠25，并且表面t顿形除了氧化层。在1710，施加钝4根。 在1720，使钝化层图案化。在1730施加电极金属，并且在1740使电极金 属图案化。 一般地，除了在施加钝化层之前进行表面蚀刻以移除氧化层之 外，该方法相似于图20中所示的方法。当钝化层在天然(native) CZT上 的粘附^i子时，或者当钝化层与表面蚀刻剂材料不相容时，该方法可能是 有利的。图22示出了制作具有图案化的电极20'、而且还包括电极栅的探测器 的另一典型方法。在1800，转换层25设置有OT在其上的电极栅60。在 1810，在转换层25和电极栅60JJS加钝化层50。在1820，使钝化层50 图案化。在1830施加电极金属，并且在1840使得电极金属图案化以形成 图案化的电极20'。应当意识到，本申请中所述的每种方法和探测器结构仅是说明性的实 例，并不意n據将本发哪蹄lJ为任何特定的实施例。例如，探测器结构或 者制作探测器结构的方法可以或可以不包括负电荷栅格、钝化或氧化导电 层，或钝化层或介电材料。还可以预期的是，在此所述的特征和步骤的组合也是本申请戶;ff页期的。已经参考了一个或多个雌实施例描述了本发明。清楚的是，在阅读 和理解本说明书的基础上，还可以进行修改和变型。将预期的是，包括符合随附权利要^^等效的范围的所有这种修改、组合和改变。
权利要求
1、一种成像探测器，包括转换材料，用于直接或间接将辐射转换成电子；位于所述转换材料的至少一侧上的电极，其中，任意两个电极由在所述转换材料中形成的槽分离开，并分离开一距离。
2、 根据权利要求1戶腿的成像探测器，其中，每个槽的表面在两个电 极之间形成导电路径。
3、 根据权利要求2戶脱的成像探测器，其中，戶腐电极之间的戶腿导 电路径包蹄化材料层。
4、 根据权禾腰求2戶腿的成像探测器，其中，沿着針槽的戶脱导电 路径的长度至少是4妙，两个电极分离开的所淑巨离的长度的两倍。
5、 根据权利要求1戶腿的成像探测器，其中，至少一^^M槽填充有 介电材料。
6、 根据权利要求i戶腿的成像探测器，还包括在至少一些戶;M槽中设置的电极栅。
7、 根据权利要求1戶腿的成像探测器，其中，至少1分戶腿电极部 分粘附到腿转换材料，并且部分粘附至钝化层。
8、 一种成像探测器，包括转换材料，用于直接或间接将辐射转皿电子；以及位于戶腿转换材料的至少Hi上的电极，其中， 一部分戶腿电极由在戶脱转换材料中形成的一个或多个槽分离开，其中，戶腿一个或多个槽的表面在分离开的电^t间形成导电路径，舰导电路径包蹄化材料层。
9、 根据权利要求8戶腿的成像探测器，其中，沿着戶腿槽的戶腿导电 路径的长度至少是在分离开的电极之间的距离的长度的两倍。
10、 根据权利要求8戶腿的成像探测器，其中，戶腿一个或多个槽土真 充有介电材料。
11、 根据权利要求8戶腿的成像探测器，还包括在戶腿一个或多个槽 的预定部分中设置的电极栅。
12、 根据权利要求8戶腿的成像探测器，其中，至少一部分戶腿电极 部分粘附至臓转换材料，并且部分粘附至钝化层。
13、 一种形舰像探测器的方法，包括将金属沉积在转换材料的表面上，其中，所述转换材料直接或间接将 辐射转^^电子；t膝u戶;f^属以在金属电极之间形成间隙；以及鹏臓转换材料以舒脱金属电,司形鹏。
14、 根据权利要求13戶腿的方法，其中，对戶腐金属进行的戶脱嫩ij和对戶欣转换材科进行的戶;Mt蟥j是同0m行的。
15、 根据权禾腰求13戶腐的方法，还包拾沿着戶;M槽的表面衝共钝化层。
16、 根据权利要求13戶腿的方法，还包括用介电材料填^^M槽。
17、 根据权利要求13戶脱的方法，其中，t顿j戶腿转换材料至如下深度其至少是舒;f^属电&t间形成的戶脱间隙的距离的一半。
18、根据权禾腰求13戶腿的方法，还包括在戶腿槽中设置电极栅。
19、根据权利要求13戶脱的方法，还包括将钝化层施加舒腐转换材 料，使得至少一部分戶;M金属电极部分粘附至所述转换材料，并且部分粘附至鹏屯化层。
20、 一种成像探测器，包括转换材料，用于直接或间接将辐射转换成电子； 沿着戶，转换材料的表面定4立的金属电极，其中，所述电极分离开一 距离；以及沿着所述转换材料形成的导电路径，其中，所述导电路径的长度至少 是分离开戶，金属电极的所淑巨离的长度的两倍。
21、 根据权利要求20戶脱的成像探测器，其中，戶腿导电路径包括钝 化层。
22、 一种成像探测器，包括转换材料，用于直接或间接将辐射转换成电子； 位于戶诚转换材料的至少H则上的电极；以及 在所述电极之间设置的电极栅，其中，所述电极栅与所述电极不在同 一平面上。
23、 根据权利要求22戶腿的成像探测器，其中，戶脱电极由:^腿电 极之间的戶脱转换材料中形成的导电路径分离开，并分离开一距离，其中，戶;M导电路径的长度大于分离开戶/M电极的戶，巨离。
24、 一种成像探测器，包括 转换材料，用于直接或间接将辐射转换成电子； 施加至至少一部分戶，转换层的钝化层；以及 位于戶腿转换材料的至少Hi上的电极，其中，至少一部分戶脱电极 部分粘附至臓转换材料，并且部分粘附到腐钝化层。
25、 根据权利要求24戶脱的成像探测器，还包括形鹏至少1分所述电极之间的戶;M转换材料中的槽。
26、 根据权利要求25戶腿的成像探测器，其中，戶脱钝化层填充至少 一部分鹏曹。
27、 根据权禾腰求24戶诚的成像探测器，还包括在一部分戶腿电极之 间设置的电极栅。
28、 根据权禾腰求24戶脱的成像探测器，包括至少两种不同的电极图案。
29、 一种成像探测器，包括转换材料，用于直接或间接将辐射转换成电子； 多个电极，其中，至少一部分戶服电极包括与戶脱转换材料接触的平 坦部分和与粘附材茅^M的凸起部分。
30、 根据权利要求29戶脱的成像探测器，其中，戶;ft&粘附材料是钝化材料。
31、 根据权利要求29戶腿的成像探测器，其中，至少一部分戶;f^粘附材料设置在位于电敬t间的槽中。
32、 根据权利要求29戶脱的成像探测器，其中，将戶脱粘附材料施加 在电极栅上。
全文摘要
本发明涉及一种成像探测器，其由转换材料和被形成在转换材料中的槽分离开的电极形成。这些槽增加了电极之间的导电路径的距离，或者容纳了电极的栅格，从而减少了电极之间的电流泄漏。在一些实施例中，使用钝化层以使得电极更好地粘附至转换材料，或者将电极与栅格电极结构屏蔽开。
文档编号G01T1/29GK101263403SQ200680033677
公开日2008年9月10日 申请日期2006年8月18日 优先权日2005年9月15日
发明者F·H·M·桑德斯, R·范阿塞特 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司