基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的微光探测器的制作方法

专利名称：基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的微光探测器的制作方法
技术领域：
本发明属于光电成像探测技术领域，涉及一种微光探测器，具体涉及一 种基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的微光探测器。
背景技术：
微光夜视技术广泛应用于交通、电视、通讯、医药卫生、军事等领域。
经过近30年的高速发展，如何改善微光成像系统探测的动态范围已成为该领 域的一项重要课题，而解决这一课题的关键在于如何提高微光探测极限以及 如何在强光下正常成像而不损害探测器。
在提高微光探测极限方面，国外已研制出探测极限为10力x照度的CCD (charge coupled device)摄像机，德国B&M光谱公司在-15(TC温度下，将 CCD摄像机的探测极限提高至10"lx。低温微光探测器件具有很高的信噪比， 但其体积笨重、技术难度高、造价昂贵，导致应用领域十分有限。我国已在 微光(10'6k)领域展开了广泛的研究，中科院西安光学精密机械研究所和长 春光学精密机械研究所对超二代像增强器进行了深入的研究，北京理工大学、 南京理工大学在提高夜视仪成像质量方面也已进行了多年的研究探讨，西安 应用光学研究所及北方夜视技术股份有限公司在三代像增强器的研究中也已 进入了实验室阶段。
在如何适应强光方面，国外现有的第四代像增强器，通过在光电阴极上 施加脉冲式自动通断电压，使得光照极强时减少进入微通道板的电子流，避免其饱和，使产生的图像始终均匀一致；另外，自动门控作为另一种实现选 通的方法，允许像管在照明区域和白天仍产生对比度良好的高分辨率影像， 而不产生模糊的影像，扩大了微光像增强器的动态使用范围，但是该技术的 细节对我国实行封锁。中国科学院西安光机所的黄林涛等人针对二代像增强 器的缺点，设计了自动门控电源取代直流高压电源为第二代像增强器供电的 方案， 一定程度上提高了二代像增强器的动态使用范围。西安北方光电公司 的孙亚芬等人利用光学系统进行自动光强控制来保护强光条件下工作的像增 强器。
但是，在提高探测极限方面，上述研究开发的各种装置虽然对像增强器 所产生的电子有加强和倍增的作用，但并没有能够将电子进行有效的积累， 而仅仅是通过CCD对光子信号进行长时间的积累，因此，CCD的性能在很大 程度上限制了微光探测极限由10勺x提高到l(T8lx;而在实现强光探测方面，. 现有的探测器皆为整体选通，对某个区域等于或大于105&过强光无法进行局 部控制，影响了成像质量。

发明内容
本发明的目的是提供一种基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的 微光探测器，不仅将采用三代像增强器的微光探测器的探测极限由10—6lx提高 到10力x，而且可对10—5lx的过强光进行局部选通，并保证成像质量。
本发明所采用的技术方案是， 一种基于三代近贴式像增强器在常温下局 部选通的微光探测器，包括探测器壳体，探测器壳体分为上下两个腔体，上 腔体内依次设置有测光CCD、视频采集模块、现场可编程门阵列、液晶驱动 模块、电源和显示屏，上腔体外部与测光CCD相接的一端设置有镜头A，上腔体的另一端外部设置有按钮，下空腔内依次设置有液晶板、磁镜阵列像增
强器、光纤光锥和成像CCD，下空腔外部与液晶板相接的一端设置有镜头B， 镜头A与镜头B并排设置。 本发明的特征还在于，
磁镜阵列像增强器包括平行设置的负电子亲合势光阴极和微通道板，由 负电子亲合势光阴极到微通道板之间依次设置有前置近贴聚焦电子光学系统 和磁镜阵列装置，微通道板的外侧依次设置有后置近贴聚焦电子光学系统和 高亮度荧光屏。
磁镜阵列装置为二维栅状面阵，包括环形的支架，支架的环内设置有栅 状永磁体，栅状永磁体横向并排设置有多个通孔，通孔穿过栅状永磁体的每 道栅，每道栅上相对应的通孔位于同一条轴线，构成栅状且整齐排列的多个 微磁镜阵列，栅状永磁体沿支架轴线方向的两侧分别设置有电极，电极与栅 状永磁体之间设置有垫圈。
微通道板的两端面贴有防离子反馈膜。
液晶板安装于磁镜阵列像增强器前的光学系统中，通过光纤面板耦合于 负电子亲合势光阴极前，并位于该光学系统的成像面。
本发明探测器的有益效果是
1. 在像管内部对光电子进行积累，改变了现有CCD积累光信号的方式， 在一定程度上减小了对CCD的依赖性。
2. 采用二维面阵磁镜阵列装置，能够充分利用微光像增强器产生的电子， 降低光电阴极出射电子在磁镜中的逃逸概率，对光电子信号进行更加有效的 积累。
3. 不需要低温装置，常温下能将微光成像探测极限增至l(T8lx的照度。
4. 磁镜采用剩磁较大的铷铁硼永磁材料制成，其居里温度为312°C，常 温下能很好地对光电子进行积累，并可以通过较长时间的积累实现对极微弱 光信号的增强，从而达到在10—six照度下的清晰成像。
5. 采用液晶板对目标景物的光强进行局部透光控制，在强光条件下保护光 阴极及微通道板，同时，保证各器件正常工作。
6. 可根据要求适当调节液晶板的电压与透过率的关系，实现微光探测器在 1051)(照度环境下的正常工作
7. 单个像素点可以独立控制，实现局部光强选通。


图1是本发明探测器的结构示意图； 图2是本发明探测器中磁镜阵列像增强器的结构示意图； 图3是本发明探测器中磁镜阵列装置的结构示意图；其中，a是主视图， b内部结构的展开图4是本发明探测器的工作原理图5是本发明探测器的磁镜阵列装置中单个微磁镜单元产生的磁镜场对
电子的约束原理图6是本发明探测器中采用的液晶响应时间与电压幅值的关系曲线图。 图中，l.镜头A， 2.镜头B， 3.测光CCD， 4.视频采集模块，5.现场可编程
门阵列，6.液晶驱动模块，7.电源，8.探测器壳体，9.空腔A， IO.显示屏，11.
按钮，12.隔板，13.成像CCD， 14.空腔B， 15.光纤光锥，16.磁镜阵列像增强
器，17.液晶板，18.负电子亲合势光阴极，19.磁镜阵列装置，20.微通道板， 2L前置近贴聚焦电子光学系统，22.后置近贴聚焦电子光学系统，23.高亮度荧 光屏，24.微磁镜阵列，25.栅状永磁体，26.支架，27.电极，28.垫圈。
具体实施例方式
下面结合附图和具体实施方式
对本发明进行详细说明。
本发明探测器的结构，如图l所示。包括中空的探测器壳体8，探测器壳 体8通过隔板12分为空腔A9和空腔B14，空腔A9内依次设置有测光CCD3、 视频采集模块4、现场可编程门阵列5、液晶驱动模块6、电源7和显示屏10， 空腔A9的外部与测光CCD3相接的一端设置有镜头Al，空腔A9的另一端 外部设置有按钮11，空腔B14内依次设置有液晶板17、磁镜阵列像增强器16、 光纤光锥15和成像CCD13，空腔A9外部与液晶板17相接的一端设置有镜 头B2，镜头A1与镜头B2并排设置。
本发明探测器中磁镜阵列像增强器16的结构，如图2所示。包括平行设 置的负电子亲合势光阴极18和微通道板20，从负电子亲合势光阴极18到微 通道板20之间依次设置有前置近贴聚焦电子光学系统21和磁镜阵列装置19， 微通道板20的外侧依次设置有后置近贴聚焦电子光学系统22和高亮度荧光 屏23，微通道板20的两侧面贴有防离子反馈膜。
本发明探测器中磁镜阵列装置19的结构，如图3a、 3b所示。包括采用 铜或陶瓷制成的外圆内方的环形支架26，支架26的内侧壁为卡口，支架26 的方形环内设置有由永磁材料铷铁硼制成的栅状永磁体25，栅状永磁体25通 过支架26内侧壁的卡口与支架26固接，栅状永磁体25在垂直于栅状磁片的 方向(横向)充磁并设置有多个通孔，栅状永磁体25沿支架26轴线方向的两侧各设置有一层电极27，该电极27为栅状永磁体25两侧分别镀的一层渗 透电极，或由金属制成的栅电极，电极27与栅状永磁体25之间设置有陶瓷 制成的垫圈28，栅状永磁体25的每道栅上相对应的通孔位于同一条轴线，构 成栅状且整齐排列的多个微磁镜阵列24。
磁镜阵列像增强器16中的微通道板20和CCD的像素单元排列呈二维面 阵分布，为与微通道板20及CCD相匹配，并降低对成像系统空间分辨率的 影响，将磁镜阵列装置19设计为二维栅状面阵结构，磁镜阵列装置19中的 每一微磁镜阵列24的限度由小孔孔径及相邻孔间距的大小控制，并通过前置 静电聚焦电子光学系统23和后置静电聚焦电子光学系统22将磁镜阵列装置 19与微通道板20的微通道进行耦合，以达到每个微磁镜阵列24与微通道板 20的各个微通道一一对应。该磁镜阵列装置19通过每个微磁镜阵列24收集 光电阴极18射出的电子，并对电子进行长时间的磁约束，构成一种新的光电 子接收器。
本发明探测器中的液晶板17选用高温多晶硅薄膜晶体管液晶显示板 HTPS TFT-LCD。该液晶显示板为有源矩阵驱动方式的透过型LCD，具有小 型、高精细、高对比度、驱动器可内置等特点。外形尺寸3.3cm (对角线)， 内置源矩阵驱动电路，逐点寻址，点阵数1024 (H) x768 (V) =786,432;其 内部的液晶采用扭曲向列型液晶材料制作，内置无串扰电路和无鬼线电路， 提高显示质量，光波长为630nm时，液晶显示板的透过率为30%。高温多晶 硅薄膜晶体管液晶显示板具有快速响应的特性，适合光学信息处理，输入信 号电压为1024x768的8位位图，即灰度为28=256阶的灰度图，不加电压时， 显示图像为255灰度，施加到单像素的电压与输入图像的灰度值成非线性关
系。液晶板17安装于磁镜阵列像增强器16前的光学系统中，通过光纤面板 耦合于负电子亲合势光阴极18前，并位于该光学系统的成像面。
本发明探测器的工作原理，如图4所示。其中的磁镜阵列像增强器16与 液晶板17相互配合，可使探测器在不同光强的光照环境中工作
1. 对弱光的选通探测
仅开启镜头A1、测光CCD3、视频采集模块4、现场可编程门阵列5、液 晶驱动模块6和液晶板17，通过镜头Al采集当前的图像信息，并将该图像 信息传输给测光CCD3，测光CCD3将接收的图像信息转换为视频信号，将该
.视频信号输送至视频采集模块4，视频采集模块4将接收的视频信号转换为数 字信号，并将该数字信号传输至现场可编程门阵列5，现场可编程门阵列5对 接收的数字信号进行扫描。如果所有像素光强值均小于磁镜阵列像增强器16 正常工作的最大阈值，则现场可编程门阵列5不对图像进行处理，将全透信 号传至液晶板17，使液晶板17中液晶各像素点的透过率为最大，同时开启镜 头B2、磁镜阵列像增强器16以及成像CCD13，通过现场可编程门阵列5对 磁镜阵列像增强器16中的磁镜阵列装置19进行控制，磁镜阵列装置19开始
.对弱光信号进行积累，人为控制积累时间，磁镜阵列装置19中积累的光电子 达到成像CCD13的成像阈值时，在磁镜阵列装置19两端的电极施加电压， 将磁镜阵列装置19中积累的电子引出，并进入微通道板20，轰击高亮度荧光 屏23，成像CCD13接受经过增强后的图像信息，达到探测弱光的功能。
2. 对光从弱到强的选通探测
仅开启镜头A1、测光CCD3、视频采集模块4、现场可编程门阵列5、液 晶驱动模块6以及液晶板17，通过镜头Al采集当前的图像信息，该图像信
息输送至测光CCD3，测光CCD3将接收的图像信息转换为视频信号，并将该 视频信号传给视频采集模块4，视频采集模块4将接收的视频信号转换为数字 信号，并将该数字信号传至现场可编程门阵列5，现场可编程门阵列5对接收 的数字信号进行扫描。如果该数字信号中部分像素的光强超过磁镜阵列像增 强器16正常工作的最大阈值，则通过现场可编程门阵列5找到过曝像素点， 在NIOS处理器软件平台下，用0++语言根据基于YUV颜色模式的图像处理 算法对该行像素点图像信号进行重新赋值，并将处理过的图像信号逐行写入 SRAM中，最后，通过DMA中断传输将SRAM中的数据写入液晶驱动电路 6，对过曝像素点采用较低透过率，其他低于阈值的像素点保持最大透过率， 这样，则可输出满足合适对比度的输出信号，完成对液晶各个像素点的控制; 然后，开启镜头B2、磁镜阵列像增强器16以及成像CCD13，并通过现场可 编程门阵列5控制磁镜阵列像增强器16中的磁镜阵列装置19对光电子进行 积累，并人为控制积累时间，磁镜阵列装置19中积累的光电子达到CCD13 成像阈值时，在磁镜阵列装置19两端的电极施加电压，将电子自磁镜阵列装 置19中引出，并进入微通道板20，轰击高亮度荧光屏23，成像CCD13接受 经过增强后的图像信息，实现弱光背景下出现局部强光时的正常工作和清晰 成像的功能。
3.对强光的选通探测
仅开启镜头A1、测光CCD3、视频采集模块4、现场可编程门阵列5、液 晶驱动模块6以及液晶板17，通过镜头Al采集当前的图像信息，该图像信 息输送至测光CCD3，测光CCD3将接收的图像信息转换为视频信号，并将该 视频信号传输至视频采集模块4，视频采集模块4将接收的视频信号转换为数
字信号后，将该数字信号输送给现场可编程门阵列5，现场可编程门阵列5对 接收的数字信号进行扫描。如果该数字信号中的全部像素光强均超过磁镜阵 列像增强器16正常工作的阈值，则通过现场可编程门阵列5找到光强相对较 强的像素点，对所有像素输出较低透光率信号，并对光强大于105lx的过强光 输出最小透过率信号；然后，开启镜头B2、磁镜阵列像增强器16和成像 CCD13，此时，在磁镜阵列像增强器16中的磁镜阵列装置19两端电极处施 加恒定的电压，使得负电子亲合势光阴极18出射的电子能够顺利通过磁镜阵 列装置19直接进入微通道板20而不被约束和积累，轰击高亮度荧光屏23并 使用成像CCD13接受经过增强后的图像信息，以达到强光下正常成像的功能。
本发明探测器的磁镜阵列装置19中单个微磁镜单元产生的磁镜场对电子 的约束电子原理图，如图5所示。磁镜是一种中间弱(设为A)、两端强(设 为A)的特殊磁场位形。图5所示的是两个磁场方向相同且间隔一段距离平 行放置的永磁环所构成的简单磁镜场，磁镜中的缓变磁场约束电子是通过电 子产生的磁矩守恒效应来实现。当磁场S随时间和空间缓变时，磁场中电子 的磁矩大小为一常数，电子磁矩可用以下公式表示
4mv^
式中，v丄是垂直于磁场方向电子的横向速度；m为电子质量；S为磁感
应强度。
由于洛伦兹力对电子不作功，因此从磁镜中部入射的电子，其总能量守 恒，即横向动能和平行于磁场方向的纵向动能之和不变。当电子在磁镜场中 运动时，磁场万的变化导致横向动能不断变化，从而导致横向动能与纵向动
能互相转化，电子运动轨迹也就形成了类似"反射"现象的运动。
磁镜场对电子的束缚能力越强越好，但总有一部分电子穿过磁镜两端(也 叫磁喉)的最大磁场A处逃出磁镜。电子逃出磁镜束缚的条件是在磁镜中心 最弱磁场A处的电子速度分量F和K^需满足如下关系
其中，^=&/^为磁镜比；^为电子进入磁镜的初始速度。 制备完成的磁镜阵列装置19，其磁镜比Y为固定值。从(2)式可知，如
果^/F。足够大，且大于V^时，电子就不能从磁镜中逃出；而且磁镜比r 越大，从磁喉处跑出来的电子就越少，磁镜的约束效果就越好。 本发明探测器中磁镜阵列装置19的噪声分析，
将磁镜阵列装置19作为中间部件引入磁镜阵列像增强器16，它本身的结 构和性能对整个成像系统产生一定的影响，包括由于碰撞导致电子在磁力线 间的跃迁，以及磁镜本身所固有的逃逸锥等因素。在像素尺寸内的磁力线跃 迁不会对图像的完整传递产生影响，因此，逃逸锥给系统带来的噪声才是在 微光成像过程中需要关心的问题。
根据上述磁镜原理，电子入射到轴线附近某一位置时，该点的磁场强度 与磁喉处最大磁场的比值^^/Bmax决定了该位置逃逸锥角P(z)的大小，通过 推导得出轴线上任意位置逃逸锥角的表达式为
<formula>formula see original document page 13</formula>只有入射方向与轴线夹角大于逃逸锥角的电子才能被磁场束缚，否则: 电子将从磁镜装置中逃逸，影响微光信号的长时间积累和成像效果。
磁镜阵列装置19可使电子的入射方向与轴线之间保持较小夹角，同时电 子的入射能量和磁镜的最小磁场也满足相应的要求，入射的电子就被磁镜束
缚，而不能逃逸，因此，磁镜阵列装置19带来的逃逸噪声很小。
本发明探测器中的磁镜阵列装置19，配合性能较好的负电子亲合势光阴 极18，可以在2 3小时的积累时间内，实现10—six照度下的清晰成像。
液晶响应时间分析
响应时间是液晶材料的一个非常重要的参数，反应液晶各像素点对输入 信号的反应速度，不同的应用对液晶的响应速度有不同的要求，单独讨论某 一种液晶材料的响应时间没有实际意义，必须将液晶加入电路构成液晶驱动 模块6，测量液晶驱动模块6的响应时间。
采用650nm、 4mW的SZ-04激光器、GOS620示波器以及JD-3照度计， 通过输入液晶的信号与输出液晶的信号之间的相位差，对液晶驱动模块6的 响应时间进行测量。得到如图6所示的波形组(示波器的时间灵敏度为lms)。 根据该波形组计算得到液晶驱动模块4的响应时间在22ms左右，而响应时间 处于16.7ms左右即能够实现对液晶模块响应时间的要求，能够及时、快速对 光强的动态变化做出反应。
本发明探测器采用磁镜阵列装置19，对光电阴极逸出的光电子进行长时 间的积累，取代了现有CCD对光信号积累的方式，同时使用HTPS液晶板17， 实现对光强的自动局部选通控制，使得探测器具有较大的动态使用范围，可 在10—8lx到105k光强范围内正常工作并清晰成像。
权利要求
1. 一种基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的微光探测器，其特征在于，包括探测器壳体(8)，探测器壳体(8)分为上下两个腔体，上腔体内依次设置有测光CCD(3)、视频采集模块(4)、现场可编程门阵列(5)、液晶驱动模块(6)、电源(7)和显示屏(10)，上腔体外部与测光CCD(3)相接的一端设置有镜头A(1)，上腔体的另一端外部设置有按钮(11)，下空腔内依次设置有液晶板(17)、磁镜阵列像增强器(16)、光纤光锥(15)和成像CCD(13)，下空腔外部与液晶板(17)相接的一端设置有镜头B(2)，镜头A(1)与镜头B(2)并排设置。
2. 根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述的磁镜阵列像增强 器(16)包括平行设置的负电子亲合势光阴极(18)和微通道板(20)，由负 电子亲合势光阴极(18)到微通道板(20)之间依次设置有前置近贴聚焦电 子光学系统(21)和磁镜阵列装置(19)，微通道板(20)的外侧依次设置有 后置近贴聚焦电子光学系统(22)和高亮度荧光屏(23)。
3. 根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述的磁镜阵列装置(19) 为二维栅状面阵，包括环形的支架(26),支架(26)的环内设置有栅状永磁 体(25)，栅状永磁体(25)横向并排设置有多个通孔，所述通孔穿过栅状永 磁体(25)的每道栅，每道栅上相对应的通孔位于同一条轴线，构成栅状且 整齐排列的多个微磁镜阵列(24)，所述的栅状永磁体(25)沿支架(26)轴 线方向的两侧分别设置有电极(27)，电极(27)与栅状永磁体(25)之间设 置有垫圈(28)。
4. 根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述的微通道板(20) 的两端面贴有防离子反馈膜。
5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述的液晶板(17)安 装于磁镜阵列像增强器(16)前的光学系统中，通过光纤面板耦合于负电子 亲合势光阴极(18)前，并位于该光学系统的成像面。
全文摘要
本发明公开的一种基于三代近贴式像增强器在常温下局部选通的微光探测器，包括探测器壳体，探测器壳体分为上下两个腔体，上腔体内依次设置有测光CCD、视频采集模块、现场可编程门阵列、液晶驱动模块、电源和显示屏，上腔体外部与测光CCD相接的一端设置有镜头A，上腔体的另一端外部设置有按钮，下空腔内依次设置有液晶板、三代近贴式磁镜阵列像增强器、光纤光锥和成像CCD，下空腔外部与液晶板相接的一端设置有镜头B，镜头A与镜头B并排设置。本发明探测器对光强自动进行局部选通控制，具有较大的动态使用范围，可在10^-8lx到10⁵lx光强范围内正常工作并清晰成像。
文档编号G01J1/42GK101393053SQ20081023200
公开日2009年3月25日 申请日期2008年10月29日 优先权日2008年10月29日
发明者锴 刘, 刘汉臣, 娜 叶, 唐远河, 张瑞霞, 卿 李, 杨旭三, 元 梁, 赵高翔, 郜海阳 申请人:西安理工大学