静电电容传感器及其控制方法、检测电路、输入装置的制作方法

文档序号:6155407研发日期:2009年阅读:182来源:国知局
技术简介:
本发明解决在静电电容传感器中屏蔽电极可能引起噪声的问题。提出了一种检测电路和控制方法,该方法包括通过反复执行特定工序将传感器中的静电电容转换成电压,并同步切换屏蔽电极的状态以降低外部噪声对测量精度的影响。
关键词:静电电容器,屏蔽电极驱动,噪声抑制
专利名称:静电电容传感器及其控制方法、检测电路、输入装置的制作方法
技术领域
本发明涉及测量静电电容的传感器。
背景技术
近年的计算机、便携式电话终端、PDA (Personal Digital Assistant: 个人数字助理)等电子设备中,具备通过用手指施加压力来操作电子设备 的输入装置的电子设备正成为主流。作为这样的输入装置,已知有操作杆 (joy stick )、 触摸板(touch pad)等。
作为这样的输入装置,已知有利用了通过用户接触到电极而使得在该 电极与其周围之间形成的静电电容发生变化这一原理的静电传感器。
〔专利文献1〕日本特开2001 - 325858号公报 〔专利文献2〕日本特表2003 - 511799号公报
利用了上述静电电容的变化的输入装置具有用于将静电电容转换成 电压来进行检测的电容电压转换电路。这里,因用户的接触而使得两个电 极间距离变化时所发生的静电电容的变化是数pF或者比这更小的非常微 小的值,所以电容电压转换电路的检测灵敏度会对输入装置的性能产生较 大影响。为加大静电电容的变化量,考虑了增大电极面积的方法等,但若 增大电极的面积,则输入装置的尺寸会变大。该问题可以通过提高电容电 压转换电路的灵敏度来解决,但若提高灵敏度,就又变得容易受到周围噪 声的影响。

发明内容
本发明是鉴于这样的课题而设计的,其一个方案的例示性目的之一在 于提供一种抑制了噪声的影响的静电传感器。
本发明的一个方案涉及一种静电电容传感器。该静电电容传感器包 括传感器电极;设置在传感器电极附近的屏蔽电极;以及检测传感器电 极与周围间形成的静电电容的检测电路。检测电路包括通过反复执行预
5定的工序来将静电电容转换成电压的电容电压转换电路;同步于预定的工序地切换屏蔽电极的电状态的屏蔽电极驱动部。
根据该方案,通过同步于工序地切换屏蔽电极的状态,能够用屏蔽电极阻断噪声向传感器电极的传递。
屏蔽电极驱动部可以根据传感器电极的电状态来切换屏蔽电极的电状态。
屏蔽电极驱动部可以在电容电压转换电路使传感器电极成为高阻状态的时刻,对屏蔽电极施加固定电压。传感器电极为高阻时,最容易受来自周围的噪声的影响。因此,通过在该时刻固定屏蔽电极的电位,能恰当地阻断噪声。
固定电压可以是接地电压。此时能简化电路。
屏蔽电极驱动部在电容电压转换电路使传感器电极成为高阻状态的时刻和对传感器电极施加电压的时刻,对屏蔽电极施加不同的电压。通过根据施加到传感器电极的电压来改变屏蔽电极的电位,能消除掉屏蔽电极与传感器电极间所形成的电容。
本发明的另一方案是一种输入装置。该装置具有上述任一方案的静电电容传感器。
本发明的再一个方案涉及一种检测电路,与具有传感器电极和设在传感器电极附近的屏蔽电极的传感器部相连接,检测传感器电极与周围之间所形成的静电电容。该检测电路包括第1电压施加部,对于传感器电极,在第1状态下施加预定的第1固定电压,在第2状态下施加比第1固定电压低的第2固定电压;第2电压施加部,对于与周围之间形成固定的静电电容的参考电极,在第1状态下施加第2固定电压,在第2状态下施加第1固定电压;第1采样保持电路,在第1状态下对传感器电极和参考电极各自呈现的电压进行平均,并保持作为第l检测电压;第2采样保持电路,
作为第2检测电压;放大部,对第1检测电压与第2检测电压的电位差进行放大;以及屏蔽电极驱动部,同步于第1、第2电压施加部及第1、第2采样保持电路的动作地切换屏蔽电极的电状态。
屏蔽电极驱动部可以在第1、第2采样保持电路分别采样第1、第2检测电压的期间,对屏蔽电极提供第3固定电压。第3固定电压可以是接地电压。
屏蔽电极驱动部可以在第1电压施加部对传感器电极施加第1固定电压的期间,对屏蔽电极提供第4固定电压,在第1电压施加部对传感器电极施加第2固定电压的期间,对屏蔽电极提供比第4固定电压低的第5固定电压。
可以是第1固定电压与第4固定电压相等,第2固定电压与第5固定电压相等。
放大部可以是被输入第l检测电压和第2检测电压的差动放大器。
通过对第l检测电压与第2检测电压进行差动放大,能除去同相噪声,能较好地检测出静电电容的差。
第1、第2采样保持电路可以通过使传感器电极与参考电极相连接,来对传感器电极和参考电极各自呈现的电压进行平均。此时两个电极间发生电荷的传输,能够得到两个电极所呈现的电压的平均值。
第2固定电压可以是接地电压。
检测电路可以被一体集成在一个半导体集成电路上。所谓"一体集成",包括电路的结构要件全都形成在半导体衬底上的情形,和电路的主要结构要件被一体集成的情形,也可以为调节电路常数而将一部分电阻器、电容器等设置在半导体衬底的外部。
本发明的再一个方案涉及一种在具有传感器电极和设在传感器电极附近的屏蔽电极的电容传感器中,检测传感器电极与周围之间所形成的静电电容的方法。该方法执行以下处理
1. 对传感器电极施加预定的第1固定电压,对与周围之间形成固定的静电电容的参考电极施加低于第1固定电压的第2固定电压的第l步骤;
2. 对传感器电极施加第2固定电压,对参考电极施加第1固定电压的第2步骤;
3. 在第1步骤中对传感器电极和参考电极各自呈现的电压进行平均,并保持作为第l检测电压的步骤;
4. 在第2步骤中对传感器电极和参考电极各自呈现的电压进行平均,并保持作为第2检测电压的步骤;
5. 对第l检测电压与第2检测电压的电位差进行放大的步骤;
6. 同步于步骤1~5的转变地切换屏蔽电极的电状态。应当注意,上述结构要件的任意组合或重新配置等都如所提出的实施例一样有效,或者已被所提出的实施例覆盖。
此外,该发明内容并不一定描述了全部必要特征,因此本发明还可以是这些所描述的特征的子组合。


以下参照附图以示例的方式对实施方式进行描述,这些附图意在示例
而非限制,并且对各附图中相同的单元标以相同的标号,其中
图1是表示具有实施方式的输入装置的电子设备的结构的框图。图2的(a)和(b)是表示传感器部的结构的平面图和剖面图。图3是表示实施方式的检测电路的结构的电路图。图4是表示图3的检测电路的结构例的电路图。图5是图4的检测电路的动作波形图。
具体实施例方式
本发明将通过以下对优选实施方式的il明而得以明确。这些实施方式只是例示,并非限定本发明的范围。实施方式中所描述的所有特征及其组合,不一定就是本发明的本质特征。
图1是表示具有实施方式的输入装置2的电子设备1的结构的框图。输入装置2被配置在例如LCD (Liquid Crystal Display:液晶显示器)9的表层,作为触摸屏来发挥作用。
输入装置2具有传感器部4、检测电路100、 DSP (Digital SignalProcessor) 6。用户用手指8接触或按压传感器部4的表面时,配置在传感器部4内部的传感器电极(未图示)发生变形或变位,电极与周围间形成的静电电容发生变化。传感器部4可以是具有单一传感器电极的开关,也可以是配置成矩阵状的多个传感器电极的阵列。
检测电路100检测传感器电极的静电电容的变化,将与检测结果相应的数据输出到DSP6。 DSP6解析来自检测电路100的数据,判断用户输入动作的有无、种类。例如通过用户的手指8对传感器部4施加压力,来选择显示于LCD9上的项目、对象,或者辅助文字输入。
检测电路100检测传感器电极所形成的静电电容的极微小的变化量。由于传感器部4设于LCD9的表层,所以传感器部4内部的传感器电极容易受到来自LCD9的噪声辐射N的影响,若噪声重叠于静电电容的变化量,则无法判别来自用户的正确的操作信息。即使传感器部没有被设于LCD9的表层,也能预想其会受到来自电子设备1内部其它电路块的噪声辐射N的影响。
下面详细说明不容易受到噪声辐射N的影响的输入装置2。
图2的(a)和(b)是表示传感器部4的结构的平面图和剖面图。图2的(a)是从上方来看的平面图。传感器部4具有多个传感器电极SE。传感器电极SE由为^r测行方向的输入位置而按行方向配置的5行行电极(row electrode)(黑)SER0W、和为检测列方向的输入位置而按列方向配置的4列列电极(column electrode )(灰)SEcol枸成。行和列的数量仅是例示,可以是任意数。
从第i行(i为整数)的行电极SErow引出有信号线Yi,从第j列的列电极SEcot引出有信号线Xj。另外,从屏蔽电极5引出有信号线SLD。
图2的(b)表示图2的(a)的传感器部4的剖面图。行电极SERow被形成在第1布线层ML1,列电极SEo^被形成在第2布线层ML2,屏蔽电极5被形成在第3布线层ML3。
布线层ML1 ML3是ITO (铟锡氧化物)等透明电极,在对应的基层BL1 ~ BL3各自的表面以'减射(sputtering )法、或使墨水化后的ITO涂布、加热、热粘于基层的方法等来形成。作为基层BL1-BL3,可以使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、玻璃及其它膜剂。另外,对于布线层ML1 ~ML3也可以使用ITO以外的材料。基层BL和与之相邻的布线层ML用粘4妄剂60相粘接。
以上是传感器部4的结构。实施方式的检测电路100与具备传感器电极SE、设在传感器电极SE附近的屏蔽电极5的传感器部4协作,来降低噪声的影响。
图3是表示实施方式的检测电路100的结构的电路图。检测电路100与传感器部4相连接,检测传感器电极SE与其周围之间所形成的静电电容C1。图3中为简化说明并易于理解,仅示出一个传感器电极SE。检测电路100具有电容电压转换电路90和屏蔽电极驱动部92。电容电压转换电路卯通过反复执行预定的工序(s叫uence)来将静电电容C1转换成电压Vout。作为电容电压转换电路,已提案有多种技术, 采用其一即可。
屏蔽电极驱动部92同步于预定工序地转换屏蔽电极5的电状态。从 其它观点来说,屏蔽电极驱动部92根据传感器电极SE的电状态来切换屏 蔽电极5的电状态。所谓电状态,是指电位、阻抗。屏蔽电极驱动部92 根据传感器电极SE的状态,在传感器电极SE易于受到来自外部的噪声的 影响时将屏蔽电极5设定为最降低噪声的状态。
例如,屏蔽电极驱动部92如下这样控制屏蔽电极5的状态。
屏蔽电极驱动部92在电容电压转换电路卯使传感器电极SE为高阻 状态的时候对屏蔽电极5施加固定电压。优选固定电压是接地电压0V, 但也可以是其它的电源电压Vdd或中间电压Vdd/2,只要设定为最降低噪 声的值即可。高阻时,最容易受到来自外部的噪声的影响。因此,只要在 这时候固定屏蔽电极5的电位,就能恰当地阻断噪声。
另外,优选屏蔽电极驱动部92在电容电压转换电路卯使传感器电极 SE为高阻状态的时候和对传感器电极SE施加电压的时候,对屏蔽电极5 施加不同的电压。通过根据传感器电极SE所被施加的电压来使屏蔽电极 5的电位变化,能消除屏蔽电极5与传感器电极SE间所形成的电容。
图4是表示图3的检测电路100的结构例的电路图。检测电路100是 被一体集成在一个半导体集成电路上的功能IC,具有第1端子102、第2 端子104、输出端子106。第1端子102与传感器电极SE相连接。
第2端子104与参考电极7相连接。参考电极7同传感器电极SE — 样,与其周围形成静电电容C2。由于静电电容C2取不发生变化的固定值, 所以也称作参考电容C2。
电容电压转换电路90检测出传感器电极SE所形成的静电电容C1的 变化,将与电容变化相应的数据从输出端子106输出到外部。
电容电压转换电路90具有第1电压施加部10、第2电压施加部12、 第1采样保持电路14、第2采样保持电路16、放大部20、处理部22、电 容器C12、第1开关SW1、第2开关SW2。在本实施方式中,第1开关 SW1至第6开关SW6由使用了晶体管的传输门(transfer gate )构成。
第1电压施加部IO对于传感器电极SE在第l状态下施加预定的第1 固定电压,在第2状态下施加比第1固定电压低的第2固定电压。具体来说,第1电压施加部10在第1控制信号SIG1为高电平期间输出所被输入 的第1驱动电压Vdrvl,在第1控制信号SIG1为低电平期间使输出端子 为高阻状态。第l驱动电压Vdrvl在第l状态下成为预定的第1固定电压, 在第2状态下切换为比第1固定电压低的第2固定电压。在本实施方式中, 第1固定电压被设定为电源电压Vdd,第2固定电压被设定为接地电压0V。
第2电压施加部12在第1状态下对参考电极7施加第2固定电压(接 地电压OV),在第2状态下施加第1固定电压(电源电压Vdd)。具体来 说,第2电压施加部12在第2控制信号SIG2为高电平期间输出所被输入 的第2驱动电压Vdrv2,在第2控制信号SIG2为低电平期间使输出端子 为高阻。第2驱动电压Vdrv2在第1状态下成为第2固定电压即接地电压 0V,在第2状态下成为第1固定电压即电源电压Vdd。
即,传感器电极SE在第l状态下被第1电压施加部IO施加第1固定 电压、在第2状态下被施加第2固定电压,而参考电极7在第1状态下被 第2电压施加部12施加第2固定电压、在第2状态下^皮施加第1固定电 压。这样,与第1端子102、第2端子104相连的传感器电极SE、参考电 极7在第1、第2状态下被相辅地施加高低相反的电压。
第1端子102与第2端子104之间设有第1开关SW1、第2开关SW2。 第1开关SW1、第2开关SW2都导通时,传感器电极SE和参考电极7 相互连接。其结果,传感器电极SE和参考电极7中积累的电荷在两个电 极间传输,各电极所呈现的电压Vxl、 Vx2被平均化。
第1采样保持电路14在第1状态下对传感器电极SE和参考电极7各 自呈现的电压Vxl、 Vx2进行平均,并保持作为第1检测电压Vdetl。
第1采样保持电路14包括第3开关SW3、第4开关SW4、电容器 C10,当第3开关SW3导通时,电压Vxl、 Vx2的平均电压被采样作为第 1检测电压Vdetl,当第3开关SW3截止时,第1检测电压Vdetl被保持。
另外,第2采样保持电路16在第2状态下对传感器电极SE和参考电 极7各自呈现的电压Vxl 、 Vx2进行平均,并保持作为第2检测电压Vdet2。 第2采样保持电路16的结构同第1采样保持电路14 一样。
放大部20是被输入第1检测电压Vdetl和第2检测电压Vdet2,并对 两个电压进行差动放大的差动放大器。放大部20的差动输入端子间设有 电容器C12。由放大部20放大后的电压被输入到处理部22。
ii处理部22对从放大部20输出的检测电压Vout进行模数转换,并进 行预定的信号处理后,作为数字数据从输出端子106输出。若要将检测电 压Vout作为模拟电压就此输出,则不需要处理部22。
屏蔽电极驱动部92同步于电容电压转换电路卯的工序地驱动屏蔽电极5。
屏蔽电极驱动部92在第1采样保持电路14、第2采样保持电路16 分别采样第1检测电压Vdetl、第2检测电压Vdet2期间,对屏蔽电极5 提供接地电压(OV)。
屏蔽电极驱动部92在第1电压施加部10对传感器电极SE施加第1 固定电压(Vdd)期间,对屏蔽电极5提供第4固定电压,在第1电压施 加部10对传感器电才及SE施加第2固定电压(OV)期间,对屏蔽电极5 提供比第4固定电压低的第5固定电压。
优选的是,第4固定电压被设定为与第1固定电压相等,即第4固定 电压是电源电压Vdd。另夕卜,第5固定电压被设定为与第2固定电压相等, 即第5固定电压是接地电压0V。
下面说明如上那样构成的检测电路100的动作。图5是检测电路100 的动作波形图。图5的波形图中从上至下依次表示出第1驱动电压Vdrvl、 第2驱动电压Vdrv2、第1控制信号SIG1、第2控制信号SIG2、第1开 关SW1至第6开关SW6的导通截止状态、以及施加到屏蔽电极5的电压
vsux
在图5中,第1开关SW1至第6开关SW6的高电平对应于导通,低 电平对应于截止。在图5中,时刻T0-T2表示第1状态,时刻T2~T4 表示第2状态。
第1状态的时刻T0-T2期间,输入到第1电压施加部10的第l驱动 电压Vdrvl是电源电压Vdd,输入到第2电压施加部12的第2驱动电压 Vdrv2是4妄地电压0V。
时刻T0 T1期间,第l控制信号SIG1、第2控制信号SIG2都成为 高电平。其结果,传感器电极SE被第1驱动电压Vdrvl = Vdd充电,参 考电极7被第2驱动电压Vdrv2 = OV充电。
在此期间,屏蔽电极驱动部92使屏蔽电极5的电位VSLD为与传感 器电极SE相同的电位、即电源电压Vdd。其结果,屏蔽电极5与传感器电极SE之间的寄生电容的影响能够降低。
在时刻Tl第1控制信号SIG1、第2控制信号SIG2成为低电平时, 对传感器电极SE、参考电极7的电压施加被停止。
接下来,第1开关SW1、第2开关SW2导通,所积累的电荷在传感 器电极SE、参考电极7间传输,传感器电极SE和参考电极7所呈现的电 压Vxl、 Vx2^皮平均化。
第3开关SW3与第1开关SW1、第2开关SW2同时地变成导通,第 1采样保持电路14将平均化后的电压Vx采样保持作为第1检测电压 Vdetl。
在时刻Tl -T2期间,第1电压施加部10和第2电压施加部12的输 出阻抗都成为高阻,传感器电极SE的阻抗变高。在此期间,屏蔽电极驱 动部92对屏蔽电极5施加接地电压0V,阻断噪声。
在时刻T2转变为第2状态。第2状态的时刻T2 T4期间,输入到 第1电压施加部10的第1驱动电压Vdrvl是接地电压OV,输入到第2电 压施加部12的第2驱动电压Vdrv2是电源电压Vdd。
在时刻T2 ~ T3期间,第1控制信号SIG1、第2控制信号SIG2再次 成为高电平。其结果,传感器电极SE被第l驱动电压Vdrvl-OV充电, 参考电极7被第2驱动电压Vdrv2-Vdd充电。该充电的结果是,传感器 电极SE、参考电极7各自所呈现的电压分别变成Vxl = 0、 Vx2 = Vdd。
在时刻T2 ~ T3期间,屏蔽电极驱动部92使屏蔽电极5的电位VSLD 成为与传感器电极SE相同的电位、即接地电压OV。其结果,屏蔽电极5 与传感器电极S E之间的寄生电容的影响能够降低。
在时刻T3第1控制信号SIG1、第2控制信号SIG2成为低电平时, 对传感器电极SE、参考电极7的电压施加被停止。
接下来,第1开关SW1、第2开关SW2导通,所积累的电荷在传感 器电极SE、参考电极7之间传输,各电极所呈现的电压Vxl、 Vx2被平均 化。
第5开关SW5与第1开关SW1、第2开关SW2同时地变成导通,第 2采样保持电路16将被平均化后的电压Vx采样保持作为第2检测电压 Vdet2。
在时刻T3 ~ T4期间也是第1电压施加部10和第2电压施加部12的输出阻抗都成为高阻,传感器电极SE的阻抗变高。在此期间,屏蔽电极 驱动部92对屏蔽电极5施加接地电压OV,阻断噪声。
在时刻T4第4开关SW4、第6开关SW6导通时,第1采样保持电 路14、第2采样保持电路16分别将各自采样保持的第l检测电压Vdetl、 第2检测电压Vdet2输出到放大部20。
该第1检测电压Vdetl 、第2检测电压Vdet2被放大部20差动放大。 设放大部20的差动放大增益为Av,则放大部20的输出电压Vout成为Vout =Av x ( Vdetl - Vdet2 )。
在时刻T5再次回到第1状态,反复进行同样的处理。
经过该工序,能够恰当地阻断来自外部的针对传感器电极SE的噪声, 能够高灵敏度地检测出静电电容C1的变化。
实施方式的检测电路100的特征可以如下这样归纳。即,检测电路100 具有能将屏蔽电极5的电位固定为任意值的屏蔽电极驱动部92。其结果, 能够设定屏蔽电极的电位,以使得噪声对传感器电极SE的影响被降到最 低。
基于实施方式对本发明进行了说明,但显然实施方式仅是表示本发明 的原理、应用,在不脱离权利要求书所规定的本发明的思想的范围内,可 以对实施方式进行很多变形例以及变更配置。
权利要求
1.一种静电电容传感器,其特征在于,包括传感器电极;设置在上述传感器电极附近的屏蔽电极;以及检测上述传感器电极与周围间所形成的静电电容的检测电路;其中,上述检测电路包括通过反复执行预定的工序来将上述静电电容转换成电压的电容电压转换电路,和同步于上述预定的工序地切换上述屏蔽电极的电状态的屏蔽电极驱动部。
2. 根据权利要求1所述的静电电容传感器,其特征在于电极的电状态。
3.根据权利要求1所述的静电电容传感器,其特征在于:器电极成为高阻状态的时候,对上述屏蔽电极施加固定电压。
4. 根据权利要求3所述的静电电容传感器,其特征在于 上述固定电压是接地电压。
5. 根据权利要求1所述的静电电容传感器,其特征在于为高阻状态的时候和对上述传感器电极施加电压的时候,对上述屏蔽电极 施加不同的电压。
6. —种输入装置,其特征在于,具有权利要求1至5的任一项所述的 静电电容传感器。
7. —种检测电路,与具有传感器电极和设在所述传感器电极附近的屏 蔽电极的传感器部相连接,检测所述传感器电极与周围之间所形成的静电 电容,该;险测电路的特征在于,包括第1电压施加部,在第1状态下对上述传感器电极施加预定的第1固 定电压,在第2状态下施加比上述第1固定电压低的第2固定电压;第2电压施加部,对于与周围间形成固定的静电电容的参考电极,在上述第1状态下施加上述第2固定电压,在上述第2状态下施加上述第1 固定电压;第1采样保持电路,在上述第l状态下对上述传感器电极和上述参考 电极各自呈现的电压进行平均,并保持作为第l检测电压;第2采样保持电路,在上述第2状态下对上述传感器电极和上述参考 电极各自呈现的电压进行平均,并保持作为第2检测电压;放大部,对上述第l检测电压与上述第2检测电压的电位差进行放大;以及屏蔽电极驱动部,同步于上述第1、第2电压施加部及上述第1、第2 采样保持电路的动作地切换上述屏蔽电极的电状态。
8. 根据权利要求7所述的检测电路,其特征在于 上述屏蔽电极驱动部在上述第1、第2采样保持电路分别采样上述第1、第2检测电压的期间,对上述屏蔽电极提供第3固定电压。
9. 根据权利要求8所述的检测电路,其特征在于 上述第3固定电压是接地电压。
10. 根据权利要求7至9的任一项所述的检测电路,其特征在于 上述屏蔽电极驱动部在上述第1电压施加部对上述传感器电极施加上述第1固定电压的期间,对上述屏蔽电极提供第4固定电压,在上述第1 电压施加部对上述传感器电极施加上述第2固定电压的期间,对上述屏蔽 电极提供比上述第4固定电压低的第5固定电压。
11. 根据权利要求IO所述的检测电路,其特征在于上述第1固定电压与上述第4固定电压相等,上述第2固定电压与上 述第5固定电压相等。
12. 根据权利要求7至9的任一项所述的检测电路,其特征在于 上述放大部是被输入上述第l检测电压和上述第24企测电压的差动放大器。
13. 根据权利要求7至9的任一项所述的检测电路,其特征在于 上述第1、第2采样保持电路通过使上述传感器电极与上述参考电极
14. 根据权利要求7至9的任一项所述的检测电路,其特征在于 上述第2固定电压是接地电压。
15. 根据权利要求7至9的任一项所述的检测电路,其特征在于 本检测电路被一体集成在一个半导体集成电路上。
16. —种在具有传感器电极和设在所述传感器电极附近的屏蔽电极的 电容传感器中,检测所述传感器电极与周围间所形成的静电电容的方法, 其特征在于,包括对上述传感器电极施加预定的第1固定电压,对与周围间形成固定的 静电电容的参考电极施加低于上述第1固定电压的第2固定电压的第1步 骤;对上述传感器电极施加上述第2固定电压,对上述参考电极施加上述 第1固定电压的第2步骤;在上述第l步骤中对上述传感器电极和上述参考电极各自呈现的电压 进行平均,并保持作为第l检测电压的步骤;在上述第2步骤中对上述传感器电极和上述参考电极各自呈现的电压 进行平均,并保持作为第2检测电压的步骤;对上述第l检测电压与上述第2检测电压的电位差进行放大的步骤;以及同步于各步骤的转变地切换上述屏蔽电极的电状态的步骤。
全文摘要
本发明提供一种降低噪声影响的静电电容传感器及其控制方法、检测电路、输入装置。屏蔽电极(5)与传感器电极(SE)平行设置。检测电路(100)检测传感器电极(SE)与周围间形成的静电电容。电容电压转换电路(90)通过反复执行预定的工序来将静电电容(C1)转换为电压。屏蔽电极驱动部(92)同步于预定的工序地切换屏蔽电极(5)的电状态。屏蔽电极驱动部(92)根据传感器电极(SE)的电状态切换屏蔽电极(5)的电状态。
文档编号G01R27/26GK101666832SQ20091016023
公开日2010年3月10日 申请日期2009年7月30日 优先权日2008年9月3日
发明者矢野茂秀, 齐藤孝一 申请人:罗姆股份有限公司
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