专利名称：旋转式多晶硅样芯取样钻具的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种旋转式多晶硅样芯取样钻具。
背景技术：
多晶硅施、受主杂质浓度、电学参数可以通过其生长的单晶锭经检测得到。按照国 家标准规定，从有均勻沉积层的多晶硅样棒上取得多晶硅圆柱体(样芯)，经区熔工艺拉制 成单晶锭后，检测单晶硅锭晶体的性能，从而监测多晶硅产品性能。传统的取样器是固定 在车床的尾架上，多晶硅样棒固定在卡盘上，多晶硅样棒转动，钻具不旋转，这种钻具结构 简单，但只能轴向取样，不能检测纵向分布的均勻性，适用于直径小于Φ60πιπι的多晶硅取 样。当直径大于Φ IOOmm时，多晶硅比较松脆，若用传统的取样器取样，高速偏心旋转造成 振动，飞溅的碎块易引发安全事故。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能确保安全取样，并且可以在多晶硅 样棒上的平行位置或垂直位置上连续钻取样芯的旋转式多晶硅样芯取样钻 具。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是旋转式多晶硅样芯取样钻具，包 括摇臂钻床、空心钻柄、空心钻头，所述空心钻柄固定于摇臂钻床的主轴箱的旋转结构的末 端，空心钻头与空心钻柄固定连接，所述摇臂钻床的工作平台处设有用于固定多晶硅棒的 固定结构，多晶硅棒位于空心钻头下方。所述空心钻头与空心钻柄螺纹连接。进一步地，还包括密封套、管道，所述密封套套设于空心钻柄外，所述管道一端接 通于密封套内，所述管道内的冷却剂通过密封套、空心钻柄进入空心钻头。所述空心钻头的长度100 300mm。所述空心钻头的直径为10 30mm。综上所述，本实用新型的有益效果是本实用新型的旋转式多晶硅取样装置能确 保安全取样，可以避免多晶硅样棒在高速旋转时碎裂飞溅出来造成人身伤害。并且可满足 不同的取样方案，在多晶硅样棒上的平行位置或垂直位置上连续钻取样芯，或在一段多晶 硅样棒上连续取样，满足对大直径多晶硅取样检验的国家标准要求。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是旋转式多晶硅样芯取样钻具的结构示意图；图3是多晶硅样棒垂直位置取样示意图；图4是多晶硅样棒水平位置取样示意图；图5是图4的俯视图。附图中标记及相应的零部件名称1_多晶硅样棒，2-多晶硅样芯，3-空心钻头，4-空心钻柄，5-密封套，6-工作平台，7-摇臂钻床，8-冷却剂，9-管道。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实 施方式不限于此。参见图1至图5所示，本实用新型的旋转式多晶硅样芯取样钻具安装在摇臂钻床 上，其结构包括空心钻柄4、空心钻头3、密封套5，空心钻头3的刀口用硬质材料，空心钻头 3的长度100 300mm，直径Φ 10 30mm，空心钻头3用国标GB192-63细牙螺纹固定在空 心钻柄4上，密封套5用管道9接通冷却剂8，冷却剂可以经过密封套5、空心钻柄4进入空 心钻头3。固定管道9，使得空心钻柄4旋转时，密封套5不旋转。把多晶硅样棒1垂直或 水平固定在工作平台6上，通入冷却剂8，保持冷却剂8的压力在0. 1 IMpa，开启摇臂钻 床7，使得空心钻头3的转速为30 3000转/分，旋转式多晶硅样芯取样钻具上下位移，安 全钻取样芯，满足大直径多晶硅取样检验的国家标准要求。如上所述，便可较好的实现本实用新型。
权利要求旋转式多晶硅样芯取样钻具，其特征在于，包括摇臂钻床(7)、空心钻柄(4)、空心钻头(3)，所述空心钻柄(4)固定于摇臂钻床(7)的主轴箱的旋转结构的末端，空心钻头(3)与空心钻柄(4)固定连接，所述摇臂钻床(7)的工作平台(6)处设有用于固定多晶硅样棒(1)的固定结构，多晶硅样棒(1)位于空心钻头(3)下方。
2.根据权利要求1所述的旋转式多晶硅样芯取样钻具，其特征在于，所述空心钻头(3) 与空心钻柄(4)螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的旋转式多晶硅样芯取样钻具，其特征在于，还包括密封套 (5)、管道(9)，所述密封套(5)套设于空心钻柄(4)外，所述管道(9) 一端接通于密封套(5) 内，所述管道(9)内的冷却剂(8)通过密封套(5)、空心钻柄(4)进入空心钻头(3)。
4.根据权利要求1所述的旋转式多晶硅样芯取样钻具，其特征在于，所述空心钻头(3) 的长度100 300mm。
5.根据权利要求1所述的旋转式多晶硅样芯取样钻具，其特征在于，所述空心钻头(3) 的直径为10 30mm。
专利摘要本实用新型公开了一种旋转式多晶硅样芯取样钻具。该旋转式多晶硅样芯取样钻具包括摇臂钻床(7)、空心钻柄(4)、空心钻头(3)，所述空心钻柄(4)固定于摇臂钻床(7)的主轴箱的旋转结构的末端，空心钻头(3)与空心钻柄(4)固定连接，所述摇臂钻床(7)的工作平台(6)处设有用于固定多晶硅样棒(1)的固定结构，多晶硅样棒(1)位于空心钻头(3)下方。本实用新型的旋转式多晶硅取样装置能确保安全取样，可以避免多晶硅样棒在高速旋转时碎裂飞溅出来造成人身伤害。并且可满足不同的取样方案，在多晶硅样棒上的平行位置或垂直位置上连续钻取样芯，或在一段多晶硅样棒上连续取样，满足对大直径多晶硅取样检验的国家标准要求。
文档编号G01N1/08GK201680994SQ201020178360
公开日2010年12月22日 申请日期2010年5月4日 优先权日2010年5月4日
发明者任云, 曾品贵, 白锐, 钱承荣 申请人:雅安永旺硅业有限公司