专利名称：巨磁电阻三轴磁传感器装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种巨磁电阻三轴磁传感器装置。
背景技术：
由铁磁金属与非磁金属组合，且相邻铁磁膜磁矩反耦合所构成的多层膜，在加磁 场和不加磁场时的电阻变化率，在室温下可达10% -20%，在低温(4. 2K)下达到110%，远 大于一般各向异性磁电阻的电阻变化率(约0.5%)，称为巨磁电阻效应。产生巨磁电阻效 应的电阻称为巨磁电阻。巨磁电阻主要用来检测弱磁场的存在、强弱、方向和变化等。《磁 电阻效应的原理及其应用》(哈尔滨工业大学学报2008Vol. 40No. 3)对几种磁阻效应作用 机理和磁阻元件在传感器中的应用进行了综述，详细介绍了几种磁阻传感器的工作原理， 对几类常用的磁阻传感器的性能进行了比较。磁场是一个矢量，具有大小和方向。三轴磁 传感器通过测量空间三维的磁场分量的大小，然后可以计算出空间磁场的大小和磁场的方 向。现在应用比较广泛的三轴磁传感器是基于磁通门和霍尔效应的磁传感器。磁通门磁传 感器精度高但频率特性很差，只能应用于低频磁场。霍尔磁传感器精度太小。巨磁电阻磁 传感器具有精度高，频率特性好的特点。
发明内容本实用新型的目的是克服现有三轴磁传感器功耗高、精度低、工作频率低、体积 大、温度性能差的缺点，提供一种巨磁电阻三轴磁传感器装置。为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是一种巨磁电阻三轴磁传感器 装置，三个巨磁电阻传感器在空间中两两垂直布置，三个巨磁电阻传感器的敏感方向两两 正交，三个巨磁电阻分别于电路处理模块连接，电路处理模块与运算显示模块连接。由于采用上述结构形式，本实用新型与现有技术相比，具有体积小、功耗低、工作 频率高、温度性能好、适应恶劣环境能力强的优点。
以下结合附图及实例对本实用新型作进一步描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
一种巨磁电阻三轴磁传感器装置，三个巨磁电阻传感器1、2、3在空间中两两垂直 布置，三个巨磁电阻传感器的敏感方向两两正交，三个巨磁电阻分别于电路处理模块4、5、6 连接，电路处理模块与运算显示模块7连接。巨磁电阻传感器是芯片级传感器，具有功耗低、体积小的优点，本实用新型与现有 技术相比，具有体积小、功耗低、工作频率高、温度性能好、适应恶劣环境能力强的优点。
权利要求一种巨磁电阻三轴磁传感器装置，其特征在于三个巨磁电阻传感器(1)、(2)、(3)在空间中两两垂直布置，三个巨磁电阻传感器的敏感方向两两正交，三个巨磁电阻分别于电路处理模块(4)、(5)、(6)连接，电路处理模块与运算显示模块(7)连接。
专利摘要本实用新型公开了一种巨磁电阻三轴磁传感器装置，三个巨磁电阻传感器在空间中两两垂直布置，三个巨磁电阻传感器的敏感方向两两正交，三个巨磁电阻分别于电路处理模块连接，电路处理模块与运算显示模块连接，本实用新型与现有技术相比，具有体积小、功耗低、工作频率高、温度性能好、适应恶劣环境能力强的优点。
文档编号G01R33/09GK201757778SQ201020222830
公开日2011年3月9日 申请日期2010年6月11日 优先权日2010年6月11日
发明者于晓东, 杨昌茂, 詹宏良, 顾清 申请人:中国船舶重工集团公司第七一○研究所