技术编号：5892794
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种巨磁电阻三轴磁传感器装置。 背景技术由铁磁金属与非磁金属组合，且相邻铁磁膜磁矩反耦合所构成的多层膜，在加磁 场和不加磁场时的电阻变化率，在室温下可达10% -20%，在低温(4. 2K)下达到110%，远 大于一般各向异性磁电阻的电阻变化率(约0.5%)，称为巨磁电阻效应。产生巨磁电阻效 应的电阻称为巨磁电阻。巨磁电阻主要用来检测弱磁场的存在、强弱、方向和变化等。《磁 电阻效应的原理及其应用》(哈尔滨工业大学学报2008Vol. 40No...
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