专利名称：一种电光固浸探头的制作方法
技术领域：
本发明属于电光检测技术领域，具体涉及一种电光检测技术中的核心部件一电光固浸探头，该探头可用于电子器件的外部电学特性和内部节点电信号的在片测量，且具有很高的空间分辨率和电压灵敏度。
背景技术：
电光检测技术是二十世纪八十年代初发展起来的一种无侵扰、抗电磁干扰能力强、无损伤的光子束检测技术[J. A. Valdmanis，G. Mourou, and C. W. Gabel, Appl. Phys. Lett.，41，211-212 (1982).]，这种技术将光学、激光技术、电子学、器件物理、取样技术、微弱信号检测技术等有机结合起来，使得其在皮秒、亚皮秒等超快、超高速领域内的研究和应用获得了极大发展。该技术的基本原理是基于材料的线性电光效应，用一束已知偏振态的探测激光束照射到被测器件的被测点上，如果器件自身具有线性电光效应，则被测点处电信号的变化将引起折射率的变化，从而改变了探测光的偏振态，再通过检测从器件反射 (或透射)出来的探测光束的偏振态的变化，就可以获得被测点处电信号的信息。为了检测快速变化的周期电信号，人们发展了电光取样技术，用超短光脉冲作取样门，对被测信号进行步进或步退取样，将高频的，快速变化的电信号变成低频的，慢速的电信号进行测量。从探测光束与被测电场的关系区分，电光检测系统可以分为纵向电光调制结构和横向电光调制结构。所谓纵向电光调制是指只有与探测光平行的被测电场分量才能对探测光起调制作用，而横向电光调制是指只有与探测光垂直的被测电场分量才能对探测光起调制作用。从被测器件材料上区分，又可以分为内部电光检测技术和外部电光检测技术。 内部电光检测又叫直接电光检测技术[B. H. Kolner and D. Μ. Bloom, Electron. Lett.，20， 818-819 (1984)]，是指被测器件的衬底本身就是电光晶体，如GaAs，GaP, InP等，直接将探测光束聚焦到被测器件的测量点处，被测点处的电信号就可以通过电光效应改变探测光束的偏振态。而外部电光检测技术又叫间接电光检测技术[T. Nagatsuma, T. Shibata,E. Sano and A. Iwata. J. Appl. Phys. ,66(9) :4001 (1989).]，是指用某种电光材料制作成电光探头， 将电光探头接近被测器件的表面，使得电光探头浸在被测器件的泄漏场中，从而产生电光效应。于是当探测光束在电光探头中传播时，其偏振态将发生改变。外部电光检测技术可以用于测量各种衬底的电子器件的电场分布，因而更具普遍性。由于线性电光效应的响应时间非常快，一般约为1飞秒(I(T15S)，电光取样技术的时间分辨率主要由超短光脉冲的脉宽决定，因此它有极高的时间分辨率。并且由于采用了差动放大器、锁相放大器及信号平均仪等微弱信号检测设备，系统具有很高的电压灵敏度。电光检测系统的空间分辨率主要由探测光束聚焦光斑的大小决定，由于受到衍射极限的限制，聚焦光斑的半极大全宽度直径最小约为探测光波长的一半。对于纵向电光调制结构而言，其空间分辨率一般为1-3 μ m左右[K. Y. Lau and I. Ury, Appl. Phys. Lett.，46， 1117(1985).]。而对于横向调制，其空间分辨率一般为8-15 μ m左右[Q.Chen and Χ. -C. Zhang, Appl. Phys. Lett.，74 (23) :3435 (1999) ·]。因此，这就限制了电光检测技术在具有亚
3微米结构的电子器件测量方面的应用，如超大规模、特大规模集成电路的检测就需要具有亚微米、深亚微米的空间分辨能力。如何有效提高电光检测技术的空间分辨率就成为亟待解决的问题。为了同时实现高时间分辨和高空间分辨，一些研究者力图把光子束检测技术同近场光学显微镜及各种扫描探针显微镜相结合。1994年，B0hm等人将直接电光取样技术同近场探测相结合，成功完成了对单片微波集成电路上7. 5GHz周期信号的分析测量，其空间分彭争率为 50nm[c. Bohm, J. Bangert, W. Mertin, and Ε. Kubalek, J. Phys. D :Appl. Phys., 27，2237-2240 (1994).]。这一技术的主要缺点是由于涉及消逝场，因而接收到的光信号强度很弱，导致电压灵敏度较低。而且这种技术只能检测以电光材料为衬底的器件和电路， 对以Si为衬底的电子器件和集成电路就无能为力了。1993年，K. Takeuchi等人将超快光电导开关同扫描探针显微镜相结合[K. Takeuchi and Y. Kasahara, Appl. Phys. Lett.，63， 3548(199 .]，实现了皮秒级的时间分辨。然而，这种超快扫描探针检测技术往往对测量样品及环境要求较为苛刻，比如扫描隧道显微镜要求样品为导体，有时还需要真空环境，并且在微小的探针上集成光电导开关也不是一件很简单的事，光电导开关的速度往往限制了时间分辨率。减小探测光束的聚焦光斑尺寸是提高电光检测系统空间分辨率的有效方法。由阿贝衍射极限可知，聚焦光斑的最小的半极大全宽度直径Dmin可以表示为Dmin = 0.51 λ/ nsin0 = 0.51λ/ΝΑ，其中，λ为探测光波长，η为物方折射率，θ为显微物镜孔径角的一半，即孔径半角，NA = Iisin θ为聚焦系统的数值孔径。由此可知，要减小Dmin，有三种办法， 一是减小探测光波长，但是波长越短，光子能量越高，当光子能量大于等于材料的禁带宽度时，将引起材料的本征吸收。二是增大孔径半角Θ，但是θ最大为90°，所以sin θ值最大为1。所以当物方媒质为空气时，数值孔径总是小于1的。三是增大物方折射率η，为此人们发明了油浸透镜，可以使得数值孔径达到1.5左右。一般固体的折射率更大，为此， 1990年，G. S. Kino等人发明了固浸显微镜(Solid Immersion Microscope) [S. Μ. Mansfield and G. S. Kino, Appl. Phys. Lett.，57，2615 (1990) ·]，这种显微镜的基本原理与液浸显微镜相似，也是通过增大物方空间的折射率η的办法来提高显微镜的数值孔径的，只不过是用折射率更高的光学玻璃材料制作的固体半球代替了液体，并把这个固体半球称作固浸透镜.应用这种显微镜，他们实现了对IOOnm条宽的光刻板的实时成像.在此背景下，本发明将固浸透镜技术与电光检测技术相结合，发明了电光固浸探头，用于外部电光检测技术，不仅可以获得很高的电压灵敏度，还可以获得亚微米的空间分辨率，因而具有重要的实际应用价值。
发明内容
本发明提供了一种用半球形电光材料制作的电光探针，由于它兼具固浸透镜和电光探头的作用，称之为电光固浸透镜，与合适的显微物镜搭配使用，构成了具有很高空间分辨能力的电光固浸探头。如附图1所示，该电光固浸探头由四部分组成，分别为外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针；外圆筒与内圆筒之间、内圆筒与显微物镜之间通过螺纹套合连接；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗，其下表面圆形开口的直径略小于电光探针的上表面直径；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或与半径平行的方向切割成“倒置的正四棱锥或正四棱台状”，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；电光探针由内圆筒压紧嵌在外圆筒底端的漏斗中，其尖顶或平顶部分由外圆筒的底端漏斗中伸出；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心。这时，从显微物镜入射的平行光束经物镜折射后，沿电光探针半径的方向会聚于电光探针的尖顶或平顶的中心，由于在电光探针的上表面没有发生折射，因而会聚光线的孔径角不变，而物方折射率却变为电光晶体材料的折射率n，因此，聚焦系统的有效数值孔径增大了 η倍，因而聚焦光斑的尺寸减小了 η倍，空间分辨率提高了 η倍。 该电光固浸探头的具体制作过程说明如下(1)首先选择半球型电光固浸透镜的电光晶体材料。尽量选择折射率η较高(η >2)，电光系数Y较大(Y > 0. 5pm/V)的电光材料，如GaAs、(iaP、ZnO、α -ZnS, β -ZnS,ZnSe,ZnTe,CdS,CdSe,CdTe,LiNbO3>LiTaO3>KNbO3 等。并根据探测光波长，所选的电光材料的禁带宽度必须大于探测光光子能量(例如，当探测光波长λ = 1.3μπι时，必须选用禁带宽度大于0.95eV的电光晶体材料，以上所列材料都适合。当探测光波长λ =0.65μπι时，必须选用禁带宽度大于1.9eV的电光晶体材料， 这时，只能选择上述材料中除GaAS、Cc^e、和CdTe以外的其它材料)，当然，还要考虑测试成本问题，所以在能够满足测试要求的情况下，尽量选用价格较便宜的电光材料；( 根据测量需要(需要测量横向电场分量还是纵向电场分量)，选取合适晶向的电光材料，这可以通过电光效应的基本理论进行推导来确定。以GaAs为例，如果要测量横向电场分量，可以选用沿(110)面切割的高阻晶体材料(电阻率P > 5000 Ω cm)，如果要测量纵向电场分量， 可以选用沿(100)面切割的高阻晶体材料(电阻率P > 5000Qcm)。采用透镜加工技术， 将电光材料加工成半径为r的半球形状；(3)在加工半球的过程中，需要对半球的球面和底面进行光学抛光；(4)由半球形固浸透镜的原理可以知道，由于显微物镜的物镜的孔径角不可能大于180°，因此从显微物镜出射的光线只能辐照到半球形固浸透镜的中间的一部分，而边缘部分没有被辐照到。为了减小电光晶体材料对被测器件泄露场的影响，可以将半球形固浸透镜没有用的边缘部分切除。根据选用的与之配套的显微物镜的孔径半角Θ，将半球型电光晶体材料从球面沿着半径或与半径平行的方向切割，切割面与半球底面的夹角 β <90° -θ。例如当显微物镜的孔径半角为45°时，β <45°，β最好选为45°，但是考虑到加工误差，β值要比45°略小一些，一般小5° 10°足矣。实际应用中，选用的显微物镜的孔径半角一般要小于60°，因此，β最小为20°。一共对称地切割四次，从而切割成一个电光探针；当沿半径的方向切割时，电光探针为“倒置的正四棱锥状”，尖顶位于原半球的球心，如附图2、附图3和附图4所示。当沿与半径平行的方向切割时，电光探针为“倒置的正四棱台状”，棱台下表面的中心为原半球的球心，如附图5所示；(5)根据电光探针的形状以及选用的显微物镜的规格，加工两个圆筒，一个为外圆筒，一个为内圆筒，圆筒材料可以选用金属材料，如铝、铁、不锈钢、铝合金等，也可以选用硬塑料材料。内、外圆筒的内径不同，可以通过螺纹紧密套合在一起，并且可以通过螺纹控制内圆筒相对于外圆筒的升降。 内圆筒也通过螺纹与本身为筒状结构封装的显微物镜套合在一起，并可以通过螺纹控制显微物镜相对于内圆筒的升降。内圆筒的底端制作成“倒置的圆台状”漏斗，其下表面的圆形开口直径要略小于图2中A、C两点间的距离，如图1所示。外圆筒的底端做成“倒置的四棱台状”的漏斗，如图1所示，电光探针非常吻合地镶嵌在外圆筒的底端，电光探针的尖顶或平顶会从外圆筒的方形开口中伸出，根据探针尖端伸出长短的需要来设计外圆筒方形开口的大小。两个圆筒的形状可以在制作圆筒时采用模具来实现。内圆筒的作用是将镶嵌在外圆筒中的电光探针卡紧。内、外圆筒以及电光探针和显微物镜装配在一起的整体效果如图 1所示，我们称之为电光固浸探头。装配时要保证内外圆筒、显微物镜和电光探针的中心轴在一条直线上。使用时，通过旋转显微物镜，使得电光探针的尖端恰好位于显微物镜的焦点位置， 这时由于孔径角不变，而物方折射率增大了 η倍，因此，聚焦系统的数值孔径增大了 η倍，所以检测系统的空间分辨率提高η倍。为了获得较大的孔径角，探测光束一般需要扩束，使得光束的直径与显微物镜的口径相当。电光检测系统需要选用反射式电光检测系统。为了获得最大的电光调制深度，使用时，需要将电光固浸探头的整体绕探测光束的中心轴旋转，在一适当位置处，电光信号将最大。将电光探针的顶端做成尖顶结构，目的是适用于表面不平整的器件测量。如果器件的表面比较平整，可以将电光探针的顶端做成平顶结构，即顶端留出一个小平面，如附图 5所示。其具体制作过程与顶端为棱锥形时完全类似，只是在侧向切割时，不再沿着半径方向，而是沿着平行于半径方向切割。由于电光材料的折射率很高，因此，光束在电光材料中的全反射临界角很小。照射到电光探针顶端的探测光束很大一部分发生了全反射，而且从外圆筒伸出的电光探针有足够的长度，对泄露电场的收集很充分，因此，使得测量系统具有很好的电压灵敏度。如果再与取样技术相结合，就真正做到了将高空间分辨、高时间分辨、高电压灵敏三方面优势有机
纟口口。
图1 :电光固浸探头的结构示意图；其中1为电光探针，2为外圆筒，3为内圆筒，4为显微物镜，5为螺纹，6为探测光
束ο图2 尖顶结构的电光探针沿BD方向的侧视图；其中，平面AOB和BOC为相邻的、成90°角的两个切割面。Α、B、C、D分别为相邻两个切割面与球面的交点，四点在同一平面内，该平面到球面顶点的距离为d，d由半球的半径r和切割面与原半球底面的夹角β决定，d = r*Sini3/(l+COS2i3)"2。0为半球的球心；AO、BO、CO、DO分别为相邻两个切割面之间的交线，长度等于半球的半径r。图3 尖顶结构的电光探针的俯视图；其中0为半球的球心，A'、B'、C'、D'分别为A、B、C、D四点的投影。图4 尖顶结构的电光探针沿AD方向的侧视图；切割面与原半球底面的夹角为β，β彡90° -θ , θ为显微物镜的孔径半角。图5 平顶结构的电光探针沿AD方向的侧视图；此时电光探针的底端为小平面，0是电光探针小底面的中心，也是原来半球的球心。
图6 电光检测系统示意图。各部件名称为波长1. 3 μ m的InGaAsP半导体激光器11、自聚焦透镜12、扩束器 13、偏振分束器14、四分之一波片15、二分之一波片16、GaAs电光固浸探头1、陶瓷微带线 18、聚焦透镜19、Ge光电探测器20、锁相放大器21、信号发生器22、示波器23。图7 =GaAs电光固浸探头和平板型GaAs电光探头的电光响应曲线。
具体实施例方式实施例1测量陶瓷微带线上的纵向电场分量。在微带线上加载IOkHz正弦信号，选用波长为1. 3 μ m的InGaAsP半导体激光器作为探测光源。电光固浸探头的具体制作过程和应用其测量陶瓷微带线上的电信号过程描述如下(1)选用折射率为3. 3，电光系数为1. 6pm/V的半绝缘砷化镓(GaAs)作为电光材料，其电阻率为IO4 Ω cm，这种材料容易购买。GaAs的禁带宽度为1. 4&V，本征吸收限约为 0.87μπι，因此，对于1.3μπι的探测光是透明的。因为要测量电场的纵向分量，所以要采用纵向电光调制结构，因此，可选用沿(100)面切割的GaAs晶体材料。根据线性电光效应理论，当电场垂直于(100)面时，GaAs将变成双轴晶体，当探测光也垂直于(100)面传播时， 即与电场方向平行时，将会产生最大的位相延迟。(2)采用传统的球面透镜加工技术，将GaAs材料制作成半径r = 3mm的半球，半球底面为(100)面。(3)选用数值孔径为0. 45，工作距离为4mm的显微物镜与GaAs半球搭配。因此， 显微物镜的孔径半角为26. 7°。所以，在切割GaAs半球时，切割面与半球底面的夹角要小于63°，且沿半径方向或平行于半径方向进行对称切割，切割成如附图4或附图5所示的电光探针。例如，我们选择切割面与半球底面的夹角β为45°，即相对两个切割面之间的夹角为90°。选择附图5所示的平顶式电光探针结构，底端小正方形平面的边长为0.5mm。(4)根据显微物镜的口径，确定内圆筒的内径。假设显微物镜(包括外壳)的口径为1cm，长度为3cm。内圆筒的内径设计为1cm，长度为3. 1cm，二者间用螺纹套合，螺纹长度 lcm，螺距0.5mm。内圆筒的底端做成“倒置的圆台状”漏斗，开口直径为4mm，锥角为120°。(5)根据内圆筒的外径，设计外圆筒的内径，二者之间也制作成螺纹套合形式。外圆筒的长度为3. 3cm，底端制作成如附图1所示的“倒置的四棱台状”漏斗，其上端的方形开口的边长为4. 5mm，下端的方形开口的边长为1mm，其侧面与底面的夹角是45°，以保证制作好的GaAs电光探针可以完全吻合地放置其中，这时GaAs电光探针将会从外圆筒中伸出 0. 5mm的长度。(6)将显微物镜、内圆筒、外圆筒按照附图1所示装配在一起，构成电光固浸探头。 通过旋转内圆筒，可以将GaAs电光探针紧紧卡住。通过旋转显微物镜，可以调整显微物镜与GaAs电光探针之间的相对位置，让显微物镜的焦点恰好与GaAs电光探针底面的中心或半球面的球心重合。这可以通过以下方法来判断。首先通过旋转，让显微物镜从远离GaAs 电光探针的方向逐渐向GaAs电光探针靠近，由1.3μπι连续波hGaAsP半导体激光器发出的激光，经准直透镜和扩束器扩束后变成平行光束，并通过显微物镜聚焦到GaAs电光探针上，用红外敏感卡在光路中分别观察入射光斑和从GaAs电光探针反射回来的反射光斑。当入射光恰好聚焦到GaAs电光探针的球面顶点时，反射光斑与入射光斑将大小相等，且基本重合。这时将显微物镜继续向GaAs电光探针靠近3mm，反射光斑与入射光斑将再一次大小相等，基本重合，此时入射光将恰好聚焦到GaAs电光探针底面的中心。理论上，此时，整个聚焦系统的有效数值孔径将达到1. 53，最小聚焦光斑的半极大全宽度直径约为0. 4 μ m。(7)将1. 3 μ m连续波InGaAsP半导体激光器11、自聚焦透镜12、扩束器13、偏振分束器14、四分之一波片15、二分之一波片16、GaAs电光固浸探头1、被测的陶瓷微带线18 按照顺序和方位依次放置好，如附图6所示，偏振分束器14的两个偏振方向分别为水平和竖直方向，四分之一波片15的快轴与水平方向成22. 5°，二分之一波片16的快轴与水平方向成33. 75°。所有光学元件都固定在微调架上，微调架移动精度为5μπι，除了可以三维平动，还可以绕中心轴旋转360°。仔细调整微调架，使得所有光学元件共轴。基于线性电光效应，从GaAs电光固浸探头1反射回来的光波受到陶瓷微带线上电信号的调制，包含了电光信号，被Ge光电探测器20接收后，变成电信号输入锁相放大器21中，最后由锁相放大器21检测出来。陶瓷微带线上的电信号由信号发生器22产生，信号发生器同时向锁相放大器提供参考信号。电光信号和信号发生器产生的电信号可以同时由示波器23监测。系统中，偏振分束器、四分之一波片、二分之一波片、GaAs电光固浸探头构成了电光检测系统的核心——纵向电光振幅调制器。为了获得最大的电光调制信号，需要将电光固浸探头的整体绕入射光光轴旋转，在适当的方位处，将获得最大的电光信号。(8)应用上述的测试系统，成功测量了陶瓷微带线上IOKHz正弦波电信号，并将 GaAs电光固浸探头与传统的平板型GaAs探头(两种探头的材料参数和晶向都一致)进行了比较。用GaAs电光固浸探头时，聚焦光斑大小(半极大全宽度直径)约为0.6 μ m，用平板型GaAs探头时，聚焦光斑大小约为2. 7 μ m。空间分辨率提高了 4. 5倍，这一数值甚至高于了 GaAs的折射率的值。除了测量误差的因素之外，可能平板型GaAs探头会引起更大的像差也是一个重要的原因。附图7分别是GaAs电光固浸探头和平板型GaAs探头的电光响应曲线，可以看出，它们都是线性响应的，在被测电信号的电压幅度相同时，采用GaAs电光固浸探头测量得到的电光信号明显大于采用平板型GaAs探头测量得到的电光信号。这说明，GaAs电光固浸探头使得测量系统的电压灵敏度也显著提高。通过图中拟合曲线的斜率之比可以知道，GaAs电光固浸探头使得测量系统的电压灵敏度提高了 1. 7倍。电压灵敏度的提高一方面是因为GaAs电光固浸探头有足够的厚度，对泄露电场收集得更充分，另一方面是由于有更多的探测光在GaAs电光固浸探头中发生了全反射。总之，与传统的电光探头相比，这种电光固浸探头不仅可以使电光检测系统的空间分辨率得到很大提高，而且可以获得更高的电压灵敏度，因而很有实用价值。实施例2 测量某电子器件的纵向电场分量。选用电光系数为0. 97pm/V的GaP作为电光晶体材料，其禁带宽度约为2. 26eV,本征吸收限为0. 55 μ m,因此，可以选择波长为650nm的半导体激光器或者波长为632. Snm的氦氖激光器作为探测光源。GaP的折射率约为3. 3。制作GaP电光固浸探头的方法与上述的GaAs电光固浸探头的制作方法完全类似，不再赘述。 与数值孔径为0. 45的显微物镜搭配使用，理论上其有效数值孔径达到1. 48，最小聚焦光斑的半极大全宽度直径约为0. 22 μ m。
权利要求
1.一种电光固浸探头，其特征在于电光固浸探头由外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针组成；外圆筒与内圆筒之间、内圆筒与显微物镜之间通过螺纹套合连接；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗，其下表面圆形开口的直径略小于电光探针的上表面直径；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或与半径平行的方向切割成“倒置的正四棱锥或正四棱台状”，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；电光探针由内圆筒压紧嵌在外圆筒底端的漏斗中， 其尖顶或平顶部分由外圆筒的底端漏斗中伸出；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心。
2.如权利要求1所述的一种电光固浸探头，其特征在于半球型电光固浸透镜的材料为折射率11 > 2、电光系数7 > 0. 5pm/V、禁带宽度大于探测光光子能量的电光材料。
3.如权利要求2所述的一种电光固浸探头，其特征在于电光材料为GaAs、GaP,ZnO, α -ZnS, β -ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS、CdSe, CdTe, LiNb03、LiTaO3 或 KNb03。
4.如权利要求1所述的一种电光固浸探头，其特征在于外圆筒和内圆筒的材料为铝、 铁、不锈钢、铝合金或硬塑料。
5.如权利要求1所述的一种电光固浸探头，其特征在于电光探针切割面与半球型电光固浸透镜底面的夹角β <90° -Θ，其中θ为显微物镜的孔径半角。
6.如权利要求5所述的一种电光固浸探头，其特征在于显微物镜的孔径半角θ < 60° 。
全文摘要
本发明属于电光检测技术领域，具体涉及一种电光固浸探头，该探头可用于电子器件的外部电学特性和内部节点电信号的在片测量，且具有很高的空间分辨率和电压灵敏度。电光固浸探头由外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针组成；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或平行于半径方向切割而成，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心，该电光固浸探头可以使电光检测系统的空间分辨率可以提高n倍。
文档编号G01R3/00GK102435789SQ20111044256
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月26日 优先权日2011年12月26日
发明者刘秀环, 朱景程, 贾刚, 陈占国, 高延军 申请人:吉林大学