专利名称：组合式电容性和光学清纱器测量单元的制作方法
技术领域：
本发明属于纺织质量控制领域。它涉及一种在权利要求I的前序中所述的组合式电容性和光学清纱器测量単元。
背景技术：
所谓的清纱器用于确保在纺纱机或络纱机上的纱线质量。例如在CN-1，053，649A中描述了这类清纱器。它包括具有测量单元的清纱器测量头，该测量単元包括至少ー个传感器，该传感器扫描移动的纱线，且测量至少ー个纱线參数。在CN-1，232，965A或W0-2009/143642A1中描述了ー种清纱器測量头的构造。清纱的目的是检测纱线中诸如粗段、细段或异物的纱疵，以按照特定的质量标准对这些纱疵进行评估，并根据情况将其除去。通常使用的传感器原理是电容性原理(例如參见CN-1’ 226’ 001A)和/或光学性原理 (例如參见CN-1’711’474A)。WO 2010/000078A1公开了ー种组合式电容性和光学清纱器。迄今所知的诸如在W0-2010/000078A1中描述的组合式清纱器通常具有沿纵向相互靠近的光学測量元件和电容性測量元件，该光学測量元件具有光学測量槽，该电容性测量元件具有电容性测量槽，且待测纱线沿该纵向行进通过所述测量槽。光学測量槽的宽度和电容性測量槽的宽度通常是相等的。经验已表明，光学測量元件比电容性測量元件随时间更容易磨损。由于在光学測量槽的侧壁上安装有由光学透明材料制成的窗户，光经过这些窗户表面的光学传输由于轻微磨损而随时间逐渐减弱，且该轻微磨损是由于纱线长纤维或在纱线中的异物成分可在纱线行经测量槽时碰触到侧壁而产生的。光学传输的劣化会对光学信号的长期稳定性产生不利的影响。
发明内容因此，要解决的技术难题在于减轻磨损、以及由此在于提高光学传感器信号的长期稳定性。解决该难题所采取的技术方案是使光学測量槽的宽度大于电容性测量槽的宽度。通过相对于电容性測量槽增宽光学测量槽，纱线长纤维或纱线内的异物不太可能在纱线行进通过时碰触到光学測量槽的侧壁。由此，显著减轻光学测量槽的磨损程度，从而大部分保持了窗户表面的光学传输。因此，大大提高了光学传感器的长期稳定性。因此，组合式电容性和光学清纱器测量単元包括电容性測量元件和光学測量元件，且电容性測量元件的电容性元件体部具有电容性测量槽，光学測量元件的光学元件体部具有光学測量槽。具有电容性測量槽的电容性测量元件以及具有光学测量槽的光学测量元件沿纵向相互靠近，且待测纱线沿该纵向行经测量槽。光学测量槽的宽度大于电容性测量槽的宽度。经验还表明，当光学测量槽的宽度在I. 5至5. Omm范围内且优选在2. 3至3. Omm范围内、同时电容性测量槽的宽度在I. O至3. Omm范围内且优选在I. 5至2. Omm范围内时，对于大多数清纱应用可得到好的結果。根据经验，这也可被总结为光学測量槽的宽度应优选至少是电容性测量槽的宽度的I. 5倍。
在下列附图中显示本发明的ー实施方式。图I是组合式电容性和光学清纱器的测量单元的俯视图。图2是图I中测量单元的透视图。
具体实施方式
图I和2显示包括电容性測量元件2和光学測量元件3的组合式清纱器测量単元I。光学測量元件3的光学元件体部具有光学测量槽4，电容性測量元件2的电容性元件体部具有电容性测量槽5。具有光学测量槽4的光学測量元件3以及具有电容性测量槽5的电容性測量元件2沿纵向相互靠近，且待测纱线(未显示)沿该纵向行经测量槽4和5。纱·线在图I中的运动方向是从底部到顶部，这意味着电容性測量元件2位于光学測量元件3的上游。每个光学元件体部和电容性元件体部由于其各自的功能而均具有相对复杂的结构，但由于这些结构不是本发明的主题，这里就不再对它们进行说明。不过，光学元件体部和电容性元件体部在组合式测量单元I中被结合在一起。组合式测量单元I适合于以某种方式被安装在印刷电路板(printed circuit board, PCB,未显示)上，以确保电容性测量元件2保持与光学测量单元3对齐。由此，印刷电路板垂直于待测纱线的纵向移动方向。在附图中显而易见的是在光学元件体部与电容性元件体部之间存在间隔6。该间隔6是PCB要被放置的位置。PCB布置的另ー凭据是属于光学測量元件3的发光二极管(light emittingdiode, LED) 8的电触头7、以及属于电容性测量元件2的另ー电触头9的方位。图I清楚显示出光学測量槽的宽度W。大于电容性测量槽的宽度W。。还另外以某种方式设计光学测量槽4和电容性测量槽5，从而使从光学測量槽宽度W。转变为电容性测量槽宽度W。的宽度变化是平滑的。这是为了避免出现边缘，该边缘可造成不希望的纱线弱化或额外磨损。
权利要求1.ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，包括电容性測量元件(2)和光学测量元件(3)，所述电容性測量元件(2)的电容性元件体部具有电容性测量槽(5)，所述光学測量元件(3)的光学元件体部具有光学测量槽(4);以及 具有所述电容性测量槽(5)的所述电容性測量元件(2)以及具有所述光学测量槽(4)的所述光学測量元件(3)沿纵向相互靠近，且待测纱线沿该纵向行经所述测量槽(4，5)； 其特征在于 所述光学測量槽的宽度(W。)大于所述电容性測量槽的宽度(W。)。
2.根据权利要求I所述的ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，其特征在于所述光学測量中槽的宽度(W。)至少是所述电容性測量槽的宽度(W。)的I. 5倍。
3.根据权利要求I所述的ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，其特征在于所述光学測量槽的宽度(W。)在I. 5至5. Omm范围内，而所述电容性測量槽的宽度(W。)在I. O至3. Omm范围内。
4.根据权利要求I所述的ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，其特征在干，所述光学測量槽的宽度(W。)优选在2. 3至3. Omm范围内；而所述电容性測量槽的宽度(W。)优选在I. 5至2. Omm范围内。
5.根据权利要求I所述的ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，其特征在于从所述光学測量槽的宽度(W。)至所述电容性測量槽的宽度(W。)的转变是平滑的。
6.根据权利要求I所述的ー种组合式电容性和光学清纱器测量単元(I)，其特征在于所述电容性測量元件(2)相对于所述待测纱线的所述行进方向位于所述光学測量元件(3)的上游。
专利摘要本实用新型公开了一种组合式电容性和光学清纱器测量单元(1)，包括具有光学测量元件(3)和电容性测量元件(2)的组合式传感器体部。光学测量元件(3)的光学元件体部具有光学测量槽(4)，电容性测量元件(2)的电容性元件体部具有电容性测量槽(5)。具有光学测量槽(4)的光学测量元件(3)以及具有电容性测量槽(5)的电容性测量元件(2)沿纵向相互靠近，且待测纱线沿该纵向行经测量槽(4，5)。光学测量槽的宽度(Wo)大于电容性测量槽的宽度(Wc)。
文档编号G01N21/89GK202450210SQ201120392710
公开日2012年9月26日 申请日期2011年10月14日 优先权日2010年10月19日
发明者汉斯鲁迪·万普费尔 申请人:乌斯特技术股份公司