专利名称：用gtem小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法
技术领域：
本发明涉及一种GTEM小室的应用，尤其涉及一种用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法。
背景技术：
在传统的反向散射截面的测试方法中，需要将被测散射体放置在自由空间或特制的暗室中，同时需用标定的参考散射体以及其他辅助设备，测试方法复杂。这些测试环境和测试方法或者不可避免的受电磁干扰，使得测量误差比较大；或者费时费力、成本高、且占地面积大。因此，需要一种相对简单、廉价的测试设备，用GTEM小室进行电小尺寸散射体的最大反向散射截面测试是一个非常合适的选择。与自由空间、电波暗室、半电波暗室比较， 用GTEM小室测试的主要优点为能够较好的屏蔽外界电磁干扰，提供准确的电场强度值，设备成本低廉、占地面积小，且本发明提供的测试方法操作简单、直观方便，提供的计算公式验证严谨，结果准确。
发明内容
本发明的目的是提供一种操作简单、成本低廉的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的本发明的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，包括步骤A.连接GTEM小室前端口和矢量网络分析仪；B.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在没有放置待测散射体时的S11值；C.将待测散射体摆放在GTEM小室中的特制非金属转台上；D.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在放置待测散射体时的S' n值；E.用本方法所提出的公式1计算出此待测电小尺寸散射体的反向散射截面。由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，在得到GTEM小室前端口在未放置待测散射体时的S11,以及已放置待测散射体时的S' n之后，用本发明所提出的公式进行计算。操作简单、设备成本低廉。
图1为本发明中GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的布置示意图；图2为本发明中GTEM小室坐标及待测散射体位置示意图；图3为本发明中GTEM小室、待测散射体和测试仪器连接示意图；图中1、GTEM小室，2、中板，3、底板，4、端口，5、转台，6、待测散射体(EUT)，7、矢量网络分析仪。
具体实施例方式本发明的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其较佳的具体实施方式
如图1、图2、图3所示，包括步骤A.如图3所示，连接GTEM小室前端口和矢量网络分析仪7 ；B.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在没有放置待测散射体时的S11值；C.如图1所示，将待测散射体6摆放在GTEM小室中的特制非金属转台上，位置如图2所示；D.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在放置待测散射体时的S' n值；E.用本方法所提出的公式1计算出此待测电小尺寸散射体的反向散射截面。所述的待测散射体满足所述GTEM小室测试过程中电小尺寸的要求。所述的待测散射体放置在所述GTEM小室的中板2与底板3之间的1/3 2/3区域内。根据所得的测试结果，用本发明所提出的计算公式计算反向散射截面
权利要求
1.一种用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其特征在于，包括步骤A.连接GTEM小室前端口和矢量网络分析仪；B.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在没有放置待测散射体时的S11值；C.将待测散射体摆放在GTEM小室中的特制非金属转台上；D.在所选定的频率上，测量得到GTEM小室在放置待测散射体时的S'η值； Ε.用本方法所提出的公式1计算出此待测电小尺寸散射体的反向散射截面。
2.根据权利要求1所述的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其特征在于，所述的待测散射体放置在所述GTEM小室的中板与底板之间的1/3 2/3区域内。
3.根据权利要求1所述的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其特征在于，特定转台是由非金属材料构成的，它可以沿Χ、Υ、Ζ轴做360度旋转，通过旋转，可以测试待测散射体任意方向的反向散射截面。
4.根据权利要求1所述的用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，其特征在于，得到待测散射体的返回功率后，通过本方法给出的公式1计算反向散射截面
全文摘要
本发明公开了一种用GTEM小室测试电小尺寸散射体反向散射截面的方法，首先将待测电小尺寸散射体6摆放在GTEM小室的特制非金属转台5上；GTEM小室的前端口4与矢量网络分析仪7连接；通过矢量网络分析仪得到GTEM小室前端口返回电压和入射电压和比值；最后通过本方法提出的公式计算出散射体的反向散射截面。本方法操作简单，成本低廉。
文档编号G01R29/08GK102565552SQ20121000752
公开日2012年7月11日 申请日期2012年1月11日 优先权日2012年1月11日
发明者刘晓阳, 李书芳, 洪卫军, 王明阳, 邢曙光, 陈乔, 陈志雨 申请人:北京邮电大学