专利名称：一种用于宽范围电源输入的内部供电电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学领域，特别涉及一种用于宽范围电源输入的内部供电电路。
背景技术：
当今的许多便携式电子设备都需要具备在采用不同电源的情况下正常运作的能力，设计一款能够与多类电源相兼容的功率转换解决方案至关重要。在DC/DC转换器中，尤其是升压转换器中，由于内部驱动模块是由内部供电电路供电，要求内部供电电路在较宽的电源输入范围内都有较强的驱动能力和较强的稳定电压的能力
发明内容
本发明的目地是提供一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，电路采用一种开关算法，保证了电路在较宽输入电源范围内，给内部电路提供稳定的电压进行供电，通过在电源电压较低时，给内部电路提供的供电电压与电源电压相同，在电源电压较高时，给内部电路提供的供电电压稳定在一个合理的电压值。为实现上述目的，本发明采用的技术方案为一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，其特征在于，包括电源电压判断单元和产生内部供电的Regulator电路，具体为一个电流源，十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管，其中所述电源电压判断单元包括六个电阻、四个NMOS管和五个PMOS管，电阻R1、电阻R2与电阻R3是电源VIN的分压电阻，第一 N型MOS管丽I是使能开关管，第一 N型双极型晶体管NI、第二 N型双极型晶体管N2、第一 P型MOS管MP1、第二 P型MOS管MP2、电阻R4和电阻R5是电源电压判断单元的主体结构，第一 N型双极型晶体管NI与第二 N型双极型
晶体管N2为匹配关系，比例为N : 1，当电源VIN的分压闻于
权利要求
1.一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，其特征在于，包括电源电压判断单元和产生内部供电的Regulator电路，具体为一个电流源，十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管，其中 所述电源电压判断单元包括六个电阻、四个NMOS管和五个PMOS管，电阻R1、电阻R2与电阻R3是电源VIN的分压电阻，第一 N型MOS管MNl是使能开关管，第一 N型双极型晶体管NI、第二 N型双极型晶体管N2、第一 P型MOS管MP1、第二 P型MOS管MP2、电阻R4和电阻R5是电源电压判断单元的主体结构，第一 N型双极型晶体管NI与第二 N型双极型晶体 管N2为匹配关系，比例为N 1，当电源VIN的分压高于
2.根据权利要求I所述的一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，其特征在于，所述电源电压判断单元电路连接方式为第一 P型MOS管MPl的源极与内部供电电源VDD连接；第一 P型MOS管MPl的漏极、第一 P型MOS管MPl的栅极、第二 P型MOS管MP2的栅极与第一 N型双极型晶体管NI的集电极连接；第二 P型MOS管MP2的源极与内部供电电源VDD连接；第二 P型MOS管MP2的漏极、第二 N型双极型晶体管N2的集电极、第三P型MOS管MP3的栅极连接；第三P型MOS管MP3的源极与内部供电电源VDD连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与电阻R6的一端连接；第四P型MOS管MP4的源极与内部供电电源VDD连接；第四P型MOS管MP4的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极与第五N型MOS管丽5的栅极连接；第五P型MOS管MP5的源极与内部供电电源VDD连接；第五P型MOS管MP5的漏极、第五N型MOS管丽5的漏极与第二 N型MOS管丽2的栅极连接，并且为模块的输出引脚。第一 N型MOS管丽I的源极与地GND连接 ’第一 N型MOS管丽I的栅极与EN引脚连接；第一 N型MOS管丽I的漏极与电阻R3的一端连接；第二 N型MOS管丽2的源极与地GND连接；第二 N型MOS管丽2的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极与第五N型MOS管丽5的漏极连接；第二N型MOS管丽2的漏极与电阻R3的一端连接；第四N型MOS管MN4的源极与地GND连接；第四N型MOS管MN4的栅极、第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极与电阻R6的一端连接；第四N型MOS管MN4的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极与第五N型MOS管丽5的栅极连接 ’第五N型MOS管丽5的源极与地GND连接。第一 N型双极型晶体管NI的基极、第二 N型双极型晶体管N2的基极、电阻Rl与电阻R2的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的发射极与电阻R4的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的集电极与第一 P型MOS管MPl的漏极、第一 P型MOS管MPl的栅极与第二 P型MOS管MP2的栅极连接；第二 N型双极型晶体管N2的发射极、电阻R4的一端与电阻R5的一端连接；第二 N型双极型晶体管N2的集电极、第二 P型MOS管MP2的漏极与第三P型MOS管MP3的栅极连接；电阻Rl的一端与VIN连接，电阻Rl的另一端、电阻R2的一端、第一N型双极型晶体管NI的基极与第二 N型双极型晶体管N2的基极连接；电阻R2的一端电阻、Rl的一端、第一 N型双极型晶体管NI的基极与第二 N型双极型晶体管N2的基极连接，电阻R2的另一端、电阻R3的一端与第二 N型MOS管丽2的漏极连接；电阻R3的一端、电阻 R2的一端与第二 N型MOS管丽2的漏极连接；电阻R3的另一端与第一 N型MOS管丽I的漏极连接。
3.根据权利要求I所述的一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，其特征在于，所述产生内部供电的Regulator电路连接方式为第六P型MOS管MP6的源极与电源VIN连接；第六P型MOS管MP6的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第八P型MOS管MP8的栅极与外部偏置电流电路连接；第七P型MOS管MP7的源极与电源VIN连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极、第六N型MOS管MN6的漏极与第七N型MOS管MN7的栅极连接；第八P型MOS管MP8的源极与电源VIN连接；第八P型MOS管MP8的漏极、第二齐纳二极管D2的阴极、电阻R7的一端、电容Cl的一端与第八N型MOS管MN8的栅极连接；第九P型MOS管MP9的源极与电源VIN连接；第九P型MOS管MP9的漏极、第八N型MOS管MN8的源极、电阻R8的一端与电容C2的一端连接；第九P型MOS管MP9的栅极、第十三P型MOS管MP13的源极、第十P型MOS管MPlO的栅极与第i^一P型MOS管MPll的漏极连接；第十P型MOS管MPlO的源极与电源VIN连接；第十P型MOS管MPlO的漏极、第i^一 P型MOS管MPll的栅极与第十二 P型MOS管MP12的源极连接；第十P型MOS管MPlO的栅极、第九P型MOS管MP9的栅极与第i^一 P型MOS管MPll的漏极连接；第^^一 P型MOS管MPll的源极与电源VIN连接；第^^一 P型MOS管MPll的漏极、第九P型MOS管MP9的栅极、第十三P型MOS管MP13的源极与第十P型MOS管MPlO的栅极连接；第^^一 P型MOS管MPlI的栅极、第十P型MOS管MPlO的漏极与第十二 P型MOS管MP12的源极连接；第十二 P型MOS管MP12的栅极、第十三P型MOS管MP13的栅极、第一齐纳二极管Dl的阳极与第七N型MOS管丽7的漏极连接；第十二 P型MOS管MP12的漏极与第九N型MOS管MN9的漏极连接；第十二 P型MOS管MP12的源极、第i^一 P型MOS管MPll的栅极与第十P型MOS管MPlO的漏极连接；第十三P型MOS管MP13的栅极、第十二 P型MOS管MP12的栅极、第一齐纳二极管Dl的阳极与第七N型MOS管丽7的漏极连接；第六N型MOS管MN6的源极与地GND连接；第六N型MOS管MN6的漏极、第七P型MOS管MP7的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极与第七N型MOS管丽7的栅极连接；第七N型MOS管丽7的源极与地GND连接；第七N型MOS管丽7的漏极、第十三P型MOS管MP13的栅极、第十二 P型MOS管MP12的栅极与第一齐纳二极管Dl的阳极连接；第八N型MOS管MN8的源极、第九P型MOS管MP9的漏极、电阻R8的一端与电容C2的一端连接；第八N型MOS管MN8的漏极与电源VIN连接；第八N型MOS管MN8的栅极、第八P型MOS管MP8的漏极、第二齐纳二极管D2的阴极、电阻R7的一端与电容Cl的一端连接；第九N型MOS管MN9的源极与地GND连接；第九N型MOS管MN9的漏极与第十二 P型MOS管MP12的漏极连接；第九N型MOS管MN9的栅极与电源电压判断单元的输出I连接；第十N型MOS管丽10的源极与地GND连接；第十N型MOS管丽10的漏极与第十三P型MOS管MP13的漏极连接；第十N型MOS管丽10的栅极与电源电压判断单元的输出2连接；第一齐纳二极管Dl的阴极与电源VIN连接；第一齐纳二极管Dl的阳极、第七N型MOS管丽7的漏极、第十三P型MOS管MP13的栅极与第十二P型MOS管MP12的栅极连接；第二齐纳二极管D2的阴极、第八N型MOS管MN8的栅极、第八P型MOS管MP8的漏极、电阻R7的一端与电容Cl的一端连接；第二齐纳二极管D2的阳极与地GND连接；电阻R7的一端与地GND连接；电阻R7的另一端、第二齐纳二极管D2的阴极、第八N型MOS管MN8的栅极、第八P型MOS管MP8的漏极与电容Cl的一端连接；电阻 R8的一端与地GND连接；电阻R8的另一端、第八N型MOS管MN8的源极、第九P型MOS管MP9的漏极与电容C2的一端连接，为内部供电电源VDD的输出；电容Cl的一端与地GND连接；电容Cl的另一端、电阻R7的一端、第二齐纳二极管D2的阴极、第八N型MOS管MN8的栅极与第八P型MOS管MP8的漏极连接；电容C2的一端与地GND连接；电容C2的另一端、电阻R8的一端、第八N型MOS管MN8的源极与第九P型MOS管MP9的漏极连接，为内部供电电源VDD的输出。
全文摘要
本发明涉及一种用于宽范围电源输入的内部供电电路，它包括一个电源电压判断单元和一个产生内部供电的调整电路单元，一共包含一个电流源，十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管；电路采用一种开关算法，保证了电路在较宽输入电源范围内，给内部电路提供稳定的电压进行供电，通过在电源电压较低时，给内部电路提供的供电电压与电源电压相同，在电源电压较高时，给内部电路提供的供电电压稳定在一个合理的电压值，即保证了电源电压较低时芯片的效率，也保证了电源电压较高时芯片的正常工作，提高了电源电压的输入范围。
文档编号G01R19/165GK102710136SQ201210172610
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月30日 优先权日2012年5月30日
发明者夏雪, 王晓飞, 袁小云 申请人:西安航天民芯科技有限公司