一种高精度弱磁场传感器的制造方法

文档序号:6162491阅读:153来源:国知局
一种高精度弱磁场传感器的制造方法
【专利摘要】一种高精度弱磁场传感器,包括多谐振荡模块,多谐振荡模块的输出接微分模块,微分模块的输出接峰值检波模块,峰值检波模块的输出接滤波模块,滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器,其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带,外加磁场作用在该非晶带上,本发明能够满足高精度、小体积和高灵敏度的要求,适合在信息【技术领域】使用。
【专利说明】一种高精度弱磁场传感器
【技术领域】
[0001]本发明涉及磁场传感器【技术领域】,特别涉及一种高精度弱磁场传感器。
【背景技术】
[0002]磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的装置。自然界和人类社会生活的许多地方都存在磁场或与磁场相关的信息。利用人工设置的永久磁体产生的磁场,可作为许多种信息的载体。因此,探测、采集、存储、转换、复现和监控各种磁场和磁场中承载的各种信息的任务,自然就落在磁场传感器身上。在当今的信息社会中,磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的基础元件。目前,人们已研制出利用各种物理、化学和生物效应的磁场传感器,并已在科研、生产和社会生活的各个方面得到广泛应用,承担起探究种种信息的任务。目前的磁场传感器普遍体积比较大,灵敏度不足,难以满足信息技术的要求。

【发明内容】

[0003]为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种高精度弱磁场传感器。
[0004]为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
[0005]—种高精度弱磁场传感器,包括多谐振荡模块,多谐振荡模块的输出接微分模块,微分模块的输出接峰值检波模块,峰值检波模块的输出接滤波模块,滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器,其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带,外加磁场作用在该非晶带上。
[0006]与现有技术相比,本发明能够满足高精度、小体积和高灵敏度的要求,适合在信息【技术领域】使用。
【专利附图】

【附图说明】
[0007]附图为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。
[0009]如图所示,本发明为一种高精度弱磁场传感器,包括多谐振荡模块,多谐振荡模块的输出接微分模块,微分模块的输出接峰值检波模块,峰值检波模块的输出接滤波模块,滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器,其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带,外加磁场作用在该非晶带上。
[0010]本发明的原理是:
[0011]首先用多谐振荡模块产生一个高频方波信号,经过微分模块后,得到一个窄带脉冲信号,作为非晶带的激励信号,与非晶带串联有一个电阻,用以匹配阻抗。外加磁场作用在非晶带上时,非晶带的阻抗就会发生变化,其两端电压也相应发生变化,峰值检波模块检测到电压峰值大小,经过滤波后,与参考电压进行差动放大,得到因外加磁场引起的电压变化值。
【权利要求】
1.一种高精度弱磁场传感器,其特征在于,包括多谐振荡模块,多谐振荡模块的输出接微分模块,微分模块的输出接峰值检波模块,峰值检波模块的输出接滤波模块,滤波模块的输出和参考电压一起输入至差分放大器,其中微分模块的输出上并接有一个接地的非晶带,外加磁场作用在该非晶带上。
【文档编号】G01R33/02GK103809132SQ201210441894
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月7日 优先权日:2012年11月7日
【发明者】田边 申请人:西安交大京盛科技发展有限公司
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