一种实现低压供电芯片检测高电压的电路的制作方法
【专利摘要】一种实现低压供电芯片检测高电压的电路，待测信号S1通过电阻R1接三极管Q1的基极，三极管Q1的基极同时通过电阻R2接地，三极管Q1的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC，本发明能够实现对待测电压的降低，保证检测芯片的安全性。
【专利说明】—种实现低压供电芯片检测高电压的电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及电压检测【技术领域】，特别涉及一种实现低压供电芯片检测高电压的电路。
【背景技术】
[0002]在电压检测过程中，如果被测电压高于检测芯片的供电电压，则无法直接将被测电压输入到检测芯片，以免烧毁芯片。
【发明内容】
[0003]为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种实现低压供电芯片检测高电压的电路，利用分立器件来比例降低被测电压，且同时被测电压保持驱动能力。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
[0005]一种实现低压供电芯片检测高电压的电路，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。
[0006]与现有技术相比，本发明能够实现对待测电压的降低，保证检测芯片的安全性。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]附图为本发明的结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图和实施例对本发明进行更详尽的说明。
[0009]如图所示，本发明为一种实现低压供电芯片检测高电压的电路，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。
[0010]本发明输入电压VIN经过电阻R1\R2的分压后，作用于三极管Ql的基极，使得三极管Ql的射极电压，即V0UT=Sl*R2/(Rl+R2)+0.7V，从这个公式上可以看出，当SI超出VCC供电时，VOUT和SI成比例的变化。利用于此就可以使用较低VCC供电的芯片来检测SI等比VCC电压高的信号。
[0011]该电路中需要注意的是，SI经过R1\R2的分压后，其Ql的基极电压必须小于VCC，都则Ql不能导通，电路不能发挥作用。
[0012]由于有Ql的存在，相对于高阻Rl和R2分压后的电压驱动能力强了很多，利于检测信号驱动相关电路动作。
[0013]现有方案中由于没有Ql等元件，使得SI信号不能直接被VCC供电的芯片检测，功能无法实现。
[0014]本发明的电路完全由三极管、电阻、电容组成，被测试信号SI通过转换，形成VOUT 输入到检测芯片，保证检测的准确性和电路的安全性。
【权利要求】
1.一种实现低压供电芯片检测高电压的电路，其特征在于，待测信号SI通过电阻Rl接三极管Ql的基极，三极管Ql的基极同时通过电阻R2接地，三极管Ql的集电极接地，发射极作为信号输出端，信号输出端通过电阻R3接VCC。
【文档编号】G01R15/04GK103837726SQ201210488990
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月26日 优先权日:2012年11月26日
【发明者】李程 申请人:西安威正电子科技有限公司