专利名称：磁传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于电流传感器等中的具有高速响应性的磁传感器。
背景技术：
众所周知，霍尔传感器的输出电压与磁通密度成比例地发生变化。公知有将霍尔传感器广泛地应用于用于测量流经导体的电流量的所谓的电流传感器等中，该电流传感器利用霍尔传感器的上述特性，用霍尔传感器检测与流经导体的电流成比例地产生的磁通密度，从而对流经导体的电流量进行测定。另一方面,为了降低排出气体、提高燃烧经济性，公知有将内燃机和电动机(电机)这两者作为驱动源来使用的、所谓的混合动力汽车。在该混合动力汽车中，通常设有用于将自车载电池供给的直流电力变换为三相交流电力的逆变器装置，将经该逆变器装置变换后的三相交流电力供给到作为电力供给对象的电动机。另外，在这种混合动力汽车中，在用于将设于逆变器装置内的IGBT (绝缘栅双极晶体管:Insulate-GateBipolar Transistor)等功率模块与电动机相连接的供电用的导体、例如母线、线缆等上安装有电流传感器。并且，通过该电流传感器来检测流经母线、线缆等的电流，并且基于检测出的电流来控制向电动机供给的电力。为了使电动机高效地旋转，需要高速地、高精度地检测电动机的电流，并进行控制，这要求电流传感器具有数μs大小的响应性。另外，通常，如专利文献I的图1所示那样，电流传感器由供被检测电流流过的导体、包围该导体且具有空隙部的集磁用的芯体、配置于芯体的空隙部的霍尔传感器或线性霍尔IC以及基板构成。此处，在混合动力汽车等的电动机中，由于会发生数百安培的大电流的急剧变化，因此，施加于霍尔传感器的磁通密度也会急剧地发生变化。公知此时，在霍尔传感器、线性霍尔IC的引线框处会产生涡流，无法忽视的较大的电磁噪声会施加于霍尔传感器、线性霍尔1 C，从而产生使对于磁场的输出电压的响应变慢等影响。这里的涡流是指在金属内电流会沿消除被施加了的磁通密度的变化的方向呈环状流动的现象。不言而喻，该涡流会导致产生电磁噪声。另一方面，为了抑制涡流的影响，公知的是，在使霍尔传感器和信号处理IC形成于同一 Si基板上的整体式的线性霍尔IC中，如专利文献2的图4Ε所示那样，在引线框的焊盘(DiePad)上开设槽(缺口)。此时，通过在引线框的焊盘的霍尔传感器的正下方的位置开设槽来使涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度变得极小。此处，引线框的焊盘是指构成供霍尔传感器、IC的芯片(Die)安装的引线框的金属片。并且，近年来，为了减少构成电流传感器的零件个数、使电流传感器小型化，如专利文献2所述那样，一直使用将霍尔传感器和具有霍尔传感器的信号处理部的IC封入一个封装内而形成的线性霍尔1C。此时，不言而喻，由于霍尔传感器的灵敏度越高越能够以高分辨率来进行电流检测，因此将灵敏度较高的化合物半导体用于导电层的霍尔传感器较为适且。专利文献1:日本特开2006 - 214815号公报[0009]专利文献2:日本特开2009 - 544149号公报然而，在使用了灵敏度较高的化合物半导体的霍尔传感器的线性霍尔IC中，通常，由于化合物半导体的霍尔传感器的芯片尺寸较小，因此难以在霍尔传感器的正下方的引线框的焊盘上开设槽，从而无法充分地抑制涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度的影响。另外，若将化合物半导体的霍尔传感器的芯片尺寸设置得较大，则会引起焊片(Die Bond)精度的恶化、传感器封装的大型化以及成本的上升，因此这是不现实的。
发明内容本实用新型是鉴于这种情况而提出的，其目的在于提供一种通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上、并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内的磁传感器，该磁传感器能够抑制由于急剧的磁通密度的变化而在引线框处产生的涡流的影响且具有电流传感器所需要的高速响应性。本实用新型是为了实现这种目的而提出的，第I技术方案为一种磁传感器，其通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上，并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内，其特征在于，上述引线框的焊盘由彼此电绝缘的两个以上的多个金属片构成。另外，在第I技术方案的基础上，第2技术方案的特征在于，上述IC跨过构成上述引线框的焊盘的两个以上的金属片之间的空隙而被焊片在引线框的焊盘上。
另外，在第I技术方案或第2技术方案的基础上，第3技术方案的特征在于，构成上述引线框的焊盘的两个以上的金属片之中的任意一个金属片具有槽。另外，在第I技术方案 第3技术方案的基础上，第4技术方案的特征在于，焊片有上述霍尔传感器的芯片的、构成上述引线框的焊盘的一个金属片的至少一边与霍尔传感器的芯片端之间的距离为Ομπ 以上100 μ m以下。另外，在第I技术方案 第4技术方案的基础上，第5技术方案的特征在于，上述霍尔传感器的芯片厚度为145 μ m以上500 μ m以下。采用本实用新型，能够提供一种通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上、并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内的磁传感器，该磁传感器能够抑制由于急剧的磁通密度的变化而在引线框处产生的涡流的影响且具有电流传感器所需要的高速响应性。
图1是本实用新型的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器100的概略图。图2是比较例I所示的以往技术的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器200的概略图。图3是比较例2所示的以往技术的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器300的概略图。[0022]图4的(a)是实施例与比较例的输出波形的曲线图，图4的(b)是实施例与比较例的输出波形的放大曲线图。图5是本实用新型的焊片有霍尔传感器的金属片的放大图。图6是比较例I所示的以往技术的、焊片有霍尔传感器的金属片的放大图。图7是比较例2所示的以往技术的、焊片有霍尔传感器的金属片的放大图。图8是各OThl的长度(Yh的长度)和涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度之间的关系的计算结果。图9是霍尔传感器的芯片厚度t和涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度之间的关系的计算结果。
具体实施方式
下面，参照附图说明本实用新型的实施方式。图1是本实用新型的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器100的概略图。在图1中，本实用新型的磁传感器100包括:霍尔传感器101 ;信号处理IC102 ;构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙103 ;焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽104 ;多个金属片105，其构成引线框的焊盘；外部输出端子106 ;以及封装外形107，d表示构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙的宽度，Wl表示焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度，W2表示未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度，LI表示焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度，L2表示未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度，Xh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度，Xl表示引线框的焊盘的横向的长度，Yh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度，Yl表示引线框的焊盘的纵向的长度。如图1所示，与由I个金属片来构成焊盘时相比，通过由电绝缘的两个以上的多个金属片来构成引线框的焊盘，能够缩小与磁场垂直的各金属片的单个金属片的面积，能够抑制涡流的产生。若与磁场垂直的金属片的单个金属片的面积较小，则难以产生涡流，这从例如为了减小回旋运动的电子的旋转半径而要增强磁场这点中也能够想象到。为了在较小的面积中流过相同大小的涡流，需要更大的磁场变化，因此，若为相同大小的磁场变化，则面积越小越能够抑制涡流的产生。此处，在图1中，构成引线框的焊盘的电绝缘的多个金属片105由两个金属片构成，但是，不言而喻，构成焊盘的金属片的数量越多，各金属片的面积变得越小，从而更能够抑制涡流。只是，若金属片的数量过多，则空隙的面积会变大而使引线框的强度降低，因而，需要适当地决定金属片的最佳数量。另外，通过跨过构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙103来配置信号处理IC102，会抑制涡流的产生，并且减小电磁噪声对信号处理IC102的影响，防止电磁噪声造成的IC故障。并且，通过使构成引线框的焊盘的、电绝缘的多个金属片105之中的任意一个金属片具有槽，会进一步地抑制涡流的产生。此处，在图1中，各金属片分别具有一个槽，但是，不言而喻，本实用新型并不限于此。相对于引线框的焊盘的横向的长度Π，将焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度Xh设计得足够短，相对于引线框的焊盘的纵向的长度Y1，将焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度Yh设计得足够短，并使霍尔传感器101极力接近引线框的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的外周。由此，能够抑制涡流引起的、施加于霍尔传感器101的磁通密度。此处，图5表示本实用新型的焊片有霍尔传感器的金属片的放大图500。在图5的放大图500中，包括霍尔传感器501和焊片有霍尔传感器的金属片505， hl表示引线框的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与Π方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离，5Dh2表示引线框的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与Π方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离，5Dh3表示引线框的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与Π方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离。使霍尔传感器501的芯片端与构成引线框的焊盘的一个金属片的至少一边之间的距离、即OThl、5Dh2、roh3之中的任何一个距离为Ομπ 以上100 μ m以下。由此，能够减少涡流引起的、施加于霍尔传感器501的磁通密度。并且，通过将霍尔传感器501的芯片厚度设为145 μ m以上，能够使霍尔传感器远离引线框，能够减小涡流引起的、施加于霍尔传感器501的磁通密度。此时，若芯片厚度为300 μ m以上，则涡流的影响会变得足够小，但是，若芯片厚度过厚，则磁传感器的封装厚度会变厚而不得不扩大电流传感器所具有的、带有空隙部的集磁用的芯体的空隙部，从而会使电流传感器的灵敏度、分辨率降低，因此，霍尔传感器501的芯片厚度最好为500μπι以下。另一方面，构成引线框的焊盘505的金属片由含有铜、金、银、钛、钨、铬等的导电材料的金属材料制成。不言而喻，电阻率越高的材料，越能够抑制涡流。另外，引线框的焊盘505的厚度越薄，引线框的薄层电阻越大，因此，不言而喻，越能够抑制涡流。此处，在图1、图2、图3和图5、图6、图7中，为了将在对磁传感器进行树脂模制前的状态下的、构成引线框的焊盘的多个或一个金属片支承于引线框而存在的、通常被称为支承销的部分相对于金属片足够小，并且并不会有助于涡流的形成，因此，在图中没有进行图示，但是，不言而喻，需 要适当地将支承销配置于最佳位置。如上所述，采用本实用新型，能够提供一种通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框上、并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内的磁传感器，该磁传感器能够抑制由于急剧的磁通密度的变化而在引线框处产生的涡流的影响且具有电流传感器所需要的高速响应性。下面，说明具体的实施例。然而，本实用新型并不限于这些实施例。实施例1在图1中，对以下情况进行考察，S卩，构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙的宽度d=0.30mm，焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度Wl=0.30mm，未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度W2=0.30mm，焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度Ll=0.64_，未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度L2=0.64_，焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度Xh=0.50mm,弓丨线框的焊盘的横向的长度Xl=3.60mm,焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度Yh=0.50mm,引线框的焊盘的纵向的长度Yl=2.31mm的情况。将构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙配置于将引线框的纵向的长度Yl 二等分的位置。另外，将引线框的厚度设为0.3mm，将引线框的材料的电导率设为90% IACS。并且，霍尔传感器以图5中的OThl=0.24mm、5Dh2=0.10mm、5Dh3=0.1Omm的尺寸配置在焊盘上。另外，霍尔传感器的芯片厚度为0.145mm。将在上述条件下，磁通密度以15πιΤ/μ s急剧地上升至75mT、之后稳定在75mT处时的霍尔传感器的输出电压波形的计算结果在图4的(a)、图4的(b)中表示。参照图4的(a)、图4的(b)可知，本实用新型的输出响应最接近理想波形，从磁通密度收敛至75mT处到输出电压收敛只花费数μ S。由该结果可知，采用本实用新型，能够提供一种通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上、并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内的磁传感器，该磁传感器能够抑制由于急剧的磁通密度的变化而在引线框处产生的涡流的影响且具有电流传感器所需要的高速响应性。比较例I图2表示比较例I所示的以往技术的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器200的概略图。在图2中，磁传感器200包括:霍尔传感器201、信号处理IC202、引线框的焊盘205、外部输出端子206以及封装外形207，2Xh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度，2X1表示引线框的焊盘的横向的长度，2Yh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度，2Y1表示引线框的焊盘的纵向的长度。另外，图6表示比较例I所示的以往技术的、焊片有霍尔传感器的金属片的放大图600。在图6的放大图600中，包括霍尔传感器601和焊片有霍尔传感器的金属片605，6Dhl表示引线框的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2Π方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离，6Dh2表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2Π方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离，6Dh3表不焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2X1方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离。在图2中，对以下情况进行考察，即，焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度2Xh=0.50mm，引线框的焊盘的横向的长度2X1=3.60mm，焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度2Yh=0.50mm，引线框的焊盘的纵向的长度2Y1=2.31mm的情况。另外，将引线框的厚度设为0.3mm，将引线框的材料的电导率设为90% IACS。并且，霍尔传感器以图6中的6Dhl=0.24mm、6Dh2=0.10mm、6Dh3=0.1Omm的尺寸配置在焊盘上。另外，霍尔传感器的芯片厚度为 0.145mm。将上述条件在，磁通密度以15πιΤ/μ s急剧地上升至75mT、之后稳定在75mT处时的霍尔传感器的输出电压波形的计算结果在图4的(a)、图4的(b)中表示。如比较例I所示，可知在引线框的焊盘由一个金属片构成的情况下，由于霍尔传感器受到涡流的较大影响，因此，从磁通密度收敛至75mT处到输出电压收敛花费大约25 μ s，响应性明显差于本实用新型的磁传感器。比较例2图3表示比较例2所示的以往技术的包括霍尔传感器、IC以及引线框在内的磁传感器300的概略图。在图3中，磁传感器300包括:霍尔传感器301、信号处理IC302、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽304、引线框的焊盘305、外部输出端子306以及封装外形307，3W1表示焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度，3L1表示焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度，3Xh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度，3Π表示引线框的焊盘的横向的长度，3Yh表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度，3Y1表示引线框的焊盘的纵向的长度。另外，图7表示比较例2所示的以往技术的、焊片有霍尔传感器的金属片的放大图700。在图7的放大图700中，包括霍尔传感器701和焊片有霍尔传感器的金属片705，7Dhl表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3Π方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离，7Dh2表不焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3)(1方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离，7Dh3表示焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3)(1方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离。在图3中，对以下情况进行考察，即，焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度3W1=0.30mm，焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度3L1=1.89mm，焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度3Xh=0.50mm,引线框的焊盘的横向的长度3X1=3.60mm,焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度3Yh=0.50mm,引线框的焊盘的纵向的长度3Yl=2.31mm的情况。另外，将引线框的厚度设为0.3mm，将引线框的材料的电导率设为90%IACS。并且，霍尔传感器以图7中的7Dhl=0.24mm、7Dh2=0.10mm、7Dh3=0.1Omm的尺寸配置在焊盘上。另外，霍尔传感器的芯片厚度为0.145mm。将上述条件下，磁通密度以15πιΤ/μ s急剧地上升至75mT、之后稳定在75mT处时的霍尔传感器的输出电压波形的计算结果在图4的(a)、图4的(b)中表示。如比较例2所示，可知在引线框的焊盘由具有槽的一个金属片构成的情况下，由于霍尔传感器也受到涡流的影响，因此，从磁通密度收敛至75mT处到输出电压收敛花费大约15 μ S，响应性明显差于本实用新型的磁传感器。实施例2在实施例1所示的磁传感器中，在仅缩短图1中的焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度Yh并减小Dhl的情况下，对感应电动势引起的、施加于霍尔传感器101的磁通密度会如何变化进行了计算。更具体而言，在OThl=0.0Omm (Yh=0.26mm)>5Dhl=0.05mm(Yh=0.31mm)、5Dhl=0.1Omm (Yh=0.36mm)、5Dhl=0.15mm (Yh=0.41mm)以及 5Dhl=0.20mm(Yh=0.46mm)这五种情况下进行了计算。图8表示各OThl的长度(Yh的长度)与涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度之间的关系的计算结果。由该结果可知，5Dhl的长度越短，涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度变得越小。然而，由于还存在焊片的位置偏差，因此，优选OThl为30 μ m以上。另外，为了提闻焊片的位置精度，5Dhl最好为IOOym以下。实施例3在实施例1所示的磁传感器中，在仅使霍尔传感器101的芯片厚度变化的情况下，对感应电动势引起的、施加于霍尔传感器101的磁通密度会如何变化进行了计算。更具体而言，在霍尔传感器 101 的芯片厚度为 t=0.145mm、0.200mm、0.250mm、0.300mm、0.350mm、0.400mm、0.450mm以及0.500mm这八种情况下进行了计算。图9表示霍尔传感器的芯片厚度t和涡流引起的、施加于霍尔传感器的磁通密度之间的关系的计算结果。由该结果可知，霍尔传感器101的芯片厚度越厚，越能够减小涡流的影响。另外，可知，若霍尔传感器101的芯片厚度为0.300mm以上，则涡流的影响基本没有变化。由上述结果可知，只要霍尔传感器的芯片厚度t为t=0.145mm,就能够充分地获得本实用新型的效果，但是，在t为0.300mm以上时，能够获得更好的效果。然而，若芯片厚度过厚，则磁传感器的封装厚度会变厚而不得不扩大电流传感器所具有的、带有空隙部的集磁用的芯体的空隙部，从而会使电流传感器的灵敏度、分辨率降低，因此，霍尔传感器101的芯片厚度最好为500 μ m以下。产业h的可利用件本实用新型涉及一种应用于电流传感器等中的具有高速响应性的磁传感器。附图标记说明101、霍尔传感器；102、信号处理IC ;103、构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙；104、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽；105、构成引线框的焊盘的电绝缘的多个金属片；106、外部输出端子；107、封装外形；d、构成引线框的焊盘的金属片之间的空隙的宽度；W1、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度；W2、未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度山1、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度；L2、未焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度；Xh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度；X1、引线框的焊盘的横向的长度；Yh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度；Y1、引线框的焊盘的纵向的长度；201、霍尔传感器；202、信号处理IC ;205、引线框的焊盘；206、夕卜部输出端子；207、封装外形；2Xh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度；2X1、引线框的焊盘的横向的长度；2Yh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度；2Y1、引线框的焊盘的纵向的长度；301、霍尔传感器；302、信号处理IC ;304、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽；305、引线框的焊盘；306、外部输出端子；307、封装外形；3W1、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的宽度；3L1、焊片有霍尔传感器的金属片所具有的槽的长度；3Xh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的横向的长度；3X1、引线框的焊盘的横向的长度；3Yh、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的纵向的长度；3Y1、引线框的焊盘的纵向的长度；501、霍尔传感器；505、焊片有霍尔传感器的金属片；5Dhl、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与)(1方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离；5Dh2、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与Xl方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离；5Dh3、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与Π方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离；601、霍尔传感器；605、焊片有霍尔传感器的金属片；6Dhl、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2Π方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离；6Dh2、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2Π方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离；6Dh3、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与2X1方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离；701、霍尔传感器；705、焊片有霍尔传感器的金属片；7Dhl、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3Π方向平行的这一端和霍尔传感器的与该端相对的芯片端之间的距离；7Dh2、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3)(1方向垂直的一端和霍尔传感器的与该一端相对的芯片端之间的距离；7Dh3、焊盘的供霍尔传感器用的凸部的、与3Π方向垂直的另一端和霍尔传感器的与该另一端相对的芯片端之间的距离。
权利要求1.一种磁传感器，其通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上，并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内，其特征在于， 上述引线框的焊盘由彼此电绝缘的两个以上的多个金属片构成。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 上述IC跨过构成上述引线框的焊盘的两个以上的金属片之间的空隙而被焊片在引线框的焊盘上。
3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 构成上述引线框的焊盘的两个以上的金属片之中的任意一个金属片具有槽。
4.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于， 构成上述引线框的焊盘的两个以上的金属片之中的任意一个金属片具有槽。
5.根据权利要求1至4之中任一项所述的磁传感器，其特征在于， 焊片有上述霍尔传感器的芯片的、构成上述引线框的焊盘的一个金属片的至少一边与霍尔传感器的芯片端之间的距离为Ομπ 以上100 μ m以下。
6.根据权利要求1至4之中任一项所述的磁传感器，其特征在于， 上述霍尔传感器的 芯片厚度为145 μ m以上500 μ m以下。
7.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于， 上述霍尔传感器的芯片厚度为145 μ m以上500 μ m以下。
专利摘要本实用新型提供一种通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上、并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内的磁传感器，该磁传感器能够抑制由于急剧的磁通密度的变化而在引线框处产生的涡流的影响且具有电流传感器所需要的高速响应性。该磁传感器通过焊片将用于检测磁场的霍尔传感器和用于进行上述霍尔传感器的驱动、信号处理的IC分别配置在引线框的焊盘上，并且将该霍尔传感器和该IC封入在一个封装内，在该磁传感器中，上述引线框的焊盘由彼此电绝缘的两个以上的多个金属片构成。
文档编号G01R33/07GK203037835SQ20122056908
公开日2013年7月3日 申请日期2012年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者西田聪佑, 上石一树 申请人:旭化成微电子株式会社