专利名称：一种应力探测器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及到一种应力探测器。
背景技术：
磁光克尔效应是指偏振光从磁性介质表面反射之后，受磁性介质的磁化强度影响，偏振光的偏振方向发生变化。对于制备成的器件，探测其偏振方向的变化，就能反应磁化强度的变化。另一方面，磁化强度与材料的应力状态密切相关，利用应力、磁化强度、偏振光之间的耦合关系，开发高灵敏度的应力探测器是十分有意义的。
实用新型内容本实用新型提供一种应力探测器，具有结构简单、使用方便、高灵敏度探测力的优点。本实用新型所采取的技术方案为，一种应力探测器，包括柔性基底、磁性介质、激光源、探测器，其中，磁性介质生长在柔性基底上，激光源与探测器位于磁性介质的上方，以磁性介质的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上，反射到探测器中，柔性基底方便贴到需要进行应力探测的待测体上，当应力变化时，磁性介质的磁化强度发生改变，探测器探测到的激光强度发生变化，进而探测出应力的大小，由于磁光克尔效应的高灵敏度，使得本实用新型具有高灵敏度探测力的优点，同时，结构简单、使用方便。
图1为本实用新型的结构示意图。图中:1柔性基底、2磁性介质、3激光源、4激光、5探测器。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。图1为本实用新型的结构示意图，柔性基底1、磁性介质2、激光源3、激光4、探测器5，其中，磁性介质2生长在柔性基底I上，激光源3与探测器5位于磁性介质2的上方，以磁性介质2的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源3发射的激光4照射到磁性介质2上，反射到探测器5中，柔性基底I方便贴到需要进行应力探测的待测体上，当应力变化时，磁性介质2的磁化强度发生改变，探测器5探测到的激光强度发生变化，进而探测出应力的大小，由于磁 光克尔效应的高灵敏度，使得本实用新型具有高灵敏度探测力的优点，同时，结构简单、使用方便。
权利要求1.一种应力探测器，包括柔性基底、磁性介质、激光源、探测器，其特征在于:所述的磁性介质生长在柔性基底上，激光源与探测器位于磁性介质的上方。
2.根据权利要求1所述的一种应力探测器，其特征在于:所述的激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对 称分布。
专利摘要本实用新型提供一种应力探测器，包括柔性基底、磁性介质、激光源、探测器，其中，磁性介质生长在柔性基底上，激光源与探测器位于磁性介质的上方，以磁性介质的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上，反射到探测器中，柔性基底方便贴到需要进行应力探测的待测体上，当应力变化时，磁性介质的磁化强度发生改变，探测器探测到的激光强度发生变化，进而探测出应力的大小，由于磁光克尔效应的高灵敏度，使得本实用新型具有高灵敏度探测力的优点，同时，结构简单、使用方便。
文档编号G01L1/12GK203148604SQ201320082879
公开日2013年8月21日 申请日期2013年2月22日 优先权日2013年2月22日
发明者胡雨航 申请人:胡雨航