测试装置和测试方法
【专利摘要】一种测试装置和测试方法，其中测试装置包括：测试机，所述测试机用于对待测晶圆的待测管芯进行测试；探针卡，所述探针卡包括探针、以及与探针相邻排列的擦除区，所述探针用于将待测晶圆的待测管芯与测试机电连接，所述擦除区包括位于探针一侧的第一擦除区、以及位于探针另一侧的第二擦除区。采用本发明提供的测试装置进行一次可编程器件的晶圆测试，探针卡包括相邻排列的第一擦除区、探针、以及第二擦除区，在对待测晶圆的待测管芯测试之前或之后，位于探针卡内的第一擦除区和第二擦除区可对待测管芯进行测试前紫外擦除或测试后紫外擦除，避免将待测晶圆移动至专门的擦除区域，大大的减少了测试所需的时间，有效的提高了测试效率。
【专利说明】测试装置和测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域技术，特别涉及测试装置和测试方法。
【背景技术】
[0002]在嵌入式系统中，所有的代码和系统数据都是被存储在FLASH芯片内部的。FLASH芯片的特点是可多次擦写，而且掉电数据不会丢失；为了保护FLASH芯片中的数据，越来越多的厂商在FLASH芯片内部提供了一种特殊的计数器:一次可编程(OTP:0ne TimeProgrammable)器件，即，所述一次可编程器件为一次可编程的，能够有效的提高保护力度。
[0003]上述一次可编程器件为半导体器件的一种，对于半导体器件来说，半导体器件的制造流程包括晶圆制造和晶圆测试两个重要的工艺流程。所述晶圆制造指的是在晶圆上制造半导体器件，在完成半导体器件的制造之后，晶圆上会形成多个重复的管芯(die);晶圆测试(wafer test)也称为晶圆针测(CP test:Chip Probing Test),在晶圆测试过程中，需要对各管芯进行电性测试，以确保在封装之前，晶圆上的管芯是合格的产品。因此，一次可编程器件的晶圆测试是提高一次可编程器件良率的关键步骤之一。
[0004]然而，现有技术在进行一次可编程器件的晶圆测试时，晶圆测试花费的时间长，导致晶圆测试效率低下，影响半导体器件的生产周期。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题避免将待测晶圆移动至专门的擦除区进行紫外擦除，节约了测试时间，从而提高测试效率，并且避免了在远距离移动待测晶圆过程中造成杂质掉落在待测晶圆上。
[0006]为解决上述问题，本发明提供测试装置，用于一次可编程器件的晶圆测试，包括:测试机，所述测试机用于对待测晶圆的待测管芯进行测试；探针卡，所述探针卡包括探针、以及与探针相邻排列的擦除区，所述探针用于将待测晶圆的待测管芯与测试机电连接，所述擦除区用于对待测晶圆的待测管芯进行测试前擦除或测试后擦除，所述擦除区包括位于探针一侧的第一擦除区、以及位于探针另一侧的第二擦除区。
[0007]可选的，所述第一擦除区、探针、以及第二擦除区位于同一直线上。
[0008]可选的，所述第一擦除区与探针间的距离为第一距离，所述第二擦除区与探针间的距离为第二距离，所述待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离相等。
[0009]可选的，所述第一擦除区和第二擦除区设置有紫外光源，所述紫外光源包括至少一个紫外灯管。
[0010]可选的，还包括:用于设置第一擦除区和第二擦除区工作状态的控制平台。
[0011]本发明还提供一种采用上述测试装置进行晶圆测试的测试方法，包括:提供待测晶圆，所述待测晶圆具有待测管芯；在对所述待测管芯进行测试之前，使所述待测管芯位于第一擦除区下方，对所述待测管芯进行测试前紫外擦除；使所述待测管芯位于探针下方，通过探针将待测管芯与测试机电连接，对所述待测管芯进行测试；在对所述待测管芯进行测试之后，使所述待测管芯位于第二擦除区下方，对所述待测管芯进行测试后紫外擦除。
[0012]可选的，所述待测管芯的数量大于或等于I。
[0013]可选的，所述待测管芯的数量大于或等于3时，所述待测管芯包括依次排列的第一待测管芯、第二待测管芯、第三待测管芯，测试步骤包括:使第一待测管芯位于探针下方，同时使第二待测管芯位于第一擦除区下方；在对第一待测管芯进行测试之后，使第二待测管芯位于探针下方，同时使第一待测管芯位于第二擦除区下方，使第三管芯位于第一擦除区下方；对第二待测管芯进行测试，对第一待测管芯和第三待测管芯进行紫外擦除。
[0014]可选的，所述第一擦除区与探针间的距离为第一距离，所述第二擦除区与探针间的距离为第二距离，所述待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离相等。
[0015]可选的，在对第一待测管芯进行测试之前或之后，第一擦除区对第二待测管芯进行测试前紫外擦除；在对第二待测管芯进行测试之前或之后，第二擦除区对第一待测管芯进行测试后紫外擦除，第一擦除区对第三待测管芯进行测试前紫外擦除。
[0016]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0017]本发明提供一种测试装置，其中，提供包括探针、与探针一侧相邻的第一擦除区、以及与探针另一侧相邻的第二擦除区的探针卡。当待测管芯位于第一擦除区下方时，所述第一擦除区可对待测管芯进行测试前紫外擦除；继续移动待测晶圆或探针卡，使待测管芯位于探针下方时，通过探针可使待测管芯与测试机电连接，从而实现待测管芯的电学性能测试；继续移动待测晶圆或探针卡，使待测管芯位于第二擦除区下方时，所述第二擦除区可对待测管芯进行测试后紫外擦除。由于第一擦除区、探针、以及第二擦除区均位于同一探针卡内，因此测试前紫外擦除后待测晶圆移动很短的距离后，即可对待测管芯进行电学测试，同样的，在对待测管芯进行电学测试之后，待测晶圆移动很短的距离后，即可对待测管芯进行测试后紫外擦除。本发明减少了待测晶圆的移动距离，从而使待测晶圆在测试过程中移动的时间明显减少，进而提高测试效率，提高半导体生产周期。
[0018]进一步，第一擦除区与探针间的距离、第二擦除区与探针间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的相邻待测管芯间的距离相等，从而保证当一待测管芯处于探针下方时，与所述待测管芯相邻的待测管芯分别位于第一擦除区下方和第二擦除区下方；当待测管芯进行电学测试之后，移动该待测管芯到达第二擦除区下方后，第二擦除区可对所述待测管芯进行测试后紫外擦除，且同时可使与所述待测管芯相邻的待测管芯到达探针下方，通过探针可对所述待测管芯进行电学测试。提供的测试装置可适用于具有多个待测管芯的待测晶圆的晶圆测试，进一步减少了测试时间，提高生产周期。
[0019]更进一步，本发明还提供用于设置第一擦除区和第二擦除区工作状态的控制平台，通过所述控制平台可控制第一擦除区或第二擦除区处于紫外擦除状态与否，避免手动控制第一擦除区和第二擦除区工作状态而对操作人员带来辐射等身体损伤。
[0020]本发明还提供一种测试方法，采用上述提供的测试装置进行一次可编程器件的晶圆测试，第一擦除区和第二擦除区可分别用于测试前紫外擦除和测试后紫外擦除，探针用于将待测管芯与测试机电连接以进行电学测试；由于第一擦除区、探针、以及第二擦除区均位于同一探针卡上，将待测管芯从第一擦除区下方移动至探针下方、将待测管芯从探针下方移动至第二擦除区下方的距离短，显著的减小了测试过程中移动待测管芯所需的时间，从而大大的提高了测试效率，缩短了半导体生产周期。
[0021]同时，避免了远距离移动待测晶圆造成杂质掉落在待测晶圆，提高半导体生产良率。
[0022]进一步，本发明提供的测试方法适用于待测管芯的数量大于或等于I的待测晶圆的晶圆测试，相邻待测管芯间的距离、第一擦除区与探针间的距离、第二擦除区与探针间的距离均相等，则保证依次排列的三个待测管芯可分别处于以下状态:位于第一擦除区下方以进行测试前紫外擦除、位于探针下方以进行电学测试、位于第二擦除区下方以进行测试后紫外擦除，将待测管芯沿第一擦除区至第二擦除区方向移动一定距离后，前一状态处于测试后紫外擦除的待测管芯测试结束，前一状态处于电学测试状态的待测管芯移动至第二擦除区下方以进行测试后紫外擦除，前一状态处于测试前紫外擦除状态的待测管芯移动至探针下方以进行电学测试，前一状态未进入测试前紫外擦除状态的待测管芯移动至第一擦除区下方，以进行测试前紫外擦除。本发明可以同时使三个待测管芯处于不同的测试阶段，对于具有多个待测管芯的待测晶圆来说，测试时间明显减少，从而提高了测试效率，缩短生产周期。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为本发明实施例提供的测试装置的结构示意图；
[0024]图2为本发明另一实施例提供的测试装置的结构示意图。
[0025]图3为本发明一实施例提供的待测晶圆的俯视结构示意图；
[0026]图4为本发明一实施例提供的测试方法的流程示意图；
[0027]图5为本发明另一实施例提供的待测晶圆的俯视结构示意图；
[0028]图6为本发明另一实施例提供的测试方法的流程示意图；
【具体实施方式】
[0029]由【背景技术】可知，现有技术对一次可编程器件的晶圆测试效率低，导致半导体器件的生产周期延长。
[0030]针对一次可编程器件的晶圆测试进行研究发现，虽然在实际应用中(对一次可编程器件进行晶圆封装后)一次可编程器件仅为一次可编程的，但是在一次可编程器件的晶圆测试过程中，需要对一次可编程器件的晶圆多次写入信息以进行测试，而在测试之前以及测试之后需要擦除写入一次可编程器件的信息。通常通过紫外照射擦除一次可编程器件内存储的信息，例如，将所述一次性可编程器件从数据“I”写为“0”，需要照射紫外光使之恢复为“I”。
[0031]通常紫外照射有一个专门的紫外擦除区域，需要技术人员(或机械传递设施)将待测晶圆在测试之前或测试之后，搬运至紫外擦除区域进行照射；并且，一般情况下一个测试过程是需要涉及到多次紫外照射的，而采用上述紫外擦除信息的方法，会导致诸多问题，例如，频繁的搬运导致晶圆测试所需的时间过长，测试的效率低；此外，在搬运过程中还容易导致杂质落在待测晶圆上，造成待测晶圆性能失效。
[0032]为此，本发明提供一种测试装置以及测试方法，提供测试机和探针卡，且所述探针卡包括探针、以及与探针相邻排列的擦除区，所述探针用于将待测晶圆的待测管芯与测试机电连接，所述擦除区包括位于探针一侧的第一擦除区、以及位于探针另一侧的第二擦除区。探针一侧的第一擦除区可用于对待测管芯进行测试前紫外擦除，探针另一侧的第二擦除区可用于对待测管芯进行测试后紫外擦除，第一擦除区、探针和第二擦除区均位于同一个探针卡上，本发明显著减少了测试前和测试后紫外擦除所需的时间，避免将待测晶圆移动至专门的紫外擦除区进行紫外照射所花费的时间，从而使得测试效率得到明显提高，有利于降低生产成本。
[0033]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0034]本实施例提供一种测试装置，用于一次可编程器件的晶圆测试，请参考图1，所述测试装置包括:
[0035]测试机(未图示)，所述测试机用于对待测晶圆的待测管芯进行测试；
[0036]探针卡100，所述探针卡100包括探针102、以及与探针102相邻排列的擦除区，所述探针102用于将待测晶圆的待测管芯与测试机电连接，所述擦除区用于对待测晶圆的待测管芯进行测试前擦除或测试后擦除，所述擦除区包括位于探针102 —侧的第一擦除区101、以及位于探针102另一侧的第二擦除区103。
[0037]以下将详细描述本实施例提供的测试装置。
[0038]第一擦除区101、探针102、以及第二擦除区103处于同一直线上。对于具有一个待测管芯的待测晶圆来说，第一擦除区101或第二擦除区103用于测试前紫外擦除或测试后紫外擦除，当第一擦除区101、探针102、以及第二擦除区103处于同一直线上时，待测管芯从第一擦除区101移动至探针102的距离、从探针102移动至第二擦除区103的距离之和最小，从而使移动待测晶圆或探针卡100的时间最短，最大限度的减少测试所需的时间，提高测试效率。
[0039]并且，本实施例中，第一擦除区101与探针102间的距离为第一距离，第二擦除区103与探针102间的距离为第二距离，待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离相等；可根据实际待测试的相邻待测管芯间的距离设定第一擦除区101与探针102间的距离、第二擦除区103与探针102间的距离。本实施例第一擦除区101、探针102、以及第二擦除区103的位置设定的好处在于:
[0040]第一擦除区101与探针102间的距离、第二擦除区103与探针102间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的相邻待测管芯间的距离相等，则待测晶圆中依次排列的三个待测管芯在同一时刻可依次位于第一擦除区101下方、探针102下方、以及第二擦除区103下方，分别对待测管芯进行测试前紫外擦除、电学测试、以及测试后紫外擦除；而将待测晶圆移动一定距离后，所述距离和第一擦除区101与探针102间的距离相等，则之前进行测试前紫外擦除过的待测管芯移动至探针102下方，之前进行电学性能测试的待测管芯移动至第二擦除区103下方，仅需移动很短的距离，即可进行下一个待测管芯的电学性能测试，以及相邻待测管芯的测试前紫外擦除、测试后紫外擦除。对于有多个待测管芯的待测晶圆来说，显著的减少了测试前紫外擦除时间或测试后紫外擦除时间，从而大大的提高了测试效率。并且，采用本实施例提供的测试装置进行测试时，可明显减少待测晶圆的移动距离，从而大大的减小了杂质掉落在待测晶圆表面的概率，提闻了半导体生广良率。[0041]所述第一擦除区101和第二擦除区103设置有紫外光源，所述紫外光源包括至少一个紫外灯管。当紫外灯管处于开启状态时，第一擦除区101或第二擦除区103可实施擦除功能；当紫外灯管处于关闭状态时，第一擦除区101或第二擦除区103停止紫外照射，避免紫外照射对电学性能测试造成不良影响。
[0042]作为一个实施例,所述紫外灯管的规格为50mw/cm2至200mw/cm2。
[0043]为了控制第一擦除区101和第二擦除区103的工作状态，本实施例的测试装置还包括:用于设置第一擦除区101和第二擦除区103工作状态的控制平台。通过控制平台控制信息的改变，控制第一擦除区101或第二擦除区103为处于紫外照射状态或关闭状态。
[0044]还需要说明的是，本实施例以探针卡100具有一个探针102做示范性说明，在其他实施例中，探针卡具有多个探针，例如，2个、3个或5个,则探针卡上每个探针相邻一侧具有擦除区，探针另一侧也具有擦除区。以下以探针卡具有3个探针做示范性说明。当待测晶圆具有多行排列的待测管芯时，探针卡具有多个探针，可以使晶圆测试更快捷。
[0045]请参考图2，图2为本发明另一实施例提供的测试装置的结构示意图，所述测试装置包括探针卡300，所述探针卡300包括3个探针，为第一探针301、第二探针302、第三探针303 ；
[0046]第一探针301 —侧具有第一擦除区311，第一探针301另一侧具有第二擦除区312 ;第二探针302 —侧具有第三擦除区321，第二探针302另一侧具有第四擦除区322 ;第三探针303 —侧具有第五擦除区331，第三探针303另一侧具有第六擦除区332。
[0047]上述测试装置可用来对待测晶圆进行测试，所述待测晶圆包括第一行排列的待测管芯、第二行排列的待测管芯、以及第三行排列的待测管芯。
[0048]所述第一擦除区311、第一探针301、以及第二擦除区312处于同一直线上，且第一擦除区311与第一探针301间的距离、第一探针301与第二擦除区312间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的第一行排列的相邻待测管芯间的距离相等；第一擦除区311与第一探针301间的距离、第二擦除区312与第一探针301间的距离可根据第一行待测管芯间的距尚来设置。
[0049]所述第三擦除区321、第二探针302、以及第四擦除区322处于同一直线上，且第三擦除区321与第二探针302间的距离、第二探针302与第四擦除区322间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的第二行排列的相邻待测管芯间的距离相等；第三擦除区321与第二探针302的距离、第四擦除区322与第二探针302间的距离可根据第二行待测管芯间的距离
来设置。
[0050]所述第五擦除区331、第三探针303、以及第六擦除区332处于同一直线上，且第五擦除区331与第三探针303间的距离、第三探针303与第六擦除区332间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的第三行排列的相邻待测管芯间的距离相等；第五擦除区331与第三探针303的距离、第六擦除区332与第三探针303间的距离可根据第三行待测管芯间的距离来设置。
[0051]综上，本发明提供的测试装置的技术方案具有以下优点:
[0052]首先，本发明提供包括探针、与探针一侧相邻的第一擦除区、以及与探针另一侧相邻的第二擦除区的探针卡。当待测管芯位于第一擦除区下方时，所述第一擦除区可对待测管芯进行测试前紫外擦除；继续移动待测晶圆或探针卡，使待测管芯位于探针下方时，通过探针可使待测管芯与测试机电连接，从而实现待测管芯的电学性能测试；继续移动待测晶圆或探针卡，使待测管芯位于第二擦除区下方时，所述第二擦除区可对待测管芯进行测试后紫外擦除。由于第一擦除区、探针、以及第二擦除区均位于同一探针卡内，因此测试前紫外擦除后待测晶圆移动很短的距离后，即可对待测管芯进行电学测试，同样的，在对待测管芯进行电学测试之后，待测晶圆移动很短的距离后，即可对待测管芯进行测试后紫外擦除。本发明减少了待测晶圆的移动距离，从而使待测晶圆在测试过程中移动的时间明显减少，进而提闻测试效率，提闻半导体生广周期。
[0053]其次，第一擦除区与探针间的距离、第二擦除区与探针间的距离相等，且所述距离与待测晶圆的相邻待测管芯间的距离相等，从而保证当一待测管芯处于探针下方时，与所述待测管芯相邻的待测管芯分别位于第一擦除区下方和第二擦除区下方；当待测管芯进行电学测试之后，移动该待测管芯到达第二擦除区下方后，第二擦除区可对所述待测管芯进行测试后紫外擦除，且同时可使与所述待测管芯相邻的待测管芯到达探针下方，通过探针可对所述待测管芯进行电学测试。提供的测试装置可适用于具有多个待测管芯的待测晶圆的晶圆测试，进一步减少了测试时间，提高生产周期。
[0054]再次，本发明还提供用于设置第一擦除区和第二擦除区工作状态的控制平台，通过所述控制平台可控制第一擦除区或第二擦除区处于紫外擦除状态与否，避免手动控制第一擦除区和第二擦除区工作状态而对操作人员带来辐射等身体损伤。
[0055]相应的，本发明还提供一种测试方法，包括:
[0056]提供待测晶圆，所述待测晶圆具有待测管芯；
[0057]在对所述待测管芯进行测试之前，使所述待测管芯位于第一擦除区下方，对所述待测管芯进行测试前紫外擦除；
[0058]使所述待测管芯位于探针下方，通过探针将待测管芯与测试机电连接，对所述待测管芯进行测试；
[0059]在对所述待测管芯进行测试之后，使所述待测管芯位于第二擦除区下方，对所述待测管芯进行测试后紫外擦除。
[0060]以下将结合附图详细描述本发明提供的测试方法。
[0061]作为一个实施例，待测晶圆110具有一个待测管芯111时，请结合参考图1、图3及图4，图3为待测晶圆110的俯视结构示意图，图4为本实施例提供的测试方法的流程示意图，测试方法包括以下步骤:
[0062]步骤S101、使所述待测管芯111位于第一擦除区101下方，对所述待测管芯111进行测试前紫外擦除。
[0063]具体的，可以通过移动待测管芯111，使待测管芯111位于第一擦除区101下方，或者移动探针卡100，使探针卡100内的第一擦除区101位于待测管芯111上方，使得第一擦除区101可以对待测管芯111进行紫外照射，从而实现测试前的紫外擦除功能。
[0064]通过控制平台设置第一擦除区101的工作状态，在待测管芯111位于第一擦除区101下方之前，使第一擦除区101处于关闭状态，在待测管芯111位于第一擦除区101下方之后，使第一擦除区101处于紫外照射状态，对待测管芯111进行紫外照射，擦除待测管芯111内存储的信息；在擦除待测管芯111内存储的信息之后，再次使第一擦除区101处于关闭状态。[0065]作为一个实施例，第一擦除区101设置有紫外光源，所述紫外光源包括至少一个紫外灯管，第一擦除区101对待测管芯111进行紫外照射的时间为500秒至700秒。
[0066]本发明通过控制平台设置第一擦除区101的工作状态，减少第一擦除区101处于紫外照射状态对操作人员的辐射影响。
[0067]步骤S102、使所述待测管芯111位于探针102下方，通过探针102将待测管芯111与测试机连接，对所述待测管芯111进行测试。
[0068]具体的，通过移动待测管芯111，或移动探针卡100，使待测管芯111位于探针102下方，通过探针102与待测管芯111进行电学连接，探针卡100与测试机电学连接，从而实现通过测试机对待测管芯111进行电学测试的目的。
[0069]本实施例中，由于第一擦除区101与探针102位于同一个探针卡100内，第一擦除区101与探针102的距离很近，因此，只需移动很短的距离即可对待测管芯111进行电学性能测试，减少了测试所需的时间，大大的提高了测试效率。
[0070]本实施例中，为了避免第一擦除区101对待测管芯111的电学性能测试造成不良影响，在对待测管芯111进行电学测试时，通过控制平台关闭第一擦除区101，提高测试结果的可靠性。
[0071]步骤S103、在对所述待测管芯111进行测试之后，使所述待测管芯111位于第二擦除区103下方，对所述待测管芯111进行测试后紫外擦除。
[0072]具体的，通过移动待测管芯111，或者移动探针卡100，使待测管芯111位于第二擦除区103下方，第二擦除区103对待测管芯111进行紫外照射，擦除待测管芯111内存储的信息。
[0073]本实施例中，第一擦除区101、探针102和第二擦除区103位于同一直线上，且均位于同一个探针卡100内，因此，将待测管芯111从第一擦除区101下方移动至探针102下方的移动距离短，且从探针102下方移动至第二擦除区103下方的移动距离短，使得测试所需的时间变短，提高了测试效率，并且减小了杂质掉落在待测晶圆110表面的概率。
[0074]而现有技术中，在对待测管芯进行测试之前，需要将待测管芯移动至特定的擦除区进行测试前紫外擦除，所述擦除区与探针卡距离较远，并且在测试结束后，需要再次将待测晶圆移动至特定的擦除区进行测试后紫外擦除，造成测试时间长且效率低下，并且在较远距离内移动待测管芯时，还容易有杂质掉落在待测晶圆表面，造成待测晶圆性能失效。
[0075]本发明提供的测试方法除可应用于具有I个待测管芯的待测晶圆的晶圆测试外，还可以应用于具有多个待测管芯的待测晶圆的晶圆测试，待测管芯的数量大于或等于2。
[0076]以下将以待测晶圆具有4个待测管芯且待测管芯位于同一行排列为例做示范性说明，请结合参考图5及图6,图5为待测晶圆200的俯视结构不意图，图6为本实施例提供的测试方法的流程示意图，所述待测管芯包括依次排列的第一待测管芯201、第二待测管芯202、第三待测管芯203、第四待测管芯204，测试方法包括以下步骤:
[0077]步骤S201、使第一待测管芯201位于第一擦除区101下方，进行第一待测管芯201的测试前紫外擦除。
[0078]具体的，通过移动待测晶圆200，使待测晶圆200的第一待测管芯201位于第一擦除区101下方，或者通过移动探针卡100，使第一擦除区101位于第一待测管芯201的上方，使得第一擦除区101可以对第一待测管芯201进行紫外照射，实现第一待测管芯201的测试前紫外擦除。
[0079]特别的，当第一待测管芯201位于第一擦除区101下方时，第二待测管芯202以及第三待测管芯203未被第一擦除区101覆盖。
[0080]步骤S202、使第一待测管芯201位于探针102下方，同时，使第二待测管芯202位于第一擦除区101下方。
[0081]在对第一待测管芯201进行测试前紫外擦除之后，通过移动待测晶圆200，使第一待测管芯201位于探针102下方，第二待测管芯202位于第一擦除区101下方，或者通过移动探针卡100，使探针102位于第一待测管芯201上方，第一擦除区101位于第二待测管芯202上方。
[0082]需要说明的是，第一擦除区101与探针102间的距离为第一距离，待测晶圆的相邻待测管芯之间的距离为第三距离，即第一待测管芯201与第二待测管芯202间的距离为第
三距离，且第一距离和第三距离相等。这是由于:
[0083]为了防止第一待测管芯201位于探针102下方时，第二待测管芯202还未处于第一擦除区101下方，而造成第一擦除区101无法对第二待测管芯202进行紫外擦除，或者第二待测管芯202位于第一擦除区101下方时，第一待测管芯201还未处于探针102下方，而造成无法通过探针102与测试机电连接而造成无法对第一待测管芯201进行测试。而本实施中，探针102与第一擦除区101间的距离、第一待测管芯201与第二待测管芯202间的距离相等，从而保证第一待测管芯201位于探针102下方时，第二待测管芯202位于第一擦除区101下方。
[0084]由于第一擦除区101与探针102均位于同一个探针卡100内，且第一擦除区101与探针102的距离、与第一待测管芯201与第二待测管芯202间的距离相等，因此，第一擦除区101与探针102间具有较短的距离，移动较短距离的第一待测管芯201或移动探针卡100，即可使第一待测管芯201位于探针102下方，同时第二待测管芯202位于第一擦除区101下方，减少了移动待测晶圆200所需的移动时间，从而大大的提高了晶圆测试的测试效率。
[0085]步骤S203、通过探针102使第一待测管芯201与测试机电连接，对第一待测管芯201进行电学测试；对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除。
[0086]通过第一擦除区101对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除，通过控制平台控制第一擦除区101的工作状态，在需要对第二待测管芯202进行紫外照射时，使第一擦除区101处于紫外照射状态；当第二待测管芯202的信息擦除完毕后，使第一擦除区101处于关闭状态。
[0087]本实施例中，由于第一擦除区101仅位于第二待测管芯202上方，当第一擦除区101处于紫外照射状态时，第一擦除区101仅对第二待测管芯202进行紫外擦除。
[0088]需要说明的是，在对第一待测管芯201进行测试之前或之后，第一擦除区101对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除；也就是说，既可以先对第一待测管芯201进行电学性能测试，后对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除；也可以先对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除，后对第一待测管芯201进行电学性能测试。
[0089]步骤S203完成之后，第一待测管芯201进行了电学性能测试，后续需要对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除，擦除测试过程中写入第一待测管芯201内的信息；第二待测管芯202进行了测试前紫外擦除，为第二待测管芯202进行电学性能测试提供了基础。
[0090]步骤S204、在对所述第一待测管芯201进行测试、且对第二待测管芯202进行测试前紫外擦除之后，使第一待测管芯201位于第二擦除区103下方，同时使第二待测管芯202位于探针102下方，第三待测管芯203位于第一擦除区101下方。
[0091]通过移动第一待测管芯201，或者移动探针卡100，使第一待测管芯201位于第二擦除区103下方；并且，由于探针102与第二擦除区103间的距离为第二距离，待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，即第二待测管芯202与第三待测管芯203间的距离为第三距离，且第二距离与第三距离相等，因此，本实施例中当第一待测管芯201位于第二擦除区103下方时，第二待测管芯202会位于探针102下方，而第三待测管芯203会位于第一擦除区101下方。
[0092]具体的，由于第一擦除区101、探针102、第二擦除区103与第一待测管芯201、第二待测管芯202、第三待测管芯203呈现——对应的关系，当第二待测管芯202处于探针102下方时，第一待测管芯201处于第二擦除区103下方，第三待测管芯203处于第一擦除区101下方。因此，在第一待测管芯201电学测试完毕后，通过移动很短距离的待测晶圆200或探针卡100，即可使第一待测管芯201处于第二擦除区103下方，以便对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除；使第二待测管芯202处于探针102下方，以便通过探针102将第二待测管芯202与测试机电连接，以便对第二待测管芯202进行电学测试；同时使第三待测管芯203处于第一擦除区101下方，以便对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除。
[0093]通过移动很短的距离，即可对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除，对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除，大大的减少了测试时间，提高了测试效率。
[0094]而现有技术中，在对第一待测管芯进行电学性能测试之后，需要分别将第一待测管芯移动至专门的擦除区进行测试后紫外擦除、将第三待测管芯移动至专门的擦除区进行测试前紫外擦除；且所述专门的擦除区与探针卡距离较远，使得上述移动距离远，测试花费时间长，测试效率低下。
[0095]步骤S205、通过探针102将第二待测管芯202与测试机电连接，对第二待测管芯202进行电学测试；对第一待测管芯201和第三待测管芯203进行紫外擦除。
[0096]具体的，第二擦除区103对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除，第一擦除区101对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除。
[0097]通过控制平台设置第一擦除区101的工作状态，在需要对第三待测管芯203进行紫外照射时，使第一擦除区101处于紫外照射状态，进行测试前紫外擦除；通过控制平台设置第二擦除区103的工作状态，在需要对第一待测管芯201进行紫外照射时，使第二擦除区103处于紫外照射状态，进行测试后紫外擦除。所述测试后紫外擦除和测试前紫外擦除可以为同时进行的，也可以为分别进行的。为了进一步提高测试效率，将第一擦除区101和第二擦除区103均处于紫外照射状态，同时对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除，对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除。
[0098]需要说明的是，对第二待测管芯202进行电学性能测试、对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除、对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除，上述三个测试步骤的测试顺序可随意改变。也就是说，在对第二待测管芯202进行测试之前或之后，第二擦除区103对第一待测管芯201进行测试后紫外擦除，第一擦除区101对第三待测管芯203进行测试前紫外擦除。
[0099]例如，在一个实施例中，首先进行第二待测管芯202的电学性能测试，然后进行第一待测管芯201的测试后紫外擦除，第三待测管芯203的测试前紫外擦除；在另一实施例中，首先进行第一待测管芯201的测试后紫外擦除，第三待测管芯203的测试前紫外擦除，然后进行第二待测管芯202的电学性能测试。
[0100]步骤S206、使第二待测管芯202位于第二擦除区103下方，同时第三待测管芯203位于探针102下方，第四待测管芯204位于第一擦除区101下方；对第三待测管芯203进行电学测试，对第二待测管芯202以及第四待测管芯204进行紫外擦除。
[0101]具体的，对第二待测管芯202进行测试后紫外擦除，对第四待测管芯204进行测试前紫外擦除。
[0102]特别的，当待测晶圆包括多个待测管芯时，通过移动待测晶圆或探针卡，进行步骤S201至步骤S205，对每一个待测管芯进行测试前紫外擦除、电学性能测试、测试后紫外擦除，待测晶圆的待测管芯数量越多，测试节约的时间越长，测试的有益效果越显著。
[0103]需要说明的是，在其他实施例中，待测晶圆包括多行排列的待测管芯时，既可采用图1所示的测试装置进行测试，也可以采用图2所示的测试装置进行测试。具体的，采用图1所示的测试装置进行测试时，依次对每一行排列的待测管芯进行步骤S201至步骤S205所示的测试过程。
[0104]采用图2所示的测试装置进行测试时，提供的测试装置的探针卡的探针数量与待测管芯的行数相同，且每一行探针与相邻擦除区间的距离与对应行的相邻待测管芯间的距离相等，测试步骤可参考图6提供的步骤S201至步骤S205提供的测试步骤，在此不再赘述。
[0105]综上，本发明提供的测试方法的技术方案具有以下优点:
[0106]首先，采用上述提供的测试装置进行一次可编程器件的晶圆测试，第一擦除区和第二擦除区可分别用于测试前紫外擦除和测试后紫外擦除，探针用于将待测管芯与测试机电连接以进行电学测试；由于第一擦除区、探针、以及第二擦除区均位于同一探针卡上，将待测管芯从第一擦除区下方移动至探针下方、将待测管芯从探针下方移动至第二擦除区下方的距离短，显著的减小了测试过程中移动待测管芯所需的时间，从而大大的提高了测试效率，缩短了半导体生产周期。
[0107]其次，本发明提供的测试方法适用于待测管芯的数量大于或等于I的待测晶圆的晶圆测试，相邻待测管芯间的距离、第一擦除区与探针间的距离、第二擦除区与探针间的距离均相等，则保证依次排列的三个待测管芯可分别处于以下状态:位于第一擦除区下方以进行测试前紫外擦除、位于探针下方以进行电学测试、位于第二擦除区下方以进行测试后紫外擦除，将待测管芯沿第一擦除区至第二擦除区方向移动一定距离后，前一状态处于测试后紫外擦除的待测管芯测试结束，前一状态处于电学测试状态的待测管芯移动至第二擦除区下方以进行测试后紫外擦除，前一状态处于测试前紫外擦除状态的待测管芯移动至探针下方以进行电学测试，前一状态未进入测试前紫外擦除状态的待测管芯移动至第一擦除区下方，以进行测试前紫外擦除。本发明可以同时使三个待测管芯处于不同的测试阶段，对于具有多个待测管芯的待测晶圆来说，测试时间明显减少，从而提高了测试效率，缩短生产周期。[0108]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种测试装置，用于一次可编程器件的晶圆测试，其特征在于，包括: 测试机，所述测试机用于对待测晶圆的待测管芯进行测试； 探针卡，所述探针卡包括探针、以及与探针相邻排列的擦除区，所述探针用于将待测晶圆的待测管芯与测试机电连接，所述擦除区用于对待测晶圆的待测管芯进行测试前擦除或测试后擦除，所述擦除区包括位于探针一侧的第一擦除区、以及位于探针另一侧的第二擦除区。
2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述第一擦除区、探针、以及第二擦除区处于同一直线上。
3.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述第一擦除区与探针间的距离为第一距离，所述第二擦除区与探针间的距离为第二距离，所述待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离相等。
4.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述第一擦除区和第二擦除区设置有紫外光源，所述紫外光源包括至少一个紫外灯管。
5.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，还包括:用于设置第一擦除区和第二擦除区工作状态的控制平台。
6.一种采用如权利要求1至5所述任一项测试装置进行晶圆测试的测试方法，其特征在于，包括: 提供待测晶圆，所述待测晶圆具有待测管芯； 在对所述待测管芯进行测试之前，使所述待测管芯位于第一擦除区下方，对所述待测管芯进行测试前紫外擦除； 使所述待测管芯位于探针下方，通过探针将待测管芯与测试机电连接，对所述待测管芯进行测试； 在对所述待测管芯进行测试之后，使所述待测管芯位于第二擦除区下方，对所述待测管芯进行测试后紫外擦除。
7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述待测管芯的数量大于或等于I。
8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述待测管芯的数量大于或等于3时，所述待测管芯包括依次排列的第一待测管芯、第二待测管芯、第三待测管芯，测试步骤包括: 使第一待测管芯位于探针下方，同时使第二待测管芯位于第一擦除区下方； 在对第一待测管芯进行测试之后，使第二待测管芯位于探针下方，同时使第一待测管芯位于第二擦除区下方，使第三管芯位于第一擦除区下方； 对第二待测管芯进行测试，对第一待测管芯和第三待测管芯进行紫外擦除。
9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述第一擦除区与探针间的距离为第一距离，所述第二擦除区与探针间的距离为第二距离，所述待测晶圆的相邻待测管芯间的距离为第三距离，且第一距离、第二距离和第三距离相等。
10.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，在对第一待测管芯进行测试之前或之后，第一擦除区对第二待测管芯进行测试前紫外擦除；在对第二待测管芯进行测试之前或之后，第二擦除区对第一待测管芯进行测试后紫外擦除，第一擦除区对第三待测管芯进行测试前紫外擦除。
【文档编号】G01R31/26GK103869232SQ201410081192
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年3月6日 优先权日:2014年3月6日
【发明者】桂伟, 索鑫 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司