含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路的制作方法

文档序号:11987152阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,包括霍尔元件H1、DRV411集成芯片U3、运算放大器U2、稳压三极管U1、三极管Q1、三极管Q2、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电容C3、电容C4,所述霍尔元件H1连接DRV411集成芯片U3,所述DRV411集成芯片U3的14管脚和15管脚都连接地信号GND,所述DRV411集成芯片U3的13管脚通过电容C3连接地信号GND,所述DRV411集成芯片U3的13管脚连接稳压三极管U1的3管脚,所述稳压三极管U1的2管脚连接地信号GND,所述稳压三极管U1的1管脚连接电源VCC,所述DRV411集成芯片U3的12管脚连接DRV411集成芯片U3的7管脚,所述DRV411集成芯片U3的12管脚通过电阻R1连接运算放大器U2的反向输入端,所述DRV411集成芯片U3的5管脚连接电阻R9的一端,所述电阻R9的另一端通过电阻R8连接DRV411集成芯片U3的4管脚,所述运算放大器U2的同向输入端通过电阻R2连接DRV411集成芯片U3的11管脚,所述运算放大器U2的输出端连接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极,所述三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极,所述三极管Q2的集电极通过电阻R11连接地信号GND,所述运算放大器U2的同向输入端连接电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端通过电容C4连接三极管Q1的发射极,所述三极管Q1的集电极通过电阻R5连接电源VCC,所述三极管Q1的发射极通过二极管D1连接电源VCC,所述三极管Q1的发射极通过二极管D3连接负电源VDD,所述三极管Q1的发射极通过电感L1连接二极管D2的正极,所述二极管D2的负极连接电源VCC,所述二极管D2的正极通过二极管D4连接负电源VDD,所述二极管D2的正极为输出端。

2.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,还包括电阻R4、电阻R10,所述电阻R4与电阻R11相并联,所述电阻R10与电阻R11相并联。

3.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,还包括电阻R6、电阻R7,所述电阻R6、电阻R7都与电阻R5相并联。

4.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,还包括电容C1,所述负电源VDD通过电容C1连接地信号GND。

5.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,还包括电容C2,所述电源VCC通过电容C2连接地信号GND。

6.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征 在于,所述负电源VDD为-12~-18V。

7.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,所述电源VCC为12~18V。

8.根据权利要求1所述含有DRV411集成芯片的闭环霍尔电流传感器电路,其特征在于,所述三极管Q1为NPN三极管,所述三极管Q2为PNP三极管。

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