1.一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：由宽带光源(1)，单模光纤(2)，第一光纤光栅(3)，第二光纤光栅(4)，毛细石英玻璃管(5)，磁流体(6)，环氧树脂(7)，微位移平台(8)，磁场发生器(9)，光谱仪(10)组成；宽带光源(1)通过单模光纤(2)与第一光纤光栅(3)左端相连；第一光纤光栅(3)，第二光纤光栅(4)，毛细石英玻璃管(5)，磁流体(6)和环氧树脂(7)共同构成了磁敏感探头，其中第一光纤光栅(3)右端与第二光纤光栅(4)左端轴向对准后设置微米量级的间隔置于毛细石英玻璃管(5)内形成非本征F-P谐振腔，毛细石英玻璃管(5)内部填充磁流体(6)两端通过环氧树脂(7)密封；磁敏感探头夹持在微位移平台(8)上，水平置于磁场发生器(9)中部，并通过单模光纤(2)与光谱仪(10)相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的第一光纤光栅(3)和第二光纤光栅(4)由栅区长度10mm～12mm，中心波长为1548nm～1552nm，光栅反射率大于85％，3dB带宽小于0.25nm，边模抑制比大于12dB的光纤光栅等分切割形成。
3.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的第一光纤光栅(3)和第二光纤光栅(4)端面之间的间距为10μm～30μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的磁流体(6)的基液为H2O，纳米Fe3O4颗粒的平均半径为10nm，浓度为1％。
5.根据权利要求1所述的一种基于FBG构建非本征F-P谐振腔和磁流体的磁场传感器，其特征在于：所述的毛细石英玻璃管(5)的内径为127μm～150μm。