本实用新型涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种用于大功率IGBT模块的开尔文测试的测试线。
背景技术：
开尔文测试方法，也叫开尔文四线测试法，是模拟电路测试常用的方法。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种用于大功率IGBT模块的开尔文测试的测试线。
本实用新型的技术方案如下：
一种用于大功率IGBT模块的开尔文测试线，其特征在于：所述测试线包括一个公用接线端子，所述公用接线端子用以连接IGBT模块的测试极，所述公用接线端子引出两个分线，所述两个分线的另一端连接分线接线端子。
可选的，所述公用接线端子为鳄嘴夹式接线端子或是叉式插拔接线端子。
可选的，所述分线接线端子为插片式接线端子或是垫圈式接线端子或是其组合。
本实用新型的技术效果在于：
针对开尔文测试的四线制特点，特别是其中每一对的测试线均需共用一个接线端的特点，以及结合大功率IGBT模块的技术特点，本实用新型的用于大功率IGBT模块的开尔文测试线不但可以减少接线的人工操作步骤，而且还可以避免由于接线操作不精确给测试结果带来负面影响的隐患，使得大功率IGBT模块测试中更简便、更精确；应用范围基本上可以覆盖100A以上的所有大功率IGBT模块测试要求。
附图说明
图1所示为本实用新型的一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。
如图1所示为本实用新型的用于大功率IGBT模块的开尔文测试线的一种实施例的结构示意图。
实际应用中，以3根图示测试线为一组进行测试使用，且使用时，测试线的长度越短越为精确。
测试线包括公用接线端子1，图示为一种叉式插接接线端子结构，除此以外，还可以选择鳄嘴式接线端子或是垫圈式或是插片式接线端子结构。
公用接线端子1通过结合部2分成两根独立的测试分线3和4，其中，测试分线3末端为一垫圈式接线端子5，测试分线4末端为一插片式接线端子6。作为其它可以选择的实施例，接线端子5和6也可以选择其它的接线端子形式。
本实用新型的用于大功率IGBT模块的开尔文测试线中，各线芯采用高导电率的大直径镀银铜芯线缆，线芯外覆绝缘层。