用于检查设备的照射源、检查设备和检查方法与流程

本申请要求享有2016年9月14日提交的ep申请16188816.9的优先权，并且该申请在此通过全文引用的方式并入本文。

本发明涉及一种光刻设备和用于执行测量的方法。特别地，其涉及一种包括在光刻设备中的检查设备，以及特别地其照射源，以及用于采用其执行测量的方法。

背景技术：

光刻设备是将期望图案施加至衬底上、通常至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在该情形中，备选地称作掩模或刻线板的图案化装置可以用于产生将要形成在ic的单个层上的电路图案。该图案可以转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯的一部分)上。应用每个具有特定图案和材料成分的多个层以限定完成产品的功能器件和互连。

在光刻工艺中，频繁地希望对所形成的结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(cd)的扫描电子显微镜，以及用于测量重叠、器件中两个层的对准精确度的专用工具。近期，已经研发了各种形式散射仪用于光刻领域。

已知散射仪的示例通常依赖于提供专用的量测目标。例如，方法可以要求目标形式为足够大以便测量束产生小于光栅的光斑(也即光栅未填满)的简单光栅。在所谓的重构方法中，可以通过模拟被散射辐射与目标结构的数学模型的相互作用而计算光栅的特性(遍及本文，被散射辐射可以包括由目标所散射、反射或衍射的辐射，取决于所使用的量测方案)。调节模型的参数直至模拟的相互作用产生类似于从真实目标观察到的衍射图案。

除了通过重构测量特征形状之外，可以使用该设备测量基于衍射的重叠，如在已公开专利申请us2006066855a1中所述。使用衍射阶量的暗场成像的基于衍射的重叠量测法使能对较小的目标进行重叠测量。这些目标可以小于照射光斑且可以由晶片上的产品结构所围绕。暗场成像量测的示例可以在数个已公开专利申请中找到，诸如例如us2011102752a1和us20120044470a。可以使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。已知的散射仪倾向于使用在可见或近红外波范围中的光，这要求光栅的间距比实际上对其特性感兴趣的真实的产品结构远远更粗。该产品特征可以使用具有远远更短波长的深紫外(duv)或极紫外(euv)辐射限定。不幸地，这些波长通常可不应用或不可用于量测。

另一方面，现代产品结构的尺寸如此小以便它们无法由光学量测技术成像。小特征包括例如由多重图案化工艺、和/或间距倍乘所形成的那些。因此，用于高容量量测的目标通常使用远大于产品的特征，产品的重叠误差或临界尺寸是感兴趣特性。测量结果仅间接地与真实产品结构的尺寸相关，并且可以是不精确的，因为量测目标并未经受在光刻设备中光学投影之下的相同失真，和/或制造工艺的其他步骤中的不同加工。尽管扫描电子显微镜(sem)能够直接地分辨这些现代产品结构，sem比光学测量耗时远远更多。此外，电子无法穿透厚的工艺层，这使得它们不太适用于量测应用。其他技术诸如使用接触焊垫测量电特性也是已知的，但是其仅提供了真实产品结构的间接证据。

通过减小在量测期间使用的辐射的波长(也即朝向“软x射线”(sxr)波长谱移动)，能够分辨更小的结构，以提高对于结构的结构变化的灵敏度和/或进一步穿透至产品结构中。软x射线辐射可以定义为具有在1nm至50nm范围内波长的辐射。使用软x射线辐射的问题在于，其可以导致增大在目标区域上测量光斑的模糊。这是由于将测量辐射聚焦至目标区域上的光斑上的反射光学元件的“倾斜误差”。倾斜误差在软x射线区域中特别成问题，因为根据入射在表面上的辐射的波长而描述光学表面的表面平坦性；对于更小的波长远远更难以实现可接受的表面平坦性。测量光斑的模糊是重要的问题，因为重要的是，照射仅照射目标区域而非其周围环境。测量光斑的其他问题例如包括其分布以及其定位的精确度。

技术实现要素：

希望改进量测应用中的测量光斑聚焦。

备选地或额外地，希望以改进的方式改进测量辐射的一个或多个参数的控制。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于测量衬底上的目标结构的检查设备，包括：用于产生测量辐射的照射源；用于将测量辐射聚焦至所述目标结构上的光学装置，光学装置包括被设置用于以掠入射接收所述测量辐射的至少一个光学元件；以及可操作为空间调制测量辐射的波前以便于补偿所述光学装置中非均匀制造缺陷的补偿光学装置。

根据本发明的第二方面，提供了一种测量衬底上的目标结构的方法，包括：空间调制测量辐射的波前以补偿在包括一个或多个光学元件的光学装置中的非均匀制造缺陷；使用所述光学装置将测量辐射聚焦至所述目标结构上以便至少一个光学元件以掠入射接收测量辐射，由此采用测量辐射照射目标结构；检测由采用测量辐射照射目标导致的被散射辐射；以及处理检测到的被散射辐射以确定与所述目标结构相关的测量。

根据本发明的第三方面，提供了一种用于产生高阶谐波辐射的照射源，包括：高阶谐波产生介质；泵浦辐射源，其发射泵浦辐射束用于激励所述高阶谐波产生介质以产生所述高阶谐波辐射；以及可操作用以在其激励所述高阶谐波产生介质之前空间调制泵浦辐射束的波前的补偿光学装置。

以下参照附图详细描述本发明的其他方面、特征和优点，以及本发明的各个实施例的结构和操作。注意，本发明不限于在此所述的具体实施例。在此仅为了示意说明目的展示这些实施例。基于在此所包含的教导，额外的实施例对于相关领域技术人员将是明显的。

附图说明

现在将仅借由示例的方式参照示意性附图描述本发明的实施例，其中对应的参考符号指示对应的部件，以及其中：

图1描绘了一种光刻设备；

图2描绘了其中可以使用根据本发明的检查设备的光刻单元或集群；

图3示意性说明了根据本发明的一个实施例的适用于执行已知暗场成像检查方法的检查设备；

图4示意性说明了根据本发明的一个实施例的用于量测设备的照射装置；

图5示意性说明了根据本发明的第一实施例的使用hhg源的量测设备；

图6示意性说明了根据本发明的第二实施例的使用hhg源的量测设备；

图7示意性说明了根据本发明的另一实施例的使用hhg源的量测设备的细节；以及

图8示意性说明了根据本发明实施例的hhg源的细节。

具体实施方式

在详细描述本发明的实施例之前，展示其中可以实施本发明的实施例的示例性环境是有益的。

图1示意性描绘了光刻设备la。设备包括配置用于调节辐射束b(例如uv辐射或duv或euv辐射)的照射系统(照射器)il，构造用于支撑图案化装置(例如掩模)ma并连接至配置用于根据某些参数精确地定位图案化装置的第一定位器pm的图案化装置支座或支撑结构(例如掩模操作台)mt；每个构造用于保持衬底(例如涂覆了抗蚀剂的晶片)w且每个连接至配置用于根据某些参数精确地定位衬底的第二定位器pw的两个衬底操作台(例如晶片操作台)wta和wtb；以及被配置用于将由图案化装置ma赋予辐射束b的图案投影至衬底w的目标部分c(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射投影透镜系统)ps。参考坐标系rf连接各个部件，并用作用于设置并测量图案化装置和衬底以及其上特征的位置的参考。

照射系统可以包括用于引导、定形或控制辐射的各种光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型光学部件、或者其任意组合。

图案化装置以取决于图案化装置的朝向、光刻设备的设计、以及其他条件诸如例如图案化装置是否保持在真空环境中的方式保持图案化装置。图案化装置支座可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术以保持图案化装置。图案化装置支座mt可以是框架或操作台，例如，如果需要的话其可以是固定或可移动的。图案化装置支座可以确保图案化装置处于期望的位置，例如相对于投影系统。

在此使用的术语“图案化装置”应该广义地解释为涉及可以用于在其截面中赋予辐射束图案以便于在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应该注意，赋予辐射束的图案可以不确切地对应于衬底的目标部分中的期望图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于形成在目标部分中的器件中的特定功能层，诸如集成电路。

如在此所示，设备是透射式类型(例如采用透射式图案化装置)。备选地，设备可以是反射式类型(例如采用如上所述类型的可编程镜面阵列，或者采用反射式掩模)。图案化装置的示例包括掩模、可编程镜面阵列、以及可编程lcd面板。在此术语“刻线板”或“掩模”的任何使用可以视作与更常用术语“图案化装置”含义相同。术语“图案化装置”也可以解释为涉及存储了数字形式的图案信息以用于控制该可编程图案化装置的装置。

在此使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任何类型投影系统，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统、或者其任意组合，如对于所使用曝光辐射、或者对于其他因素诸如沉浸液体的使用或真空的使用合适的。在此术语“投影透镜”的任何使用可以视作与更常用术语“投影系统”含义相同。

光刻设备也可以是其中可以由具有相对较高折射率的液体例如水覆盖衬底的至少一部分以便于填充投影系统和衬底之间空间的类型。沉浸液体也可以施加至光刻设备中其他空间，例如，在掩模和投影系统之间。沉浸技术在本领域广泛已知用于增大投影系统的数值孔径。

在操作中，照射器il从辐射源so接收辐射。源和光刻设备可以是分立实体，例如当源是受激准分子激光器时。在该情形中，源并未被视作形成光刻设备的一部分且辐射束借助于包括例如合适的引导镜面和/或扩束器的光束输送系统而从源so传至照射器il。在其他情形中源可以是光刻设备的整体成型部分，例如当源是汞灯时。源so和照射器il、如果需要的话与束输送系统bd一起可以称作辐射系统。

照射器il可以例如包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器ad，积分器in以及聚光器co。照射器可以用于调节辐射束，以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束b入射在保持于图案化装置支座mt上的图案化装置ma上，并由图案化装置图案化。通过横越图案化装置(例如掩模)ma，辐射束b穿过将束聚焦至衬底w的目标部分c上的投影系统ps。借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如干涉法量测装置、线性编码器、2-d编码器或电容性传感器)，可以精确地移动衬底操作台wta或wtb，例如以便于在辐射束b的路径中定位不同的目标部分c。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(图1中未明确地示出)可以用于相对于辐射束b的路径精确地定位图案化装置(例如掩模)ma，例如在从掩模库机械检索之后或者在扫描期间。

图案化装置(例如掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2以及衬底对准标记p1、p2对准。尽管如所示的衬底对准标记占据了专用的目标部分，它们可以位于目标部分之间的空间中(这些已知为划片线对准标记)。类似地，在其中多于一个管芯提供在图案化装置(例如掩模)ma上的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。也可以在管芯内包括小的对准标记，在器件特征之中，在该情形中希望标记仅可能小且除了相邻特征之外无需任何不同的成像或工艺条件。以下进一步描述检测对准标记的对准系统。

所示的设备可以用于各种模式。在扫描模式中，同步地扫描图案化装置支座(例如掩模操作台)mt和衬底操作台wt，此时将赋予辐射束的图案投影至目标部分c上(也即单次动态曝光)。可以由投影系统ps的缩放和图像反转特性确定衬底操作台wt相对于图案化装置支座(例如掩模操作台)mt的速率和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度决定目标部分的高度(沿扫描方向)。其他类型的光刻设备和操作模式是可能的，如本领域广泛已知。例如，已知步进模式。在所谓的“无掩模”光刻中，可编程图案化装置保持固定但是具有变化的图案，并且移动或扫描衬底操作台wt。

也可以采用上述使用模式的组合和/或形变，或者采用完全不同的使用模式。

光刻设备la是所谓的双级类型，其具有两个衬底操作台wta、wtb以及两个站台—曝光站台exp和测量站台mea—在它们之间可以交换衬底操作台。当在曝光站台处曝光一个衬底操作台上的一个衬底时，可以在测量站台处将另一衬底加载至另一衬底操作台上并执行各种准备步骤。这使能显著增加设备的吞吐量。准备步骤可以包括使用水平传感器ls绘制衬底的表面高度轮廓并使用对准传感器as测量衬底上对准标记的位置。如果当其在测量站台处以及在曝光站台处时位置传感器if无法测量衬底操作台的位置，可以提供第二位置传感器以使能在两个站台处相对于参考坐标系rf追踪衬底操作台的位置。其他布置是已知的且替代于所示的双级布置是可使用的。例如，已知其中提供了衬底操作台和测量操作台的其他光刻设备。当执行准备测量时这些码接在一起，并且当衬底操作台经历曝光时随后拆分。

如图2中所示，光刻设备la形成了光刻单元lc、有时也称作光单元或集群的一部分，其也包括用于对衬底执行曝光前和曝光后工艺的设备。传统地这些包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机sc，用于显影已曝光抗蚀剂的显影机de，冷却板ch和烘焙板bk。衬底操纵器或机器人ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同工艺设备之间移动它们，并将它们输送至光刻设备的进料台lb。通常共同地称作轨道的这些装置在轨道控制单元tcu的控制之下，其自身由监管控制系统scs控制，scs也经由光刻控制单元lacu控制了光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化吞吐量和加工效率。

随后将由轨道处理的衬底转移至用于在器件制造工艺内刻蚀以及其他化学或物理处理的其他加工工具。在一些情形中，可以在每个刻蚀或化学/物理处理步骤之后对衬底执行量测。

光刻设备控制单元lacu控制所述各个致动器和传感器的所有移动和测量。lacu也包括信号处理和数据处理能力以实施关于设备操作的期望的计算。在背景技术和权利要求的术语中，这些处理和控制功能的组合简单地称作“控制器”。实际上，控制单元lacu将实现作为许多子单元的系统，每个操纵了实时数据采集、设备内子系统或部件的处理和控制。例如，一个处理子系统可以专用于衬底定位器pw的伺服控制。分立的单元可以甚至操纵粗调和精调致动器或者不同的轴线。另一单元可以专用于位置传感器if的读出。可以由与这些子系统处理单元、与操作者以及与光刻制造工艺中所涉及的其他设备通信的中央处理单元控制设备的整体控制。

图3(a)示意性示出了实施所谓暗场成像量测的检查设备的关键元件。设备可以是独立装置或者包括在例如测量站台处的光刻设备la、或光刻单元lc中。具有遍及设备的数个分支的光轴由虚线o表示。图3(b)中更详细说明了目标光栅结构t和衍射的射线。

如在背景技术部分中所述的现有申请中所述，图3(a)的暗场成像设备可以是替代于或者除了分光镜散射仪之外可以使用的多用途角度分辨散射仪。在该类型的检查设备中，由照射系统12调节由辐射源11发出的辐射。例如，照射系统12可以包括准直透镜系统、滤色器、偏振器、以及孔径装置。已调节辐射允许经由透镜l1、l2的照射路径，以及其中其由部分反射的表面15反射并经由显微物镜16聚焦成衬底w上的光斑s。量测目标t可以形成在衬底w上。透镜16具有高的数值孔径(na)，优选地至少0.9且更优选地至少0.95。可以使用沉浸流体以如果希望的话获得在1之上的数值孔径。多用途散射仪可以具有两个或更多测量分支。额外地，其他光学系统和分支将包括在实际的设备中，例如用于汇集参考辐射用于强度归一化、用于捕捉目标的粗调成像、或聚焦等等。这些的细节可以在上述现有技术公开中找到。为了本公开的目的，仅示出并详细描述了用于暗场成像量测的感兴趣的测量分支。

在包括透镜l2、l4的用于暗场成像的汇集路径中，成像光学系统21在传感器23(例如ccd或cmos传感器)上形成衬底w上的目标的图像。在汇集路径中在平面p’中提供孔径光阑20。平面p’是与物镜16的光瞳面p共轭的平面。光瞳面p可以是与透镜l2距离f2且与透镜l3距离f3的平面，其中f2和f3分别是透镜l2和l3的焦距。孔径光阑20也可以称作光瞳光阑。孔径光阑20可以采取不同形式，正如照射孔径可以采取不同形式。孔径光阑20与透镜16的有效孔径组合确定了使用被散射辐射的什么部分以在传感器23上形成图像。通常，孔径光阑20用于阻挡第零阶衍射束以便形成在传感器23上目标的图像仅由第一阶束形成。在其中组合两个第一阶束以形成图像的示例中，这将是所谓的暗场图像，等价于暗场显微术。然而，在本申请中，一次仅成像第一阶的一个，如以下所述。由传感器23捕捉的图像输出至图像处理器和控制器40，其功能取决于所执行测量的特定类型。为了本发明的目的，执行目标结构的非对称性的测量。非对称性测量可以与目标结构的知识组合以获得用于形成它们的光刻工艺的性能参数的测量。以该方式可以测量的性能参数包括例如重叠、焦点和剂量。

在衬底w上提供量测目标t，这可以是1-d光栅，印刷其以使得在显影之后由固体抗蚀剂线条形成棒条。目标可以是2-d光栅，印刷其以使得在显影之后，光栅由固体抗蚀剂柱体或抗蚀剂中通孔形成。棒条、柱体或通孔可以备选地刻蚀至衬底中。这些光栅的每一个是使用检查设备可以调查其特性的目标结构的示例。

照射系统12的各个部件可以是可调的以在相同设备内实施不同的量测“方案”。除了选择波长(颜色)和偏振作为特定的特征之外，可以调节照射系统12以实施不同的照射分布。因为平面p”与物镜16的光瞳面p以及检测器19的平面共轭，平面p”中照射分布限定了光斑s中入射在衬底w上光的角分布。为了实施不同的照射分布，可以在照射路径中提供孔径装置。孔径装置可以包括安装在可移动滑块或转轮上的不同孔径。其可以备选地包括可编程空间光调制器。作为另一备选例，可以在平面p”中不同位置处布置光纤并选择性地使用以在它们各自位置处输送光或不输送光。在上述文件中讨论并例示了这些形变例。

在第一示例性照射模式中，提供射线30a以便入射角示出为“i”且由目标t反射的零阶射线的路径标注“0”(不应与光轴“o”混淆)。在第二照射模式中，可以提供射线30b，在该情形中入射和反射角将交换。这些照射模式的两者将识别作为离轴照射模式。可以为了不同目的实施许多不同的照射模式。

如在图3(b)中更详细所述，放置作为目标结构示例的目标光栅t以使得衬底w垂直于物镜16的光轴o。在离轴照射分布的情形中，以偏离轴线o的角度撞击在光栅t上照射射线i引起零阶射线(实线0)和两个一阶射线(点链线+1和双点链线-1)。应该记住，采用过填充的小目标光栅，这些射线仅是覆盖了衬底的包括量测目标光栅t和其他特征的区域的许多平行射线之一。因为照射射线30a的光束具有有限的宽度(接纳有效量光所必需)，入射的射线i实际上将占据角度范围，并且衍射的射线0和+1/-1将稍微散开。根据小目标的点扩散函数，每个+1和-1阶衍射将进一步散开在角度范围内，并非如所示的单个理想射线。

也参照图3(a)，在采用射线30a的第一照射模式之下，来自目标光栅的+1阶衍射射线将进入物镜16并对于在传感器23处记录的图像有贡献。当使用第二照射模式时，射线30b以与射线30b相反的角度入射，并且-1阶衍射射线也进入物镜并对于图像有贡献。当使用离轴照射时孔径光阑20阻挡第零阶辐射。如在现有技术公开中所述，可以采用沿x和y方向的离轴照射限定照射模式。

通过比较在这些不同照射模式之下目标光栅的图像，可以获得非对称性测量。备选地，可以通过保持相同照射模式但是旋转目标而获得非对称性测量。尽管示出了离轴照射，可以替代地使用并修改目标的同轴照射，离轴孔径20可以用于实质上仅传递衍射光的一个第一阶至传感器。在另一示例中，在孔径光阑20的平面中使用棱镜，其具有偏转+1和-1阶衍射至传感器23上不同位置以便可以检测并比较它们而无需两个连续图像捕捉步骤的效果。该技术公开在上述已公开专利申请us2011102752a1中，在此通过引用的方式将其内容并入本文。可以在测量中使用第2、第3和更高阶光束(图3中未示出)，替代于或者除了第一阶光束之外。作为另一形变例，离轴照射模式可以保持恒定，而目标自身在物镜16下方旋转180度以使用相反的衍射阶量捕捉图像。

上述技术通常使用具有可变波长的辐射执行。就此而言，散射测量目标具有比衬底上产品结构更大的间距。作为示例，散射测量目标可以具有以微米(μm)为单位测量的目标光栅间距，而相同衬底上的产品结构可以具有以纳米(nm)为单位测量的间距。

该间距差包括在测得重叠与产品结构上真实重叠之间的偏移。偏移至少部分地是由于光刻设备中光学投影失真和/或制造工艺的其他步骤中的不同加工。目前，偏移包括对整体测得重叠相当大的贡献。减小或消除它将因此提高整体重叠性能。

可以研发使用发出在“软x射线”或euv范围辐射的源的量测工具，例如具有在2nm和50nm之间、或在0.1nm和100nm之间、或者在1nm和100nm之间、或在5nm和50nm之间、或在10nm和20nm之间的波长。发出的光谱可以包括13.5nm的波长。该源的示例包括放电产生等离子体源，激光产生等离子体源或高阶谐波产生(hhg)源。hhg源已知能够在发出的光中提供准直光子的大通量(高照度)。

在欧洲专利申请ep152020301、ep16168237、ep16167512中示出并进一步描述了量测应用中使用的hhg源，在此通过全文引用的方式将其并入本文。在量测应用中，该hhg源可以用于(例如)法线入射，非常接近法线入射(例如在从法线10度内)，掠入射(例如在从表面20度内)，任意角度或多个角度(以在单个捕捉中获得更多测量信息)。

为了执行基于衍射的测量，例如用以确定重叠误差或临界尺寸，目标结构可以优选地“未填满”(也即光斑直径小于目标尺寸)。如果增大光斑直径，目标的尺寸必须因此也成比例增大。更大的目标占据衬底表面上更多空间，这在制造环境中是不希望的，因为其例如增大了每个产品的制造成本。尽管希望维持目标尽可能小，也重要的是，测量辐射仅照射目标，而不是其周围环境。借由示例的方式，99.99％的入射测量辐射将在测量期间入射在目标结构上。为了采用小目标实现这点，重要的是，良好控制测量光斑尺寸(由测量辐射所照射的目标区域的尺寸)并适当地聚焦在目标上。

用于在目标结构上聚焦测量辐射的光学元件将不是完美的。特别的问题是由于制造缺陷引起表面的空间-频率调制所导致的“倾斜误差”。倾斜误差的结果是聚焦将是不完美的且测量光斑将经受一些模糊，例如模糊的环或晕可以形成在主聚焦光斑周围。这可以导致一些测量辐射未射中目标结构并侵入周围环境。这些中空间-频率调制与并不影响光斑质量的高空间-频率调制(也即表面粗糙度)相反，其仅影响由于辐射损失的强度；并与低空间-频率调制诸如引入像差的表面误差相反。能够优化光学元件的设计以最小化该像差，例如通过添加补偿像差的额外补偿元件。倾斜误差是无法使用该设计优化减小的随机误差，因为额外的光学元件将仅增大倾斜误差。

当测量辐射比可见辐射的频率更高例如在软x射线区域中时加重了倾斜误差的问题。倾斜误差在软x射线区域中特别成问题，因为根据入射在表面上辐射的波长λ而描述光学元件的表面平坦度(量测平坦表面与真实平面的偏离的表面精确度规范)。在可见区域中，在λ/40的区域中具有表面平坦度的光学元件是易于获得的。但是采用在波长以2个数量级较小区域中(例如在5nm区域中)的波长，其变得更难以实现可比较的表面平坦度。

提出了通过空间调制测量辐射束以补偿引导并聚焦辐射束在衬底上的光学表面的倾斜误差而解决倾斜误差的问题。在一个实施例中，空间调制将调制测量辐射的波前以补偿由这些光学表面施加的波前误差。

在图3(a)中所示的第一实施例中，在检查设备的测量辐射束中直接地提供空间调制。在该实施例中，空间调制可以提供在测量束路径中的任意地方。借由具体示例的方式，空间调制可以提供在测量束路径的平行传播分布处，使用例如补偿光学装置50。与其在束路径中位置无关，补偿光学装置50可以包括空间光调制(slm)装置。

图4示出了用于输送测量辐射至目标的反射装置的细节。图3(a)示出了透射式补偿光学装置50，主要是为了绘图清楚。尽管该透射式补偿光学装置50在本公开的范围内，但是更可能的是，补偿光学装置是反射式的。特别地，当测量辐射包括软x射线辐射时这是必须的。

图4示出了提供测量辐射410的辐射源400，以及用于将测量辐射410引导并聚焦至衬底w上的目标结构t上的光学元件420a、420b。也示出了补偿光学装置430，诸如空间光调制装置(slm)，其为入射在补偿光学装置430上的辐射提供补偿波前失真，这补偿了由光学元件420b和/或光学元件420a赋予的波前失真(倾斜误差)。slm装置可以是空间调制入射辐射的任何合适的装置。借由示例的方式，slm装置可以包括：

可形变镜面—例如可以包括附接至镜面背侧的多个压电致动器的压电可形变镜面。然而，这可以导致大间距以使得它们的控制受限。

数字微镜面装置(dmd)—该装置广泛使用且凹凸不平。使用小像素也使能精细控制。然而，该装置包括二元(开/关)系统：如果像素“关断”其将不反射任何光穿过系统且传播的光的量将减小。这并非是具有可形变镜面的情形，在该情形中调节相位。也翻转镜面以“导通”或“关断”，通常在+/-12度范围内。在掠入射区域中，这将意味着一个像素的阴影在下一个像素之上遮蔽。

基于微机电系统(mems)的可形变镜面。这些是具有大约300-400μm典型间距的标准元件。当对于倾斜误差的典型空间频率近似1mm时，在该数值之下的间距使得精细控制可能。亚nm高度台阶也是可能的。

当测量辐射是高能/软x射线辐射时，其可以使得slm装置可以要求特殊的反射涂层诸如例如铱、钌或金。也可以为了掠入射(例如相对于表面近似15度)修改并定制slm装置的尺寸。

图5说明了根据一个备选实施例的辐射源630和测量装置。在图5的示例中，辐射源630是用于基于高阶谐波产生(hhg)技术产生euv辐射的hhg源。辐射源630的主要部件是泵浦激光器631和hhg介质，诸如hhg气室632。其他hhg介质可以等同地使用，例如hhg固体表面介质或者空心纤维内的hhg气体。气源634提供合适的气体至气室632，在此其任选地由电源(未示出)电离。泵浦激光器631可以例如是具有光学放大器的基于光纤的激光器，产生持续时间小于每个脉冲1ns(纳秒)的红外辐射的脉冲，脉冲重复频率高达数兆赫兹，如所需要的话。波长可以例如在1μm(1微米)的区域中。激光脉冲作为泵浦(ir激光)辐射束600经由补偿光学装置650而输送至hhg气室632，在此辐射的一部分被转换为更高频率(高达在euv和/或软x射线区域中的频率)。从hhg气室632出现测量辐射束642，包括期望波长或多个波长的相干辐射。

在该实施例中，补偿光学装置650不再直接地调制测量辐射，而是替代地调制第一(激光)辐射束640，第一(激光)辐射束640随后激励hhg气室632以产生测量辐射642。hhg产生的一个特性在于，由于产生过程的本质所致，泵浦辐射束640的特性被携带在所产生的hhg辐射束642之上并被复制至其中。一个该特性是波前形状。因此，泵浦辐射束640的空间调制将导致所产生测量辐射642的等同空间调制。

对激光辐射执行调制的优点在于：当红外辐射被调制与软x射线辐射相比时，在可以用于补偿光学装置650的光学部件中存在更大的灵活性。补偿光学装置650可以是以上关于之前实施例已经提及过的任何slm装置。然而，补偿光学装置650不必为了x射线辐射特殊地修改，并且可以使用更传统的液晶技术slm，例如。此外，略入射角不再必须；入射角可以替代地更靠近法线，如图所示，这再次允许使用更传统和更小的slm以及更简单的实施方式。透射式补偿光学装置也是可能的。另一优点在于：现在不存在调制了软x射线测量辐射的补偿光学装置。因为软x射线区域中每个光学装置导致额外的倾斜误差，预期在软x射线区域中具有更少的光学元件以改进结果。此外，补偿光学装置不必操作在检查腔室的真空中，这节省了额外的复杂性。

重要的是，适当地将泵浦辐射束640聚焦在hhg气室632上以产生hhg辐射。可以示出，正被校正的典型倾斜误差是小的(例如以每mm微辐射10s的量级)，并且因此补偿调制仅需要是小的。就此而言，由补偿调制对泵浦辐射束640的任何散焦不应显著影响hhg产生。

测量辐射642可以包含多个波长。如果辐射也是单色的，则可以简化测量计算(重构)，但是hhg更容易产生具有数个波长的辐射。这些是设计选择的问题，并且可以甚至是在相同设备内可选择选项。例如当成像不同材料的结构时，不同波长将提供不同对比度等级。对于金属结构或硅结构的检查，例如，可以选择不同波长以用于成像(碳基)抗蚀剂的特征，或用于检测该不同材料的污染。可以提供一个或多个滤光装置644。例如铝(al)薄膜的滤光器可以用于防止基频ir辐射进一步传至检查设备中。因为基频ir辐射和所发出辐射(sxr束)是共线的，通常需要阻挡驱动辐射以防止其穿过辐射输出并进入真空光学系统。

可以提供光栅以从气室632中产生的那些之中选择一个或多个特殊谐波波长。光束中的一些或全部可以被包含在真空环境内，记住当euv辐射在空气中传播时被吸收。辐射源630的各种部件和照射光学元件可以是可调节的，以在相同设备内实施不同的量测“方案”。例如可以使得不同的波长和/或偏振是可选择的。

从辐射源630，经滤光的光束进入检查腔室，在此由衬底支座616保持包括了感兴趣结构或目标结构的衬底w用于检查。目标结构标注为t。检查腔室内的气氛由真空泵652维持为近似真空，以便软x射线辐射可以穿过而并未穿过气氛过度衰减。照射系统包括用于聚焦辐射成聚焦束656的一个或多个光学元件654，并且可以包括例如二维弯曲的镜面，或一连串(例如成对的)一维弯曲镜面，如在上述现有技术申请中所述。由补偿光学装置650补偿这些光学元件654的倾斜误差。诸如分光镜光栅之类的衍射光栅可以与这些镜面组合，如果希望的话。当投影至感兴趣结构上时，执行聚焦以实现直径在10μm以下的圆形或椭圆光斑。衬底支座616包括例如x-y平移级和旋转级，由此可以使得衬底w的任何部分成为沿期望方向的光束的焦点。随后由检测器660检测从感兴趣结构散射的辐射608。

在上述所有实施例中，设想了补偿光学装置50、430、650可以在校准步骤中调谐。该校准步骤可以优化对于照射系统光学元件的倾斜误差的波前校正并因此最小化测量光斑的模糊。在一个实施例中，这可以通过采用测量光斑尺寸的测量装置替换衬底w并调节补偿光学装置50、430、650直至光斑尺寸最小化而进行。任选地，可以测量照射系统的光学元件的倾斜误差，且使用测量以确定在校准步骤中用于补偿光学装置50、430、650的初始配置。

因为光斑尺寸通常小于检测器的单个像素的尺寸，其可以无法简单地在静态ccd图像上测量。替代地，可以通过使用例如schwarzschild物镜和ccd、使用照射光斑(近似)尺寸的针孔、或使用刀口边缘方法而完全成像光斑从而测量光斑。

设想了该校准步骤是一次性校准：一旦配置了补偿光学装置，则不期望要求进一步调节。可以假设镜面上倾斜误差(在一个实施例中)是随机的，而非静态误差。在一个实施例中，可以在构造期间仅执行校准步骤一次。在其他实施例中，可以必须周期地重复校准步骤，尽管连续校准之间的时间尺度可以是数周或更长。就此而言，需要非实时、闭环控制，如在包括slm的许多系统中可以找到。在其他实施例中，可以执行更多频率重新校准以捕捉倾斜误差的动态分量，例如由于环境效果，其可以包括热形变和镜面表面污染。

在对于任何动态分量更好捕捉并校正的另一备选例中，可以使用分立检测器(例如位于衬底之上并朝下看)实时(例如在制造/衬底检查期间)测量光斑尺寸且在闭环控制回路中使用以控制补偿光学装置50、430、650以便于最小化和/或优化光斑尺寸。

因为为量测所提出照射路径的na相对较低(在0.1以下)，如果slm位于束的平行传播部分中，则所需的波前调制仅随着slm的位置非常逐渐地变化。这使得提案对于补偿光学装置和照射光学元件的相对位置的小变化是强健的。就此而言，在测量期间不要求复杂的光斑监控和反馈系统；随后可以使用在校准步骤中确定的补偿光学装置配置而执行所有后续测量。

参照图5所述的实施例具有比迄今为止所述倾斜误差补偿更大的可适用性，在该实施例中补偿光学装置650位于泵浦激光器631和hhg气室632之间以便于调制泵浦辐射束640。现在将描述用于该设置的许多其他应用。

在第一该应用中，补偿光学装置650可以用作控制回路的一部分以控制目标t上测量辐射束656的定位。由于环境中小变化(例如温度和/或压力)，hhg气室632中泵浦辐射束640的焦点位置可以漂移。该效应已知为hhg源点(测量辐射束656的聚焦点)的指向误差(pointingerror)或位置误差。这包括目标上测量辐射束656的位置中的漂移。这是有问题的，因为光斑应该保持适当地聚焦在目标处。

图6说明了用于实施该控制回路的两个备选装置，通过对测量辐射书656的位置进行测量而直接地校正指向误差的第一装置，以及通过测量hhg气室632中泵浦辐射束640的位置而间接地校正指向误差的第二装置。图6示出了图5的装置的简化描述。尽管以简化方式(为了清楚)描绘，与图5装置的差异仅在于提供束位置检测器670、670’以及控制回路(由箭头671、671’所示)以控制补偿光学装置(或多个装置)650以便于校正指向误差。在该图中，对于束位置检测器670、670’示出了两个(备选)选项。设想的是，实际装置将仅包括这些备选例之一；也即，仅包括束位置检测器670(bpd1)和控制回路671，或者束位置检测器670’(bpd2)和控制回路670’。

首先考虑束位置检测器670(bpd1)实施例，在激光辐射束640从补偿光学装置650反射(或透射穿过)之后，(由分束器669)引导泵浦辐射束640的一小部分以由束位置检测器670采样并测量。泵浦辐射束640的测得束位置如由箭头671所示用作补偿光学装置650的反馈信息。

在第二束位置检测器670’(bpd2)实施例中，在目标t处对测量辐射束656光斑位置进行测量。如前所述，将该测量被反馈至补偿光学装置650(如由箭头671’所示)用于控制。

在任一实施例中，可以计算校正，其校正了任何指向误差(测得束位置相对于期望位置的偏离)。可以使用补偿光学装置650实施该校正以添加波前调制至泵浦辐射束640，这导致指向误差的减小或消除。

在每个情形中，束位置检测器670、670’可以包括例如相机、象限光电检测器(qpd)、或位置灵敏检测器(psd)。该实施例可以与如上所述光斑尺寸测量组合而实施以用于倾斜误差补偿。可以测量光斑尺寸和束位置两者，并且确定对于补偿光学装置650的校正，以便于共同优化并控制光斑尺寸和束位置两者。定位束位置检测器670’以测量衬底上测量辐射束656的位置，相同的光束位置检测器670’也可以用于测量光斑尺寸。

实施检测器670、670’两者并非是必须的；优选的位置将取决于某些设计考虑，例如：

在衬底处(也即使用bpd2670’)测得的位置信息将比在bpd1位置处测得的更精确；然而实施红外泵浦辐射束640的检测比sxr测量辐射束656的检测更容易。

如果指向误差主要或完全地是由于泵浦激光631所致，则使用在bpd1670位置处测得信息进行补偿是非常可行的；

另一方面，如果光斑位置的误差受控于sxr光学器件(例如光学元件654)位置或受其显著影响，则在衬底(bpd2670’)处测量是优选的。

用于调制泵浦辐射束640的第二应用是定形泵浦辐射束640以产生失真测量辐射束656。参照图7描述该应用，其显示了从hhg气室632输送至目标t的测量辐射束656。

对于诸如cd重构之类的应用，需要测量辐射束656相对于目标t处于掠入射角。在目标t上，通常希望圆形的光斑676。因此，两个主轴线x和y需要非常不同的缩放，由于在hhg气室632处束的光束参考坐标系r1与衬底参考坐标系r2的失配所致。进一步，整体系统性能(尤其是在光斑至目标性能方面)可以受益于非圆形对称束分布。这适用于任何配置，并且因此可以适用于近法线入射ovl测量。

为了经由所示的光学系统654在衬底水平处实现所需的光束形状676，光学系统654将必须是完全失真的。取决于入射角，这可以要求完全分立地处理光束的x和y轴线，这倍增了光束中分量的数目(x和y将需要分立的、1d弯曲掠入射镜面组)。这出于许多原因可以是不希望的，包括：

·在该区域中光学器件将是昂贵的；

·光学器件将沿束的z方向是大的(例如200nm)，如果在束路径中需要许多这种元件，引发体积冲突；

·光学元件的表面质量在该区域相对较差：每次反射降低光束质量。

然而，如果在hhg气室632处泵浦激光辐射光斑的形状不是圆形而是椭圆，则可以排除失真光学系统。形成该椭圆束的一个方式是通过使用补偿光学装置650对泵浦辐射束640应用波前调制。补偿光学装置650可以包括spm或一组圆柱透镜或镜面。使用spm的优点是其灵活性：如果衬底w和束656之间角度变化，可以以如此方式调节在hhg气室632处的光斑形状675以在目标上维持所需的光束形状(以及因此圆形或其他期望形状的光斑676)。

在另一应用中，泵浦辐射束640的调制可以用于引发用于无透镜成像的不同照射图案。在诸如图5中所示的无透镜系统中，样本(目标t)和检测器之间不存在成像光学器件。替代地，使用ccd660以便于直接地记录被散射光的强度分布。如果在检测器660的位置处的完全域(幅度和相位)是已知的，则可以重构图像。

然而，光学检测器仅检测被检测辐射的强度(与幅度有关)。不存在直接相位信息，需要引入多样性。这可以例如通过沿着散射束测量在不同传播距离处的幅度、采用不同颜色照射样本等而实现。也能够通过应用不同照射图案而实现多样性。因此，提出使用补偿光学装置650(例如slm)以调制泵浦辐射束640以产生这些不同照射图案。该方案的优点包括：

·可以以毫秒时间尺度改变照射图案；这类似于检测器速度；

·照射图案是确切已知的；这可以帮助重构；

·可以优化照射图案为具体目标结构t以便于优化重构。在该情形中，优化可以是在任何量测方面，例如时间、精确度。

补偿光学装置650也可以用于束定形以便于在测量辐射束656上引发顶帽(或平顶)分布以更好地聚焦至目标。如果不应用调制，则所传播的泵浦辐射束640、以及因此测量辐射束656具有高斯强度分布。为了执行量测，应该将99.99％的测量辐射聚焦至3-4μm的光斑上。

为了采用高斯强度分布实现这点，将需要包括高斯尾部的大部分。更受欢迎的方案将是对于测量辐射束656施加顶帽光束分布，适当地聚焦成期望的光斑尺寸。诸如slm之类的补偿光学装置650可以用于在泵浦辐射束640中形成顶帽分布；该分布随后在测量辐射束656中镜像复制。

在此讨论的、使用补偿光学装置650(诸如slm)以调制泵浦辐射束640的所有应用可以单独地或者以两个或更多的任意组合而实施。为了尽可能简化光学路径，如果在此所公开的前述应用(包括倾斜误差补偿)同时地实施，例如经由单个补偿光学装置650，则这可以是有益的。因为不同的波前调制可以考虑线性叠加，例如赋予该线性叠加的slm的使用使其可能。因此slm可以由控制器控制，该控制器基于在此所公开的对于所有应用和实施例的全部(或子集)的每个所需校正的线性叠加而计算合适的波前调制。

应该注意，当确定波前调制时应该考虑相位匹配。在hhg气室632中相互作用长度范围内，泵浦辐射束640和测量辐射束656之间的相位匹配是重要的，以便于优化从红外至sxr辐射的转化效率。应该知晓，尽管转化效率是重要的，但是更相关的是多少sxr测量辐射真实地聚焦在正确光斑中而不是所产生的总sxr测量辐射。

为了提高与复杂波前的相位匹配，提出可以调谐hhg气室内气体密度分布。例如，可以修改气体流量或气体速度。也可以设计气源以便于调谐气体密度分布，从而对于复杂波前满足相位匹配条件。如果执行适当的校准，则可以使用前馈系统。在图8中概念性说明了该前馈系统，其示出了来自激光源631的泵浦辐射束640由聚焦光学器件682经由补偿光学装置650(例如slm)而聚焦至hhg气室632内的气烟(gasplume)685上。可以使用至气源680的前馈信号684而改变气源680的特性例如气体速度和/或气体流量，由此控制气烟685内气体密度分布。前馈信号684可以基于由补偿光学装置650施加的波前而计算(也即基于补偿光学装置650的编程)以便于实现相位匹配。

在后续编号条款中限定了进一步实施例：

1.一种用于测量衬底上的目标结构的检查设备，包括：

照射源，用于产生测量辐射；

光学装置，用于聚焦测量辐射至所述目标结构上，光学装置包括设置用于以掠入射接收所述测量辐射的至少一个光学元件；以及

补偿光学装置，可操作为空间调制测量辐射的波前以便于补偿所述光学装置中非均匀制造缺陷。

2.如条款1的检查设备，其中所述光学装置中所述非均匀制造缺陷包括光学装置的所述一个或多个光学元件的至少一个的倾斜错误。

3.如条款1或2的检查设备，其中所述补偿光学装置包括空间光调制装置。

4.如条款3的检查设备，其中所述光调制装置包括可形变镜面、数字微镜面装置、或微机电系统中的一个。

5.如之前条款中任一项的检查设备，包括在衬底位置处可操作为测量由测量辐射的聚焦导致的测量光斑的尺寸的测量装置。

6.如条款5的检查设备，可操作为执行初始校准步骤以配置补偿光学装置以便最小化测量光斑的尺寸。

7.如之前条款中任一项的检查设备，其中所述测量辐射包括软x射线或极紫外(euv)辐射。

8.如之前条款中任一项的检查设备，其中所述补偿光学装置位于所述测量辐射的光束中，以便于直接地空间调制所述测量辐射的波前。

9.如条款8的检查设备，其中所述补偿光学装置位于所述测量辐射束的平行传播部分中，在照射源和衬底之间。

10.如条款9的检查设备，其中所述补偿光学装置位于所述检查设备的光瞳面中。

11.如条款8至10中任一项的检查设备，其中所述补偿光学装置包括优化用于反射软x射线和/或极紫外(euv)辐射的涂层。

12.如条款1至7中任一项的检查设备，其中：

所述照射源是高阶谐波产生源，包括高阶谐波产生介质以及发出用于激励所述高阶谐波产生介质的泵浦辐射的泵浦辐射源；以及

所述补偿光学装置可操作为在其激励所述高级谐波产生介质之前空间调制泵浦辐射的波前，从而所述泵浦辐射的波前的空间调制引起所述测量辐射的波前的所述空间调制。

13.如条款12的检查设备，其中所述补偿光学装置位于在泵浦辐射源和高阶谐波产生介质之间的光学路径中。

14.如条款12或13的检查设备，其中所述泵浦辐射包括红外辐射。

15.一种用于产生高阶谐波辐射的照射源，包括：

高阶谐波产生介质；

泵浦辐射源，其发出泵浦辐射的光束以用于激励所述高阶谐波产生介质以产生所述高阶谐波辐射；以及

补偿光学装置，可操作为在其激励所述高阶谐波产生介质之前空间调制泵浦辐射的光束的波前。

16.如条款15的照射源，其中所述补偿光学装置位于在泵浦辐射源和高阶谐波产生介质之间的光学路径中。

17.如条款15或16的照射源，其中所述补偿光学装置包括空间光调制装置。

18.如条款15至17中任一项的照射源，其中空间光调制装置包括可形变镜面、数字微镜面装置、或微机电系统的一个。

19.如条款15至18中任一项的照射源，其中所述泵浦辐射包括红外辐射。

20.如条款15至19中任一项的照射源，其中所述补偿光学装置可操作用以空间调制泵浦辐射束的波前以便于校正所述高阶谐波辐射的光束的位置误差。

21.如条款20的照射源，可操作为：

接收描述光束的焦点位置的位置信号，其中所述光束是泵浦辐射的光束或所述高阶谐波辐射的光束；

基于位置信号确定在泵浦辐射束的波前调制方面的、对于所述光束的焦点位置相对于期望位置的校正；以及

经由补偿光学装置实施校正。

22.如条款21的照射源，包括可操作为测量所述束焦点以便于产生位置信号的位置检测器。

23.如条款22的照射源，其中位置检测器可操作为测量泵浦辐射束的焦点的位置。

24.如条款22的照射源，其中位置检测器可操作为测量高阶谐波辐射的光束的焦点的位置。

25.如条款24的照射源，其中位置检测器进一步可操作为测量高阶谐波辐射的光束的焦点的光斑尺寸，并且照射源进一步可操作为确定所述校正以额外地最小化光斑尺寸。

26.如条款15至25中任一项的照射源，其中所述补偿光学装置可操作为空间调制泵浦辐射的光束的波前以便于在所述泵浦辐射的光束上赋予期望分布，由此在所述高阶谐波辐射的光束上赋予对应的分布。

27.如条款26的照射源，其中所述期望分布包括在所述泵浦辐射束上非圆形截面分布。

28.如条款27的照射源，其中所述非圆形截面分布包括椭圆截面分布，以使得当以掠入射聚焦在所述表面上时由所述照射源所产生的所述高阶谐波辐射的光束在表面上形成圆形光斑。

29.如条款26、27或28的照射源，其中所述期望分布包括在所述泵浦辐射束上平顶分布。

30.如条款15至29中任一项的照射源，其中所述补偿光学装置可操作为空间调制泵浦辐射束的波前以便于在所述泵浦辐射束上赋予变化的照射图案。

31.如条款15至30中任一项的照射源，其中高阶谐波产生介质包括由气源发出的气体，并且照射源可操作为确定用于控制气源的前馈控制信号以便于基于由补偿光学装置施加于泵浦辐射的光束的波前的空间调制而优化在泵浦辐射束与所产生高阶谐波辐射之间的相位匹配。

32.一种用于测量衬底上的目标结构的检查设备，包括：

如条款15至31中任一项所述的照射源，用于产生用于测量所述目标结构的高阶谐波辐射。

33.一种测量衬底上的目标结构的方法，包括：

空间调制测量辐射的波前以补偿在包括一个或多个光学元件的光学装置中非均匀性制造缺陷；

使用所述光学装置将测量辐射聚焦至所述目标结构上，以使得至少一个光学元件以掠入射接收测量辐射，由此采用测量辐射照射目标结构；

检测由于采用测量辐射照射目标导致的散射辐射；以及

处理已检测散射辐射以确定关于所述目标结构的测量。

34.如条款33的方法，其中所述光学装置中所述非均匀制造缺陷包括光学装置的所述一个或多个光学元件的至少一个的倾斜误差。

35.如条款33或34的方法，进一步包括执行初始校准步骤，包括：

测量由测量辐射的聚焦导致的测量光斑的尺寸；以及

配置空间调制以便于最小化测量光斑的尺寸。

36.如条款33至35中任一项的方法，其中所述测量辐射包括软x射线或极紫外(euv)辐射。

37.如条款33至36中任一项的方法，其中所述空间调制测量辐射的波前的步骤包括直接地空间调制所述测量辐射的光束的波前。

38.如条款37的方法，其中所述直接地空间调制所述测量辐射的光束的波前包括空间调制所述测量辐射束的平行传播部分的波前。

39.如条款19至36中任一项的方法，进一步包括：

通过采用泵浦辐射激励高阶谐波产生介质而产生所述测量辐射；以及

其中所述空间调制测量辐射的波前的步骤包括在其激励所述高阶谐波产生介质之前空间调制所述泵浦辐射的波前。

40.如条款39的方法，其中所述泵浦辐射包括红外辐射。

尽管可以在该文本中具体参照在ic的制造中使用检查设备，应该理解在此所述的检查设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将知晓，在该备选应用的情形中，在此术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以分别视作与更常用术语“衬底”或“目标部分”含义相同。可以例如在轨道(通常施加抗蚀剂层至衬底并显影已曝光抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检查工具中在曝光之前或之后处理在此涉及的衬底。其中可应用的，本公开在此可以适用于这些和其他衬底处理工具。进一步，可以多于一次处理衬底，例如以便于形成多层ic，因此在此所使用的术语衬底也可以涉及已经包含了多个已处理层的衬底。

尽管已经在光学光刻的情形中具体参考了本发明实施例的使用，应该知晓，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，以及其中情形允许的，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案化装置中的拓扑限定了形成在衬底上的图案。图案化装置的拓扑可以压入提供至衬底的抗蚀剂层中，通过施加电磁辐射、加热、压力或其组合而固化衬底上的抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后将图案化装置移出抗蚀剂而在其中留下图案。

在此关于光刻设备所使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型电磁辐射，包括紫外(uv)辐射(例如具有为或大约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(euv)辐射(例如具有在1-100nm范围中波长)，以及粒子束诸如离子束或电子束。

其中情形允许的，术语“透镜”可以涉及各种类型光学部件的任意一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

前述具体实施例的说明将完全揭示本发明的普遍性本质以使得他人通过应用在本领域技术人员范围内的知识而容易地对于各种应用修改和/或改变这些具体实施例，并未经受过度实验，并未脱离本发明的一般性概念。因此，这些改变和修改有意设计为在所公开实施例的含义和等价范围内，基于在此所展示的教导和指引。应该理解，在此术语或短语是为了示例描述的目的，而非限定，以使得本说明书的术语或短语应该由本领域技术人员按照教导和指引而解释。

本发明的宽度和范围不应受限于任何上述示例性实施例，而是应该仅根据以下权利要求及其等价形式而限定。