用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体与流程

本申请案主张2016年11月21日提出申请的美国临时专利申请案第62/425,029号的权益，所述美国临时专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

本发明涉及经调制晶片的检验，且更特定来说涉及经调制晶片的敏感度调谐及工艺窗表征。

背景技术：

当前，可通过将晶片上的目标裸片与晶片上的参考裸片进行比较而检测晶片中的缺陷。检验系统通过出于比较目的而拍摄目标及参考裸片的图像来实现此。特定来说，检测缺陷通常涉及执行两个单独比较来产生两个单独结果，一个比较是在目标裸片与参考裸片中的一者之间，且另一比较是在目标裸片与参考裸片中的另一者之间。两个单独比较结果之间的任何类似性通常用作裸片中的缺陷的指示符。接着使用所检测缺陷作为用于考核晶片的设计(例如，确定系统地易于出现缺陷的设计区)且进一步用于表征由用以制作晶片的制造工具使用的工艺窗(例如，制造工具在设计规格内制作晶片的参数)的基础。

现有技术图1展示晶片的传统布局，所述晶片在列102中具有多个目标裸片，每一目标裸片是由参数(例如，聚焦(f)及曝光(e))值的不同组合调制(即，放大)的相同图案，且所述晶片进一步在位于目标裸片的列的两侧上的列104、106中具有多个参考裸片并且每一参考裸片是所述相同图案的标称(即，未经调制)版本。因此，针对列102中的目标裸片中的任何特定一者，可使用来自列104的参考裸片及来自列106的参考裸片来检测特定目标裸片中的缺陷(参见框108)。尽管将参考裸片展示为邻近于目标裸片，但此未必总是如此。举例来说，在其它晶片配置中，用于任何特定目标裸片的参考裸片可为最接近但未必邻近于特定目标裸片的参考裸片。

遗憾地，与上文所描述缺陷检测相关的传统方法涉及低效且因此时间及资源密集型的技术。仅通过实例方式，用于工艺窗表征的当前方法(例如，工艺窗资格认证(pwq)方法)需要众多扫描迭代，包含针对每一裸片的单独测试，所述单独测试进一步涉及针对裸片的每一调制的单独扫描。

为了配合上文所提及的限制，当前方法进一步涉及针对每一调制单独地估计检验敏感度。此可使用初始阈值测定器(finder)(itf)来实现，但在任一情形中需要对每个经调制裸片进行初步扫描来评估经调制裸片的缺陷率且将敏感度指派给经调制裸片，使得基于所指派敏感度而执行对经调制裸片的后续检验扫描

因此，需要解决与现有技术相关联的这些及/或其它问题。

技术实现要素：

在一个实施例中，提供一种用于确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片界定第一关心区区域。另外，基于所述第一关心区区域而执行所述晶片的第一缺陷扫描，且获得所述第一缺陷扫描的结果。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于属性空间，针对所述至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗。此外，依据所述第一缺陷扫描的所述结果且基于所述属性空间，针对所述至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗。另外，基于所述第一标称工艺窗及所述第二标称工艺窗而确定用于所述晶片的预测工艺窗。另外，基于最终关心区而在所述预测工艺窗内执行所述晶片的第二缺陷扫描，且获得所述第二缺陷扫描的结果。此外，依据所述第二缺陷扫描的所述结果，确定用于所述晶片的最终工艺窗。

在另一实施例中，提供一种用于调谐经调制晶片的敏感度的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体。在使用中，从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项：第一裸片，其具有相对于所述多个裸片的调制的低调制；第二裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的中等调制；及第三裸片，其具有相对于所述多个裸片的所述调制的高调制。另外，基于泰勒级数展开函数(taylorseriesexpansionfunction)，从所述第一裸片估计一阶偏移且从所述第二裸片及所述第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移。此外，对所述晶片执行检验，针对经受所述检验的所述晶片的每一裸片：(a)使用从所述第一裸片估计的所述一阶偏移及从所述第二裸片估计的所述二阶偏移来动态地计算与所述裸片中的噪声水平对应的偏移，且(b)将所述动态计算的偏移作为敏感度应用于所述裸片。

附图说明

图1展示根据现有技术的晶片的实例性布局。

图2a展示图解说明非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的方块图，所述非暂时性计算机可读媒体包含可在计算机系统上执行以用于执行本文中所描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令。

图2b是图解说明经配置以检测经制作装置上的缺陷的检验系统的一个实施例的侧视图的示意图。

图3图解说明根据一个实施例的用于确定用于经调制晶片的工艺窗的方法。

图4a到4e图解说明根据另一实施例的图3的方法的第一遍次的实施方案。

图5图解说明根据一个实施例的用于调谐经调制晶片的敏感度的方法。

图6图解说明展示根据另一实施例的多项式模型的图表，通过所述多项式模型而调谐经调制晶片的敏感度。

图7图解说明展示根据另一实施例的线性模型的图表，通过所述线性模型而调谐经调制晶片的敏感度。

具体实施方式

以下说明揭示用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于所述经调制晶片的工艺窗的方法，以及用于执行所述方法的系统及非暂时性计算机可读媒体。应注意，下文所描述的各种实施例可在任何检验系统(例如，晶片检验、光罩检验、激光扫描检验系统等)的上下文中实施，例如下文参考图2b所描述的检验系统。

一个实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以用于执行上文所提及的方法的程序指令。在图2a中展示一个此实施例。特定来说，如图2a中所展示，计算机可读媒体200包含可在计算机系统204上执行的程序指令202。计算机实施方法包含下文参考图5所描述的方法的步骤。程序指令可针对其而执行的计算机实施方法可包含本文中所描述的任何其它操作。

实施例如本文中所描述的那些方法的方法的程序指令202可存储于计算机可读媒体200上。所述计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘或者磁带或此项技术中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。作为一选项，计算机可读媒体200可位于计算机系统204内。

可以包含基于程序的技术、基于组件的技术及/或物件导向的技术以及其它技术的各种方式中的任一者来实施程序指令。举例来说，可视需要使用activex控制项、c++物件、javabeans、微软基础类别(“mfc”)或者其它技术或方法来实施所述程序指令。

计算机系统204可采用各种形式，包含个人计算机系统、图像计算机、主机计算机系统、工作站、网络器具、因特网器具或其它装置。一般来说，术语“计算机系统”可广泛定义为囊括具有一或多个处理器的执行来自存储器媒体的指令的任何装置。计算机系统204还可包含此项技术中已知的任何适合处理器，例如平行处理器。另外，计算机系统204可包含具有高速处理及软件的计算机平台作为独立或联网工具。

额外实施例涉及一种经配置以执行上文所提及的方法的系统。在图2b中展示此系统的一个实施例。所述系统包含经配置以产生针对在晶片(或其它装置)上制作的组件的输出的检验系统205。所述系统还包含经配置以用于执行下文参考图3及5所描述的操作的一或多个计算机系统。一或多个计算机系统可经配置以根据本文中所描述的实施例中的任一者而执行这些操作。所述计算机系统及所述系统可经配置以执行本文中所描述的任何其它操作且可如本文中所描述而进一步配置。

在图2b中所展示的实施例中，计算机系统中的一者为电子自动化设计(ead)工具的一部分，且检验系统以及计算机系统中的另一者并非ead工具的一部分。举例来说，这些计算机系统可包含上文参考图2a所描述的计算机系统204。举例来说，如图2b中所展示，计算机系统中的一者可为包含于ead工具206中的计算机系统208。ead工具206及包含于此工具中的计算机系统208可包含任何可商业购得的ead工具。

检验系统205可经配置以通过用光扫描晶片且在扫描期间从所述晶片检测光而产生针对在所述晶片上制作的组件的输出。举例来说，如图2b中所展示，检验系统205包含光源220，所述光源可包含此项技术中已知的任何适合光源。来自光源的光可被引导到分束器218，所述分束器可经配置以将光从光源引导到晶片222。光源220可耦合到例如一或多个聚光透镜、准直透镜、中继透镜、物镜、光圈、光谱滤光器、偏光组件及类似者的任何其它适合元件(未展示)。如图2b中所展示，可将光以法向入射角度引导到晶片222。然而，可将光以包含近乎法向及倾斜入射的任何适合入射角度引导到晶片222。另外，可将光或多个光束以一个以上入射角度依序或同时引导到晶片222。检验系统205可经配置而以任何适合方式使光在晶片222上方扫描。

来自晶片222的光可在扫描期间由检验系统205的一或多个通道收集并检测。举例来说，以相对接近于法向的角度从晶片222反射的光(即，在入射是法向时镜面反射的光)可通过分束器218从而到达透镜214。透镜214可包含折射光学元件，如图2b中所展示。另外，透镜214可包含一或多个折射光学元件及/或一或多个反射光学元件。由透镜214收集的光可被聚焦到检测器212。检测器212可包含此项技术中已知的任何适合检测器，例如电荷耦合装置(ccd)或另一类型的成像检测器。检测器212经配置以产生响应于由透镜214收集的所反射光的输出。因此，透镜214及检测器212形成检验系统205的一个通道。检验系统205的此通道可包含此项技术中已知的任何其它适合光学组件(未展示)。

由于图2b中所展示的检验系统经配置以检测从晶片222镜面反射的光，因此检验系统205经配置为亮视场(bf)检验系统。然而，此检验系统205还可经配置以用于其它类型的晶片检验。举例来说，图2b中所展示的检验系统还可包含一或多个其它通道(未展示)。其它通道可包含经配置为散射光通道的本文中所描述的光学组件(例如透镜及检测器)中的任一者。透镜及检测器可如本文中所描述而进一步配置。以此方式，检验系统205还可经配置以用于暗视场(df)检验。

检验系统205还可包含经配置以执行本文中所描述的方法的一或多个步骤的计算机系统210。举例来说，上文所描述的光学元件可形成检验子系统205的光学子系统211，所述检验子系统还可包含耦合到光学子系统211的计算机系统210。以此方式，可将由检测器在扫描期间产生的输出提供到计算机系统210。举例来说，计算机系统210可耦合到检测器212(例如，通过在图2b中由虚线展示的可包含此项技术中已知的任何适合传输媒体的一或多个传输媒体)，使得计算机系统210可接收由检测器产生的输出。

检验系统205的计算机系统210可经配置以执行本文中所描述的任何操作。另外，计算机系统210可经配置以执行本文中所描述的任何其它步骤。此外，虽然本文中所描述的操作中的一些操作可由不同计算机系统执行，但方法的所有操作可由单个计算机系统(例如检验系统205的计算机系统或单独计算机系统)执行。另外，所述计算机系统中的一或多者可经配置为虚拟检验器，例如2012年2月28日发布的颁予巴斯卡(bhaskar)等人的第8,126,255号美国专利中所描述的虚拟检验器，所述美国专利如同全面陈述于本文中一般以引用的方式并入。

检验系统205的计算机系统210还可耦合到并非检验系统的一部分的另一计算机系统，例如计算机系统208，所述计算机系统可包含于上文所描述的例如ead工具206的另一工具中，使得计算机系统210可接收由计算机系统208产生的输出(其可包含由所述计算机系统208产生的设计)。举例来说，两个计算机系统可通过共享计算机可读存储媒体(例如晶片厂数据库)而有效地耦合或可通过传输媒体(例如上文所描述的传输媒体)而耦合，使得信息可在两个计算机系统之间传输。

应注意，本文中提供图2b以大体上图解说明可包含于本文中所描述的系统实施例中的检验系统的配置。显然，本文中所描述的检验系统配置可经变更以优化检验系统的性能，如在设计商业检验系统时通常执行。另外，可使用现有检验系统(例如可从科磊(kla-tencor)公司商业购得的29xx/28xx系列工具)(例如，通过将本文中所描述的功能性添加到现有检验系统)来实施本文中所描述的系统。针对一些此类系统，可将本文中所描述的方法作为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)而提供。或者，本文中所描述的系统可“从头开始”设计以提供全新的系统。

图3图解说明根据一个实施例的用于确定用于经调制晶片的工艺窗的方法300。如操作302中所展示，针对具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片而界定第一关心区区域。晶片可如上文参考现有技术图1所描述而配置为包含根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片(目标裸片)。这些参数可为曝光、聚焦等，且调制可为对参数中的一或多者的任何放大(正的或负的)。以引用的方式并入本文中的第8,213,704号美国专利揭示了用于调制晶片的裸片的技术。

可针对晶片将第一关心区区域界定为其中将执行缺陷检测的独特图案，且因此可依据晶片的图像将所述第一关心区区域识别为表示所述独特图案的一组经连接图像像素。第一关心区区域可具有任何形状及大小，但如下文所提及而为其中将最终执行缺陷检测的最终关心区的子部分。在一个示范性实施例中，第一关心区区域可被指定为“密集细线”。举例来说，可基于第一关心区将可能展现在工艺窗内的缺陷率发生的确定而针对方法300预配置此关心区(例如，通过用户等)。

另外，如操作304中所展示，基于第一关心区区域而执行晶片的第一缺陷扫描。特定来说，在第一关心区区域内执行晶片的第一缺陷扫描。在一个实施例中，可使用晶片的单步调谐扫描(osts)检验来执行第一缺陷扫描。2016年12月13日发布的颁予陈(chen)等人的第9,518,934号美国专利(其全部内容以引用的方式并入本文中)揭示了osts的一个实施方案。作为另一选项，可采用使用标准mdat算法及已知缺陷降取样技术的osts。mdat是由可从加利福尼亚州苗必达(milpitas)的科磊公司商业购得的晶片检验工具使用的缺陷检测方法。2017年10月21日发布的颁予林(lin)等人的第7,440,607号美国专利(其全部内容以引用的方式并入本文中)揭示了mdat的一个实施方案。作为又一选项，可任选地针对第一缺陷扫描而实施下文关于图5所描述的方法500。

在操作306中，获得第一缺陷扫描的结果。所述结果可指示第一关心区区域内的缺陷。此外，如操作308中所展示，依据第一缺陷扫描的结果且基于属性空间，针对至少两个参数中的第一参数而确定第一标称工艺窗。仅通过实例方式，针对其而确定第一标称工艺窗的第一参数可为聚焦参数。此外，属性空间是指可借以表征缺陷的任何预定的一或多个属性，例如位置、大小、极性等。

在一个实施例中，属性空间可包含缺陷极性。在此实施例中，可通过例如针对亮缺陷(即，比其背景亮的缺陷，其例如由导致裸片上的线中的间隙的过度聚焦所致)及暗缺陷(即，比其背景暗的缺陷，其例如由导致裸片上的以其它方式分离的线之间的桥接件的聚焦不足所致)追踪缺陷极性而确定第一标称工艺窗。举例来说，可追踪针对第一参数(例如，聚焦)的每一不同值所检测的一定数目个亮缺陷，以及针对第一参数的每一不同值所检测的一定数目个暗缺陷。在其处亮缺陷的数目是最低的第一参数的值(在下文中parameter1value1)及在其处暗缺陷的数目是最低的第一参数的值(在下文中parameter1value2)可界定第一标称工艺窗。换句话说，第一标称工艺窗可包含parameter1value1与parameter1value2之间的调制。在另一实施例中，可使用缺陷的多项式拟合来确定第一标称工艺窗。在任何情形中，第一标称工艺窗排除具有在第一标称工艺窗之外的第一参数(例如，聚焦)的值的经调制裸片。

此外，如操作310中所展示，依据第一缺陷扫描的结果且基于属性空间，针对至少两个参数中的第二参数而确定第二标称工艺窗。仅通过实例方式，针对其而确定第二标称工艺窗的第二参数可为曝光参数。在任何情形中，基于与用于确定第一标称工艺窗的属性空间相同的属性空间而确定第二标称工艺窗。

再次，在一个实施例中，属性空间可包含缺陷极性。在此实施例中，可通过例如针对亮缺陷(即，比其背景亮的缺陷，其例如由导致裸片上的线中的间隙的过度曝光所致)及暗缺陷(即，比其背景暗的缺陷，其例如由导致裸片上的以其它方式分离的线之间的桥接件的过度曝光所致)追踪缺陷极性而确定第二标称工艺窗。举例来说，可追踪针对第二参数(例如，曝光)的每一不同值所检测的一定数目个亮缺陷，以及针对第二参数的每一不同值所检测的一定数目个暗缺陷。在其处亮缺陷的数目是最低的第二参数的值(在下文中parameter2value1)及在其处暗缺陷的数目是最低的第二参数的值(在下文中parameter2value2)可界定第二标称工艺窗。换句话说，第二标称工艺窗可包含parameter2value1与parameter2value2之间的调制。在另一实施例中，可使用缺陷的多项式拟合来确定第二标称工艺窗。在任何情形中，第二标称工艺窗排除具有在第二标称工艺窗之外的第二参数(例如，曝光)的值的经调制裸片。

另外，如操作312中所展示，基于第一标称工艺窗及第二标称工艺窗而确定用于晶片的预测工艺窗。举例来说，所述预测工艺窗可组合第一标称工艺窗与第二标称工艺窗。在一个实施例中，可通过以下操作而确定预测工艺窗：使用第一标称工艺窗及第二标称工艺窗来对晶片进行降取样，使得预测工艺窗包含具有在第一标称工艺窗及第二标称工艺窗两者内的经调制参数的裸片。

此外，如操作314中所展示，基于最终关心区而在预测工艺窗内执行晶片的第二缺陷扫描。特定来说，在最终关心区内执行晶片的第二缺陷扫描。如上文所述，最终关心区可包含上文所描述的第一关心区区域作为其子部分。在一个实施例中，可使用晶片的单调谐扫描(osts)检验来执行第二缺陷扫描。作为另一选项，可采用使用标准mdat算法及已知缺陷降取样技术的osts。作为又一选项，可任选地针对第二缺陷扫描而实施下文关于图5所描述的方法500。

如操作316中所展示，可获得第二缺陷的结果。所述结果可指示最终关心区内的缺陷。此外，如操作318中所展示，依据第二缺陷扫描的结果，确定用于晶片的最终工艺窗。此可使用此项技术中已知的方法来实现。任选地，作为在操作318之后的其它步骤(未展示)，可使用预定pwec取样算法来进一步精细化最终工艺窗。

本发明方法300因此可基于比最终所要关心区小的关心区区域而预测工艺窗，且接着使用预测工艺窗来确定用于晶片的最终关心区的实际工艺窗。因此，在一个实施例中，方法300图解说明用于经调制晶片的工艺窗表征的两遍次方法，其中(1)第一遍次(操作302到312)使用比第二遍次(操作314到318)小的关心区区域，且(2)第二遍次是在较小(预测)工艺窗内执行。因此，(1)及(2)两者将减少现有技术(其就最终关心区来说而扫描晶片的每一经调制裸片)原本所需要的迭代的数目，且因此减少得出结果(确定用于晶片的最终工艺窗)的时间。

图4a到4e图解说明根据另一实施例的图3的方法的第一遍次的实施方案。图4a展示经调制晶片的实例。具体来说，图4a展示具有使用聚焦参数(f)及曝光参数(e)的值的不同组合来以不同方式经调制的裸片的晶片。对图4a的经调制晶片执行图3的方法300中所描述的第一遍次以获得缺陷检测结果，且依据那些结果而确定标称聚焦工艺窗(如图4b中所展示)，所述标称聚焦工艺窗消除经调制裸片中的一些经调制裸片(如图4c中所展示)。特定来说，图4b展示图表，其与聚焦参数值的改变相关联地映射缺陷极性以确定标称聚焦工艺窗。图4c展示在标称聚焦工艺窗之外的经调制裸片(即，以x来标记)。

还依据在图3的方法300中所描述的第一遍次期间获得的缺陷检测结果，确定标称曝光工艺窗(如图4d中所展示)，所述标称曝光工艺窗消除一些其它经调制裸片(如图4e中所展示)。具体来说，图4d展示图表，其与曝光参数值的改变相关联地映射缺陷极性以确定标称曝光工艺窗。图4e展示在标称聚焦工艺窗及标称曝光工艺窗两者之外的经调制裸片(即，以x来标记)。因此，图4e展示在用于图4a的晶片的预测工艺窗内的剩余经调制裸片(即，不以x来标记)。图3的方法300可接着使用图4e中所展示的预测工艺窗来执行上文所描述的第二遍次。

图5图解说明根据一个实施例的用于调谐经调制晶片的敏感度的方法500。在一个实施例中，在运行时间执行方法500(例如，用于缺陷检测)。因此，可由计算机系统经由此方法500动态地(即，即时自动地)调谐经调制晶片的敏感度。如下文所描述，方法500可基于噪声水平而动态地调整敏感度偏移及其导数。

如操作502中所展示，从具有根据至少两个参数而以不同方式经调制的多个裸片的晶片识别以下各项：第一裸片，其具有相对于多个裸片的调制的低调制；第二裸片，其具有相对于多个裸片的调制的中等调制；及第三裸片，其具有相对于多个裸片的调制的高调制。举例来说，所述晶片可为与上文关于图3所描述的晶片相同的晶片。

在一个实施例中，可使用晶片上的裸片的预定义排名来识别第一裸片、第二裸片及第三裸片。每一裸片的排名可随裸片的调制而变。因此，第一裸片可基于其低排名(例如，相对于其它排名)而被识别(选择)，第二裸片可基于其中间排名(例如，相对于其它排名)而被识别(选择)，且第三裸片可基于其高排名(例如，相对于其它排名)而被选择。当然，识别第一裸片、第二裸片及第三裸片所依据的特定排名可被预配置。此外，当根据那些特定排名中的每一者而对多个裸片进行分类时，接着可针对那些特定排名中的每一者而随机地或系统地识别第一裸片、第二裸片及第三裸片。然而，当然应注意，可以任何方式识别第一、第二及第三裸片以获得跨越晶片的各种调制的取样。

另外，如操作504中所展示，基于泰勒级数展开函数，从第一裸片估计一阶偏移且从第二裸片及第三裸片中的每一者估计单独二阶偏移。泰勒级数展开函数可为用作噪声调适(noise-adaptation)公式的模型的预定义函数，如下文较详细地描述。在一个实施例中，从第一裸片估计的一阶偏移可为泰勒级数展开中的零阶项。在另一实施例中，从第二裸片及第三裸片中的每一者估计的单独二阶偏移可为应用于第二裸片及第三裸片的泰勒级数展开中的一阶项。在一个示范性实施例中，一阶偏移包含检测到缺陷的参数(例如，灰阶)偏移(例如，阈值)。从第一裸片估计的一阶偏移可为非零的。

此外，如操作506中所展示，执行晶片的检验。在一个示范性实施例中，所述检验可为osts检验。在当前操作506中，针对经受检验的每一裸片，所述检验(a)使用从第一裸片估计的一阶偏移及从第二裸片估计的二阶偏移来动态地计算与裸片中的噪声水平对应的偏移，且(b)将动态计算的偏移作为敏感度应用于裸片。

在一个实施例中，可对晶片的具有初级裸片类型的裸片执行检验。因此，可任选地仅对晶片的所有裸片的子集执行检验。mdat的通常特征为界定晶片的哪些裸片具有初级裸片类型的mdat文件。mdat文件还可界定晶片的具有次级裸片类型的其它裸片，所述其它裸片可针对任选次级检验(例如，如下文所描述)而受关注。

在一个实施例中，可利用仅出于说明性目的而陈述的表1中所展示的函数来动态地计算与裸片中的噪声水平对应的偏移。

表1

偏移＝(maximum(firstorderoffset,secondorderoffset_seconddiexnoise)，

其中noise为所述裸片中的所述噪声水平。

应注意，应用于特定裸片的敏感度可控制针对所述特定裸片所检测的缺陷的数目，其中与较高敏感度相比，较低敏感度致使较少缺陷被检测。通过使用表1中所展示的函数而动态地计算裸片的敏感度，敏感度可具有与针对所述裸片所检测的噪声的直接相关。特定来说，晶片的裸片的敏感度可随着那些裸片的噪声增加而线性地降低(即，被解谐)，如图7中所展示。此可允许较低经调制裸片被过调谐且允许较高经调制裸片被解谐。此外，通过基于从第一裸片估计的一阶偏移及从第二裸片估计的二阶偏移而动态地计算每一裸片的敏感度(如上文所描述)，可利用单组参数(即，从第一裸片估计的一阶偏移及从第二裸片估计的二阶偏移)使用单个测试来确定敏感度，且因此可避免现有技术针对每一裸片进行单独测试的要求。

作为选项，可对晶片的具有次级裸片类型的裸片执行晶片的额外检验。此额外检验可由用户提示，或可经配置以(例如)在与较高经调制裸片对应的动态计算的偏移导致太高的敏感度使得正检测到太多缺陷时自动被提示。仅通过实例方式，在已设定每裸片及/或每晶片待检测的最大缺陷数目的情况下，可在较高经调制裸片致使满足最大缺陷数目时提示进行额外检验。

因此，次级裸片类型可包含这些较高经调制裸片。针对晶片的经受额外检验的每一其它裸片，使用从第一裸片估计的一阶偏移及从第三裸片估计的二阶偏移来动态地计算与所述其它裸片对应的其它偏移。此可使用表1中所展示的函数来实现，其中从第三裸片而非第二裸片估计二阶偏移。接着，将所述其它偏移作为其它敏感度应用于对应裸片。通过使用从第三裸片估计的二阶偏移，偏移可以与噪声成比例的比在使用从第二裸片估计的二阶偏移来以其它方式被计算时高的速率增加。此意指当使用从第三裸片估计的二阶偏移被计算时，偏移可允许在不满足最大缺陷数目的情况下检验较高经调制裸片。图6展示与噪声相关的偏移的多项式模型，包含针对具有较高噪声的较高经调制裸片的偏移的不同轨迹。

此方法500避免了现有技术中具有针对不同经调制裸片而设置的多个测试且因此执行单独计算以针对晶片的每一裸片而单独地估计检验敏感度的需要。特定来说，可使用本发明方法500的单个测试来确定裸片的敏感度，如上文所描述。因此，方法500使晶片的测试处方管理比现有技术中所需的测试处方管理更可行。此外，方法500可将检验时间减少大于现有技术所需时间的2倍。

此外，方法500可增加低调制裸片的敏感度，同时还通过对应经降低敏感度而缩减高调制裸片中的过多缺陷检测。此可通过使用osts来达成。此与具体包含itf的现有技术形成对比，所述itf易于解谐低调制裸片及过调谐高调制裸片，从而导致低调制裸片中的低敏感度或高调制裸片中的过多缺陷检测。为此，相对于现有技术的较耗费时间且资源密集型方法，方法500提供用于调谐经调制晶片的敏感度的较高效且准确的技术。

尽管上文已描述各种实施例，但应理解，所述实施例仅以实例方式而非限制方式呈现。因此，优选实施例的广度及范围不应受上文所描述的示范性实施例中的任一者限制，而应仅根据所附权利要求书及其等效内容来界定。