PIM多封装扫描测试装置的制作方法

本实用新型属于电学检测技术领域，特别涉及一种PIM多封装扫描测试装置。

背景技术：

很多多封装器件都包含有多个元器件，在测试时需要一个一个的测试，每测试完一个封装单元都要手动步进，测试速度慢，测试时间长，但是在生产线上要求测试速度越快越好。因此，需要一种能够全自动依次扫描测试的装置。

技术实现要素：

为了克服现有的手动步进检测的不足，本实用新型提供了一种能够全自动依次扫描、测试时间短、效率高的PIM多封装扫描测试装置。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种PIM多封装扫描测试装置，包括PIM拓扑电路，所述PIM拓扑电路包括多组并联连接的被测元器件组，每组被测元器件组包括至少两个并联连接的被测元器件，其中一组被测元器件的集电极并联连接在C测试端，相对应的另一组被测元器件的发射极并联连接在E测试端，在C测试端上设置有总集电极控制继电器，在E测试端设置有总发射极控制继电器，两组被测元器件之间设置有加压控制继电器组，所述加压控制继电器组的一端连接在两组被测元器件之间的中间连接节点上，另一端连接在C测试端或者E测试端，通过加压控制继电器组改变被测元器件组的正负极。

进一步限定，所述被测元器件组包括第一组IGBT和第二组IGBT，加压控制继电器组包括正向加压控制继电器和反向加压控制继电器，第一组IGBT和第二组IGBT中的每个IGBT的栅极上均连接有栅极分控继电器，多个栅极分控继电器并联连接在G测试端，第一组IGBT的集电极并联连接在C测试端，第二组IGBT的发射极集并联连接在E测试端，第一组IGBT中的一个IGBT与第二组IGBT的对应一个IGBT通过中间连接节点串接，中间连接节点通过正向加压控制继电器与C测试端连接，中间连接节点通过反向加压控制继电器与E测试端连接。

进一步限定，所述被测元器件组还包括热敏电阻，所述热敏电阻的一端与任意一个中间连接节点连接，另一端通过第一继电器与G测试端连接。

进一步限定，所述中间连接节点是4个，每个中间连接节点对应连接第一组IGBT的一个IGBT发射极和第二组IGBT对应的一个IGBT集电极。

进一步限定，所述被测元器件组包括第一组二极管和第二组二极管，第一组二极管和第二组二极管分别包含有多个并联连接的二极管，第一组二极管的集电极并联连接在C测试端，第二组二极管的发射极集并联连接在E测试端，且第一组二极管中的一个二极管与第二组二极管的对应一个二极管通过中间连接节点串接，每个中间连接节点分别通过加压控制继电器与E测试端连接。

进一步限定，所述中间连接节点是3个，每个中间连接节点对应连接第一组二极管的一个二极管的发射极和第二组二极管的对应一个二极管的集电极。

本实用新型的PIM多封装扫描测试装置主要是通过在被测元器件的输入、输出端上分别加装总集电极控制继电器、总发射极控制继电器、栅极分控继电器、正向加压控制继电器以及反向加压控制继电器，通过正向加压控制继电器以及反向加压控制继电器的吸合改变电流方向，进而改变被测元器件组的正负极，依次吸合、断开相应被测器件所对应的继电器，只需要在C测试端、E测试端、G测试端检测就可进行一次性全自动依次扫描测量所有被测元器件，可省去人工手动步进的工序，测试时间也可大大提高。

附图说明

图1为PIM多封装IGBT扫描测试装置连接示意图。

图2为PIM多封装二极管扫描测试装置连接示意图。

具体实施方式

现结合附图对本实用新型的技术方案进行进一步说明，但是本实用新型不仅限于下述的情形。

实施例1

以多封装IGBT扫描测试为例，本实施例的PIM拓扑电路包括7个IGBT(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7)、1个热敏电阻R1和1个二极管D7，在PIM拓扑电路上加装了4个正向加压控制继电器(K2、K4、K6、K8)和4个反向加压控制继电器(K3、K5、K7、K9)以及1个第一继电器(K16)、1个总集电极控制继电器(K1)、1个总发射极控制继电器(K10)以及7个栅极分控继电器(K17、K18、K19、K20、K21、K22、K23)，具体参见图1，IGBT Q1、Q2、Q3与二极管D7组成第一组IGBT，作为被测元器件，且IGBT Q1、Q2、Q3与二极管D7的集电极并联连接在C测试端，在C测试端上安装有总集电极控制继电器K1实现第一组IGBT的总控开断。二极管D7以及IGBT Q1、Q2、Q3的发射极分别连接在第一中间连接节点、第二中间连接节点、第三中间连接节点、第四中间连接节点上，IGBT Q4、Q5、Q6、Q7组成第二组IGBT，IGBT Q4、Q5、Q6、Q7的发射极并联连接在E测试端，在E测试端安装有总发射极控制继电器K10，实现第二组IGBT的发射极总控开断。IGBT Q7的集电极与第一中间连接节点连接，即通过第一中间连接节点与二极管D7的发射极串接，IGBT Q4的集电极与第二中间连接节点连接，即通过第二中间连接节点与IGBT Q1的发射极串接，IGBT Q5的集电极与第三中间连接节点连接，即通过第三中间连接节点与IGBT Q2的发射极串接，IGBT Q6的集电极与第四中间连接节点连接，即通过第四中间连接节点与IGBT Q3的发射极串接。在每个IGBTQ1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7的栅极上分别对应连接有栅极分控继电器(K17、K18、K19、K21、K22、K23、K20)，通过并联连接的栅极分控继电器(K17、K18、K19、K21、K22、K23、K20)与G测试端连接。第一中间连接节点通过正向加压控制继电器K2与C测试端连接，第一中间连接节点通过反向加压控制继电器K3与E测试端连接，同理，第二中间连接节点通过正向加压控制继电器K4与C测试端连接，第二中间连接节点通过反向加压控制继电器K5与E测试端连接，第三中间连接节点通过正向加压控制继电器K6与C测试端连接，第三中间连接节点通过反向加压控制继电器K7与E测试端连接，第四中间连接节点通过正向加压控制继电器K8与C测试端连接，第四中间连接节点通过反向加压控制继电器K9与E测试端连接。

进一步说明，第一中间连接节点与G测试点之间还连接有热敏电阻R1和第一继电器K16，即热敏电阻R1通过第一继电器K16与G测试点连接。

测试时，吸合Q1对应的K1，K5，K17，将Q1的各电极接在了测试机的C、E、G端口上，测试机进行测试；打开Q1对应的K1，K5，K17，将Q1断开；如此，再用同样的方法吸合Q2对应的K18、K7、K1，测完后断开，如此依次吸合、断开相应被测器件所对应的继电器，就可进行一次性将7个IGBT、1个热敏电阻R1和1个二极管D7全部测试完成。

实施例2

以多封装二极管扫描测试为例，参见图2，本实施例的PIM拓扑电路包括6个二极管(D1、D2、D3、D4、D5、D6)，在PIM拓扑电路上加装了3个加压控制继电器(K12、K13、K14)，二极管D1、D2、D3的集电极并联连接在C测试端，在C测试端上安装有总集电极控制继电器K11实现第一组二极管的总控开断。二极管D4、D5、D6的发射极集并联连接在E测试端，在E测试端安装有总发射极控制继电器K15，实现第二组二极管的发射极总控开断。二极管D1和D4通过第一中间连接节点串接，第一中间连接节点通过加压控制继电器K12与E测试端连接，二极管D2和D5通过第二中间连接节点串接，第二中间连接节点通过加压控制继电器K13与E测试端连接，二极管D3和D6通过第三中间连接节点串接，第三中间连接节点通过加压控制继电器K14与E测试端连接，通过加压控制继电器K12、K13、K14改变二极管的正负极，进而通过加压控制继电器K12、K13、K14以及总发射极控制继电器K15、总集电极控制继电器K11的吸合、断开依次实现相应二极管的测试。

本实用新型的PIM拓扑电路不仅限于上述的结构，利用本实用新型的工作原理所实现的被测元器件的测试均属于本实用新型的构思。