一种工业超声检测激励模块装置的制作方法

本实用新型涉及轨道车辆检测技术领域，具体地说，特别涉及一种工业超声检测激励模块装置。

背景技术：

近年，中国高铁的超高速发展，时速高达350公里，在国际上越来越享有盛名。然而，列车速度快了，对列车安全性的要求自然是重中之重。既然是安全性能，那么用来检测这些安全性能的仪器，就更加非比寻常。在高速列车上，车轴、车轮、钢轨都是非常非常重要的核心部件，内部的缺陷、细微的裂纹都是不能够用肉眼看到的。又不能切开看，这就需要一种能够不损伤产品，也能检测到产品的内部缺陷和细微的损坏问题，防患于未然。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，公开了一种工业超声检测激励模块装置，其具有结构简单，信号稳定，抗干扰强，定位准确，性能优良的特点，有效的解决了超声波的产生、控制、保护以及抗干扰等问题，测试性能非常稳定。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种工业超声检测激励模块装置，包括集成电路IC1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、MOS管Q1、高压直流电源DC1、低压直流电源DC2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2和测试探头，所述电阻R1左端和电阻R2左端都与集成电路IC1右端连接，所述电阻R1右端和电阻R2右端都与MOS管Q1的栅极连接，所述电阻R3上端与高压直流电源DC1连接，所述电阻R3下端与电阻R4上端连接，所述电阻R4下端和电容C1左端都与MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接地，所述电容C1右端、二极管D1上端和电阻R5上端都与二极管D2左端连接，所述电阻R5下端与电阻R6上端连接，所述二极管D1下端、电阻R6下端和电容C2左端都与低压直流电源DC2连接，所述电容C2右端接地，所述二极管D2右端和电阻R7上端都与测试探头上端连接，所述电阻R7下端与电阻R8上端连接，所述电阻R8下端和测试探头下端都接地。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述高压直流电源DC1的电压为200V～800V。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述低压直流电源DC2的电压为12V～15V。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述测试探头内安装有压敏晶体。

本实用新型采用超声探伤这种对产品没有任何损伤的测试技术，用来检查车轴、车轮、钢轨的内部结构问题。一般在均匀的材料中，缺陷的存在将造成材料的不连续，这种不连续往往又造成声阻抗的不一致，由反射定理我们知道，超声波在两种不同声阻抗的介质的交界面上将会发生反射，反射回来的能量的大小与交界面两边介质声阻抗的差异和交界面的取向、大小有关。本超声波探伤仪就是根据这个原理设计的。

本实用新型由高压直流电源DC1、电阻R3、电阻R4、电容C1、二极管D1、低压直流电源DC2构成产生信号电路，由集成电路IC1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R2构成控制回路，由二极管D2、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8构成保护与抗干扰回路，以及检测探头(根据实际检测要求可以更换不同型号)四个部分，具体线路连接请参考附图。

控制信号由集成电路IC1右端输出，通过电阻R1、电阻R2的并联连接到MOS管Q1的G极(栅极)，MOS管Q1的D极(漏极)连接在电阻R4与电容C1之间，MOS管Q1的S极(源极)直接接地。这条回路是利用集成电路IC1传输出来的信号控制MOS管Q1的开关，来控制产生回路的电压快速反转，同时运用电阻R1和电阻R2并联组成的回路，可以保护回路并是信号更加良好的传到在MOS管Q1。

高压直流电源DC1与电阻R3、电阻R4，电容C1,二极管D1与低压直流电源DC2全部串联在一起，形成一个给电容C1充电的回路。当MOS管Q1的对地信号过来时，电容C1的一端突然降低为0，另一端则迅速产生-400V的电压，在检测探头的压敏晶体两个表面产生电压差，这个电压差使晶体迅速变形，从而产生一个震动，当控制信号高速输出时，就会在晶体表面产生连续震动。也就是产生了我们需要的超声波。电阻R3和电阻R4串联在回路里，当MOS管Q1接地时对高压直流电源DC1有保护作用，同时回路高速使用是，会产生许多热量，电阻R3和电阻R4也有散热的功效；电阻R5和电阻R6串联再并联在二极管D1两端，实现了对回路保护及回路内的能量消耗；电阻R7和电阻R8串联再并联在测试探头两侧，对测试探头有保护作用，同时也是消耗测试探头的多余能量的必备。二极管D2连接在测试探头和电容C1之间有保护测试探头被正向电压干扰。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：具有结构简单，信号稳定，抗干扰强，定位准确，性能优良的特点，有效的解决了超声波的产生、控制、保护以及抗干扰等问题，测试性能非常稳定。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式的结构示意图。

附图标记说明：

IC1：集成电路，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8：电阻，DC1：高压直流电源，DC2：低压直流电源，C1、C2：电容，D1、D2：二极管，Q1：MOS管，1：测试探头。

具体实施方式

下面结合附图及实施例描述本实用新型具体实施方式：

需要说明的是，本说明书所附图中示意的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

如图1所示，其示出了本实用新型的具体实施方式；如图所示，本实用新型公开的一种工业超声检测激励模块装置，包括集成电路IC1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、MOS管Q1、高压直流电源DC1、低压直流电源DC2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2和测试探头，所述电阻R1左端和电阻R2左端都与集成电路IC1右端连接，所述电阻R1右端和电阻R2右端都与MOS管Q1的栅极连接，所述电阻R3上端与高压直流电源DC1连接，所述电阻R3下端与电阻R4上端连接，所述电阻R4下端和电容C1左端都与MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接地，所述电容C1右端、二极管D1上端和电阻R5上端都与二极管D2左端连接，所述电阻R5下端与电阻R6上端连接，所述二极管D1下端、电阻R6下端和电容C2左端都与低压直流电源DC2连接，所述电容C2右端接地，所述二极管D2右端和电阻R7上端都与测试探头1上端连接，所述电阻R7下端与电阻R8上端连接，所述电阻R8下端和测试探头1下端都接地。

优选的，所述高压直流电源DC1的电压为200V～800V。

优选的，所述低压直流电源DC2的电压为12V～15V。

优选的，所述测试探头1内安装有压敏晶体。

上面结合附图对本实用新型优选实施方式作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。

不脱离本实用新型的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本实用新型不限于特定的实施方式，本实用新型的范围由所附权利要求限定。