霍尔式电流传感器的制作方法

本实用新型涉及一种电流传感器，具体涉及一种霍尔式电流传感器。

背景技术：

霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁场强度为B的磁场，采用霍尔器件用来测量这一磁场，通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小，使电流的非接触测量成为可能。不过，现有的霍尔电流传感器中，为更好的固定其内部的磁场产生部件，将磁场产生部件的内置尺寸均与外包壳体的尺寸一致，这就容易造成当外包壳体外环壁受到撞击发生变形损坏时，会同步影响C型硅钢片组发生变形，进而影响磁场的产生与变化，使测量结果不准确。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提供一种霍尔式电流传感器，解决现有霍尔式电流传感器的外包壳体外环壁在受到撞击发生变形损坏时，会同步影响C型硅钢片组发生变形，进而影响磁场的产生与变化，使测量结果不准确的技术问题。

为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案提供一种霍尔式电流传感器，其包括

环形壳体，所述环形壳体中部设有上下贯穿的通孔，所述环形壳体内设有环形内凹腔体，所述环形壳体外侧设有内置有插针组件的公头接口，所述公头接口与所述环形内凹腔体连通设置；

固定设置在所述环形内凹腔体中的C型硅钢片组，所述C型硅钢片组的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，所述C型硅钢片组的外缘尺寸小于环形内凹空腔的外环壁尺寸；

一端伸入所述C型硅钢片组缺口中，且相对所述C型硅钢片组垂直设置的pcb板，所述pcb板上设有霍尔芯片以及与所述霍尔芯片电性连接的检测电路，所述霍尔芯片正好设置在所述C型硅钢片组缺口处，所述插针组件的内接插针插接在所述pcb板上，与所述检测电路电性连接；以及

与所述环形壳体配合设置、且中部亦设置有贯穿通孔的盖板。

优选的，所述公头接口通过一插接槽与所述环形内凹腔体连通设置，所述插针组件配合设置在所述插接槽中。

优选的，所述插针组件包括插针固定块和多根插针，所述插针并列贯穿插接在所述插针固定块上。

优选的，嵌入环形内凹腔体中的所述插针固定块的上端凹陷设有定位槽，所述盖板下端相对定位槽的位置对应设有定位筋，所述定位筋的突出长度与定位槽的凹陷深度一致。

优选的，所述插针固定块的下端突出设有限位筋，所述插接槽底部对应设有向下凹陷的限位槽，所述限位筋与限位槽配合设置。

优选的，所述C型硅钢片组包括多个上下层叠设置的C型硅钢片，所述C型硅钢片的缺口大小为1.5-3cm。

优选的，所述环形内凹腔体中还设置有一金属接地插片，所述金属接地插片相对pcb板纵向垂直设置在C型硅钢片组缺口下方，且相对pcb板设有金属卡槽，所述pcb板下端嵌入所述金属卡槽中。

优选的，所述C型硅钢片组上设有上下贯穿设置的接地通孔，所述金属接地插片向上延伸有接地金属柱，所述接地金属柱向上嵌套在所述接地通孔中。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：通过设置所述C型硅钢片组的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，使C型硅钢片组与环形内凹空腔的内环壁的卡接并固定设置在所述环形内凹腔体中，而又由于所述C型硅钢片组的外缘尺寸小于环形内凹空腔的外环壁尺寸，即C型硅钢片组与环形内凹空腔的外环壁之间的间隔设置，因此当所述环形壳体外环壁受到撞击发生变形损坏时，不会同步影响C型硅钢片组发生变形，保证所述C型硅钢片组的形状始终保持不变，进而不会影响磁场的产生与变化，提高测量的精准度。本实用新型所述霍尔式电流传感器的结构简单、制造方便，适于推广应用。

附图说明

图1是本实用新型所述霍尔式电流传感器的整体封闭式结构示意图；

图2是本实用新型所述霍尔式电流传感器的分体爆炸示意图；

图3是本实用新型去除盖体后的所述霍尔式电流传感器的半剖示意图；

图4是本实用新型所述霍尔式电流传感器中盖体与插针组件的组合装配示意图；

图5是本实用新型所述霍尔式电流传感器中插针组件与公头接口的组合装配示意图；

图6是本实用新型所述霍尔式电流传感器中金属接地插片的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型的实施例提供一种霍尔式电流传感器，其包括

环形壳体1，所述环形壳体1中部设有上下贯穿的通孔101，所述环形壳体1内设有环形内凹腔体11，所述环形壳体1外侧设有内置有插针组件6的公头接口12，所述公头接口12与所述环形内凹腔体11连通设置；

固定设置在所述环形内凹腔体11中的C型硅钢片组2，所述C型硅钢片组2的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，所述C型硅钢片组2的外缘尺寸小于环形内凹空腔的外环壁尺寸；

一端伸入所述C型硅钢片组缺口21中，且相对所述C型硅钢片组2垂直设置的pcb板3，所述pcb板3上设有霍尔芯片以及与所述霍尔芯片电性连接的检测电路，所述霍尔芯片正好设置在所述C型硅钢片组缺口21处，所述插针组件6的内接插针插接在所述pcb板3上，与所述检测电路电性连接；以及

与所述环形壳体1配合设置、且中部亦设置有贯穿通孔101的盖板5。

通过设置所述C型硅钢片组2的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，使C型硅钢片组2与环形内凹空腔的内环壁的卡接并固定设置在所述环形内凹腔体11中，而又由于所述C型硅钢片组2的外缘尺寸小于环形内凹空腔的外环壁尺寸，即C型硅钢片组2与环形内凹空腔的外环壁之间的间隔设置，因此当所述环形壳体1外环壁受到撞击发生变形损坏时，不会同步影响C型硅钢片组2发生变形，保证所述C型硅钢片组2的形状始终保持不变，进而不会影响磁场的产生与变化，提高测量的精准度。

实施例1：

为了解决现有霍尔式电流传感器的外包壳体外环壁在受到撞击发生变形损坏时，会同步影响C型硅钢片组2发生变形，进而影响磁场的产生与变化，使测量结果不准确的技术问题。本实用新型的实施例1提供一种霍尔式电流传感器，如图1至图6所示，其包括环形壳体1、C型硅钢片组2、pcb板3、金属接地插片4以及盖板5。

如图1至图3所示，所述环形壳体1中部设有上下贯穿的通孔101，用于供待检测电流的电缆穿过，所述环形壳体1内设有环形内凹腔体11，所述环形壳体1外侧设有公头接口12，所述公头接口12通过一插接槽121与所述环形内凹腔体11连通设置，一插针组件6配合设置在所述插接槽121中，如图4所示，所述插针组件6包括插针固定块61和多根并列贯穿插接在所述插针固定块61上的插针62，所述插针62包括设置在所述环形内凹腔体11中的内接插针和设置在公头接口12中的外接插针。

如图2和图3所示，所述C型硅钢片组2固定设置在所述环形内凹腔体11中，其包括多个上下层叠设置、且形状大小一致的C型硅钢片，所述C型硅钢片的缺口21大小为1.5-3cm,同时，所述C型硅钢片的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，通过与环形内凹空腔的内环壁的卡接从而固定设置在所述环形内凹腔体11中。

如图2和图3所示，所述pcb板3一端伸入所述C型硅钢片组缺口21中、且相对所述C型硅钢片组2垂直设置，所述pcb板3上设有霍尔芯片以及与所述霍尔芯片电性连接的检测电路，所述霍尔芯片正好设置在所述C型硅钢片组缺口21处，所述插针组件6的内接插针插接在所述pcb板3上，与所述检测电路电性连接。当穿过环形壳体1通孔101的电缆通电产生电流时，所述C型硅钢片组2在电磁感应原理下产生环形磁场，所述pcb板3通过插针组件6接通电源，所述霍尔芯片设置在磁场的磁感线的环形通路中，感应磁场强度变化，检测电路采集霍尔芯片感应的磁场强度变化，进而检测分析得到电流大小。

所述金属接地插片4相对pcb板3纵向垂直设置在C型硅钢片组缺口21下方，且相对pcb板3设有金属卡槽41，所述pcb板3下端嵌入所述金属卡槽41中。具体如图6所示，所述金属卡槽41的槽口两侧对称设有金属卡箍42，所述金属卡箍42具有一定的形变弹力，当金属卡箍42自由设置时，所述金属卡箍42之间的最短间距小于pcb板3下端厚度，当所述pcb板3下端嵌入所述金属卡槽41中时，两侧金属卡箍42向下弯曲并被扩开，对pcb板3下端两侧进行固定卡嵌，对pcb板3进行接地设置。

为同时保证所述C型硅钢片组2的接地设置，所述C型硅钢片组2上设有上下贯穿设置的接地通孔22，所述金属接地插片4向上延伸有接地金属柱43，所述接地金属柱43向上嵌套在所述接地通孔22中。

所述盖板5与所述环形壳体1配合设置，其中部亦设有与环形壳体1对应设置的贯穿通孔，为防止盖板5松脱造成信号输出异常的问题，如图4所示，嵌入环形内凹腔体11中的所述插针固定块61的上端凹陷设有定位槽611，所述盖板5下端相对定位槽611的位置对应设有定位筋51，所述定位筋51的突出长度与定位槽611的凹陷深度一致。同时，为防止内模插针组件6装反，进而造成盖子无法顺利装配，如图5所示，所述插针固定块61的下端突出设有限位筋612，所述插接槽121底部对应设有向下凹陷的限位槽122，所述限位筋612与限位槽122配合设置。

本实用新型所述霍尔式电流传感器，其通过设置所述C型硅钢片组2的内缘尺寸与环形内凹空腔的内环壁尺寸一致，使C型硅钢片组2与环形内凹空腔的内环壁的卡接并固定设置在所述环形内凹腔体11中，而又由于所述C型硅钢片组2的外缘尺寸小于环形内凹空腔的外环壁尺寸，即C型硅钢片组2与环形内凹空腔的外环壁之间的间隔设置，因此当所述环形壳体1外环壁受到撞击发生变形损坏时，不会同步影响C型硅钢片组2发生变形，保证所述C型硅钢片组2的形状始终保持不变，进而不会影响磁场的产生与变化，提高测量的精准度。本实用新型所述霍尔式电流传感器的结构简单、制造方便，适于推广应用。

以上所述本实用新型的具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何根据本实用新型的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。