光检测器的制作方法

本发明涉及光检测器。

背景技术：

作为光检测器，已知有如下光检测器，其具备：用于基于受光引起的温度变化而检测光的光检测元件、用于补偿光检测元件中的受光以外的主要原因引起的温度变化的参考元件。参考元件具有基板和以在与基板的表面之间形成空隙的方式配置于基板的表面上的膜体，膜体中，具有依赖于温度的电阻的电阻层与一对配线层分别电连接(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-45641号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

上述那样的光检测器中，为了确保作为光检测器的检测精度，如何确保参考元件的补偿精度是非常重要的。特别是在一个参考元件用于相对于多个光检测元件的补偿的情况下，参考元件比光检测元件容易劣化，因此，用于确保参考元件的补偿精度的方法必不可少。

因此，本发明的目的在于，提供能够确保参考元件的补偿精度的光检测器。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面的光检测器，具备：光检测元件，其用于基于受光引起的温度变化而检测光；参考元件，其用于补偿光检测元件中的受光以外的主要原因引起的温度变化，光检测元件具有：第一基板；第一膜体，其以在与第一基板的第一表面之间形成空隙的方式配置于第一表面上，第一膜体包含：一对第一配线层，其经由沿着第一线延伸的第一间隙相互相对；第一电阻层，其与一对第一配线层分别电连接，且具有依赖于温度的电阻，参考元件具有：第二基板；第二膜体，其以在与第二基板的第二表面之间形成空隙的方式配置于第二表面上，第二膜体包含：一对第二配线层，其经由沿着第二线延伸的第二间隙相互相对；第二电阻层，其与一对第二配线层分别电连接，且具有依赖于温度的电阻，从与第二表面垂直的方向观察的情况下的第二膜体的外形呈现多边形状，第二线在从与第二表面垂直的方向观察的情况下，在夹着第二膜体的重心位置而相对的对角间延伸。

该光检测器中，在参考元件中，经由在夹着第二膜体的重心位置而相对的对角间延伸的第二间隙，一对第二配线层相互相对。由此，抑制第二膜体的变形(翘曲，挠曲等)。因此，根据该光检测器，能够确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，第二线在从与第二表面垂直的方向观察的情况下延伸成蜿蜒状。根据该结构，更可靠地抑制第二膜体的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，第一膜体具有：受光部，其包含一对第一配线层的各个与第一电阻层的电连接区域；一对第一连接部；一对第一梁部，其配置于受光部与一对第一连接部的各个之间，光检测元件还具有配置于第一基板与一对第一连接部的各个之间且支承第一膜体并且与一对第一配线层分别电连接的一对第一电极柱，第二膜体具有：主体部，其包含一对第二配线层的各个与第二电阻层的电连接区域；一对第二连接部；一对第二梁部，其配置于主体部与一对第二连接部的各个之间，从与第二表面垂直的方向观察的情况下的第二膜体的外形利用主体部、一对第二连接部、及一对第二梁部形成为多边形状，参考元件还具有配置于第二基板与一对第二连接部的各个之间且支承第二膜体并且与一对第二配线层分别电连接的一对第二电极柱，一对第二梁部的各个的长度比一对第一梁部的各个的长度短。根据该结构，与光检测元件的第一膜体相比，抑制参考元件的第二膜体的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，第一膜体具有：受光部，其包含一对第一配线层的各个与第一电阻层的电连接区域；一对第一连接部；一对第一梁部，其配置于受光部与一对第一连接部的各个之间，光检测元件还具有配置于第一基板与一对第一连接部的各个之间且支承第一膜体并且与一对第一配线层分别电连接的一对第一电极柱，第二膜体具有包含一对第二配线层的各个与第二电阻层的电连接区域的主体部，从与第二表面垂直的方向观察的情况下的第二膜体的外形利用主体部形成为多边形状，参考元件还具有配置于第二基板与主体部的一对角部的各个之间且支承第二膜体并且与一对第二配线层分别电连接的一对第二电极柱。根据该结构，与光检测元件的第一膜体相比，抑制参考元件的第二膜体的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，参考元件还具有形成于第二膜体中的第二基板的相反侧的表面的光反射层。根据该结构，防止光入射于第二膜体，因此，能够使参考元件容易且可靠地发挥用于补偿光检测元件中的受光以外的主要原因引起的温度变化的的功能。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，一对第二配线层的一方在从与第二表面垂直的方向观察的情况下，相对于第二间隙向一对第二配线层的另一方的相反侧扩展，一对第二配线层的另一方在从与第二表面垂直的方向观察的情况下，相对于第二间隙向一对第二配线层的一方的相反侧扩展。根据该结构，更可靠地抑制第二膜体的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，参考元件还具有配置于第二基板与第二膜体之间且支承第二膜体并且与一对第二配线层分别电连接的一对第三电极柱，一对第二电极柱在从与第二表面垂直的方向观察的情况下位于第二膜体的对角，一对第三电极柱在从与第二表面垂直的方向观察的情况下位于第二膜体的与所述对角不同的对角。根据该结构，更可靠地抑制第二膜体的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

本发明的一个方面的光检测器中，也可以是，从与第一表面垂直的方向观察的情况下的第一膜体的外形呈现多边形状，第一线在从与第一表面垂直的方向观察的情况下，在夹着第一膜体的重心位置而相对的对角间延伸。根据该结构，抑制第一膜体的变形，因此，能够使光检测元件发挥用于基于受光引起的温度变化而检测光的功能。

本发明的另一方面的光检测器，具备：光检测元件，其用于基于受光引起的温度变化而检测光；参考元件，其用于补偿光检测元件中的受光以外的主要原因引起的温度变化，光检测元件具有：第一基板；第一膜体，其以在与第一基板的第一表面之间形成空隙的方式配置于第一表面上，第一膜体包含：一对第一配线层，其经由沿着第一线延伸的第一间隙相互相对；第一电阻层，其与一对第一配线层分别电连接，且具有依赖于温度的电阻，第一膜体具有包含一对第一配线层的各个与第一电阻层的电连接区域的受光部，参考元件具有：第二基板；第二膜体，其以在与第二基板的第二表面之间形成空隙的方式配置于第二表面上，第二膜体包含：一对第二配线层，其经由沿着第二线延伸的第二间隙相互相对；第二电阻层，其与一对第二配线层分别电连接，且具有依赖于温度的电阻，第二膜体具有包含一对第二配线层的各个与第二电阻层的电连接区域的主体部，从与第二表面垂直的方向观察的情况下的主体部的外形呈现多边形状，第二线在从与第二表面垂直的方向观察的情况下，在夹着主体部的重心位置而相对的对角间延伸。

该光检测器中，在参考元件中，经由在夹着主体部的重心位置而相对的对角间延伸的第二间隙，一对第二配线层相互相对。由此，抑制主体部的变形(翘曲，挠曲等)。因此，根据该光检测器，能够确保参考元件的补偿精度。

发明的效果

根据本发明，可提供能够确保参考元件的补偿精度的光检测器。

附图说明

图1是一个实施方式的光检测器的俯视图。

图2是图1的光检测器的像素部及参考部的俯视图。

图3是图2的像素部的光检测元件的立体图。

图4是图3的光检测元件的俯视图。

图5是图3的光检测元件的截面图。

图6是表示光共振结构的原理的图。

图7是图2的参考部的参考元件的立体图。

图8是图7的参考元件的俯视图。

图9是图7的参考元件的截面图。

图10是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图11是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图12是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图13是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图14是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图15是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图16是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图17是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图18是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图19是表示图5的光检测元件的制造方法的图。

图20是变形例的参考元件的俯视图。

图21是变形例的参考元件的俯视图。

图22是变形例的参考元件的俯视图。

图23是变形例的参考元件的俯视图。

图24是变形例的参考元件的俯视图。

图25是变形例的参考元件的俯视图。

图26是变形例的参考元件的俯视图。

图27是变形例的参考元件的俯视图。

图28是变形例的参考元件的俯视图。

图29是变形例的参考元件的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明优选的实施方式。此外，各图中，对相同或相当部分标注相同符号，并省略重复的说明。

[光检测器的结构]

图1所示的光检测器1通过利用作为辐射热计的作用，而检测光。该光为例如包含太赫兹波的红外线。在该光为红外线的情况下，光检测器1用于红外成像仪或热成像仪等。光检测器1特别具有1μm～数十μm的波段的光的检测优异的特性。如图1所示，光检测器1具备：基板2、像素部3、参考部4、信号处理电路部5。基板2例如为si基板。基板2的厚度例如为数百μm左右。像素部3、参考部4、及信号处理电路部5形成于基板2上。像素部3及参考部4分别与信号处理电路部5电连接。此外，信号处理电路部5也可以形成于基板2内。

如图2所示，像素部3由多个光检测元件10构成。多个光检测元件10配置成二维矩阵状。各光检测元件10是用于基于受光引起的温度变化而检测光的元件。参考部4由多个参考元件40构成。多个参考元件40一维地配置。各参考元件40是用于补偿光检测元件10中的受光以外的主要原因引起的温度变化的元件。光检测器1中，一个参考元件40用于相对于多个光检测元件10(例如排列成与该一个参考元件40同一列的多个光检测元件10)的补偿。

[光检测元件的结构]

如图3所示，光检测元件10具有：作为基板2的一部分的第一基板201、光反射层61、一对第一电极焊盘62、63、第一膜体20、一对第一电极柱7、8。

光反射层61形成于第一基板201的第一表面201a。光反射层61在第一基板201的厚度方向(即，与第一基板201的第一表面201a垂直的方向)上与下述的光吸收层36相对，与光吸收层36一起构成光共振结构。光反射层61的厚度为例如数百nm左右。光反射层61的材料为例如相对于光(例如红外线)的反射率较大的al等的金属材料。

一对第一电极焊盘62、63形成于第一基板201的第一表面201a。光反射层61、及第一电极焊盘62、63在从第一基板201的厚度方向观察的情况下构成为例如矩形状的外形。第一电极焊盘62、63位于该外形的对角。第一电极焊盘62、63在从第一基板201的厚度方向观察的情况下分别呈现例如矩形状。第一电极焊盘62、63分别经由形成于第一基板201的配线(省略图示)，与信号处理电路部5电连接。各第一电极焊盘62、63的厚度为例如数百nm左右。各第一电极焊盘62、63的材料为例如具有导电性的al等的金属材料。

第一膜体20以在与第一基板201的第一表面201a之间形成空隙s1的方式配置于第一基板201的第一表面201a上。第一膜体20与第一基板201的第一表面201a大致平行地配置。第一膜体20与第一基板201的第一表面201a的距离为例如数μm左右。如图3及图4所示，第一膜体20具有：受光部21、一对第一连接部22、23、一对第一梁部24、25。受光部21、一对第一连接部22、23、及一对第一梁部24、25一体地形成，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下构成例如矩形状的外形。第一连接部22、23位于该外形的对角。第一连接部22、23在从第一基板201的厚度方向观察的情况下分别呈现例如矩形状。这样，光检测器1中，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下的第一膜体20的外形利用受光部21、一对第一连接部22、23、及一对第一梁部24、25形成为矩形状。此外，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下的第一膜体20的外形是包含受光部21、一对第一连接部22、23、一对第一梁部24、25、及下述的第一狭缝20a、20b的第一膜体20整体的外形。

受光部21在第一基板201的厚度方向上与光反射层61相对。第一连接部22在第一基板201的厚度方向上与第一电极焊盘62相对。第一连接部23在第一基板201的厚度方向上与第一电极焊盘63相对。

第一梁部24配置于受光部21与第一连接部22之间。第一梁部24在受光部21的一侧沿着受光部21的外缘延伸。第一梁部24的一端与第一连接部22连接，第一梁部24的另一端在第一连接部23的附近的位置与受光部21连接。在受光部21与第一连接部22之间，及受光部21与第一梁部24之间连续地形成第一狭缝20a。第一梁部25配置于受光部21与第一连接部23之间。第一梁部25在受光部21的另一侧沿着受光部21的外缘延伸。第一梁部25的一端与第一连接部23连接，第一梁部25的另一端在第一连接部22的附近的位置与受光部21连接。在受光部21与第一连接部23之间，及受光部21与第一梁部25之间连续地形成有第一狭缝20b。第一梁部24、25的各个的宽度为例如数μm左右。第一梁部24、25的各个的长度为例如数十～数百μm左右。第一狭缝20a、20b的各个的宽度为例如数μm左右。

第一电极柱7配置于第一基板201与第一连接部22之间。具体而言，第一电极柱7配置于第一电极焊盘62与第一连接部22之间。第一电极柱7呈现从第一电极焊盘62向第一基板201的相反侧扩展的筒状。在第一电极柱7的外表面7a形成有沿着其外缘延伸成环状的槽7b。槽7b由第一电极柱7及第一电极焊盘62划定。第一电极柱7支承第一膜体20，并且与第一膜体20的第一配线层31(详情下述)及第一电极焊盘62电连接。第一电极柱8配置于第一基板201与第一连接部23之间。具体而言，第一电极柱8配置于第一电极焊盘63与第一连接部23之间。第一电极柱8呈现从第一电极焊盘63向第一基板201的相反侧扩展的筒状。在第一电极柱8的外表面8a形成有沿着其外缘延伸成环状的槽8b。槽8b由第一电极柱8及第一电极焊盘63划定。第一电极柱8支承第一膜体20，并且与第一膜体20的第一配线层32(详情下述)及第一电极焊盘63电连接。第一电极柱7、8的各个的高度为例如数μm左右。第一电极柱7、8的各个的材料为例如ti等的金属材料。

图5是光检测元件10的截面图。图5的i-i、ii-ii、iii-iii、iv-iv、v-v分别是沿着图4的i-i线、ii-ii线、iii-iii线、iv-iv线、v-v线的截面图。如图5所示，第一膜体20包含一对第一配线层31、32、绝缘层33、34、第一电阻层35、光吸收层36、分离层37。

如图4及图5所示，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，第一配线层31、32在受光部21经由第一间隙g1相互相对。第一间隙g1沿着第一线l1延伸。第一线l1在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在夹着第一膜体20的重心位置c1而相对的对角间延伸。具体而言，第一线l1在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，沿着通过第一膜体20的重心位置c1且将第一连接部22、23的各个连结的第一对角线d1延伸成蜿蜒状。第一线l1具有蜿蜒部l11。蜿蜒部l11包含多个曲线部l12。蜿蜒部l11通过反复进行如下动作而构成：在受光部21向受光部21的一侧延伸，在曲线部l12进行例如180°折回，且向受光部21的另一侧延伸，在曲线部l12进行例如180°折回，再次向受光部21的一侧延伸。

光检测元件10中，一侧是指在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，相对于第一对角线d1的一侧(例如第一梁部24存在的一侧)，另一侧是指在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，相对于第一对角线d1的与一侧相反的一侧(例如第一梁部25存在的一侧)。

在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，蜿蜒部l11包含：第一区间l13、第二区间l14、第三区间l15、第四区间l16。第一区间l13以第一振动量向一侧振动。第二区间l14以第二振动量向一侧振动。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在沿着第一对角线d1的方向上，第二区间l14由两个第一区间l13夹持。第三区间l15以第一振动量向另一侧振动。第四区间l16以第二振动量向另一侧振动。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在沿着第一对角线d1的方向上，第四区间l16由两个第三区间l15夹持。第一振动量比规定量大。第二振动量比规定量小。第一振动量为例如十数μm左右。第二振动量为例如数μm左右。

具体而言，受光部21中，第一区间l13向受光部21的一侧延伸第一振动量，在曲线部l12进行例如180°折回，并向受光部21的另一侧延伸第一振动量。与之接续，第四区间l16向受光部21的另一侧延伸第二振动量，在曲线部l12进行例如180°折回，并向受光部21的一侧延伸第二振动量。与之接续，第二区间l14向受光部21的一侧延伸第二振动量，在曲线部l12进行例如180°折回，并向受光部21的另一侧延伸第二振动量。与之接续，第三区间l15向受光部21的另一侧延伸第一振动量，在曲线部l12进行例如180°折回，并向受光部21的一侧延伸第一振动量。蜿蜒部l11通过反复进行这种动作而构成。此外，第一区间l13、第二区间l14、第三区间l15以及第四区间l16的各个包含曲线部l12。

第一配线层31、32在受光部21，在沿着第一线l1的方向上细长地形成。即，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在受光部21，沿着第一线l1的方向上的第一配线层31、32的各个的长度比与第一线l1垂直的方向上的第一配线层31、32的各个的宽度大。与第一线l1垂直的方向是指，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，与第一线l1的各位置上的接线垂直的方向。在曲线部的各位置，与第一线l1垂直的方向分别不同。

具体而言，第一配线层31在受光部21具有第一缘部31a和第三缘部31b。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，第一缘部31a及第三缘部31b的各个沿着第一线l1延伸。第一缘部31a在第一线l1侧延伸。第三缘部31b在第一线l1的相反侧延伸。第一配线层32在受光部21具有第二缘部32a和第四缘部32b。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，第二缘部32a及第四缘部32b的各个沿着第一线l1延伸。第二缘部32a在第一线l1侧延伸。第四缘部32b在第一线l1的相反侧延伸。

在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，第一缘部31a与第二缘部32a经由第一线l1相互相对。即，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，第一间隙g1由第一缘部31a和第二缘部32a划定。

在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在受光部21，沿着第一线l1的方向上的第一配线层31、32的各个的长度为例如数十～数百μm左右。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，与第一线l1垂直的方向上的第一配线层31、32的各个的宽度为例如数μm左右。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，与第一线l1垂直的方向上的第一间隙g1的宽度为例如数μm左右。第一配线层31、32的各个的厚度为例如数十～数百nm左右。

第一配线层31从受光部21经由第一梁部24向第一连接部22延伸。第一配线层31在第一连接部22形成于第一电极柱7上。第一配线层31与第一电极柱7电连接。第一配线层32从受光部21经由第一梁部25向第一连接部23延伸。第一配线层32在第一连接部23形成于第一电极柱8上。第一配线层32与第一电极柱8电连接。第一配线层31、32的各个的材料为例如ti等的金属材料。

绝缘层33以覆盖第一配线层31、32的各个中的第一基板201的相反侧的表面的方式，遍及受光部21、第一梁部24、25、及第一连接部22、23而形成。绝缘层33在使第一配线层31、32的各个中的第一基板201的相反侧的表面中沿着第一线l1的区域露出的状态下，形成于第一配线层31、32中的第一基板201的相反侧的表面。绝缘层33在第一连接部22、23覆盖第一配线层31、32的各个的侧面。绝缘层34以覆盖第一配线层31、32的各个中的第一基板201侧的表面的方式，遍及受光部21、第一梁部24、25、及第一连接部22、23而形成。绝缘层34在第一连接部22、23，经由第一配线层31、32的各个中的第一基板201侧的表面及第一电极柱7、8的各个的外表面7a、8a，在第一电极焊盘62、63上进入槽7b、8b的各个。绝缘层33及绝缘层34的各个的厚度为例如数十nm左右。绝缘层33及绝缘层34的各个的材料为例如氮化硅膜(sin)等。

第一电阻层35在受光部21以从第一基板201的相反侧覆盖绝缘层33的方式形成。第一电阻层35在受光部21，与第一配线层31、32的各个中的第一基板201的相反侧的表面中沿着第一线l1的区域接触。即，第一电阻层35在受光部21与第一配线层31、32分别电连接。第一电阻层35具有依赖于温度的电阻。第一电阻层35的厚度为例如数十～数百nm左右。第一电阻层35的材料为例如温度变化引起的电阻率的变化较大的非晶硅(a-si)等。这样，受光部21包含一对第一配线层31、32的各个与第一电阻层35的电连接区域。第一电阻层35不仅设置于受光部21，还设置于第一连接部22、23。第一电阻层35未形成于第一梁部24、25的各个中除了其两端部的部分。即，第一电阻层35在第一梁部24、25被分隔。

光吸收层36在受光部21与第一基板201的第一表面201a相对。光吸收层36相对于第一电阻层35配置于第一基板201的相反侧。光吸收层36在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，扩展至受光部21的整个区域。光吸收层36的厚度为例如十数nm左右。光吸收层36的材料为例如wsi2或ti等。

分离层37以在受光部21位于第一电阻层35与光吸收层36之间的方式，遍及受光部21、第一梁部24及第一梁部25、以及第一连接部22及第一连接部23而形成。分离层37的厚度比第一配线层31、第一配线层32、第一电阻层35以及光吸收层36的各个的厚度大。分离层37的厚度为例如数百nm左右。分离层37的材料为例如氮化硅膜(sin)等。

在第一膜体20形成有多个贯通孔20c、20d。多个贯通孔20c、20d是除去下述的牺牲层69的蚀刻气体通过的孔。各贯通孔20c、20d在从第一基板201的厚度方向观察的情况下呈现例如圆形状。各贯通孔20c、20d的直径为例如数μm左右。

接着，详细地说明光共振结构。如图6所示，入射于光吸收层36的入射光a(波长为λ)的一部分利用光吸收层36作为反射光b1反射，另一部分透过光吸收层36。透过光吸收层36的入射光a的另一部分利用光反射层61作为反射光b2反射。于是，反射光b1与反射光b2在光吸收层36的反射面相互干涉并抵消。由此，在光吸收层36的该反射面吸收入射光a。通过吸收的入射光a的能量，在光吸收层36产生热。

入射光a的吸收率根据光吸收层36的薄片电阻及光吸收层36与光反射层61之间的光学距离t决定。光吸收层36的厚度以薄片电阻成为真空阻抗(377ω/sq)的方式设定成大致16nm(在光吸收层36的材料为wsi2的情况下)。据此，由光吸收层36反射的反射光b1的振幅与由光反射层61反射的反射光b2的振幅一致。因此，在光吸收层36的反射面，反射光b1与反射光b2有效地干涉并抵消。因此，提高入射光a的吸收率。

另外，光学距离t以成为t＝(2m-1)λ/4(m＝1，2，3，···)的方式设定。据此，反射光b1与反射光b2的相位相差180°。因此，在光吸收层36的反射面，反射光b1与反射光b2有效地干涉并抵消。因此，提高入射光a的吸收率。这样，光反射层61与光吸收层36构成光共振结构。在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，光反射层61及光吸收层36的重叠的部分的面积越宽，越高效地吸收入射光a。

[参考元件的结构]

如图7所示，参考元件40具有：作为基板2的一部分的第二基板202、一对第二电极焊盘620、630、第二膜体50、光反射层96、一对第二电极柱70、80。

一对第二电极焊盘620、630形成于第二基板202的第二表面202a。第二电极焊盘620、630在从第二基板202的厚度方向观察的情况下位于例如矩形状的外形的对角。第二电极焊盘620、630在从第二基板202的厚度方向观察的情况下分别呈现例如矩形状。第二电极焊盘620、630分别经由形成于第二基板202的配线(省略图示)，与信号处理电路部5电连接。各第二电极焊盘620、630的厚度为例如数百nm左右。各第二电极焊盘620、630的各个的材料为例如具有导电性的al等的金属材料。

第二膜体50以在与第二基板202的第二表面202a之间形成空隙s2的方式配置于第二基板202的第二表面202a上。第二膜体50与第二基板202的第二表面202a大致平行地配置。第二膜体50与第二基板202的第二表面202a的距离为例如数μm左右。如图7及图8所示，第二膜体50具有主体部51、一对第二连接部52、53、一对第二梁部54、55。主体部51、一对第二连接部52、53、及一对第二梁部54、55一体地形成，在从第二基板202的厚度方向观察的情况下构成例如矩形状的外形。第二连接部52、53位于该外形的对角。第二连接部52、53在从第二基板202的厚度方向观察的情况下分别呈现例如矩形状。这样，光检测器1中，从第二基板202的厚度方向观察的情况下的第二膜体50的外形利用主体部51、一对第二连接部52、53、及一对第二梁部54、55形成为矩形状。此外，从第二基板202的厚度方向观察的情况下的第二膜体50的外形是包含主体部51、一对第二连接部52、53、一对第二梁部54、55、以及下述的第二狭缝50a、50b的第二膜体50整体的外形。

主体部51在第二基板202的厚度方向上与第二基板202的第二表面202a相对。第二连接部52在第二基板202的厚度方向上与第二电极焊盘620相对。第二连接部53在第二基板202的厚度方向上与第二电极焊盘630相对。

第二梁部54配置于主体部51与第二连接部52之间。第二梁部54在主体部51的一侧沿着主体部51的外缘延伸。第二梁部54的一端与第二连接部52连接，第二梁部54的另一端在第二连接部53的附近的位置与主体部51连接。在主体部51与第二连接部52之间、及主体部51与第二梁部54之间连续地形成有第二狭缝50a。第二梁部55配置于主体部51与第二连接部53之间。第二梁部55在主体部51的另一侧沿着主体部51的外缘延伸。第二梁部55的一端与第二连接部53连接，第二梁部55的另一端在第二连接部52的附近的位置与主体部51连接。在主体部51与第二连接部53之间、及主体部51与第二梁部55之间连续地形成有第二狭缝50b。第二梁部54、55的各个的宽度为例如数μm左右。第二梁部54、55的各个的长度为例如数十～数百μm左右。第二狭缝50a、50b的各个的宽度为例如数μm左右。

光反射层96形成于第二膜体50中的第二基板202的相反侧的表面。光反射层96形成于主体部51上。光反射层96在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，扩展至主体部51的整个区域。光反射层96的厚度为例如数百nm左右。光反射层96的材料为例如相对于光(例如红外线)反射率较大的al等的金属材料。

第二电极柱70配置于第二基板202与第二连接部52之间。具体而言，第二电极柱70配置于第二电极焊盘620与第二连接部52之间。第二电极柱70呈现从第二电极焊盘620向第二基板202的相反侧扩展的筒状。在第二电极柱70的外表面70a形成有沿着其外缘延伸成环状的槽70b。槽70b由第二电极柱70及第二电极焊盘620划定。第二电极柱70支承第二膜体50，并且与第二膜体50的第二配线层91(详情下述)及第二电极焊盘620电连接。第二电极柱80配置于第二基板202与第二连接部53之间。具体而言，第二电极柱80配置于第二电极焊盘630与第二连接部53之间。第二电极柱80呈现从第二电极焊盘630向第二基板202的相反侧扩展的筒状。在第二电极柱80的外表面80a形成有沿着其外缘延伸成环状的槽80b。槽80b由第二电极柱80及第二电极焊盘630划定。第二电极柱80支承第二膜体50，并且与第二膜体50的第二配线层92(详情下述)及第二电极焊盘630电连接。第二电极柱70、80的各个的高度为例如数μm左右。第二电极柱70、80的各个的材料为例如ti等的金属材料。

图9为参考元件40的截面图。图9的i-i、ii-ii、iii-iii、iv-iv、v-v分别是沿着图8的i-i线、ii-ii线、iii-iii线、iv-iv线、v-v线的截面图。如图9所示，第二膜体50包含：一对第二配线层91、92、绝缘层93及绝缘层94、第二电阻层95、分离层97。

如图8及图9所示，在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，第二配线层91、92在主体部51经由第二间隙g2相互相对。第二间隙g2沿着第二线l2延伸。第二线l2在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，在夹着第二膜体50的重心位置c2而相对的对角间延伸。具体而言，第二线l2在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，沿着通过第二膜体50的重心位置c2且将第二连接部52、53的各个连结的第二对角线d2延伸成蜿蜒状。第二线l2具有蜿蜒部l21。蜿蜒部l21包含多个曲线部l22。蜿蜒部l21通过反复进行如下动作而构成：在主体部51向主体部51的一侧延伸，在曲线部l22进行例如180°折回，且向主体部51的另一侧延伸，在曲线部l22进行例如180°折回，再次向主体部51的一侧延伸。

参考元件40中，一侧是指在从第二基板202的厚度方向观察的情况下に，相对于第二对角线d2的一侧(例如第二梁部54存在的一侧)，另一侧是指在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，相对于第二对角线d2的与一侧相反的一侧(例如第二梁部55存在的一侧)。

在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，蜿蜒部l21包含第五区间l23、第六区间l24、第七区间l25、第八区间l26。第五区间l23以第三振动量向一侧振动。第六区间l24以第四振动量向一侧振动。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，在沿着第二对角线d2的方向上，第六区间l24由两个第五区间l23夹持。第七区间l25以第三振动量向另一侧振动。第八区间l26以第四振动量向另一侧振动。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，在沿着第二对角线d2的方向上，第八区间l26由两个第七区间l25夹持。第三振动量比规定量大。第四振动量比规定量小。第三振动量为例如十数μm左右。第四振动量为例如数μm左右。

具体而言，主体部51中，第五区间l23向主体部51的一侧延伸第三振动量，在曲线部l22进行例如180°折回，且向主体部51的另一侧延伸第三振动量。与之接续，第八区间l26向主体部51的另一侧延伸第四振动量，在曲线部l22进行例如180°折回，且向主体部51的一侧延伸第四振动量。与之接续，第六区间l24向主体部51的一侧延伸第四振动量，在曲线部l22进行例如180°折回，且向主体部51的另一侧延伸第四振动量。与之接续，第七区间l25向主体部51的另一侧延伸第三振动量，在曲线部l22进行例如180°折回，且向主体部51的一侧延伸第三振动量。蜿蜒部l21通过将这种动作反复进行而构成。此外，第五区间l23、第六区间l24、第七区间l25以及第八区间l26的各个包含曲线部l22。

第二配线层91、92在主体部51中，在沿着第二线l2的方向上细长地形成。即，在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，主体部51中，沿着第二线l2的方向上的第二配线层91、92的各个的长度比与第二线l2垂直的方向上的第二配线层91、92的各个的宽度大。与第二线l2垂直的方向是指，在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，与第二线l2的各位置上的接线垂直的方向。在曲线部的各位置，与第二线l2垂直的方向分别不同。

具体而言，第二配线层91在主体部51具有第五缘部91a和第七缘部91b。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，第五缘部91a及第七缘部91b的各个沿着第二线l2延伸。第五缘部91a在第二线l2侧延伸。第七缘部91b在第二线l2的相反侧延伸。第二配线层92在主体部51具有第六缘部92a和第八缘部92b。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，第六缘部92a及第八缘部92b的各个沿着第二线l2延伸。第六缘部92a在第二线l2侧延伸。第八缘部92b在第二线l2的相反侧延伸。

在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，第五缘部91a与第六缘部92a经由第二线l2相互相对。即，在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，第二间隙g2由第五缘部91a和第六缘部92a划定。

在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，主体部51中，沿着第二线l2的方向上的第二配线层91、92的各个的长度为例如数十～数百μm左右。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，与第二线l2垂直的方向上的第二配线层91、92的各个的宽度为例如数μm左右。在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，与第二线l2垂直的方向上的第二间隙g2的宽度为例如数μm左右。第二配线层91、92的各个的厚度为例如数十～数百nm左右。

第二配线层91从主体部51经由第二梁部54向第二连接部52延伸。第二配线层91在第二连接部52形成于第二电极柱70上。第二配线层91与第二电极柱70电连接。第二配线层92从主体部51经由第二梁部55向第二连接部53延伸。第二配线层92在第二连接部53形成于第二电极柱80上。第二配线层92与第二电极柱80电连接。第二配线层91、92的各个的材料为例如ti等的金属材料。

绝缘层93以覆盖第二配线层91、92的各个中的第二基板202的相反侧的表面的方式，遍及主体部51、第二梁部54、55、及第二连接部52、53而形成。绝缘层93在使第二配线层91、92的各个中的第二基板202的相反侧的表面中沿着第二线l2的区域露出的状态下，形成于第二配线层91、92中的第二基板202的相反侧的表面。绝缘层93在第二连接部52、53覆盖第二配线层91、92的各个的侧面。绝缘层94以覆盖第二配线层91、92的各个中的第二基板202侧的表面的方式，遍及主体部51、第二梁部54、55、及第二连接部52、53而形成。绝缘层94在第二连接部52、53，经由第二配线层91、92的各个中的第二基板202侧的表面及第二电极柱70、80的各个的外表面70a、80a，在第二电极焊盘620、630上进入槽70b、80b的各个。绝缘层93及绝缘层94的各个的厚度为例如数十nm左右。绝缘层93及绝缘层94的各个的材料为例如氮化硅膜(sin)等。

第二电阻层95在主体部51以从第二基板202的相反侧覆盖绝缘层93的方式形成。第二电阻层95在主体部51与第二配线层91、92的各个中的第二基板202的相反侧的表面中沿着第二线l2的区域接触。即，第二电阻层95在主体部51与第二配线层91、92分别电连接。第二电阻层95具有依赖于温度的电阻。第二电阻层95的厚度为例如数十～数百nm左右。第二电阻层95的材料为例如温度变化引起的电阻率的变化较大的非晶硅(a-si)等。这样，主体部51包含一对第二配线层91、92的各个与第二电阻层95的电连接区域。第二电阻层95不仅设置于主体部51，还设置于第二连接部52、53。第二电阻层95未形成于第二梁部54、55的各个中除了其两端部的部分。即，第二电阻层95在第二梁部54、55被分隔。

分离层97在主体部51以位于第二电阻层95与光反射层96之间的方式，遍及主体部51、第二梁部54及第二梁部55、以及第二连接部52及第二连接部53而形成。分离层97的厚度比第二配线层91、第二配线层92、第二电阻层95以及光反射层96的各个的厚度大。分离层97的厚度为例如数百nm左右。分离层97的材料为例如氮化硅膜(sin)等。

在第二膜体50形成有多个贯通孔50c、50d。多个贯通孔50c、50d是将参考元件40的制造工序中使用的牺牲层除去的蚀刻气体通过的孔。各贯通孔50c、50d在从第二基板202的厚度方向观察的情况下呈现例如圆形状。各贯通孔50c、50d的直径为例如数μm左右。

[光检测器的动作]

以上那样构成的光检测器1中，如以下所述检测光。首先，光入射于光检测元件10的受光部21时，在构成上述的光共振结构的光吸收层36产生热。此时，受光部21与第一基板201利用空隙s1进行热分离。另外，受光部21与第一连接部22及第一梁部24利用第一狭缝20a进行热分离。另外，受光部21与第一连接部23及第一梁部25利用第一狭缝20b进行热分离。因此，抑制在光吸收层36产生的热经由第一梁部24、25及第一连接部22、23向基板2侧释放。另外，光吸收层36与第一配线层31、32利用分离层37进行热分离。因此，抑制光吸收层36中产生的热经由分离层37充分传导至第一电阻层35之前，该热经由第一配线层31、32向第一基板201侧释放。

光吸收层36中产生的热经由分离层37向第一电阻层35传导。然后，由于该热，第一电阻层35的温度上升并且电阻降低。该电阻的变化作为信号，经由第一配线层31、32、以及第一电极柱7、8发送至信号处理电路部5。信号处理电路部5中，第一电阻层35的电阻的变化转换成电压或电流的变化。此时，从参考部4的参考元件40，电阻的变化也作为信号发送至信号处理电路部5。信号处理电路部5中，参考元件40的第二电阻层95的电阻的变化转换成电压或电流的变化。信号处理电路部5中，基于光检测元件10的电压或电流的变化与参考元件40的电压或电流的变化的差量检测光。此外，对应的多个光检测元件10的各个中的信号每发送至信号处理电路部5，一个参考元件40中的上述信号向信号处理电路部5发送。即，来自参考元件40的信号的发送次数比来自光检测元件10的信号的发送次数大。因此，参考元件40比光检测元件10容易劣化。

[作用及效果]

如以上说明的那样，光检测器1中，在参考元件40中，经由在夹着第二膜体50的重心位置c2而相对的对角间延伸的第二间隙g2，一对第二配线层91、92相互相对。因此，与第二间隙g2在上述对角间以外延伸的情况相比，一对第二配线层91、92能够更平衡良好地支承第二膜体50。由此，抑制第二膜体50的变形(翘曲，挠曲等)。因此，根据光检测器1，能够确保参考元件40的补偿精度。这种效果在上述那样一个参考元件40用于相对于多个光检测元件10的补偿的情况下特别显著。

另外，光检测器1中，第二线l2在从第二基板202的厚度方向观察的情况下延伸成蜿蜒状。根据该结构，经由沿着第二线l2延伸的第二间隙g2相互相对的一对第二配线层91、92更宽地分布。因此，一对第二配线层91、92能够更平衡良好地支承第二膜体50。由此，更可靠地抑制第二膜体50的变形。因此，能够更可靠地确保参考元件的补偿精度。

另外，光检测器1中，光反射层96形成于第二膜体50中的第二基板202的相反侧的表面。根据该结构，防止光入射于第二膜体50，因此，能够使参考元件40容易且可靠地发挥用于补偿光检测元件10中的受光以外的主要原因引起的温度变化的功能。

另外，光检测器1中，在从第一基板201的厚度方向观察的情况下的第一膜体20的外形呈现多边形状，第一线l1在从第一基板201的厚度方向观察的情况下，在夹着第一膜体20的重心位置c1而相对的对角间延伸。根据该结构，与第一间隙g1在上述对角间以外延伸的情况相比，一对第一配线层31、32能够更平衡良好地支承第一膜体20。由此，抑制第一膜体20的变形(翘曲，挠曲等)。因此，能够使光检测元件10发挥用于基于受光引起的温度变化检测光的功能。

[光检测元件的制造方法]

接着，参照图10～图19说明光检测元件10的制造方法。图10～图16及图19的各图中，(b)的i-i、ii-ii、iii-iii、iv-iv、v-v分别是沿着(a)的i-i线、ii-ii线、iii-iii线、iv-iv线、v-v线的截面图。图17及图18中，省略上述(a)那样的图。

首先，如图10所示，准备第一基板201，在第一基板201的第一表面201a形成光反射层61、第一电极焊盘62、及第一电极焊盘63。光反射层61、第一电极焊盘62、及第一电极焊盘63通过蚀刻设为上述的形状。接着，如图11所示，以覆盖光反射层61、第一电极焊盘62、及第一电极焊盘63的方式，在第一基板201的第一表面201a形成牺牲层69。牺牲层69的材料为例如聚酰亚胺等。接着，如图12所示，通过蚀刻将牺牲层69的一部分除去，而在牺牲层69形成贯通孔69a、69b。各贯通孔69a、69b分别形成于第一电极焊盘62及第一电极焊盘63上。于是，各贯通孔69a、69b中，第一电极焊盘62及第一电极焊盘63的各个中的第一基板201的相反侧的表面露出。各贯通孔69a、69b的内表面分别为例如圆锥台状的锥面。各贯通孔69a、69b的内表面分别从第一电极焊盘62及第一电极焊盘63的各个向第一基板201的相反侧扩展。

接着，如图13所示，在牺牲层69上形成绝缘层34。绝缘层34在各贯通孔69a、69b的各个，以内表面成为例如圆锥台状的锥面的方式形成。接着，通过蚀刻将绝缘层34的一部分除去，由此，在绝缘层34形成贯通孔34a、34b。各贯通孔34a、34b分别形成于第一电极焊盘62及第一电极焊盘63上。于是，各贯通孔34a、34b中，第一电极焊盘62及第一电极焊盘63的各个中的第一基板201的相反侧的表面露出。各贯通孔34a、34b在从第一基板201的厚度方向观察的情况下呈现圆形状。

接着，如图14所示，在贯通孔69a中的绝缘层34上形成第一电极柱7，并且在贯通孔69b中的绝缘层34上形成第一电极柱8。第一电极柱7、8的各个通过例如蒸镀形成。此时，绝缘层34在各贯通孔69a、69b的各个内表面为锥面，因此，更可靠地形成第一电极柱7、8的各个。由此，抑制第一电极柱7、8的成膜不良引起的断线。因此，能够在第一连接部22及第一连接部23的各个抑制电连接产生不良。另外，抑制第一电极柱7、8的各个的厚度的不均，强度稳定化。另外，绝缘层34具有在第一连接部22及第一连接部23的各个进入槽7b及槽8b的各个的部分，因此，第一电极柱7、8的对准偏差的允许范围变宽。第一电极柱7、8的各个以在各贯通孔69a、69b的各个中的绝缘层34上，内表面成为例如圆锥台状的锥面的方式形成。

接着，如图15所示，以覆盖第一电极柱7、8的方式在绝缘层34上形成第一配线层31、32。第一配线层31、32的各个通过例如蒸镀形成。此时，第一电极柱7、8的各个的内表面为锥面，因此，在第一电极柱7、8上，更可靠地形成第一配线层31、32。由此，抑制第一配线层31、32的成膜不良引起的断线。因此，能够在第一连接部22及第一连接部23的各个抑制电连接产生不良。另外，抑制第一配线层31、32的各个的厚度的不均，强度稳定化。此外，在多个光检测元件10配置成二维矩阵状的情况下，为了像素的窄间距化及死区的降低，第一电极柱7、8的长宽比变高时，更可靠地形成上述的第一电极柱7、8、以及第一配线层31、32的效果特别显著。第一配线层31、32通过蚀刻设为上述的形状。

接着，如图16所示，以从第一基板201的相反侧覆盖第一配线层31、32的方式，遍及受光部21、第一梁部24及第一梁部25、以及第一连接部22及第一连接部23而形成绝缘层33。绝缘层33通过蚀刻设为上述的形状。接着，如图17所示，受光部21中，以从第一基板201的相反侧覆盖绝缘层33的方式形成第一电阻层35，并且在第一连接部22及第一连接部23，在绝缘层33上形成第一电阻层35。于是，受光部21、第一连接部22、及第一连接部23中，以从第一基板201的相反侧覆盖第一电阻层35的方式形成分离层37，并且在第一梁部24及第一梁部25，在绝缘层33上形成分离层37。

接着，如图18所示，受光部21中，在分离层37上形成光吸收层36，进一步形成贯通孔20c、20d。光吸收层36通过蚀刻设为上述的形状。贯通孔20c、20d通过蚀刻形成于上述的位置。接着，如图19所示，形成第一狭缝20a、20b，进一步从第一狭缝20a、20b、以及贯通孔20c、20d进行蚀刻，并将牺牲层69除去，由此，形成空隙s1。第一狭缝20a、20b通过蚀刻形成于上述的位置。

此外，参考元件40的制造方法在代替在分离层37上形成光吸收层36，而在分离层97上形成光反射层96的点及未形成光反射层61的点上，与上述的光检测元件10的制造方法不同。此外，配置成二维矩阵状的多个光检测元件10及一维地配置的多个参考元件40的制造相对于基板2同时进行并实施。

以上，对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式。

图20～图29中，作为参考元件40的第二膜体50的变形例，表示第二膜体50a～第二膜体50j。如图20所示，第二膜体50a中，第二线l2也可以在从基板2的厚度方向观察的情况下不延伸成蜿蜒状。第二线l2只要在从基板2的厚度方向观察的情况下，在夹着第二膜体50的重心位置c2而相对的对角间延伸即可。第二线l2也可以例如与第二对角线d2重叠。

另外，如图21所示，第二膜体50b中，第二线l2也可以在从基板2的厚度方向观察的情况下，在主体部51的大致整个区域延伸成蜿蜒状。另外，也可以在主体部51形成一个贯通孔50e。贯通孔50e也可以形成于第二膜体50的重心位置c2。

另外，如图22所示，第二膜体50c中，一对第二梁部54、55的各个的长度也可以比一对第一梁部24、25的各个的长度短。根据该结构，与光检测元件10的第一膜体20相比，抑制参考元件40的第二膜体50c的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件40的补偿精度。

另外，如图23所示，也可以是从基板2的厚度方向观察的情况下的第二膜体50d的外形利用主体部51形成为多边形状(在此，矩形状)，一对第二电极柱70、80配置于基板2与主体部51的一对角部的各个之间。即，第二膜体50d也可以不具有第二连接部及第二梁部，而仅由主体部51构成。根据该结构，与光检测元件10的第一膜体20相比，抑制参考元件40的第二膜体50d的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件40的补偿精度。

另外，如图24所示，第二膜体50e中，也可以是第二配线层91在从基板2的厚度方向观察的情况下，相对于第二间隙g2向第二配线层92的相反侧扩展，第二配线层92在从基板2的厚度方向观察的情况下，相对于第二间隙g2向第二配线层91的相反侧扩展。根据该结构，更可靠地抑制第二膜体50e的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件40的补偿精度。

另外，如图25所示，第二膜体50f中，也可以是在一对第二梁部54、55的各个的长度比一对第一梁部24、25的各个的长度短的情况下，第二配线层91在从基板2的厚度方向观察的情况下相对于第二间隙g2向第二配线层92的相反侧扩展，第二配线层92在从基板2的厚度方向观察的情况下相对于第二间隙g2向第二配线层91的相反侧扩展。

另外，如图26所示，也可以是从基板2的厚度方向观察的情况下的第二膜体50g的外形利用主体部51形成为多边形状(在此，矩形状)的情况下，第二配线层91在从基板2的厚度方向观察的情况下，相对于第二间隙g2向第二配线层92的相反侧扩展，第二配线层92在从基板2的厚度方向观察的情况下，相对于第二间隙g2向第二配线层91的相反侧扩展。

另外，如图27所示，参考元件40也可以还具有一对第三电极柱70h、80h。一对第三电极柱70h、80h配置于基板2与第二膜体50h之间，支承第二膜体50h，并且与一对第二配线层91、92分别电连接。一对第三电极柱70h、80h在从基板2的厚度方向观察的情况下，位于第二膜体50h中的与一对第二电极柱70、80所位于的对角不同的对角。具体而言，第二膜体50h还具有一对第三连接部56、57、一对第三梁部58、59。第三连接部56、57位于与第二连接部52、53所位于的第二膜体50h的对角不同的对角。即，第三连接部56、57位于沿着与第二对角线d2不同的第三对角线d3的方向上的主体部51的两侧。于是，第三电极柱70h配置于基板2与第三连接部56之间。第三电极柱80h配置于基板2与第三连接部57之间。根据该结构，更可靠地抑制第二膜体50h的变形，因此，能够更可靠地确保参考元件40的补偿精度。此外，第三梁部58配置于主体部51与第三连接部56之间。第三梁部59配置于主体部51与第三连接部57之间。

另外，如图28所示，第二膜体50i中，也可以是在参考元件40还具有一对第三电极柱70h、80h的情况下，第二梁部54、55及第三梁部58、59的各个的长度比第一梁部24、25的各个的长度短。

另外，如图29所示，第二膜体50j中，也可以是在参考元件40还具有一对第三电极柱70h、80h的情况下，从基板2的厚度方向观察的情况下的第二膜体50j的外形利用主体部51形成为多边形状(在此，矩形状)。

另外，表示了第一膜体20及第二膜体50在从基板2的厚度方向观察的情况下呈现例如矩形状的例子，但不限定于此。第一膜体20及第二膜体50的各个也可以在从基板2的厚度方向观察的情况下呈现矩形状以外的多边形状。即，从基板2的厚度方向观察的情况下的第一膜体20及第二膜体50的各个的外形也可以形成为多边形状。在该情况下，至少参考元件40中，第二线l2也可以在从基板2的厚度方向观察的情况下，在夹着第二膜体50的重心位置c2而相对的对角间延伸。

另外，也可以是从第二基板202的厚度方向观察的情况下的主体部51的外形呈现多边形状(在此，八边形状，参照图7及图8)，第二线l2在从第二基板202的厚度方向观察的情况下，在夹着主体部51的重心位置而相对的对角间延伸。在该情况下，参考元件40中，经由在夹着主体部51的重心位置而相对的对角间延伸的第二间隙g2，一对第二配线层91、92相互相对。据此，与第二间隙g2在上述对角间以外延伸的情况相比，一对第二配线层91、92能够更平衡良好地支承主体部51。由此，抑制主体部51的变形(翘曲，挠曲等)。因此，能够确保参考元件40的补偿精度。这种效果在上述那样一个参考元件40用于相对于多个光检测元件10的补偿的情况下特别显著。

此外，如上所述，从第二基板202的厚度方向观察的情况下的主体部51的外形呈现多边形状的情况下，主体部51的角部也可以包含以向主体部51的重心位置凹陷的方式形成的角部。即，第二线l2也可以在包含以夹持主体部51的重心位置且向主体部51的重心位置凹陷的方式形成的角部的对角间延伸。另外，第二梁部54、55也可以不沿着主体部51的外缘延伸。

另外，从基板2的厚度方向观察的情况下，贯通孔20c、20d、50c、50d也可以呈现椭圆形或四边形等的各种各样的形状。另外，形成贯通孔20c、20d、50c、50d的位置没有限定。贯通孔20c、20d、50c、50d也可以形成于受光部21及主体部51的各个的各种位置。

另外，也可以是像素部3由一个光检测元件10构成，参考部4由一个参考元件40构成。

符号的说明

1…光检测器，7、8…第一电极柱，10…光检测元件，20…第一膜体，21…受光部，22、23…第一连接部，24、25…第一梁部，31、32…第一配线层，35…第一电阻层，40…参考元件，50…第二膜体，51…主体部，52、53…第二连接部，54、55…第二梁部，70、80…第二电极柱，70h、80h…第三电极柱，91、92…第二配线层，95…第二电阻层，96…光反射层，201…第一基板，201a…第一表面，202…第二基板，202a…第二表面，c1…重心位置，c2…重心位置，g1…第一间隙，g2…第二间隙，l1…第一线，l2…第二线，s1…空隙，s2…空隙。