电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法与流程

本发明涉及电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法。

背景技术：

以往通过卷对卷方式在基材膜上层叠导电膜来制造导电性膜。所制造的导电性膜要求其表面电阻(薄层电阻)处于期望的范围内，因此，需要测量表面电阻来发现表面电阻的品质不良。作为其方法，众所周知一种在卷取导电性膜之前使用非接触式电阻测量装置来测量导电性膜的表面电阻的方法(例如参照专利文献1)。

专利文献1的非接触式表面电阻测量装置具有：涡流传感器，其由涡流产生部和涡流检测部构成；以及分隔距离传感器，其检测涡流传感器与导电膜之间的距离。

在专利文献1的装置中，分隔距离传感器对涡流传感器与导电膜之间的距离进行检测，考虑与该检测结果相对应的校正值，对导电性膜的表面电阻进行计算。因此，在导电性膜的输送过程中，能够减小因涡流传感器与导电膜之间的距离的不均引起的测量误差。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-197034号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

另外，从探测器的观点来看，非接触式电阻测量装置具有双面探测器类型和单面探测器类型这两种。双面探测器类型(探测器相对型)在导电性膜的两侧(上侧和下侧)具有以不与导电性膜接触的方式隔有间隔而相对地配置的两个探测器。另一方面，单面探测器类型仅在导电性膜的一侧(上侧)具有以不与导电性膜接触的方式隔有间隔而配置的1个探测器。通常情况下，单面探测器类型与双面探测器类型相比，需要在非常靠近导电性膜的位置配置探测器。因此，有可能因输送导电性膜时的上下方向的抖动导致探测器与导电性膜相接触。因此，研究采用双面探测器类型。

另外，从测量位置可变的观点来看，电阻测量装置具有固定式和横动式这两种。在固定式中，使探测器的位置固定来测量导电性膜。在横动式中，一边使探测器沿导电性膜的宽度方向(与输送方向交叉的正交方向)移动，一边测量导电性膜。在横动方式中，除了能够测量导电性膜的输送方向的任意部位，还能够测量宽度方向的任意部位，在这一点上是有优势的。

综合上述的点，研究使用双面探测器类型且是横动式的电阻测量装置来测量导电性膜的方法。

然而，在该方法中，在使用引导件等移动器具使相对地配置的两个探测器分别沿宽度方向移动时，发生两个探测器的上下方向距离稍微偏离这样的不良。移动器具被设计为彼此的上下方向距离一定，但非接触式电阻测量装置对于移动器具的公差(例如小于0.1mm)以内的极微小的上下方向距离的不均也反应敏感。因此，得到的表面电阻产生误差，测量精度下降。

对于这一点，研究使用专利文献1所述的分隔距离传感器的方法。然而，在该方法中，虽然能够测量导电膜与一侧的探测器之间的距离，但无法测量两个探测器之间的距离，因此无法消除上述不良。

本发明在于提供如下的电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法：在使用探测器相对型的非接触式表面测量装置一边沿导电性膜的宽度方向移动一边测量薄层电阻时，能够提高测量精度。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，该电阻测量装置具有：两个探测器，该两个探测器以不与所述导电性膜相接触而能够使所述导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元，其使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由所述两个探测器测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，所述运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使所述导电性膜介于所述两个探测器之间的情况下使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的参照电压，基于所述参照电压来校正使所述导电性膜介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。

在该电阻测量装置中，首先，在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使该两个探测器沿交叉方向扫描来测量参照电压，并存储该参照电压。即，将在扫描时因探测器之间的上下方向距离的偏离而引起的电压的变化设为参照电压并预先存储。然后，基于存储的参照电压，校正导电性膜的实际电压，计算薄层电阻。

因此，能够计算考虑到探测器之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜的薄层电阻，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。

本发明[2]包括[1]所述的电阻测量装置，所述两个探测器之间的距离可变。

在该电阻测量装置中，由于能够使探测器之间的距离变化，因此，能够与导电性膜的厚度相应地将探测器之间的上下方向距离调整为最合适的距离。因此，容易对电阻测量装置的设定进行调整。另外，即使变更探测器之间的距离，也会基于参照电压来校正实际电压，因此，不论探测器之间的距离如何，都能够得到准确的薄层电阻。

本发明[3]包括一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，该膜制造装置具有：层叠单元，其将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；输送单元，其输送所述导电性膜；以及[1]或[2]所述的电阻测量装置，其测量由所述输送单元输送的所述导电性膜的薄层电阻。

在该膜制造装置中，由于具有上述的电阻测量装置，因此，能够准确地检测薄层电阻的不良。因而，能够可靠地考虑到具有不良的薄层电阻的导电性膜。因此，能够制造出具有更均匀的薄层电阻的导电性膜。

本发明[4]包括一种导电性膜的制造方法，其为制造在一方向上较长的导电性膜的方法，该导电性膜的制造方法具有：层叠工序，在该工序中，将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；以及电阻测量工序，在该工序中，一边将所述导电性膜沿所述一方向输送，一边测量所述导电性膜的薄层电阻，所述电阻测量工序具有：参照电压测量工序，在该工序中，在不使所述导电性膜介于隔有间隔而相对地配置的两个探测器之间的情况下，使所述两个探测器沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描来测量参照电压；实际电压测量工序，在该工序中，一边使所述导电性膜在所述导电性膜不与所述两个探测器相接触的情况下介于所述两个探测器之间、并使所述两个探测器沿所述交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的实际电压；以及计算工序，在该工序中，基于所述参照电压校正所述实际电压，计算所述导电性膜的薄层电阻。

在该导电性膜的制造方法中，首先，在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使该两个探测器沿交叉方向扫描来测量参照电压。即，将在扫描时因探测器之间的上下方向距离而引起的电压的变化设为参照电压并预先进行测量。然后，基于测量出的参照电压，校正导电性膜的实际电压，计算薄层电阻。

因此，能够计算考虑到探测器之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜的薄层电阻，导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)提高。因而，能够准确地检测导电性膜的薄层电阻的不良，能够可靠地考虑到具有不良的薄层电阻的导电性膜。其结果是，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜。

发明的效果

根据本发明的电阻测量装置，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度。

根据本发明的膜制造装置和导电性膜的制造方法，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜。

附图说明

图1表示本发明的膜制造装置的一实施方式。

图2表示图1所示的膜制造装置所含的电阻测量装置的主视图。

图3a和图3b是输送导电性膜时的图2所示的电阻测量装置的动作说明图，图3a表示主视图，图3b表示俯视图。

图4表示本发明的导电性膜的制造方法的一实施方式的电阻测量工序的流程图。

图5表示将参照电压与宽度方向位置的关系以及探测器间隙位移与宽度方向位置的关系合起来的图表。

具体实施方式

在图1中，纸面左右方向为输送方向(第1方向、长度方向、一方向)，纸面右侧为输送方向下游侧(第1方向一侧、长度方向一侧)，纸面左侧为输送方向上游侧(第1方向另一侧、长度方向另一侧)。纸厚方向为宽度方向(与第1方向正交的第2方向)，纸面近前侧为宽度方向一侧(第2方向一侧)，纸面进深侧为宽度方向另一侧(第2方向另一侧)。纸面上下方向为上下方向(与第1方向和第2方向正交的第3方向、厚度方向)，纸面上侧为上侧(第3方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧为下侧(第3方向另一侧、厚度方向另一侧)。图1之外的其他附图也以图1的方向为准。

<一实施方式>

1.膜制造装置

参照图1～图3，说明本发明的一实施方式的膜制造装置1。图1所示的膜制造装置1是用于制造在输送方向(一方向)上较长的导电性膜2的装置，具有层叠输送装置3和电阻测量装置4。

[层叠输送装置]

如图1所示，层叠输送装置3具有送出单元5、作为层叠单元的一个例子的溅射单元6以及卷取单元7。

送出单元5具有送出辊11、第1引导辊12以及送出室13。

送出辊11是用于送出基材膜10的具有旋转轴的圆柱构件。送出辊11配置于层叠输送装置3的输送方向最上游。在送出辊11连接有用于使送出辊11旋转的马达(未图示)。

第1引导辊12是将从送出辊11送出的基材膜10向溅射单元6引导的旋转构件。第1引导辊12配置于送出辊11的输送方向下游侧且是第2引导辊14(后述)的输送方向上游侧。

送出室13是收纳送出辊11和第1引导辊12的壳体。在送出室13设有能够使内部为真空的真空单元。

溅射单元6利用溅射法在从送出单元5输送来的基材膜10层叠导电层22(后述)。溅射单元6在送出单元5的输送方向下游侧且是卷取单元7的输送方向上游侧以与该送出单元5和卷取单元7相邻的方式配置。溅射单元6具有第2引导辊14、成膜辊15、靶材16、第3引导辊17以及成膜室18。

第2引导辊14是将从送出单元5输送的基材膜10向成膜辊15引导的旋转构件。第2引导辊14配置于第1引导辊12的输送方向下游侧且是成膜辊15的输送方向上游侧。

成膜辊15是用于在基材膜10层叠导电层22的具有旋转轴的圆柱构件。成膜辊15沿其周向将基材膜10沿着成膜辊15的周面输送。成膜辊15配置于第2引导辊14的输送方向下游侧且是第3引导辊17的输送方向上游侧。

靶材16由导电层22的材料形成。靶材16配置于成膜辊15的附近。具体而言，靶材16在成膜辊15的下侧与成膜辊15隔有间隔而相对地配置。

第3引导辊17是将从成膜辊15输送来的导电性膜2经由电阻测量装置4向卷取单元7引导的旋转构件。第3引导辊17配置于第2引导辊14的输送方向下游侧且是第4引导辊19(后述)的输送方向上游侧。

成膜室18是收纳第2引导辊14、成膜辊15、靶材16、第3引导辊17以及电阻测量装置4(后述)的壳体。在成膜室18设有能够使内部为真空的真空单元。

卷取单元7具有第4引导辊19、卷取辊20以及卷取室21。卷取单元7在溅射单元6的输送方向下游侧以与溅射单元6相邻的方式配置。

第4引导辊19是将从溅射单元6输送来的导电性膜2向卷取辊20引导的旋转构件。第4引导辊19配置于第3引导辊17的输送方向下游侧且是卷取辊20的输送方向上游侧。

卷取辊20是用于卷取导电性膜2的具有旋转轴的圆柱构件。卷取辊20配置于基材膜10的输送方向最下游。在卷取辊20连接有用于使卷取辊20旋转的马达(未图示)。

卷取室21是收纳卷取辊20和第4引导辊19的壳体。在卷取室21设有能够使内部为真空的真空单元。

送出辊11和卷取辊20构成输送单元8的一个例子。

[电阻测量装置]

如图1所示，电阻测量装置4配置于溅射单元6的内部。具体而言，配置于成膜辊15和第3引导辊17的输送下游侧且是第4引导辊19和卷取辊20的输送方向上游侧。

如图2和图3a～图3b所示，电阻测量装置4具有探测器相对型的非接触型电阻测量单元31(以下也简称为测量单元31)、扫描单元32以及运算单元33。

测量单元31是以不与导电性膜2(测量对象)相接触的状态对导电性膜2的薄层电阻进行测量的单元，具体而言，是涡流式测量单元。测量单元31通过对导电性膜2施加磁场而在导电性膜2内产生涡流，在涡流的影响下，流经线圈36的电流发生变化，利用该电流的变化来测量导电性膜2的薄层电阻。

测量单元31具有两个探测器34和测量电路单元35。

两个探测器34是接收来自导电性膜2的信息(磁场等)的单元。具体而言，两个探测器34对导电性膜2施加磁场，并且将由导电性膜2的涡流产生的反磁场转换为电流。

两个探测器34隔有间隔而相对地配置。两个探测器34具有与导电性膜2隔有间隔地配置于导电性膜2的上侧的上侧探测器34a和与导电性膜2隔有间隔地配置于导电性膜2的下侧的下侧探测器34b。两个探测器34的上下方向距离可变。即，后述的上侧扫描单元32a和下侧扫描单元32b中的至少一者能够在上下方向上移动和固定。

两个探测器34分别具有线圈36。配置于上侧探测器34a内的线圈36和配置于下侧探测器34b内的线圈36被设为，在沿上下方向投影时成为大致相同的形状。

线圈36分别在俯视时呈大致圆环状，线圈36各自的直径例如是100mm以下，优选为80mm以下，更优选为40mm以下，另外，例如是10mm以上。若线圈36的直径为上述上限以下，则能够减小探测器34所能够检测薄层电阻的测量点29(后述)的最小面积，能够提高宽度方向的灵敏度(分辨率)。

两个探测器34的上下方向距离d(探测器间隙)例如是5mm以上，优选为10mm以上，另外，例如是30mm以下，优选为15mm以下。

测量电路单元35是具有与两个线圈36电连接的电路的单元。测量电路单元35具有例如高频振荡器、电容器、电压计、电流计、i/v转换电路等为驱动测量单元31所需的元件。

扫描单元32是使两个探测器34沿宽度方向(正交方向：交叉方向的一个例子)移动的单元。扫描单元32一边维持两个探测器34的相对配置(相对地配置)，一边使该两个探测器34在从输送区域25(后述)的宽度方向一端部26至宽度方向另一端部27之间往返移动。

扫描单元32具有上侧扫描单元32a和下侧扫描单元32b。

上侧扫描单元32a具有：滑动件39，该滑动件39将上侧探测器34a保持于其下表面(厚度方向另一侧的面)；以及引导轴(横动轴)40，该引导轴(横动轴)40为直线状，在宽度方向上跨输送区域25的两端缘。在上侧扫描单元32a中，滑动件39以能够滑动的方式嵌合于引导轴40，在来自未图示的马达的驱动力的作用下，滑动件39以沿着引导轴40在宽度方向上横穿输送区域25的方式进行直线移动。

下侧扫描单元32b具有：滑动件39，该滑动件39将下侧探测器34b保持于其上表面(厚度方向一侧的面)；以及引导轴(横动轴)40，该引导轴(横动轴)40为直线状，在宽度方向上跨输送区域25的两端缘。该滑动件39和引导轴(横动轴)40与上侧扫描单元32a的滑动件39和引导轴40相同。

运算单元33具有存储器37和cpu38。

存储器37存储由测量单元31测量出的参照电压的数据。具体而言，存储器37存储表示参照电压与测量出参照电压的探测器34的宽度方向位置的关系的数据资料(日文：プロファイル)。

另外，存储器37存储由测量单元31测量出的导电性膜2的实际电压的数据、基于实际电压的数据和参照电压的数据对导电性膜2的薄层电阻进行运算的运算程序等。

cpu38执行上述的运算程序，基于参照电压校正实际电压，通过公知的计算式，使用该校正后的实际电压(校正电压)来计算薄层电阻。

2.膜的制造方法

说明使用膜制造装置1来制造导电性叠膜2的方法的一实施方式。导电性膜2的制造方法具有层叠工序、电阻测量工序以及筛选工序。

[层叠工序]

在层叠工序中，一边输送基材膜10，一边将导电层22层叠于基材膜10。具体而言，一边输送基材膜10，一边利用溅射法在基材膜10的表面形成导电层22(参照图1的放大图)。

首先，将在输送方向上较长的基材膜10配置于送出辊11。即，将把长条的基材膜10卷绕成卷状而成的卷体安装于送出辊11。

作为基材膜10，能够举出例如高分子膜。作为高分子膜的材料，能够举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸树脂，例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂，例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等。

基材膜10的宽度方向长度(即输送区域25的宽度方向长度)例如是100mm以上，优选为200mm以上，另外，例如是5000mm以下，优选为2000mm以下。

接着，利用马达来驱动送出辊11和卷取辊20使其旋转，从送出辊11送出基材膜10，依次经由第1引导辊12、第2引导辊14、成膜辊15、第3引导辊17以及第4引导辊19输送该基材膜10，并利用卷取辊20卷取。

基材膜10的输送速度(导电性膜2的输送速度)例如是10mm/秒以上，优选为100mm/秒以上，另外，例如是500mm/秒以下，优选为300mm/秒以下。

由此，基材膜10通过卷对卷方式沿输送方向被从送出辊11输送至卷取辊20(输送工序)。

接着，实施溅射。即，使溅射单元6工作，在基材膜10形成导电层22。

具体而言，向真空下的成膜室18的内部供给气体(氩气等)，并且施加电压，使气体与靶材16碰撞。其结果是，在成膜辊15的下方，从靶材16弹出的靶材料附着于从输送方向上游侧输送来的基材膜10的下表面，形成导电层22。

靶材16的材料即导电层22的材料能够举出例如铟锡复合氧化物、锑锡复合氧化物等金属氧化物，例如氮化铝、氮化钛、氮化钽、氮化铬、氮化镓及它们的复合氮化物等金属氮化物，例如金、银、铜、镍及这些金属的合金等金属等。

由此，在成膜辊15的下侧，制作出具有基材膜10和层叠于该基材膜10的下表面的导电层22的导电性膜2(导电层形成工序)。

然后，在成膜辊15的下侧制作出的导电性膜2由成膜辊15和第3引导辊17向输送方向下游侧的电阻测量装置4输送。

[电阻测量工序]

在电阻测量工序中，一边沿输送方向输送导电性膜2，一边测量导电性膜2的薄层电阻。如图4的流程图所示，电阻测量工序具有参照电压测量工序、实际电压测量工序以及计算工序。

(参照电压测量工序)

在参照电压测量工序中，如图2所示，一边以不使导电性膜2介于两个探测器34之间的状态使两个探测器34沿宽度方向扫描，一边测量电压。

参照电压测量在输送导电性膜2之前实施。在输送基材膜10之前实施，即相对于空气空间实施。或者，在使溅射单元6工作之前实施，即相对于未层叠有导电层22的基材膜10实施。

两个探测器34从扫描单元32的宽度方向一端部扫描至宽度方向另一端部。即，两个探测器34从输送区域25的宽度方向一端部26移动至宽度方向另一端部27。

输送区域25是在沿上下方向(厚度方向)投影时与所输送的导电性膜2重叠的区域，输送区域25的宽度方向长度与导电性膜2的宽度方向长度一致。

通过使测量单元31动作来实施电压的测量。即，在两个探测器34之间施加磁场，检测流经测量电路单元35的电流的电压。

由此，测量没有导电性膜2的状态(空状态)下的电压的数据即参照电压的数据。具体而言，得到表示探测器34的宽度方向位置(横轴)与该宽度方向位置处的空电压(纵轴)的关系的数据资料(图表)(参照图5)。

接着，使用公知的方法，根据参照电压的数据制作近似式(参照图5)。

包括数据资料和近似式的参照电压的数据通过运算单元33存储于存储器37。

(实际电压测量工序)

在实际电压测量工序中，如图3a和图3b所示，一边使两个探测器34沿宽度方向扫描，一边测量导电性膜2的实际的电压(实际电压)。

具体而言，在使导电性膜2于该导电性膜2不与两个探测器34相接触的情况下介于该两个探测器34之间的状态下，实施测量。即，在输送来的导电性膜2经过两个探测器34之间时，测量其电压。

在实施测量期间持续进行两个探测器34在宽度方向上的扫描。两个探测器34从输送区域25的宽度方向一端部26至宽度方向另一端部27进行往返移动。

由探测器34测量的导电性膜2的测量点29分别具有比线圈36大的俯视时呈大致圆形的形状。即，测量点29的直径比线圈36的直径大。

如图3b所示，由多个测量点29的集合体构成的图案(测量图案)在俯视时呈沿输送方向前进的波形状。多个测量点29中的配置于最靠宽度方向一侧的位置的测量点29的宽度方向一侧的端缘与输送区域25的宽度方向一侧的端缘一致，配置于最靠宽度方向另一侧的位置的测量点29的宽度方向另一侧的端缘与输送区域25的宽度方向另一侧的端缘一致。

探测器34的扫描速度例如是10mm/秒以上，优选为100mm/秒以上，另外，例如是500mm/秒以下，优选为300mm/秒以下。

由此，测量出实际电压，将实际电压的数据存储于存储器37。具体而言，得到表示测量时间(或测量位置)(横轴)与在该时间时的实际电压(纵轴)的关系的数据资料。

此外，在测量时间上，考虑导电性膜2的输送速度和扫描单元32的扫描速度，从而计算出导电性膜2的测量位置。

(计算工序)

在计算工序中，基于参照电压校正实际电压，计算导电性膜2的薄层电阻。

即，基于参照电压，通过加减乘除等校正实际电压，使用公知的计算方法来计算薄层电阻。例如，使用下述计算式来计算薄层电阻。

【数学式1】

pc＝e7(io+ie)

ie＝r·ve

io＝r.(vo+vα)

式中，pc表示高频电力值，et表示高频电压值，io表示不存在测量对象(导电性膜2)的情况下的电流值，ie表示涡流检测电流值，ρs表示薄层电阻，k表示线圈耦合系数，r表示i/v转换电路的电阻值，ve表示涡流检测电压值，vo表示不存在测量对象(导电性膜2)的情况下的电压值，vα表示参照电压值。

此外，上述高频电压值et因涡流的产生而发生变化，但是，由与供给电压的误差而被控制为恒定。ie和io由i/v转换电路(电阻r)转换为电压值(实际电压)ve和vo。另外，在测量导电性膜2之前实施校准，以使vo成为0[v]，仅使用ve来实施薄层电阻的计算。利用参照电压值vα校正该vo，计算薄层电阻。

根据需要，也可以考虑参照电压之外的电压(例如，由测量单元31的设备特性引起的恒定电压、由线圈温度引起的电压变化量等)，进一步校正实际电压。

这时，在计算某一测量时间时(或者某一测量位置处)的薄层电阻时，基于与实际电压的数据和测量位置(扫描速度、输送速度等)相关的数据，来确定在该测量时间时(或者该测量位置处)的实际电压值和宽度方向位置。并且，基于参照电压的数据(或近似式)，选择该宽度方向位置处的参照电压值vα，计算薄层电阻。

由此，得到薄层电阻的数据。具体而言，得到表示测量时间(或测量位置)与在该测量时间时的薄层电阻的关系的数据资料。

[筛选工序]

在筛选工序中，基于薄层电阻的数据资料来筛选导电性膜2。

具体而言，在基于数据资料检测到表示偏离预定范围的薄层电阻的值(不良值)的标识的情况下，确定表示不良值的测量位置。接着，对该位置处的导电性膜2实施期望的处置(导电性膜2的排除；导电层22的加工；气体或电力等成膜工艺参数的反馈控制等)。

由此，制造出薄层电阻处于期望的范围内的均匀的导电性膜2。

3.作用效果

电阻测量装置4具有：两个探测器34，该两个探测器34以不与导电性膜2相接触而能够使导电性膜2介于该两个探测器34之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元32，其使两个探测器34沿宽度方向扫描；以及运算单元33，其基于由两个探测器34测量的电压来计算导电性膜2的薄层电阻。另外，运算单元33具有存储器37，该存储器37用于存储在不使导电性膜2介于两个探测器34之间的情况下使两个探测器34沿宽度方向扫描而测量出的参照电压。另外，运算单元33基于参照电压来校正使导电性膜2介于两个探测器34之间并使两个探测器34沿宽度方向扫描而测量出的实际电压。

在该电阻测量装置中，存储在不使导电性膜2介于该两个探测器34之间的情况下使两个探测器34沿宽度方向扫描而测量出的参照电压。即，将在扫描时因两个探测器34之间的上下方向距离(探测器间隙)的偏离而引起的电压的变化设为参照电压，预先进行测量并存储。然后，基于存储的参照电压，校正导电性膜2的实际电压，计算薄层电阻。

因此，能够计算考虑到探测器34之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜2的薄层电阻，能够提高导电性膜2的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。

另外，电阻测量装置4具有以不与导电性膜2相接触的方式相对地配置的两个探测器34。即，电阻测量装置4为探测器相对型(双面探测器类型)。因此，电阻测量装置4与单面探测器类型相比，能够将导电性膜2与探测器34的距离设定得较大。因而，能够抑制因输送时的导电性膜2的抖动导致该导电性膜2与探测器34相接触。

另外，电阻测量装置4能够一边使两个探测器34沿宽度方向扫描一边测量薄层电阻。即，电阻测量装置4为横动式。因此，电阻测量装置4除了能够测量导电性膜2的输送方向的任意部位，还能够测量宽度方向的任意部位。

另外，在电阻测量装置4中，两个探测器34之间的上下方向距离可变。

因此，能够与导电性膜2的厚度相应地将探测器34之间的上下方向距离调整为最合适的距离。因此，容易对电阻测量装置4的设定进行调整。另外，即使变更探测器34之间的距离，也会基于参照电压校正实际电压，因此，不论探测器34之间的距离如何，都能够得到准确的薄层电阻。

另外，膜制造装置1具有：溅射单元6，其将导电层22层叠于在输送方向上较长的基材膜10；输送单元8，其输送导电性膜2；以及上述的电阻测量装置4。

因此，能够准确地检测薄层电阻的不良。因而，能够可靠地考虑或排除具有不良的薄层电阻的导电性膜2。因此，能够制造出具有更均匀的薄层电阻的导电性膜2。

该导电性膜2的制造方法具有：层叠工序，在该工序中，在长条的基材膜10层叠导电层22来制作导电性膜2；以及电阻测量工序，在该工序中，一边沿输送方向输送导电性膜2，一边测量导电性膜2的薄层电阻。另外，电阻测量工序具有：参照电压测量工序，在该工序中，在不使导电性膜2介于两个探测器34之间的情况下，使两个探测器沿宽度方向扫描来测量参照电压；实际电压测量工序，在该工序中，一边使导电性膜2在导电性膜2不与两个探测器34相接触的情况下介于两个探测器34之间、并使两个探测器34沿宽度方向扫描，一边测量导电性膜2的实际电压；以及计算工序，在该工序中，基于参照电压校正实际电压，计算导电性膜2的薄层电阻。

在该导电性膜2的制造方法中，在进行实际电压测量之前，测量参照电压。即，将在扫描时因探测器34之间的上下方向距离而引起的电压的变化设为参照电压并预先进行测量。然后，基于测量出的参照电压，校正导电性膜的实际电压，计算薄层电阻。

因此，能够计算考虑到探测器34之间的上下方向距离的偏离的影响的导电性膜2的薄层电阻，能够提高导电性膜2的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。因而，能够准确地检测导电性膜2的薄层电阻的不良，能够可靠地考虑或排除具有不良的薄层电阻的导电性膜2。其结果是，能够制造出具有均匀的薄层电阻的导电性膜2。

4.变形例

在图1所示的实施方式中，装配溅射单元作为层叠单元，但是，例如也能够装配真空蒸镀单元、化学蒸镀单元等，来替代该溅射单元作为层叠单元。在该情况下，层叠单元具有由导电层22的材料构成的蒸镀源，来替代靶材16。另外，层叠单元也可以是涂布单元、印刷单元等。

在图1所示的实施方式中，线圈36在俯视时呈大致圆环状，但也能够设为例如俯视时呈大致矩形框状的形状，对此未图示。在该情况下，该矩形框状的一边的长度与上述的直径相同。

5.验证

使用图1～图3b所示的装置实施了测量。具体而言，作为测量单元31，使用了非接触式薄层电阻测量模块(双面探测器类型，napson公司制，型号“nc-700v”)，将探测器34之间的距离d设定为10mm，将线圈的直径设定为35mm，将基材膜10的宽度设定为400mm，将基材膜10的输送速度设定为170mm/秒，将扫描单元32的扫描速度设定为100mm/秒。

一边使探测器34沿宽度方向扫描，一边在不使导电性膜2介于该探测器34之间的状态下测量电压(空电压)，获取到表示探测器34的宽度方向位置与该位置处的电压的关系的参照电压的数据。这时，电压采用了使探测器34沿宽度方向往返一次的、去路的电压和回路的电压的平均值。将该数据制成第1标识，在图5的图表中示出。另外，关于参照电压的数据，使用测量单元内的程序来制作近似式(例如1次式以上、6次式以下)，在图5的图表中示出。图5中的式子表示近似式(5次式)。

另外，以宽度方向一端部26的探测器之间的距离为基准，使用千分表在宽度方向上测量上下方向距离的位移(探测器间隙位移)，获取了探测器34的宽度方向位置和探测器间隙位移的数据。将该数据作为第2标识，在图5的图表中示出。

从图5可知，参照电压的数据(第1标识)和探测器间隙位移的数据(第2标识)显示出彼此近似的动作，具有相关性。即，通过基于参照电压值校正电压值，能够校正因探测器间隙位移的不均引起的电压的不均，其结果是，能够减少探测器间隙位移的不均的影响。

此外，上述发明是作为本发明的例示的实施方式而提供的，但这仅仅是例示，而并非进行限定性的解释。对于本技术领域的技术人员而言明显的本发明的变形例包含在上述权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的电阻测量装置和膜制造装置能够应用于各种工业产品，适合应用于例如导电性膜的制造等。

附图标记说明

1、膜制造装置；2、导电性膜；4、电阻测量装置；6、溅射单元；10、基材膜；11、送出辊；20、卷取辊；22、导电层；25、输送区域；32、扫描单元；33、运算单元；34、探测器；36、线圈；37、存储器。