本发明涉及测深仪系统领域,具体涉及一种测深仪减小工作盲区电路。
背景技术:
测深仪由于存在电路余振和换能器余振,必须等待余振停止后才能接收回波信号进行处理,此等待时间和发射信号的脉宽共同造成测深仪的测量盲区。普通200k高频测深仪的盲区大约为30厘米。
技术实现要素:
为了解决上述不足的缺陷,本发明提供了一种测深仪减小工作盲区电路,本发明的余振泄放电路通过单片机控制,在发射脉冲结束后启动泄放电路,能够瞬间完全泄放电路余振,并且迅速减小换能器余振,显著减小测深仪测量盲区。
本发明提供了一种测深仪减小工作盲区电路,包括换能器,所述换能器一端连接有transfer_p,另一端连接有transfer_n,当发射脉冲产生后换能器的高压交流信号通过桥式整流电路变为直流,为c108充电;c108充满后稳压管稳定在15v为光耦和场效应管提供电源。
上述的电路,其中,发射脉冲结束后,单片机将transfer_bleeder变为高电平,此时光耦导通,场效应管q7栅极变为高电平导通;余振产生的脉冲经场效应管q7和r108进行快速泄放。
上述的电路,其中,泄放结束后c108电容电荷完全释放,光耦关闭,场效应管栅极电荷经r109泄放也保持关闭,单片机拉低transfer_bleeder,系统进入正常工作状态。
本发明提供了一种测深仪减小工作盲区电路具有以下有益效果:本发明的余振泄放电路通过单片机控制,在发射脉冲结束后启动泄放电路,能够瞬间完全泄放电路余振,并且迅速减小换能器余振,显著减小测深仪测量盲区;能够把200k高频测深仪盲区由原来的30厘米,减小到15厘米。显著提高测深仪在浅水的工作性能,能够显著减小单波束测深仪、多波束测深仪、adcp等多种水下测试声纳的测量盲区;可用于单波束测深仪、多波束测深仪、adcp等各种水下测试声纳系统中,减小该系统的测试盲区。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。
图1为本发明的泄放电路原理图。
图2为本发明的整体电路图。
具体实施方式
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本发明发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本发明还可以具有其他实施方式。
参照图1-图2所示,本发明提供的一种测深仪减小工作盲区电路,包括换能器,所述换能器一端连接有transfer_p,另一端连接有transfer_n,当发射脉冲产生后换能器的高压交流信号通过桥式整流电路变为直流,为c108充电;c108充满后稳压管稳定在15v为光耦和场效应管提供电源;在发射脉冲结束后,单片机将transfer_bleeder变为高电平,此时光耦导通,场效应管q7栅极变为高电平导通;余振产生的脉冲经场效应管q7和r108进行快速泄放,在泄放结束后c108电容电荷完全释放,光耦关闭,场效应管栅极电荷经r109泄放也保持关闭,单片机拉低transfer_bleeder,系统进入正常工作状态。
以下提供一具体的实施例
实施例1,结合附图1、附图2,在本发明中transfer_p和transfer_n分别连接换能器两端。当发射脉冲产生后换能器的高压交流信号通过桥式整流电路变为直流,为c108充电。脉冲非常短,c108迅速充满后稳压管稳定在15v为光耦和场效应管提供电源。发射脉冲结束后,单片机将transfer_bleeder变为高电平,此时光耦导通,场效应管q7栅极变为高电平导通。余振产生的脉冲经场效应管q7和r108进行快速泄放。泄放结束后c108电容电荷完全释放,光耦关闭,场效应管栅极电荷经r109泄放也保持关闭。单片机拉低transfer_bleeder,系统进入正常工作状态:本发明能够把200k高频测深仪盲区由原来的30厘米,减小到15厘米。显著提高测深仪在浅水的工作性能;本发明电路可用于单波束测深仪、多波束测深仪、adcp等各种水下测试声纳系统中,减小该系统的测试盲区,能够显著减小单波束测深仪、多波束测深仪、adcp等多种水下测试声纳的测量盲区。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本发明的实质内容。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。