放射线检测器以及放射线图像拍摄装置的制作方法

本发明涉及放射线检测器以及放射线图像拍摄装置。

背景技术：

过去，已知进行以医疗诊断为目的的放射线拍摄的放射线图像拍摄装置。在这样的放射线图像拍摄装置中使用用于检测透过被摄体的放射线并生成放射线图像的放射线检测器。

作为放射线检测器，有具备如下要素的放射线检测器：将放射线变换成光的闪烁体等变换层；和设置有蓄积对应于由变换层变换的光而产生的电荷的多个像素的传感器基板。作为这样的放射线检测器，已知在传感器基板中使用挠性的基材的放射线检测器(例如参考国际公开编号wo2010/070735号)。通过使用挠性的基材，例如能使放射线图像拍摄装置(放射线检测器)轻量化，而且有时会使被摄体的拍摄变得容易。

另外，作为在传感器基板中使用挠性的基材的放射线检测器的制造方法的示例，已知被称作涂布法的方法以及被称作层压法的方法。在涂布法中，在玻璃基板等支承体上，通过涂布来形成挠性的基材，并进一步形成传感器基板以及变换层。之后，通过激光剥离将形成有变换层的传感器基板从支承体剥离。另一方面，在层压法中，将成为挠性的基材的片贴合于玻璃基板等支承体，并进一步形成传感器基板以及变换层。之后，通过机械剥离或激光剥离，将形成有变换层的传感器基板从支承体剥离。

如此，不管在涂布法以及层压法的哪一者中，在其制造工序中，都包含将传感器基板从支承体剥离的工序，但在从支承体将传感器基板剥离的情况下，有时传感器基板中所用的挠性的基材会挠曲。由于挠性的基材所产生的挠曲的影响，例如有时会出现传感器基板的像素的损伤或变换层的损伤等情况。

技术实现要素：

本公开提供放射线检测器以及放射线图像拍摄装置，相比在变换层中的设置传感器基板的一侧的相反侧设置并不具有比传感器基板高的针对挠曲的复原力的层的结构，在具备具有使用支承体制造的挠性的基材的传感器基板的放射线检测器的制造工序中，能抑制将传感器基板从支承体剥离时产生的挠曲的影响。

本公开的第1方案是放射线检测器，该放射线检测器具备：传感器基板，其包含挠性的基材、以及设置于基材的第1面且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素的层；变换层，其设置于传感器基板的第1面侧，且将放射线变换成光；和弹力层，其设置于变换层中的设置传感器基板的一侧的相反侧，且具有比传感器基板高的针对挠曲的复原力。

另外，本公开的第2方案的放射线检测器在第1方案的放射线检测器的基础上，弹力层的弯曲弹性模量是150mpa以上且2500mpa以下。

另外，本公开的第3方案的放射线检测器在第1方案或第2方案的放射线检测器的基础上，弹力层的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。

另外，本公开的第4方案的放射线检测器在第1方案至第3方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。

另外，本公开的第5方案的放射线检测器在第1方案至第4方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层的热膨胀系数是30ppm/k以上且200ppm/k以下。

另外，本公开的第6方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，传感器基板还包含：端子部，其设置于基材的第1面的外周部，且连接用于从像素读出电荷的线缆，弹力层的端部位于比设置端子部的区域更靠内侧的位置。

另外，本公开的第7方案的放射线检测器在第6方案的放射线检测器的基础上，变换层具有：具有越往外侧去厚度越薄的倾斜的周缘部；和被周缘部包围的中央部，弹力层至少覆盖中央部。

另外，本公开的第8方案的放射线检测器在第6方案的放射线检测器的基础上，变换层具有：具有越往外侧去厚度越薄的倾斜的周缘部；和被周缘部包围的中央部，弹力层覆盖周缘部的至少一部分以及中央部。

另外，本公开的第9方案的放射线检测器在第6方案的放射线检测器的基础上，变换层具有：具有越往外侧去厚度越薄的倾斜的周缘部；和被周缘部包围的中央部，弹力层的端部至少从覆盖中央部的区域一直设置到与周缘部的外周对应的区域为止。

另外，本公开的第10方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，传感器基板还包含：端子部，其设置于基材的第1面的外周部，且连接用于从像素读出电荷的线缆，弹力层一直设置到与设置端子部的区域的一部分或全部对置的区域为止。

另外，本公开的第11方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层设置于比设置变换层的传感器基板的区域更大的区域。

另外，本公开的第12方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层的端部比传感器基板的端部更向外侧突出。

另外，本公开的第13方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层还具备：支承部，其一直设置到变换层外的区域为止，对弹力层的端部与传感器基板之间进行支承。

另外，本公开的第14方案的放射线检测器在第1方案至第5方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：填充件，其填充传感器基板与弹力层之间的不包含变换层的空间。

另外，本公开的第15方案的放射线检测器在第14方案的放射线检测器的基础上，填充件与传感器基板以及弹力层相接。

另外，本公开的第16方案的放射线检测器在第1方案至第15方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：紧贴层，其设置于传感器基板与变换层之间。

另外，本公开的第17方案的放射线检测器在第1方案至第15方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：缓冲层，其设置于传感器基板与变换层之间，对变换层的热膨胀系数与传感器基板的热膨胀系数之差进行缓冲。

另外，本公开的第18方案的放射线检测器在第1方案至第17方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，还具备：弹力构件，其设置于基材的第1面的相反侧的第2面侧，且具有比传感器基板高的针对挠曲的复原力。

另外，本公开的第19方案的放射线检测器在第18方案的放射线检测器的基础上，弹力层的至少一部分和弹力构件的至少一部分夹着传感器基板以及变换层对置。

另外，本公开的第20方案的放射线检测器在第18方案或第19方案的放射线检测器的基础上，弹力构件的材料包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一种。

另外，本公开的第21方案的放射线检测器在第18方案至第20方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力构件的热膨胀系数相对于变换层的热膨胀系数之比是0.5以上且4以下。

另外，本公开的第22方案的放射线检测器在第18方案至第21方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力构件的热膨胀系数是30ppm/k以上且200ppm/k以下。

另外，本公开的第23方案的放射线检测器在第1方案至第22方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材是树脂制，且具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层。

另外，本公开的第24方案的放射线检测器在第23方案的放射线检测器的基础上，基材在第2面侧具有微粒子层。

另外，本公开的第25方案的放射线检测器在第23方案或第24方案的放射线检测器的基础上，微粒子包含原子序号比构成基材的元素大且原子序号为30以下的元素。

另外，本公开的第26方案的放射线检测器在第1方案至第25方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材的300℃～400℃下的热膨胀系数是20ppm/k以下。

另外，本公开的第27方案的放射线检测器在第1方案至第26方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，基材在厚度为25μm的状态下满足400℃下的md(machinedirection，纵向)方向的热收缩率为0.5％以下、以及500℃下的弹性模量为1gpa以上这两者中的至少一者。

另外，本公开的第28方案的放射线检测器在第1方案至第27方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，弹力层的刚性比基材高。

另外，本公开的第29方案的放射线检测器在第1方案至第28方案中的任意1个方案的放射线检测器的基础上，变换层包含csi。

另外，本公开的第30方案的放射线图像拍摄装置具备：第1方案至第29方案中的任意1个方案记载的放射线检测器；控制部，其输出用于读出蓄积于多个像素的电荷的控制信号；驱动部，其对应于控制信号来输出用于从多个像素读出电荷的驱动信号；和信号处理部，其输入与从多个像素读出的电荷相应的电信号，生成并输出与所输入的电信号相应的图像数据。

另外，本公开的第31方案的放射线图像拍摄装置在第30方案的放射线图像拍摄装置的基础上，在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层、以及变换层所排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置有控制部和放射线检测器。

另外，本公开的第32方案的放射线图像拍摄装置在第30方案的放射线图像拍摄装置的基础上，还具备：电源部，其对控制部、驱动部以及信号处理部中的至少一者提供电力，在与放射线检测器中的传感器基板、变换层、以及弹力层所排列的层叠方向交叉的方向上，排列设置有电源部、控制部、和放射线检测器。

另外，本公开的第33方案的放射线图像拍摄装置在第30方案的放射线图像拍摄装置的基础上，还具备：壳体，其具有被照射放射线的照射面，在放射线检测器中的传感器基板以及变换层当中的传感器基板与照射面对置的状态下收纳放射线检测器。

发明效果

根据本公开的第1方案，相比在变换层中的设置传感器基板的一侧的相反侧设置并不具有比传感器基板高的针对挠曲的复原力的层的结构，在具备具有使用支承体制造的挠性的基材的传感器基板的放射线检测器的制造工序中，能抑制将传感器基板从支承体剥离时产生的挠曲的影响。

根据第2方案，相比弯曲弹性模量不足150mpa的情况或超过2500mpa的情况，能抑制用于得到所期望的刚性的弹力层的厚度。

根据第3方案，相比不包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、以及低密度聚乙烯中的至少一种的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据第4方案，相比热膨胀系数之比不足0.5的情况或超过4的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据第5方案，相比热膨胀系数不足30ppm/k的情况或超过200ppm/k的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第6方案，相比弹力层的端部位于比设置端子部的区域更靠外侧的位置的情况，能易于在端子部设置端子。

根据本公开的第7方案，相比弹力层不覆盖变换层的中央部的情况，能更加抑制将传感器基板从支承体剥离时产生的挠曲的影响。

根据本公开的第8方案，相比弹力层不覆盖变换层的周缘部的至少一部分以及中央部的情况，能更加抑制将传感器基板从支承体剥离时产生的挠曲的影响。

根据本公开的第9方案，相比弹力层的端部并非至少从覆盖变换层的中央部的区域一直设置到与周缘部的外周对应的区域为止的情况，能更加抑制将传感器基板从支承体剥离时产生的挠曲的影响。

根据本公开的第10方案，相比未在设置端子部的区域设置弹力层的情况，直至传感器基板的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力。

根据本公开的第11方案，相比将弹力层设置于比设置变换层的传感器基板的区域狭小的区域的情况，能抑制变换层的端部从传感器基板剥离。

根据本公开的第12方案，相比弹力层的端部比传感器基板的端部更靠内侧的情况，直至传感器基板的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力。

根据本公开的第13方案，相比弹力层的端部与传感器基板之间未被支承部支承的情况，直至传感器基板的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力。

根据本公开的第14方案，相比在传感器基板与弹力层之间的不包含变换层的空间不填充填充件的情况，直至传感器基板的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力。

根据本公开的第15方案，相比填充件不与传感器基板以及弹力层相接的情况，能更稳定地设置弹力层。

根据本公开的第16方案，相比不设置紧贴层的情况，能使变换层难以从传感器基板剥离。

根据本公开的第17方案，相比不设置缓冲层的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第18方案，相比在基材的第2面侧不设置具有比传感器基板高的针对挠曲的复原力的弹力构件的情况，能抑制传感器基板所产生的挠曲的影响。

根据本公开的第19方案，相比弹力层的至少一部分和弹力构件的至少一部分未夹着传感器基板以及变换层对置的情况，由于弹力层和弹力构件相互补足，因此更能抑制传感器基板所产生的挠曲的影响。

根据本公开的第20方案，相比不包含聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、以及低密度聚乙烯中的至少一种的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第21方案，相比热膨胀系数之比不足0.5的情况或超过4的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第22方案，相比热膨胀系数不足30ppm/k的情况或超过200ppm/k的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第23方案，相比基材不具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子的微粒子层的情况，能抑制在基材内产生的后向散射射线。

根据本公开的第24方案，相比基材在第1面侧具有微粒子层的情况，能精度良好地形成像素。

根据本公开的第25方案，相比微粒子不包含原子序号比构成基材的元素大且原子序号为30以下的元素的情况，能有效地进行后向散射射线的抑制，且能抑制微粒子层中的放射线的吸收。

根据本公开的第26方案，相比基材在300℃～400℃下的热膨胀系数超过20ppm/k的情况，能成为适于像素的制造的基材。

根据本公开的第27方案，相比基材在厚度为25μm的状态下400℃下的md方向的热收缩率超过0.5％且500℃下的弹性模量不足1gpa的情况，能成为适于像素的制造的基材。

根据本公开的第28方案，相比弹力层的刚性为基材的刚性以下的情况，能抑制基材的挠曲。

根据本公开的第29方案，相比变换层不包含csi的情况，能提高从放射线向可见光的变换效率。

根据本公开的第30方案，相比具备与第1方案至第29方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第31方案，相比具备与第1方案至第29方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，即使是控制部和放射线检测器在与放射线检测器中的基材、形成有多个像素的层、以及变换层所排列的层叠方向交叉的方向上排列设置的情况，也能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第32方案，相比具备与第1方案至第29方案中的任意1个方案记载的放射线检测器不同的放射线检测器的情况，即使是电源部、控制部、和放射线检测器在与放射线检测器中的传感器基板、变换层、以及弹力层所排列的层叠方向交叉的方向上排列设置的情况，也能抑制传感器基板与变换层的剥离。

根据本公开的第33方案，相比壳体在照射面和变换层对置的状态下收纳放射线检测器的情况，能提升放射线图像的画质。

附图说明

图1是表示第1例示的实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。

图2a是从第1面侧来观察第1例示的实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图2b是用于说明基材的一例的截面图。

图2c是用于说明通过透过被摄体的放射线而在具有微粒子层的基材内产生的后向散射射线的说明图。

图2d是用于说明通过透过被摄体的放射线而在不具有微粒子层的基材内产生的后向散射射线的说明图。

图3是图2a所示的放射线检测器的a-a线截面图。

图4是用于说明第1例示的实施方式的变换层中的周缘部和中央部的截面图。

图5是说明第1例示的实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的图。

图6a是表示在pss(penetrationsidesampling，穿透侧采样)方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的一例的截面图。

图6b是表示在iss(irradiationsidesampling，照射侧采样)方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的一例的截面图。

图6c是表示在pss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的其他示例的截面图。

图6d是表示在pss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的其他示例的截面图。

图6e是表示在pss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的其他示例的截面图。

图7a是表示在pss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的其他示例的截面图。

图7b是表示在iss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置的情况下的、将放射线检测器设置于壳体内的状态的其他示例的截面图。

图8是第2例示的实施方式的放射线检测器的一例的截面图。

图9是第3例示的实施方式的放射线检测器的一例的截面图。

图10是第3例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图11是第3例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图12是第4例示的实施方式的放射线检测器的一例的截面图。

图13是例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图14是例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图15是例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图16是例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图17是例示的实施方式的放射线检测器的其他示例的截面图。

图18是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图19是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图20是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图21是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图22是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图23是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图24是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图25是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图26是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图27是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图28是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图29是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图30是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图31是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图32是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图33是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图34是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图35是表示本公开的技术的例示的实施方式的挠曲抑制构件的结构的一例的俯视图。

图36是表示本公开的技术的例示的实施方式的挠曲抑制构件的结构的一例的立体图。

图37是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图38是表示本公开的技术的例示的实施方式的挠曲抑制构件的结构的一例的俯视图。

图39是表示本公开的技术的例示的实施方式的挠曲抑制构件的结构的一例的俯视图。

图40是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图41a是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图41b是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图41c是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

图42是表示本公开的技术的例示的实施方式的放射线检测器的结构的一例的截面图。

具体实施方式

以下，参考附图来详细说明本发明的例示的实施方式。另外，本例示的实施方式并不对本发明进行限定。

[第1例示的实施方式]

本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置具有以下功能：通过检测透过拍摄对象即被摄体的放射线并输出表征被摄体的放射线图像的图像信息，从而对拍摄对象的放射线图像进行拍摄。

首先，参考图1来说明本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的结构的一例的概况。图1是表示本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。

如图1所示那样，本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置1具备：放射线检测器10、控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106、以及电源部108。

放射线检测器10具备传感器基板12(参考图3)和将放射线变换成光的变换层30(参考图3)。传感器基板12具备挠性的基材14和设置于基材14的第1面14a的多个像素16。另外，以下有时将多个像素16仅称作“像素16”。

如图1所示那样，本例示的实施方式的各像素16具备：对应于变换层所变换的光而产生电荷并对该电荷进行蓄积的传感器部22；以及读出在传感器部22中蓄积的电荷的开关元件20。在本例示的实施方式中，作为一例，使用薄膜晶体管(tft：thinfilmtransistor)作为开关元件20。因此，以下将开关元件20称作“tft20”。在本例示的实施方式中，作为形成有传感器部22以及tft20、进而被平坦化的层，设置有在基材14的第1面14a形成有像素16的层。以下，为了说明方便，有时将形成有像素16的层称作“像素16”。

像素16在传感器基板12的像素区域15沿着一方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称作“行方向”)以及相对于行方向的交叉方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称作“列方向”)以二维状进行配置。在图1中简化示出了像素16的排列，但例如像素16在行方向以及列方向上配置1024个×1024个。

另外，在放射线检测器10，将像素16的每行所具备的用于控制tft20的开关状态(接通以及断开)的多个扫描布线26、和像素16的每列所具备的读出蓄积于传感器部22的电荷的多个信号布线24相互交叉设置。多个扫描布线26各自分别经由焊盘(参考图6a等，焊盘130)与驱动部102连接。在驱动部102连接后述的控制部100，对应于从控制部100输出的控制信号而输出驱动信号。多个扫描布线26各自使从驱动部102输出的、驱动tft20来控制开关状态的驱动信号流过多个扫描布线中的每个扫描布线。另外，多个信号布线24各自分别经由焊盘(参考图6a等，焊盘130)与信号处理部104连接，由此将从各像素16读出的电荷作为电信号输出到信号处理部104。信号处理部104生成并输出与所输入的电信号相应的图像数据。

在信号处理部104连接后述的控制部100，将从信号处理部104输出的图像数据依次输出到控制部100。在控制部100连接图像存储器106，从信号处理部104依次输出的图像数据通过控制部100的控制而依次存储到图像存储器106。图像存储器106具有能存储给定的张数的量的图像数据的存储容量，每当进行放射线图像的拍摄时，将通过拍摄而得到的图像数据依次存储到图像存储器106。

控制部100具备：cpu(centralprocessingunit，中央处理器)100a、包含rom(readonlymemory，只读存储器)和ram(randomaccessmemory，随机存取存储器)等的存储器100b、以及闪速存储器等非易失性的存储部100c。作为控制部100的一例，能举出微型计算机等。控制部100控制放射线图像拍摄装置1的整体的动作。

另外，在各像素16的传感器部22，为了对各像素16施加偏置电压而在信号布线24的布线方向上设置公共布线28。公共布线28经由焊盘(参考图6a等，焊盘130)与传感器基板12的外部的偏置电源(图示省略)连接，从而从偏置电源对各像素16施加偏置电压。

电源部108对控制部100、驱动部102、信号处理部104以及图像存储器106等各种元件或各种电路提供电力。另外，在图3中，为了避免复杂而省略连接电源部108和各种元件或各种电路的布线的图示。

进一步地，详细说明本例示的实施方式的放射线检测器10。图2a是从第1面14a侧来观察本例示的实施方式的放射线检测器10的俯视图。另外，图3是图2a中的放射线检测器10的a-a线截面图。

本例示的实施方式的放射线检测器10如图2a以及图3所示那样具备：包含基材14以及像素16的传感器基板12、变换层30、粘着层32、反射层34、粘结层36、保护层38、粘结层40、和弹力层42，按照基材14、像素16、以及变换层30的顺序设置它们。另外，以下将基材14、像素16、以及变换层30所排列的方向(图3中的上下方向)称作层叠方向(参考图3，层叠方向p)。另外，为了说明的方便，有时将放射线检测器10中的层叠方向p的变换层30侧称作“上”，将传感器基板12侧称作“下”。

基材14具有挠性，例如是包含pi(polyimide：聚酰亚胺)等塑料的树脂片。基材14的厚度是能对应于材质的硬度以及传感器基板12的大小(第1面14a或第2面14b的面积)等而得到所期望的挠性的厚度即可。作为具有挠性的示例，在矩形的基材14单体的情况下，指的是：在将基材14的1边固定的状态下，在从固定的边离开10cm的位置，因基材14的自重所导致的重力，基材14下垂2mm以上(比固定的边的高度低)。作为基材14为树脂片的情况的具体例，只要厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。

另外，基材14具有能耐受详细情况后述的像素16的制造的特性，在本例示的实施方式中，具有能耐受非晶硅tft(a-sitft)的制造的特性。作为这样的基材14所具有的特性，优选300℃～400℃下的热膨胀系数(cte：coefficientofthermalexpansion)与非晶硅(si)晶片是相同程度(例如±5ppm/k)，具体优选是20ppm/k以下。另外，作为基材14的热收缩率，优选在厚度为25μm的状态下，400℃下的md(machinedirection，纵向)方向的热收缩率为0.5％以下。另外，基材14的弹性模量优选在300℃～400℃间的温度区域不具有一般的pi所具有的转变点，且500℃下的弹性模量为1gpa以上。

另外，本例示的实施方式的基材14优选如图2b以及图2c所示那样具有包含平均粒子径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机的微粒子14p的微粒子层14l。另外，图2c是将本例示的实施方式的放射线检测器10运用在从传感器基板12侧照射放射线r的iss(irradiationsidesampling，照射侧采样)方式的放射线检测器中的情况下的示例。

如图2c以及图2d所示那样，在基材14中，通过透过被摄体s的放射线r而产生后向散射射线rb。在基材14为pi等树脂制的情况下，由于是有机物，因此对于构成有机物的原子序号比较小的c、h、o、以及n等原子来说，由于康普顿效应，因而后向散射射线rb变多。

如图2c所示那样，在基材14具有包含吸收在基材14内产生的后向散射射线rb的微粒子14p的微粒子层14l的情况下，如图2d所示那样，与基材14不具有微粒子层14l的情况相比，由于可抑制透过基材14向后方散射的后向散射射线rb，因而优选。

作为这样的微粒子14p，优选包含以下原子的无机物，即，自身所引起的后向散射射线rb的产生量少，而且吸收后向散射射线rb，另一方面，透过被摄体s的放射线r的吸收少的原子。另外，从后向散射射线rb的抑制与放射线r的透过性处于折衷的关系的后向散射射线rb的抑制的观点出发，微粒子14p优选包含原子序号比构成基材14的树脂的c、h、o、以及n等大的元素。另一方面，虽然原子序号越大则吸收后向散射射线rb的能力越高，但若原子序号超过30，则放射线r的吸收量就会增加，到达变换层30的放射线r的剂量的减少就会变得显著，因而不优选。因此，在树脂性的基材14的情况下，微粒子14p优选使用原子序号大于构成基材14即有机物的原子且为30以下的无机物。作为这样的微粒子14p的具体例，能举出原子序号为14的si的氧化物即sio2、原子序号为12的mg的氧化物即mgo、原子序号为13的al的氧化物即al2o3、以及原子序号为22的ti的氧化物即tio2等。

作为具有这样的特性的树脂片的具体例，能举出xenomax(注册商标)。

另外，对于本例示的实施方式中的上述的厚度，使用测微计进行测定。对于热膨胀系数，遵循jisk7197：1991来进行测定。另外，测定以如下方式进行：从基材14的主面起15度15度地改变角度来裁出试验片，对裁出的各试验片测定热膨胀系数，将最高的值作为基材14的热膨胀系数。热膨胀系数的测定分别针对md(machinedirection，纵向)方向以及td(transversedirection，横向)方向在-50℃～450℃下以10℃间隔进行，并将(ppm/℃)换算成(ppm/k)。在热膨胀系数的测定中，使用macscience公司制tma4000s装置，将样本长度设为10mm，将样本宽度设为2mm，将初始负荷设为34.5g/mm²，将升温速度设为5℃/min，并将气氛设为氩。对于弹性模量，遵循jisk7171：2016来进行测定。另外，测定以如下方式进行：从基材14的主面起15度15度地改变角度来裁出试验片，对裁出的各试验片进行拉伸试验，将最高的值作为基材14的弹性模量。

另外，有时会由于微粒子层14l中包含的微粒子14p而在基材14的表面出现凹凸。在如此在基材14的表面出现凹凸的状态的基础上，有时会难以形成像素16。因此，如图2c所示那样，基材14优选在形成像素16的第1面的相反侧的第2面14b，换言之在设置变换层30的第1面的相反侧的第2面14具有微粒子层14l。

另外，为了充分吸收在基材14内产生的后向散射射线rb，优选在基材14，在靠近被摄体s的一侧的面具有微粒子层14l，如图2c所示那样，在iss方式的放射线检测器10中，优选在第2面14b具有微粒子层14l。

如此，在iss方式的放射线检测器10中，通过基材14在第2面14b具有微粒子层14l，从而能精度良好地形成像素16，并且能有效地抑制后向散射射线rb。

另外，作为具有所期望的挠性的基材14，并不限定于树脂片等树脂制的基材。例如，基材14也可以是厚度比较薄的玻璃基板等。作为基材14是玻璃基板的情况的具体例，一般，在一边为43cm左右的尺寸下，若厚度为0.3mm以下则具有挠性，因此只要是厚度为0.3mm以下的基材，就可以是所期望的玻璃基板。

如图2a以及图3所示那样，多个像素16设置于基材14的第1面14a中的内侧的一部分区域。换言之，在本例示的实施方式的传感器基板12中，在基材14的第1面14a的外周部不设置像素16。在本例示的实施方式中，将基材14的第1面14a中的设置像素16的区域作为像素区域15。另外，在本例示的实施方式中，关于传感器基板12，所谓“外周部”是指，在传感器基板12的第1面14a(或第2面14b)中从外缘(传感器基板12的缘)往中心去的给定的范围的区域，在本例示的实施方式中，至少是指设置变换层30的区域外。另外，在传感器基板12中的被外周部包围的内周部，至少包含像素区域15整体。

另外，在本例示的实施方式的传感器基板12中，将从外缘部往中心去的给定的范围的区域作为焊盘部17。所谓焊盘部17，是设置焊盘(参考图6a等，焊盘130)的区域，其中，该焊盘连接上述的多个扫描布线26、多个信号布线24、公共布线28、以及后述的控制基板110(参考图6a等)等各种柔性的线缆(参考图6a等，线缆112)。本例示的实施方式的焊盘部17是本公开的端子部的一例。另外，在对连接扫描布线26的驱动部102、连接信号布线24的信号处理部等电路基板、控制基板110进行总称的情况下，称作“pcb(printedcircuitboard：印刷布线基板)”。

如图2以及图3所示那样，本例示的实施方式的变换层30设置于包含传感器基板12的像素区域15的一部分区域上。如此，本例示的实施方式的变换层30并未设置于传感器基板12的外周部的区域上。

在本例示的实施方式中，作为变换层30的一例，使用包含csi(碘化铯)的闪烁体。作为这样的闪烁体，例如优选包含x射线照射时的发光谱为400nm～700nm的csi：t1(添加铊的碘化铯)、csi：na(添加钠的碘化铯)。另外，csi：t1的可见光域中的发光峰值波长是565nm。

在本例示的实施方式的放射线检测器10中，作为一例，变换层30在传感器基板12上直接通过真空蒸镀法、溅射法以及cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)法等气相沉积法而形成为长条状的柱状结晶。作为变换层30的形成方法，例如能举出如下真空蒸镀法：在使用csi：t1作为变换层30的情况下，在真空度0.01pa～10pa的环境下，将csi：t1通过电阻加热式的坩埚等加热手段加热而使其汽化，将传感器基板12的温度设为室温(20℃)～300℃来使csi：t1沉积在传感器基板12上。作为变换层30的厚度，优选100μm～800μm。

另外，在本例示的实施方式中，将变换层30的柱状结晶的生长方向的基点侧(在本例示的实施方式中是传感器基板12侧)的端部称作“根部”，将生长方向上的根部的相反侧的尖的端部称作“前端”。

另外，本例示的实施方式的变换层30由于如上述那样通过气相沉积法形成，因此如图3所示那样，变换层30的外周的区域在整体上看具有越往外侧去厚度越薄的倾向，因此具有越往外侧去厚度越薄的倾斜。在本例示的实施方式中，将在忽视制造误差以及测定误差的情况下将厚度视作大致恒定的、从变换层30的中央起给定的范围内的变换层30的厚度的平均值作为基准，作为一例，如图4所示那样，将相对于基准的厚度的相对的膜厚(以下称作“相对膜厚”)为90％以下的外周的区域称作“周缘部(周缘部30c)”。另外，如图4所示那样，将被周缘部30c包围的变换层30的区域称作“中央部(中央部30b)”。换言之，所谓“中央部”，是指至少包含变换层30的厚度大致恒定的部分且还包含相对膜厚超过90％的部分的区域。在本例示的实施方式中，作为具体例，将从变换层30的外周起5mm以内的区域内且相对膜厚为90％以下的外周的区域称作“周缘部(周缘部30c)”。因此，如图3以及图4等所示那样，在周缘部30c中，变换层30的厚度处于向外周(缘)逐渐变薄的倾向。

另外，在本例示的实施方式中，作为变换层30的厚度向外周变薄的示例，例示了具有一定的倾斜地厚度逐渐变薄的形态，但并不限定于该形态，例如也可以是厚度以阶梯状变化的形态。

作为一例，粘着层32如图2以及图3所示那样，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，粘着层32以及反射层34设置于包含中央部(30b)以及周缘部(30c)的变换层30上的区域整体。换言之，本例示的实施方式的粘着层32以及反射层34覆盖变换层30的上表面整体。另一方面，本例示的实施方式的粘着层32以及反射层34并未直接设置于传感器基板12之上。

本例示的实施方式的粘着层32是光透过性的层，作为粘着层32的材料，能举出丙烯酸系粘着剂、热熔系粘着剂、以及硅酮系粘结剂等。作为丙烯酸系粘着剂，例如能举出氨基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯以及环氧丙烯酸酯等。作为热熔系粘着剂，例如能举出eva(乙烯-乙酸乙烯酯共聚树脂)、eaa(乙烯和丙烯酸的共聚树脂)、eea(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)以及emma(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等热可塑性塑料。

由于粘着层32的厚度越厚，即变换层30与反射层34的间隔越大，通过变换层30变换的光在粘着层32内就越模糊，因此，作为结果，通过放射线检测器10得到的放射线图像成为模糊的图像。因此，粘着层32的厚度越厚，则mtf(modulationtransferfunction，调制传递函数)以及dqe(detectivequantumefficiency，探测量子效率)越降低，且其降低程度也越大。

另一方面，也包括不设置粘着层32的情况在内，在使粘着层32的厚度过薄的情况下，有时会在变换层30与反射层34之间形成微小的空气层(图示省略)。在该情况下，从变换层30往反射层34去的光在空气层与变换层30之间以及空气层与反射层34之间发生多重反射。若光因多重反射而衰减，则放射线检测器10的灵敏度就会降低。若粘着层32的厚度超过7μm，则dqe的降低程度就变得更大，比不设置粘着层32的情况(厚度0μm的情况)还要降低。另外，在粘着层32的厚度不足2μm的情况下，放射线检测器10的灵敏度降低。因此，在本例示的实施方式中，将粘着层32的厚度设为2μm以上且7μm以下。另外，虽然根据材料的不同而不同，但粘着层32的折射率大致为1.5左右。

另外，粘着层32具有将反射层34固定在变换层30的功能，但若粘着层32的厚度为2μm以上，就能得到充分抑制反射层34相对于变换层30在面内方向(与厚度方向交叉的方向)上发生偏离这样的效果。

另一方面，作为一例，反射层34如图2以及图3所示那样，设置于粘着层32上，覆盖粘着层32其本身的上表面整体。反射层34具有反射由变换层30变换的光的功能。

作为反射层34的材料，优选使用有机系的材料，例如优选使用白pet(polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、tio2、al2o3、发泡白pet、聚酯系高反射片、以及镜面反射铝等中的至少1种作为材料。特别，根据反射率的观点，优选使用白pet作为材料。

另外，所谓白pet，是在pet中添加tio2或硫酸钡等白色颜料后得到的材料。另外，所谓聚酯系高反射片，是具有将薄的聚酯的片重叠多片的多层结构的片(薄膜)。另外，所谓发泡白pet，是表面成为多孔质的白pet。

在本例示的实施方式中，反射层34的厚度设为10μm以上且40μm以下。若反射层34的厚度变厚，则反射层34的外周部的上表面与变换层30的上表面之间的级差变大。在本例示的实施方式中，通过将粘结层36以及保护层38的片(薄膜)贴合于形成至反射层34为止的状态的传感器基板12，来制造放射线检测器10。若上述级差大，则在反射层34之上贴合粘结层36以及保护层38的情况下，在该级差部分，有时粘结层36以及保护层38中的至少一方会浮起。

另外，由于若反射层34的厚度变厚，就会成为可以说是有韧性的状态，因此有时难以沿着变换层30的周缘部30c的倾斜而弯曲，变得很难加工。

因此，从这些观点出发，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，在使用白pet作为反射层34的材料的情况下，如上述那样，将反射层34的厚度设为40μm以下。

另一方面，反射层34的厚度越薄，则反射率越降低。若反射率降低，则通过放射线检测器10得到的放射线图像的画质也有降低的倾向。因此，从通过放射线检测器10得到的放射线图像的画质的观点出发，优选考虑所期望的反射率(例如80％)来确定反射层34的厚度的下限。在本例示的实施方式的放射线检测器10中，在使用白pet作为反射层34的材料的情况下，如上述那样，将反射层34的厚度设为10μm以上。

另一方面，作为一例，粘结层36如图2以及图3所示那样，从传感器基板12中的变换层30的外周部附近的区域上设置到覆盖反射层34端部的区域为止。换言之，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，将覆盖设置了粘着层32以及反射层34的变换层30整体的粘结层36直接固定(粘结)在传感器基板12的表面的焊盘部17以外的区域。粘结层36具有将反射层34相对于传感器基板12以及变换层30固定的功能。另外，粘结层36具有将保护层38固定的功能。作为粘结层36的材料，例如能举出与粘着层32同样的材料。另外，在本例示的实施方式中，粘结层36所具有的粘结力比粘着层32所具有的粘结力更强。

进而，作为一例，保护层38如图2以及图3所示那样，设置于粘结层36上，本例示的实施方式的保护层38覆盖粘结层36的上表面整体，粘结层36覆盖上表面被粘着层32以及反射层34覆盖的状态的变换层30。本例示的实施方式的保护层38具有保护变换层30不受湿气等水分影响的功能。另外，本例示的实施方式的保护层38具有同粘结层36一起将反射层34相对于传感器基板12以及变换层30进行固定的功能。作为保护层38的材料，例如能举出有机膜，例如能举出pet、pps(polyphenylenesulfide：聚苯硫醚)、opp(orientedpolypropylene：双轴延伸聚丙烯薄膜)、pen(polyethylenenaphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、pi等。另外，作为保护层38，可以使用通过将铝箔粘结在聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性的片(薄膜)等来层叠铝而成的alpet(アルぺツト：注册商标)的片。

另外，以下，将层叠了变换层30、粘着层32、反射层34、粘结层36、以及保护层38的状态的结构称作层叠体19。

另一方面，作为一例，弹力层42如图2以及图3所示那样，设置于变换层30中的设置传感器基板12的一侧的相反侧(图3的上侧)。具体地，本例示的实施方式的弹力层42如图2以及图3所示那样，与变换层30的中央部30b隔着粘结层40层叠，并夹着变换层30与传感器基板12大致并行地突出。如图3所示那样，弹力层42仅在与变换层30的中央部30b对应的区域与层叠体19隔着粘结层40层叠。

另外，如图2以及图3所示那样，将弹力层42的端部的位置和粘结层36以及保护层38的端部的位置设为相同。弹力层42不向与焊盘部17对应的区域突出，不与传感器基板12直接相接。在本例示的实施方式的放射线检测器10中，通过如此不在与焊盘部17对应的区域设置弹力层42，在进行在焊盘部17连接线缆112(参考图6a等)等所谓的再加工等的情况下，可抑制弹力层42成为阻碍。

另外，作为一例，粘结层40如图2以及图3所示那样，设置于与变换层30的中央部30b对应的区域。粘结层40具有将弹力层42相对于层叠体19进行固定的功能。作为粘结层40的材料，例如能举出与粘着层32以及粘结层36同样的材料。

弹力层42如详细情况后述的那样，具有在传感器基板12(基材14)出现挠曲的情况下使传感器基板12恢复成挠曲前的状态的复原力。具体地，本例示的实施方式的弹力层42具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力。另外，本例示的实施方式的弹力层42为了使传感器基板12(基材14)难以挠曲而具有比传感器基板12高的刚性。

作为具有这样的特性的弹力层42，优选使用有机系的材料，例如优选是使用pet、白pet、以及发泡白pet等中的至少1种作为材料的片等。另外，作为弹力层42的其他示例，能举出pc(polycarbonate：聚碳酸酯)、ldpe(lowdensitypolyethylene：低密度聚乙烯)、pps、opp、pen、以及pi等有机膜等。

另外，在本例示的实施方式中，作为一例，弹力层42的厚度对应于弹力层42的材质、所期望的复原力等预先确定。另外，所期望的复原力对应于基材14的厚度、所设想的传感器基板12(基材14)的挠曲量等来确定，作为厚度，例如能举出1mm。另外，弹力层42的厚度越薄则复原力越小。另外，厚度越厚则复原力越大，进而越难挠曲，在后述的传感器基板12的制造工序等中，在希望使传感器基板12挠曲的情况下会难以挠曲，而且放射线检测器10的层叠方向p的尺寸会变大。因此，弹力层42的厚度优选设为能得到所期望的复原力的最低限的厚度。

具体地，本例示的实施方式的弹力层42优选使用弯曲弹性模量为150mpa以上且2500mpa以下的素材。弯曲弹性模量的测定方法例如基于jisk7171：2016标准。从抑制基材14的挠曲的观点出发，弹力层42优选弯曲刚性比基材14高。另外，若弯曲弹性模量变低则弯曲刚性也变低，为了得到所期望的弯曲刚性，必须增大弹力层42的厚度，放射线检测器10整体的厚度就会增大。若考虑上述的弹力层42的材料，则在想要得到超过140000pacm⁴的弯曲刚性的情况下，弹力层42的厚度有变得比较厚的倾向。因此，若要得到合适的刚性且考虑放射线检测器10整体的厚度，则弹力层42中所用的素材更优选弯曲弹性模量为150mpa以上且2500mpa以下。另外，弹力层42的弯曲刚性优选540pacm⁴以上且140000pacm⁴以下。

另外，本例示的实施方式的弹力层42的热膨胀系数优选接近变换层30的材料的热膨胀系数，更优选弹力层42的热膨胀系数相对于变换层30的热膨胀系数之比(弹力层42的热膨胀系数/变换层30的热膨胀系数)为0.5以上且4以下。作为这样的弹力层42的热膨胀系数，优选30ppm/k以上且200ppm/k以下。例如，在变换层30以csi：t1作为材料的情况下，热膨胀系数是50ppm/k。在该情况下，能举出热膨胀系数为100ppm/k～200ppm/k的ldpe、热膨胀系数为60ppm/k～80ppm/k的聚氯乙烯(pvc：polyvinylchloride)、热膨胀系数为70ppm/k～80ppm/k的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/k～70ppm/k的pet、热膨胀系数为65ppm/k的pc、以及热膨胀系数为45ppm/k～70ppm/k的特氟隆(注册商标)等，来作为弹力层42的材料。

进而，若考虑上述的弯曲弹性模量，则作为弹力层42的材料，优选是包含pet、pc、以及ldpe中的至少一种的材料。

另外，弹力层42从弹力性的观点出发，优选包含具有屈服点的材料。另外，在本例示的实施方式中，所谓“屈服点”，是指在拉伸材料的情况下应力暂时急剧下降的现象，在表征应力与应变的关系的曲线上，是指应力不增加而应变增加的点，是指对材料进行拉伸强度试验时的应力-应变曲线中的顶部。作为具有屈服点的树脂，一般能举出硬而粘度强的树脂、以及柔软而粘度强且中等程度的强度的树脂。作为硬而粘度强的树脂，例如能举出pc等。另外，作为柔软而粘度强且中等程度的强度的树脂，例如能举出聚丙烯等。

另外，本例示的实施方式的放射线检测器10如图5所示的一例那样，在与基材14相比厚度较厚的玻璃基板等支承体50，隔着剥离层51通过例如层压法等形成传感器基板12。另外，在通过层压法形成传感器基板12的情况下，在剥离层51上贴合成为基材14的片。

进而，如上述那样，在基材14之上依次设置变换层30、粘着层32、反射层34、粘结层36、以及保护层38，形成层叠体19。进而，在层叠体19上依次形成粘结层40以及弹力层42。之后，通过剥离层51将传感器基板12从支承体50剥离。剥离方法并没有特别限定，例如在机械剥离中，将传感器基板12(基材14)的四边中的任一边作为剥离的起点，从成为起点的边起向对置的边逐渐将传感器基板12从支承体50揭下来，由此进行传感器基板12的剥离即可。另外，例如在激光剥离(1aserliftoff)中，从支承体50的背面(设置传感器基板12的面的相反侧的面)照射激光，透过支承体50后通过激光使剥离层51分解，由此从支承体50将传感器基板12剥离即可。

在此，在从支承体50将传感器基板12剥离的情况下，传感器基板12会挠曲。特别在机械剥离中，大多情况下是一边使传感器基板12挠曲一边从支承体50进行剥离。传感器基板12中所用的挠性的基材14由于与玻璃制的基材相比刚性较低，因此易于挠曲。另外，在传感器基板12挠曲的情况下，不是基材14整体一体地挠曲，而是部分或局部地挠曲或形变，有时在基材14的面内(第1面14a以及第2面14b)的每个位置挠曲方式会不同。对于在这样的情况下产生的挠曲或形变，相对于整体一体地挠曲，在本例示的实施方式中，将其称作“不连续的挠曲”。另外，该不连续的挠曲特别在变换层30的外周部附近有比较易于引发的倾向。

如此在传感器基板12(基材14)挠曲的情况下，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，由于弹力层42具有比基材14高的复原力，因此产生的挠曲部分易于恢复成原始的状态(挠曲前的状态)，而且，能抑制基材14过于挠曲。

另一方面，在保持传感器基板12(基材14)产生挠曲的情况下，特别在保持产生不连续的挠曲的情况下，变换层30变得易于从传感器基板12剥离，或者变换层30和像素16变得易于损伤。

在本例示的实施方式的放射线检测器10中，如上述那样，由于弹力层42具有比基材14高的复原力，因此产生的挠曲部分易于恢复成原始的状态(挠曲前的状态)，而且可抑制基材14过于挠曲。

因此，根据本例示的实施方式的放射线检测器10，在具备具有使用支承体50制造的挠性的基材14的传感器基板12的放射线检测器10的制造工序中，能抑制将传感器基板12从支承体50剥离时产生的挠曲的影响。

另外，本例示的实施方式的放射线检测器10如图2以及图3所示那样，在从支承体50将传感器基板12剥离后，弹力层42也设置于层叠体19上。因此，在放射线检测器10的制造后，特别在不是作为放射线图像拍摄装置1，而是以单体来对待传感器基板12的情况下，即使是传感器基板12(基材14)发生了挠曲的情况，弹力层42也具有针对挠曲的高的复原力，因此能抑制上述那样的挠曲的影响所引起的问题。

接下来，说明运用本例示的实施方式的放射线检测器10的放射线图像拍摄装置1。在放射线图像拍摄装置1中，在透过放射线且具有防水性、抗菌性、以及密闭性的壳体内设置放射线检测器10。

在图6a中示出在pss方式(penetrationsidesampling，穿透侧采样)中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于壳体120内的状态的一例。

如图6a所示那样，在壳体120内，在与层叠方向p交叉的方向上排列设置放射线检测器10、电源部108、以及控制基板110。放射线检测器10以基材14的第2面14b与被照射透过了被摄体的放射线的壳体120的拍摄面120a侧的相反侧、即出射放射线的壳体120的一侧对置的状态设置。

另外，在图6b示出在iss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于壳体120内的状态的一例。

如图6b所示那样，在壳体120内，放射线检测器10、电源部108、以及控制基板110在与层叠方向p交叉的方向上排列设置。放射线检测器10被设置成使得基材14的第2面14b与被照射透过了被摄体的放射线的壳体120的被照射放射线的照射面即拍摄面120a侧对置。

控制基板110是形成有图像存储器106以及控制部100等的基板，通过包含连接到设置于放射线检测器10的焊盘部17的焊盘130的多个信号布线在内的线缆112而与传感器基板12的像素16电连接。另外，在本例示的实施方式中，设为在线缆112上设置驱动部102以及信号处理部104的所谓的cof(chiponfilm)，但也可以是驱动部102以及信号处理部104中的至少一方形成在控制基板110。另外，控制基板110和电源部108通过电源线114连接。

壳体120优选轻量且优选放射线r特别是x射线的吸收率低且高刚性，并优选由弹性模量充分高的材料构成。作为壳体120的材料，优选使用弯曲弹性模量为10000mpa以上的材料。作为壳体120的材料，能适于使用具有20000～60000mpa程度的弯曲弹性模量的碳或cfrp(carbonfiberreinforcedplastics，碳纤维增强塑料)。

在放射线图像拍摄装置1的放射线图像的拍摄中，对壳体120的拍摄面120a施加来自被摄体的负荷。在壳体120的刚性不足的情况下，会因来自被摄体的负荷而在传感器基板12产生挠曲，有可能发生像素16损伤等不良状况。通过在由具有10000mpa以上的弯曲弹性模量的材料构成的壳体120内部收容放射线检测器10，能抑制来自被摄体的负荷所引起的传感器基板12的挠曲。

图6a以及图6b所示的放射线图像拍摄装置1能在使放射线检测器10向基材14的第2面14b的面外方向挠曲的状态下进行放射线图像的拍摄。例如，能对应于被摄体的拍摄部位等使放射线检测器10挠曲，并维持在该状态来进行放射线图像的拍摄。

在图6a以及图6b所示的放射线图像拍摄装置1中，由于在刚性相对高的壳体120的周边部设置电源部108以及控制基板110，因此能抑制外力给电源部108以及控制基板110带来的影响。

另外，在图6a以及图6b中，示出将电源部108以及控制基板110双方设置于放射线检测器10的一侧、具体来说设置于矩形的放射线检测器10的一个边的一侧的形态，但设置电源部108以及控制基板110的位置并不限定于图6a以及图6b所示的形态。例如，可以将电源部108以及控制基板110分散设置于放射线检测器10的对置的2边的各个边，也可以分散设置于相邻的2边的各个边。另外，在图6a以及图6b中示出将电源部108以及控制基板110设为1个结构部(基板)的形态，但并不限定于图6a以及图6b所示的形态，也可以是将电源部108以及控制基板110中的至少一方设为多个结构部(基板)的形态。例如，将电源部108设为包含第1电源部以及第2电源部(均图示省略)的形态，将第1电源部以及第2电源部各自分散设置于放射线检测器10的对置的2边的各个边。

另外，在使放射线图像拍摄装置1(放射线检测器10)整体挠曲来进行放射线图像的拍摄的情况下，挠曲给图像的影响能通过进行图像补正来抑制。

另外，如图6a以及图6b所示的示例那样，大多情况下电源部108以及控制基板110各自具有比放射线检测器10厚的厚度。在这样的情况下，可以如图6c所示的示例那样，与设置有电源部108以及控制基板110各自的壳体120的部分的厚度相比，使设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度较薄。另外，如此地，在使设置有电源部108以及控制基板110各自的壳体120的部分和设置有放射线检测器10的壳体120的部分的厚度不同的情况下，若两部分的边界部出现级差，就有可能给与边界部120b接触的被检者带来不协调感等，因此优选边界部120b的形态设为有倾斜的状态。

由此，能构成与放射线检测器10的厚度相应的极薄型的可移动型电子暗盒。

另外，例如在该情况下，也可以在设置有电源部108以及控制基板110各自的壳体120的部分和设置有放射线检测器10的壳体120的部分，使壳体120的材质不同。进而，例如，也可以将设置有电源部108以及控制基板110各自的壳体120的部分和设置有放射线检测器10的壳体120的部分构成为分体。

另外，如上述那样，壳体120优选放射线r特别是x射线的吸收率低且高刚性，并优选由弹性模量充分高的材料构成，但也可以如图6d所示的示例那样，对于与壳体120的拍摄面120a对应的部分120c，由放射线r的吸收率低且高刚性而且弹性模量充分高的材料构成，对于其他部分，由与部分120c不同的材料、例如由弹性模量比部分120c低的材料构成。

另外，可以如图6e所示的示例那样，放射线检测器10和壳体120的内壁面相接。在该情况下，放射线检测器10和壳体120的内壁面可以经由粘结层粘结，也可以不经由粘结层而只是接触。如此，通过放射线检测器10和壳体120的内壁面相接，可更加确保放射线检测器10的刚性。

另外，在图7a示出在pss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于壳体120内的状态的其他示例。

如图7a所示那样，在壳体120内，在与层叠方向p交叉的方向上排列设置电源部108以及控制基板110，放射线检测器10和电源部108以及控制基板110在层叠方向p上排列设置。

另外，在图7b示出在iss方式中运用本例示的实施方式的放射线图像拍摄装置1的情况下的、将放射线检测器10设置于壳体120内的状态的其他示例。

如图7b所示那样，在壳体120内，在与层叠方向p交叉的方向上排列设置电源部108以及控制基板110，放射线检测器10和电源部108以及控制基板110在层叠方向p上排列设置。

另外，在图7a以及图7b所示的放射线图像拍摄装置1中，在控制基板110以及电源部108与基材14之间设置对放射线检测器10以及控制基板110进行支承的基台118。对基台118例如使用碳等。

图7a以及图7b所示的放射线图像拍摄装置1能在使放射线检测器10向基材14的第2面14b的面外方向稍微挠曲的状态下、例如在使中央部挠曲1mm～5mm左右的状态下进行放射线图像的拍摄，但由于控制基板110以及电源部108和放射线检测器10设置于层叠方向p上，且设置有基台118，因此不会挠曲到图7a以及图7b所示的放射线图像拍摄装置1的情况的程度。

[第2例示的实施方式]

接下来，说明第2例示的实施方式。另外，本例示的实施方式的放射线检测器10由于包含与第1例示的实施方式的放射线检测器10(参考图1～3)同样的结构，因此对同样的结构省略详细的说明。

在图8示出本例示的实施方式的放射线检测器10的一例的截面图。如图8所示那样，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，在层叠体19与弹力层42之间填充填充件70。即，如图8所示那样，本例示的实施方式的放射线检测器10在开在层叠体19与弹力层42之间的空间中填充填充件70，这一点与第1例示的实施方式的放射线检测器10不同。

填充件70的材料并没有特别限定，能使用一般的半导体材料的密封件等。另外，填充件70也可以与弹力层42同样地具有弹力性和复原力。另外，在本例示的实施方式中，粘结层40为了将弹力层42相对于填充件70进行固定，而设置于弹力层42与填充件70之间的整体，在图8所示的示例中，设置于弹力层42的与传感器基板12对置的面整体。

设置填充件70的方法并没有特别限定，例如可以在层叠体19上依次形成粘结层40以及弹力层42后，对粘结层40与层叠体19之间(间隙)注入具有流动性的填充件70，并使填充件70固化，由此设置填充件70。另外，例如可以在将层叠体19形成于传感器基板12的状态下，将具有流动性的填充件70放在要填充填充件70的部位，在层叠体19以及填充件70之上依次形成粘结层40以及弹力层42，由此设置填充件70。

如此，本例示的实施方式的放射线检测器10在层叠体19与弹力层42之间填充填充件70，由填充件70支撑从中央部30b向前(向传感器基板12的端部侧)突出的弹力层42。因此，根据本例示的实施方式的放射线检测器10，可稳定地设置弹力层42，难以从层叠体19剥离。另外，根据本例示的实施方式的放射线检测器10，由于通过弹力层42和填充件70将层叠体19固定在传感器基板12，因此变换层30难以从传感器基板12剥离。

另外，在图8所示的示例中示出在层叠体19与弹力层42之间无间隙地填充填充件70的形态，但并不限定于图8所示的形态，例如层叠体19与弹力层42之间的一部分可以存在间隙(未填充填充件70的区域)。

[第3例示的实施方式]

接下来，说明第3例示的实施方式。另外，本例示的实施方式的放射线检测器10由于包含与第1例示的实施方式的放射线检测器10(参考图1～3)同样的结构，因此对于同样的结构省略详细的说明。

在图9中示出本例示的实施方式的放射线检测器10的一例的截面图。在图9中示出在焊盘部17设置上述的焊盘130并在焊盘130电连接线缆112的状态。如图9所示那样，本例示的实施方式的放射线检测器10将弹力层42一直设置到与焊盘部17对置的区域为止这一点上与第1例示的实施方式的放射线检测器10不同。

在图9所示的示例中，弹力层42设置于与焊盘部17对置的区域整体，弹力层42的端部和传感器基板12(基材14)的端部是相同的位置。换言之，弹力层42的端部的侧面和传感器基板12的端部的侧面是所谓的齐平。另外，并不限于图9所示的示例，弹力层42可以一直设置到与焊盘部17对置的区域的一部分为止。换言之，弹力层42的端部可以位于与焊盘部17内的区域对置的位置。

如此，本例示的实施方式的放射线检测器10由于将弹力层42一直设置到与焊盘部17对置的区域为止，因此直至传感器基板12的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力(弹力性)。

另外，在如此地将弹力层42一直设置到与焊盘部17对置的区域为止的情况下，优选如图10所示的放射线检测器10的一例那样，与上述第2例示的实施方式同样地，在弹力层42与层叠体19之间填充填充件70。特别，更优选如图10所示的示例那样，在焊盘部17中的弹力层42与传感器基板12之间也填充填充件70。另外，在该情况下，优选在焊盘部17设置焊盘130以及线缆112后填充填充件70。

如图10所示的放射线检测器10那样，通过填充填充件70来稳定地设置弹力层42，因此弹力层42难以从层叠体19剥离，而且，变换层30难以从传感器基板12剥离。另外，在第2例示的实施方式中，可以如上述那样，在一部分区域中不填充填充件70。

另外，如图11所示的放射线检测器10的一例那样，可以设为在焊盘部17设置作为对弹力层42的端部与传感器基板12之间进行支撑的支承部起作用的隔离件72的形态。

设置隔离件72的方法并没有特别限定，例如可以在弹力层42的端部通过粘结剂(图示省略)等贴附隔离件72，将设置了隔离件72的状态的弹力层42贴附于设置了层叠体19、粘结层40、焊盘130以及线缆112的状态的传感器基板12，由此将隔离件72设置于焊盘部17的端部与传感器基板12之间。

在如图11所示的放射线检测器10那样设置了隔离件72的情况下，设置比在层叠体19以及传感器基板12与弹力层42之间填充填充件70的情况更大的空间，但由于弹力层42的端部被支承，因此弹力层42难以从层叠体19剥落，而且，直到传感器基板12的更端部为止，都能赋予针对挠曲的高的复原力(弹力性)。

另外，隔离件72的宽度(与层叠方向p交叉的方向)并不限定于图11所示的示例。例如，隔离件72的宽度可以扩展到比线缆112的前端更靠近变换层30的位置。另外，例如，隔离件72可以具有遍及焊盘部17整体的宽度。

[第4例示的实施方式]

接下来，说明第4例示的实施方式。另外，本例示的实施方式的放射线检测器10由于包含与第1例示的实施方式的放射线检测器10(参考图1～3)同样的结构，因此对于同样的结构省略详细的说明。

在图12示出本例示的实施方式的放射线检测器10的一例的截面图。如图12所示那样，本例示的实施方式的放射线检测器10在传感器基板12的基材14的第2面14b设置弹力构件41，在这一点上与第1例示的实施方式的放射线检测器10不同。

如图12所示那样，弹力构件41在基材14的第2面14b从基材14的外缘一直设置到设置变换层30的区域的一部分为止，且弹力构件41的前端位于变换层30的中央部30b的内侧。另外，弹力构件41与弹力层42同样地，通过经由粘结层(图示省略)贴合于第2面14b等而形成。

弹力构件41与弹力层42同样地具有在传感器基板12挠曲的情况下恢复成挠曲前的状态的复原力。具体地，本例示的实施方式的弹力构件41具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力。另外，本例示的实施方式的弹力构件41为了使传感器基板12(基材14)难以挠曲而具有比传感器基板12高的刚性。

另外，本例示的实施方式的弹力构件41的热膨胀系数与上述的弹力层42同样，优选接近于变换层30的材料的热膨胀系数，更优选弹力构件41的热膨胀系数相对于变换层30的热膨胀系数之比(弹力构件41的热膨胀系数/变换层30的热膨胀系数)为0.5以上且4以下。作为这样的弹力构件41的热膨胀系数，优选30ppm/k以上且200ppm/k以下。例如在变换层30以csi：tl作为材料的情况下，热膨胀系数是50ppm/k。在该情况下，能举出热膨胀系数为100ppm/k～200ppm/k的ldpe、热膨胀系数为60ppm/k～80ppm/k的聚氯乙烯(pvc：polyvinylchloride)、热膨胀系数为70ppm/k～80ppm/k的丙烯酸、热膨胀系数为65ppm/k～70ppm/k的pet、热膨胀系数为65ppm/k的pc、以及热膨胀系数为45ppm/k～70ppm/k的特氟隆(注册商标)等，来作为弹力构件41的材料。

作为具有这样的特性的弹力构件41，与弹力层42同样地优选使用有机系的材料，例如优选是使用pet、白pet、发泡白pet、以及pc、ldpe、pps、opp、pen、以及pi等中的至少一种作为材料的片等。

如此地，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，由于将弹力构件41从基材14的外缘一直设置到设置变换层30的区域的一部分为止，因此能对传感器基板12的外缘部赋予复原力以及刚性。

另外，在本例示的实施方式的放射线检测器10中，由于弹力层42的一部分和弹力构件41夹着传感器基板12以及层叠体19(变换层30)对置设置，因此能补足相互的复原力以及刚性，能进一步抑制基材14的挠曲所带来的影响。

另外，弹力构件41和弹力层42对置设置的区域优选包含从与变换层30的周缘部30c的边界相接的中央部30b起预先确定的交叠区域43。

变换层30在周缘部30c具有越往外侧去厚度越薄的倾斜。因此，在变换层30的厚度发生变化的中央部30b与周缘部30c的边界附近，易于在传感器基板12出现不连续的挠曲。因此，优选包含从与易于出现不连续的挠曲的变换层30的周缘部30c的边界相接的中央部30b起预先确定的区域来作为交叠区域43。

另外，设为交叠区域43的区域并不限定于图12所示的示例。例如在图12中仅将与中央部30b对应的区域设为交叠区域43，但也可以将包含中央部30b与周缘部30c的边界且从中央部30b延续到周缘部30c的预先确定的范围的区域设为交叠区域43。

另外，设置弹力构件41的区域也设置于上述交叠区域43即可，并不限定于图12所示的示例。例如可以将弹力构件41遍及基材14的第2面14b整体来设置。

若如此地满足上述条件，则设为具体的交叠区域43的区域以及设置弹力构件41的区域并没有特别限定，根据弹力层42的材质、像素区域15的位置、以及读取方式等确定即可。

如以上说明的那样，上述各例示的实施方式的放射线检测器10具备：传感器基板12，其包含挠性的基材14、以及设置于基材14的第1面14a且形成有蓄积对应于从放射线变换的光而产生的电荷的多个像素16的层；变换层30，其设置于传感器基板12的第1面14a侧，且将放射线变换成光；和弹力层42，其设置于变换层30中的设置传感器基板12的一侧的相反侧，且具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力。

如此，在上述各例示的实施方式的放射线检测器10中，由于具备设置于变换层30中的设置传感器基板12的一侧的相反侧且具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力的弹力层42，因此与设置不具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力的层的结构相比，在具备具有使用支承体50制造的挠性的基材14的传感器基板12的放射线检测器10的制造工序中，能抑制将传感器基板12从支承体50剥离时产生的挠曲的影响。另外，在上述各例示的实施方式的放射线检测器10中，由于能抑制挠曲的影响，因此能抑制变换层30从传感器基板12剥离、像素16或变换层30的损伤等。

另外，设置弹力层42的区域并不限定于上述各例示的实施方式，至少是覆盖变换层30的中央部30b的区域即可。例如，弹力层42的端部可以从覆盖中央部30b的区域一直设置到与周缘部30c的外周(变换层30的与第1面14a相接的一侧的缘)对应的区域为止。作为设置弹力层42的区域的一例，可以如图13所示的放射线检测器10的一例那样，覆盖层叠体19的表面(上表面)地，换言之，在与层叠体19之间不设置空间地经由粘结层40来形成弹力层42。在图13所示的示例中，弹力层42覆盖层叠体19中包含的变换层30中的中央部30b整体以及周缘部30c的一部分，弹力层42的端部位于与周缘部30c对应的区域内。另外，例如可以如图14所示的放射线检测器10的一例那样，弹力层42的端部比传感器基板12的端部更向外侧突出。

另外，在上述各例示的实施方式中，说明了弹力层42是单一的层(单层)的形态，但也可以是将弹力层42设为多层的形态。例如，如图15所示的放射线检测器10的一例那样，示出将弹力层42设为从靠近层叠体19那方起依次层叠第1弹力层42a、第2弹力层42b、以及第3弹力层42c的3层的多层膜的形态。另外，图15所示的放射线检测器10是在上述的图8所示的放射线检测器10中将弹力层42设为多层的形态的放射线检测器10的一例。在如此将弹力层42设为多层的情况下，在弹力层42整体中具有比传感器基板12高的针对挠曲的复原力即可。

在将弹力层42设为多层的情况下，优选弹力层42中包含的各层具有不同的功能。例如，在图15所示的一例中，可以将第1弹力层42a以及第3弹力层42c设为非导电性的具有带电防止功能的层，将第2弹力层42b设为导电性的层，由此使弹力层42带有电磁屏蔽功能。作为该情况下的第1弹力层42a以及第3弹力层42c，例如能举出使用带电防止涂料“colcoat”(商品名：colcoat公司制)的膜等带电防止膜。另外，作为第2弹力层42b，例如能举出导电性片、cu等导电性的网眼片等。

例如，在射线检测器10的读取方式是iss方式的情况下，有时在传感器基板12(层叠体19)的上侧设置控制基板110、电源部108等，但在如此弹力层42具有带电防止功能的情况下，能遮蔽来自控制基板110、电源部108的电磁噪声。

另外，在上述各例示的实施方式中，说明了在传感器基板12之上直接设置变换层30的形态，但并不限定于该形态，也可以在传感器基板12与变换层30之间设置其他层(膜)。例如，可以如图16所示的一例那样，放射线检测器10在传感器基板12与变换层30之间具有紧贴层49。换言之，传感器基板12可以隔着紧贴层49层叠于变换层30。由于通过具有紧贴层49而使传感器基板12与变换层30的紧贴度提升，因此与不设置紧贴层49的情况相比，变换层30更难从传感器基板12剥离。因此，在设置紧贴层49的情况下，与不设置紧贴层49的情况相比，能减小弹力层42的刚性。作为这样的紧贴层49，例如能举出派瑞林膜等。

另外，例如可以如图17所示的示例那样，放射线检测器10在传感器基板12与变换层30之间具有缓冲层47。缓冲层47具有对变换层30的热膨胀系数与基材14的热膨胀系数之差进行缓冲的功能。缓冲层47的热膨胀系数是传感器基板12的热膨胀系数与变换层30的热膨胀系数之间的热膨胀系数。变换层30的热膨胀系数与基材14的热膨胀系数之差越大，则放射线检测器10越优选具有缓冲层47。例如，在基材14中使用上述xenomax(注册商标)的情况下，与其他材质相比，由于与变换层30的热膨胀系数之差变大，因此优选如图17所示的放射线检测器10那样设置缓冲层47。作为缓冲层47，使用pi膜、派瑞林膜。

另外，在上述各例示的实施方式中，说明了用层压法制造放射线检测器10的形态，但并不限定于该形态，也可以是用涂布法制造放射线检测器10的形态。另外，说明了通过机械剥离从支承体50剥离传感器基板12的形态，但也可以是通过激光剥离从支承体50剥离传感器基板12的形态。

另外，在使用csi的闪烁体作为变换层30的情况下，还能用不同于本例示的实施方式的方法在传感器基板12形成变换层30。例如，可以准备通过气相沉积法使csi蒸镀在铝的板等而成的构件，将csi的不与铝的板相接的一侧和传感器基板12的像素16通过粘着性的片等贴合，由此在传感器基板12形成变换层30。在该情况下，优选将用保护层38覆盖还包含铝的板在内的状态的变换层30整体的状态下的构件与传感器基板12的像素16贴合。另外，在该情况下，变换层30中的与像素16相接的一侧成为柱状结晶的生长方向前端侧。

另外，也可以与本例示的实施方式的放射线检测器10不同，作为变换层30，代替csi而使用gos(gd2o2s：tb)等。在该情况下，例如使gos分散在树脂等粘合剂中，将这样分散后形成的片通过粘接层等贴合于由白pet等形成的支承体，如此进行准备，并将gos的未贴合支承体的一侧和传感器基板12的像素16通过粘着性的片等贴合，由此能够在传感器基板12形成变换层30。另外，在变换层30中使用csi的情况与使用gos的情况相比，从放射线向可见光的变换效率变高。

另外，在上述各例示的实施方式中，说明了如图1所示那样像素16以矩阵状二维排列的形态，但并不限于此，例如也可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。另外，像素的形状并没有限定，可以是矩形，也可以是六边形等多边形。进而，像素区域15的形状也没有限定，这点不言自明。

除此以外，上述各例示的实施方式中说明的放射线图像拍摄装置1以及放射线检测器10等的结构、制造方法等是一例，能在不脱离本发明的主旨的范围内根据状况来变更，这一点不言自明。

[其他例示的实施方式]

首先，参考图18～图30来说明弹力层42的其他例示的实施方式。

如图18所示那样，在弹力层42在与变换层30的中央部30b以及周缘部30c对应的区域延伸的情况下，弹力层42可以不具有沿着变换层30的外周部的倾斜的折弯部。在该情况下，弹力层42在与变换层30的中央部30b对应的区域经由粘结层40粘结在保护层38。在与变换层30的周缘部30c对应的区域，在变换层30(保护层38)与弹力层42之间形成与变换层30的周缘部30c中的倾斜相应的空间。

如上述那样，将线缆112与设置于传感器基板12的外周部的连接区域的端子130连接。传感器基板12经由线缆112与控制基板(参考控制基板110、图6a等)连接。在传感器基板12出现挠曲的情况下，线缆112有可能从传感器基板12剥离或出现位置偏离。在该情况下，需要重新进行线缆112与传感器基板12的连接的作业。将该重新进行线缆112与传感器基板12的连接的作业称作再加工。如图18以及上述图13所示那样，通过将弹力层42的端部配置得比变换层30的端部更靠内侧，与弹力层42延伸到连接区域的附近为止的情况相比，能容易地进行再加工。

如图19、图20以及上述图3、图8所示那样，弹力层42可以设置成：其端部配置得比变换层30的端部更靠外侧，且与延伸到传感器基板12上为止的粘结层36以及保护层38的端部对齐。另外，弹力层42的端部的位置和粘结层36以及保护层38的端部的位置不需要完全一致。

在图19所示的示例中，弹力层42的外周部沿着变换层30的周缘部30c中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层36以及保护层38在传感器基板12上覆盖的部分。另外，弹力层42的端部与粘结层36以及保护层38的端部对齐。另外，弹力层42的端部的位置和粘结层36以及保护层38的端部的位置不需要完全一致。

弹力层42、粘结层40、保护层38、以及粘结层36的端部由密封构件71密封。密封构件71优选设置于从传感器基板12的表面延续到弹力层42的表面且不覆盖像素区域15的区域。作为密封构件71的材料，能使用树脂，特别优选热可塑性树脂。具体地，能将丙烯酸糊以及聚氨酯系的糊等用作密封构件71。弹力层42与保护层38相比，刚性较高，且在弹力层42的折弯部作用想要消除折弯的复原力，由此保护层38有可能会剥离。通过将弹力层42、粘结层40、保护层38、以及粘结层36的端部用密封构件71进行密封，能抑制保护层38的剥离。

在图20所示的示例中，与上述图8所示的形态同样，在与变换层30的周缘部30c对应的区域以及其进一步外侧的区域，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间的空间设置填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域，在弹力层42的表面进一步隔着粘结层40a层叠其他弹力层42a。更具体地，将弹力层42d设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。弹力层42d可以由与弹力层42相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。通过在与变换层30的端部对应的区域形成弹力层42以及42d的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。

即使在如图19、图20以及上述图3、图8所示那样，将弹力层42的端部配置得比变换层30的端部更靠外侧且设置成与粘结层36以及保护层38的端部对齐的状态的情况下，与弹力层42延伸到连接区域的附近的情况相比，也能容易地进行再加工。

另外，也可以如图21～图24所示那样，将弹力层42设置成如下状态：其端部的位置比延伸到传感器基板12上为止的粘结层36以及保护层38的端部更靠外侧，且比传感器基板12的端部更靠内侧。

在图20所示的示例中，弹力层42在与变换层30的中央部30b对应的区域中经由粘结层40粘结在保护层38，且在与变换层30的周缘部30c对应的区域以及其进一步外侧的区域中，在变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间形成与变换层30的周缘部30c中的倾斜相应的空间。

在图22所示的示例中，弹力层42的端部由隔离件72支承。即，隔离件72的一端与传感器基板12的基材14的第1面14a连接，隔离件72的另一端与弹力层42的端部连接。通过由隔离件72对在与传感器基板12之间形成空间的同时进行延伸的弹力层42的端部进行支承，能抑制弹力层42的剥离。另外，能使弹力层42所带来的挠曲抑制效果作用到传感器基板12的端部附近为止。另外，也可以取代设置隔离件72，或在设置隔离件72的基础上，仿照图20所示的示例，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件。

在图23所示的示例中，弹力层42的外周部沿着变换层30的周缘部30c中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层36以及保护层38在传感器基板12上覆盖的部分以及其外侧的传感器基板12上。即，粘结层36以及保护层38的端部由弹力层42密封。弹力层42的在传感器基板12上延伸的部分经由粘结层40粘结在传感器基板12。如此，通过将粘结层36以及保护层38的端部用弹力层42覆盖，能抑制保护层38的剥离。另外，也可以仿照图18记载的示例，使用密封构件71来将弹力层42的端部密封。

在图24所示的示例中，在弹力层42的端部由隔离件72支承的形态下，在弹力层42的表面的与变换层30的端部对应的区域进一步隔着粘结层40a层叠其他的弹力层42d。更具体地，将弹力层42d设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。弹力层42d可以由与弹力层42相同的材料构成。在放射线检测器10中，变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲量比较大。通过在与变换层30的端部对应的区域形成弹力层42以及42d的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。另外，也可以取代设置隔离件72，仿照图20所示的示例，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件70。

也可以如图25、图26、以及上述图9～图11所示那样，将弹力层42设置成其端部与传感器基板12的端部对齐。另外，弹力层42的端部的位置和传感器基板12的端部的位置不需要完全一致。

在图25所示的示例中，弹力层42的外周部沿着变换层30的周缘部30c中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层36以及保护层38在传感器基板12上覆盖的部分、其外侧的基板上、以及端子130与线缆112的连接部。弹力层42的在传感器基板12上以及线缆112上延伸的部分别经由粘结层40粘结在传感器基板12以及线缆112。通过线缆112与端子130的连接部被挠曲弹力层42覆盖，能抑制线缆112的剥离。另外，由于设想在线缆112的另一端连接搭载电子部件的控制基板，因此在线缆112与端子130的连接部，有可能在传感器基板12出现比较大的挠曲。通过线缆112与端子130的连接部被弹力层42覆盖，能抑制该部分处的传感器基板12的挠曲。

在图26所示的示例中，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域，在弹力层42的表面隔着粘结层40a进一步层叠其他的挠曲弹力层42a。更具体地，将弹力层42d设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。弹力层42d可以由与弹力层42相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。通过在与变换层30的端部对应的区域形成弹力层42以及42d的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。

另外，也可以如图27～图30以及上述图14所示那样，将弹力层42设置成其端部位于比传感器基板12的端部更靠外侧的位置。

在图27所示的示例中，弹力层42的端部由隔离件72支承。即，隔离件72的一端与设置于传感器基板12的端部的线缆112连接，隔离件72的另一端与弹力层42的端部连接。通过由隔离件72对在与传感器基板12之间形成空间的同时进行延伸的弹力层42的端部进行支承，能抑制弹力层42的剥离。另外，能使弹力层42所带来的挠曲抑制效果作用到传感器基板12的端部附近为止。

在图28所示的示例中，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件70。在本例示的实施方式中，线缆112与端子130的连接部被填充件70覆盖。如此，通过在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件70，与图29所示的形态相比，能抑制弹力层42从变换层30(保护层38)剥离。进而，由于变换层30成为通过弹力层42以及填充件70双方固定在传感器基板12的结构，因此能抑制变换层30从传感器基板12剥离。另外，通过线缆112与端子130的连接部被填充件70覆盖，能抑制线缆112的剥离。

在图29所示的示例中，弹力层42的外周部沿着变换层30的周缘部30c中的倾斜而折弯，且还覆盖粘结层36以及保护层38在传感器基板12上覆盖的部分、其外侧的基板上、以及端子130与线缆112的连接部。弹力层42的在传感器基板12上以及线缆112上延伸的部分分别经由粘结层40粘结在传感器基板12以及线缆112。通过线缆112与端子130的连接部被弹力层42覆盖，能抑制线缆112的剥离。另外，由于设想在线缆112的另一端连接搭载电子部件的控制基板，因此在线缆112与端子130的连接部，有可能在传感器基板12出现比较大的挠曲。通过线缆112与端子130的连接部被弹力层42覆盖，能抑制该部分处的传感器基板12的挠曲。

在图30所示的示例中，在形成于变换层30(保护层38)与弹力层42之间以及传感器基板12与弹力层42之间的空间填充填充件70。另外，在与变换层30的端部对应的区域，在弹力层42的表面隔着粘结层40a进一步层叠其他的弹力层42d。更具体地，将弹力层42d设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。弹力层42d可以由与弹力层42相同的材料构成。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。通过在与变换层30的端部对应的区域形成弹力层42以及42d的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。

如上述那样，在放射线检测器10的制造工序中，在玻璃基板等支承体50贴附具有挠性的传感器基板12，在传感器基板12上层叠变换层30后，将支承体50从传感器基板12剥离。这时，在具有挠性的传感器基板12出现挠曲，由此形成于传感器基板12上的像素16有可能会损伤。在将支承体50从传感器基板12剥离前，通过在图18～图30所例示那样的形态下在变换层30上层叠弹力层42，能抑制将支承体50从传感器基板12剥离时产生的传感器基板12的挠曲，能减低像素16的损伤的风险。

另外，图31是表示弹力层42的结构的一例的俯视图。弹力层42可以在其主面具有多个贯通孔42h。确定贯通孔42h的大小以及间距，以便在弹力层42得到所期望的刚性。

通过弹力层42具有多个贯通孔42h，能使导入到弹力层42与变换层30的接合面的空气从贯通孔42h排出。由此，能抑制弹力层42与变换层30的接合面中的气泡的产生。

在不存在使导入到弹力层42与变换层30的接合面的空气排出的手段的情况下，有可能会在上述接合面产生气泡。例如，若通过放射线图像拍摄装置1工作时的热而使在上述接合面产生的气泡膨胀，则弹力层42与变换层30的紧贴性就会降低。由此，有可能无法充分发挥弹力层42所带来的挠曲抑制效果。通过如图31那样使用具有多个贯通孔42h的弹力层42，能如上述那样抑制弹力层42与变换层30的接合面的气泡的产生，因此能维持弹力层42与变换层30的紧贴性，能维持弹力层42所带来的挠曲抑制效果。

图32是表示弹力层42的结构的其他示例的立体图。在图32所示的示例中，弹力层42在与变换层30的接合面具有凹凸结构。该凹凸结构可以如图32所示那样包含相互平行配置的多个槽63而构成。弹力层42例如如图33所示那样，将具有由多个槽63形成的凹凸结构的面接合到被反射层34覆盖的变换层30。如此，由于弹力层42在与变换层30的接合面具有凹凸结构，因而能使导入到弹力层42与变换层30的接合部的空气从槽63排出。由此，与图35所示的形态同样，能抑制弹力层42与变换层30的接合面的气泡的产生。由此，能维持弹力层42与变换层30的紧贴性，能维持弹力层42所带来的挠曲抑制效果。

图34以及图35分别是表示弹力层42的结构的其他示例的俯视图。如图34以及图35所示那样，弹力层42可以被分断成多个断片54。弹力层42可以如图34所示那样，被分断成使得多个断片54(545～5411)在一个方向上排列。另外，弹力层42可以如图35所示那样，被分断成使得多个断片54(541～494)在纵向以及横向上排列。

弹力层42的面积越大，则越易于在弹力层42与变换层30的接合面产生气泡。如图38以及图39所示那样，通过将弹力层42分断成多个断片54，能抑制弹力层42与变换层30的接合面的气泡的产生。由此，能维持弹力层42与变换层30的紧贴性，能维持弹力层42d所带来的挠曲抑制效果。

另外，可以在弹力构件41的与传感器基板12(第2面14b)相接的一侧的相反侧设置加强构件55。图36～图40分别是表示加强构件55的设置形态的示例的截面图。

在图36～图40所示的示例中，在弹力构件41的传感器基板12侧的面的相反侧的面隔着粘结层56层叠加强构件55。加强构件55可以由与弹力层42相同的材料构成。在将放射线检测器10设为iss方式来使用的情况下，为了极力减小加强构件55与像素区域15重叠的部分的面积，优选加强构件55仅设置于传感器基板12的外周部。即，加强构件55可以如图36～图40所示那样是在与像素区域15对应的部分具有开口61的环状。通过如此在传感器基板12的外周部形成弹力构件41以及加强构件55的层叠结构，能加强比较易于产生挠曲的传感器基板12的外周部的刚性。

在图36～图40所示的示例中，加强构件55设置于跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的区域。在放射线检测器10中，在变换层30的端部，传感器基板12的挠曲量比较大。通过在与变换层30的端部对应的区域形成弹力构件41以及加强构件55的层叠结构，能促进抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果。

在将放射线检测器10设为iss方式来使用的情况下，在如图36所示那样加强构件55的一部分与像素区域15重叠的情况下，根据加强构件55的材质的不同，有可能给图像带来影响。因此，在加强构件55的一部分与像素区域15重叠的情况下，优选使用塑料来作为加强构件55的材料。

如图37以及图38所示那样，最优选是加强构件55跨过变换层30的端部(外缘、边缘)且不与像素区域15重叠的形态(即，加强构件55的开口61的端部配置于像素区域15的外侧的形态)。在图41所示的示例中，加强构件55的开口61的端部的位置和像素区域15的端部的位置大致一致。在图42所示的示例中，加强构件55的开口61的端部配置于像素区域15的端部与变换层30的端部之间。

另外，加强构件55的开口61的端部的位置可以如图39所示那样与变换层30的端部的位置大致一致，另外，也可以如图40所示那样配置得比变换层30的端部更靠外侧。在该情况下，由于成为加强构件55跨过变换层30的端部(外缘、边缘)的结构，因此抑制变换层30的端部处的传感器基板12的挠曲的效果有可能会降低。但是，通过在线缆112与端子130的连接部所存在的传感器基板12的外周部形成弹力构件41以及加强构件55的层叠结构，可维持抑制线缆112与端子130的连接部处的传感器基板12的挠曲的效果。

另外，在上述各例示的实施方式的放射线检测器10中，说明了传感器基板12(基材14)和弹力构件41的大小相同的形态，但传感器基板12和弹力构件41也可以大小不同。

例如在将放射线检测器10运用到放射线图像拍摄装置1的情况下，有时在收纳放射线检测器10的壳体120(参考图11等)等中将放射线检测器10固定来使用。在这样的情况下，例如可以如图41a所示的一例那样，使弹力构件41比传感器基板12大，并设置挡板等，使用挡板等的部分进行放射线检测器10的固定。例如可以设为在弹力构件41的挡板部分设置孔并使用将孔贯通的螺丝与壳体120(参考图6a等)进行固定的形态。

另外，使弹力构件41比传感器基板12大的形态并不限定于图41a所示的形态。也可以由层叠的多个层构成弹力构件41，对于一部分层，设为比传感器基板12大的形态。例如可以如图41b所示那样，将弹力构件41设为具有与传感器基板12(基材14)相同程度的大小的第1层41a以及比传感器基板12大的第2层41b的2层结构。第1层41a和第2层41b通过双面胶带或粘着层等(图示省略)贴合。作为第1层41a，例如优选由与上述的弹力构件41同样的材质形成，且具有与弹力构件41同样的性质。另外，将第2层41b通过双面胶带或粘着层等(图示省略)贴合于基材14的第2面14b。作为第2层41b，例如能运用alpet(注册商标)。另外，在由多个层构成弹力构件41的情况下，可以与图41b所示的形态相反，如图41c所示那样，设为将第1层41a贴合于基材14的第2面14b的形态。

如上述那样，在使用设置于弹力构件41的挡板等将放射线检测器10固定在壳体120(参考图6a等)等的情况下，有时会在将挡板部分弯曲的状态下进行固定。厚度越薄则弹力构件41的挡板部分就越易于弯曲，能不给放射线检测器10主体带来影响地仅将挡板部分弯曲。因此，在使挡板部分等弯折的情况下，优选如图41b以及图41c所示的一例那样，由层叠的多个层构成弹力构件41，仅对于一部分层，设为比传感器基板12大的形态。

另外，可以如图42所示的示例那样，与上述图41a～图41c的放射线检测器10相反，使弹力构件41比传感器基板12小。通过使传感器基板12的端部位于比弹力构件41的端部更靠外部的位置，例如在将放射线检测器10收纳于壳体120(参考图7等)等进行组装的情况下，能易于确认传感器基板12的端部的位置，因此能提升定位的精度。另外，并不限定于图42所示的形态，只要传感器基板12(基材14)的端部的至少一部分位于比弹力构件41更靠外部的位置，就能得到同样的效果，因而优选。

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