技术特征：
技术总结
本发明涉及一种交变电流磁光调制下调制器磁场分析方法，通过分析调制器结构特点，结合麦克斯韦方程组分别建立调制器内部电磁场的基本模型、空心调制器内部磁场模型、无松弛极化磁光材料内部磁场模型，最终构建交变电流磁光调制下含无松弛极化磁光材料的调制器内部磁场分布模型。通过所设置的基本仿真参数，由交变电流磁光调制下调制器内部电磁场的基本模型，求解空心螺线管的磁场构建无松弛极化磁光材料内部磁场模型，最终构建的磁场分布模型反映了介质内外磁场幅值的频率特性，本发明同现有技术比较的最大优越性在于：通过对磁光调制过程中含无松弛介质的调制器内部磁场分布计算，为详细研究磁光调制过程提供了磁场分析方法。
技术研发人员：蔡伟;杨志勇;许友安;赵晓枫;梁丰
受保护的技术使用者：中国人民解放军火箭军工程大学
技术研发日：2019.06.26
技术公布日：2019.09.10