基于PocketLab的晶体管参数测试仪的制作方法

本发明涉及一种基于pocketlab的晶体管参数测试仪,属于电子电路技术领域。

背景技术：

目前，晶体管参数测量领域没有较成熟的产品，功能单一，价格较高，没有能够同时测量输入输出特性曲线和放大系数的仪器，已有的仪器只能测量部分功能，操作不够简便；能同时测量输出特性曲线和放大系数的仪器目前很少，价格普遍较高，不适合于教学推广。

技术实现要素：

本发明的目的是为了克服目前晶体管参数测试仪功能单一、使用不便、价格较高的问题，本实用新型提供一种基于pocketlab的晶体管参数测试仪，利用已有的pocketlab平台、软件硬件一体化的晶体管参数测试仪，对bjt管、mos管能很方便地完成输入特性曲线、输出特性曲线的绘制。

为达到上述目的，本实用新型采用的方法是：一种基于pocketlab的晶体管参数测试仪，包括pocketlab、pcb电路板，在pcb电路板上面集成标准电阻、待测元件插孔以及插针，插针可与pocketlab的功能引脚区和电源引脚区相连；所述的标准电阻包括r1和r2，插孔包括插孔a、插孔b、插孔c、插孔d以及插孔e；所述的插孔a用于接待测晶体管的集电极、插孔b用于接待测晶体管的基极、插孔c用于接待测晶体管的发射集，同时插孔c接地；所述的标准电阻r1一端连接插孔b，另一端接插孔d；所述的所述的标准电阻r2一端接插孔a，另一端接插孔e；当测量晶体管的输入特性曲线时，插孔d通过pocketlab的信号端口sig2接插孔c，插孔e通过pocketlab的信号端口sig1接插孔c；当测量晶体管的输出特性曲线时，插孔d通过pocketlab的信号端口sig1接插孔c，插孔e通过pocketlab的信号端口sig2接插孔c。

作为本实用新型的一种改进，所述的标准电阻r1的阻值为100k，标准电阻r2的阻值为5k。

作为本实用新型的一种改进，当测量bjt管的输入特性曲线时，插孔d和插孔b还分别与pocketlab示波器端口u1和u2连接。

作为本实用新型的一种改进，当测量bjt管的输出特性曲线时，插孔a和插孔e还分别与pocketlab示波器端口u2和u1连接。

作为本实用新型的一种改进，当测量mos管的输出特性曲线时，插孔a和插孔e还分别与pocketlab示波器端口u1和u2连接。

作为本实用新型的一种改进，所述的pcb电路板的尺寸为5.48cm×4.12cm×1.60mm。

配合“虚拟实验室”软件，可以通过pocketlab产生正弦信号，通过pocketlab采集输入信号，计算得到电流，同时以图像形式反馈到界面得到特性曲线，并且提供相关的数据读取、数据修正、参数设置功能；

有益效果：

本实用新型轻巧便携，结构精巧，能够进行大批量生产，其一方面可以在教学及教学实验中得到使用，能够有助于提高对电子电路相关知识，如：电子线路基础课程，的理解和应用，另一方面可以在实际使用中实现比较大的价值，用于便携式的器件参数测量、晶体管检测，利用pocketlab实现其便携特性，主要用于晶体管、电阻的扩展接口，提高便携特性。能够测试并绘制三极管输入特性曲线、三极管输出特性曲线等相关器件参数，并且以图像形式反馈到界面，同时提供相关的数据读取、数据修正、参数设置功能。

附图说明

图1是bjt管输入特性曲线测量原理图。

图2是bjt管输出特性曲线测量原理图。

图3是mos管输出特性曲线测量原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型的技术方案做进一步地说明。

如图1到图3所述，在本实用新型中，sig1和sig2为pocketlab信号端口，u1、u2为pocketlab示波器端口；输入sig正弦信号，通过pocketlab采集信号u1和u2，计算得到输入电流，同时以图像形式反馈到界面得到输入特性曲线，并且提供相关的数据读取、数据修正、参数设置功能；输出特性曲线以类似方式可获得。标准电阻r1的阻值为100k，标准电阻r2的阻值为5k。

实施例1：

如图1所示，为bjt管输入特性曲线测量原理图，输入信号源sig2串联合适的电阻r1接入发射结，输出电压源sig1同样串联合适的电阻r2接入集电极-发射极，u1表示pocketlab中信号发生器产生的原始正弦信号，u2表示经过参考电阻后pocketlab回收的正弦信号，通过分别绘制u1、u2的图像，通过集电极-发射极两端电压和输入信号电压测量获取输入电流值，其随着输入信号电压值不断变化而形成曲线，同时输出电压变化从而形成曲线族。

实施例2：

如图2所示，为bjt管输出特性曲线测量原理图输入信号源sig1串联合适的电阻r1接入发射结，输出电压源sig2同样串联合适的电阻r2接入集电极-发射极，u1表示pocketlab中信号发生器产生的原始正弦信号，u2表示经过参考电阻后pocketlab回收的正弦信号，通过分别绘制u1、u2的图像，通过基极-发射极两端电压和输出信号电压测量获取输出电流值，其随着输出信号电压值不断变化而形成曲线，同时输入电压变化从而形成曲线族。

实施例3：

如图3所示，为mos管输出特性曲线测量原理图，输入信号源sig1串联合适的电阻r1接入栅极，输出电压源sig2同样串联合适的电阻r2接入漏极，u2表示pocketlab中信号发生器产生的原始正弦信号，u1表示经过参考电阻后pocketlab回收的正弦信号，通过分别绘制u1、u2的图像，通过栅极-源极两端电压和输出信号电压测量获取输出电流值，其随着输出信号电压值不断变化而形成曲线，同时输入电压变化从而形成曲线族。

技术特征：

1.基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：包括pocketlab、pcb电路板，在pcb电路板上面集成标准电阻、待测元件插孔以及插针，插针可与pocketlab的功能引脚区和电源引脚区相连；所述的标准电阻包括r1和r2，插孔包括插孔a、插孔b、插孔c、插孔d以及插孔e；所述的插孔a用于接待测晶体管的集电极、插孔b用于接待测晶体管的基极、插孔c用于接待测晶体管的发射集，同时插孔c接地；所述的标准电阻r1一端连接插孔b，另一端接插孔d；所述的所述的标准电阻r2一端接插孔a，另一端接插孔e；当测量晶体管的输入特性曲线时，插孔d通过pocketlab的信号端口sig2接插孔c，插孔e通过pocketlab的信号端口sig1接插孔c；当测量晶体管的输出特性曲线时，插孔d通过pocketlab的信号端口sig1接插孔c，插孔e通过pocketlab的信号端口sig2接插孔c。

2.根据权利要求1所述的基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：所述的标准电阻r1的阻值为100k，标准电阻r2的阻值为5k。

3.根据权利要求1所述的基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：当测量bjt管的输入特性曲线时，插孔d和插孔b还分别与pocketlab示波器端口u1和u2连接。

4.根据权利要求1所述的基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：当测量bjt管的输出特性曲线时，插孔a和插孔e还分别与pocketlab示波器端口u2和u1连接。

5.根据权利要求1所述的基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：当测量mos管的输出特性曲线时，插孔a和插孔e还分别与pocketlab示波器端口u1和u2连接。

6.根据权利要求1所述的基于pocketlab的晶体管参数测试仪，其特征在于：所述的pcb电路板的尺寸为5.48cm×4.12cm×1.60mm。

技术总结
本实用新型公开了基于PocketLab的晶体管参数测试仪，包括一块PCB电路板，上面集成了标准电阻插孔、待测元件插孔以及插针，插针可与PocketLab的功能引脚区和电源引脚区相连。测量晶体管参数时，将测试平台插在PocketLab上，配合PocketLab可以绘制晶体管参数曲线（BJT输入特性曲线、BJT输出特性曲线、BJT的放大倍数及MOS管等相关器件参数），并将主要参数测试以图像形式反馈到界面，同时提供相关的数据读取、数据修正、参数设置功能。该测试平台可用于日常晶体管参数测量，也可用于实验教学。

技术研发人员：郑冉
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2019.06.18
技术公布日：2020.05.19