1.一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法，具体包括以下步骤：
步骤s1：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；
步骤s2：将步骤s1中的样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；
步骤s3：利用反弱局域化测量得到rashba和dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。
2.根据权利要求1所述的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法，其特征在于，在步骤s1中，半导体量子阱材料为非对称掺杂的化合物半导体；半导体量子阱样品要制备成霍尔条形器件并具备可控金属栅极。
3.根据权利要求1所述的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法，其特征在于，在步骤s2中，所述电测量高压腔能够实现样品的电阻测量；霍尔条形器件电极与高压腔引线间用导电银胶连接；高压腔中封入液态传压介质用以保护样品和对样品施加压力；所述压力为静水压力；压腔中装入发光二极管用以照射样品；利用微控型液压机改变压腔内的压力；利用电压源在金属栅极上施加电压。
4.根据权利要求1所述的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法，其特征在于，步骤s3具体包括以下步骤：
步骤s31：将步骤s2中所述电测量高压腔置于低温综合物性测试设备中，将样品温度从室温缓慢降至低温，测量样品在零磁场附近的磁阻变化，得到由自旋轨道耦合作用引起的反弱局域化磁阻信号，注意所述低温以能够观测到清晰的反弱局域化磁阻信号为准；
步骤s32：利用反弱局域化理论中广泛采用的iordanskii,lyanda-geller,andpikus(ilp)模型对步骤s31中测得的实验数据进行拟合，得到拟合参数hr和hd，并通过公式
步骤s33：通过改变压力和栅极电压，实现rashba和dresselhaus自旋轨道耦合参数α和γ的独立调控。