一种新型高过载差压传感器的制作方法

文档序号:21852597发布日期:2020-08-14 18:23阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种新型高过载差压传感器,其特征在于:包括芯片基座(1)、单晶硅差压芯片(2)、金丝(3)、正压端充油管(4)、负压端充油管(5)、正压基座(6)、正压隔离膜片(7)、负压基座(8)、负压隔离膜片(9)、中心过载膜片(10)、引脚(11)、氟胶圈(12);芯片基座(1)安装在正压基座(6)顶部中心位置的凹槽内,芯片基座(1)是烧结而成的,内部粘有单晶硅差压芯片(2),单晶硅差压芯片(2)通过金丝(3)与芯片基座(1)上的引脚(11)连接,从而实现芯片基座(1)的通电、通讯;正压基座(6)上氩弧焊接正压隔离膜片(7),负压基座(8)上氩弧焊接负压隔离膜片(9),芯片基座(1)上烧结两个充油管,分为正压端充油管(4)和负压端充油管(5);正压基座(6)和负压基座(8)内部开有油路,中心过载膜片(10)安装在负压基座(8)与正压基座(6)之间,负压基座(8)与正压基座(6)通过同心挤压,将中心过载膜片(10)与正压基座(6)、负压基座(8)形成硬密封,将正压基座(6)和负压基座(8)内的油路分为正压油路和负压油路,正压油路和负压油路的容积相等;通过正压端充油管(4)将正压油路腔充硅油,通过负压端充油管(5)将负压油路腔充硅油,充油完成后,通过氩弧焊接将正压端充油管(4)和负压端充油管(5)堵死密封。

2.根据权利要求1所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述芯片基座(1)上套有氟胶圈(12),安装在正压基座(6)顶部中心位置的凹槽内部,芯片基座(1)和正压基座(6)在外部连接处氩弧焊接,保证密封性。

3.根据权利要求2所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述正压基座(6)内部开有水平的油路a,正压隔离膜片(7)与油路a接触;负压基座(8)内部开有与油路a相对应的水平的油路d,负压隔离膜片(9)与油路d接触。

4.根据权利要求3所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述中心过载膜片(10)的两侧分别为正压基座(6)的油路j和负压基座(8)的油路e。

5.根据权利要求1所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述正压基座(6)、负压基座(8)在外部连接处氩弧焊接,保证密封性。

6.根据权利要求4所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述芯片基座(1)底部开有油路c,油路c通过正压基座(6)内部的油路b与油路a连通,芯片基座(1)内部开有油路h,单晶硅差压芯片(2)将油路c和油路h分隔开,油路c侧为正压油路,油路h侧为负压油路;芯片基座(1)、正压基座(6)、负压基座(8)内部共同形成油路g,油路g与油路h连通;负压基座(8)内开斜孔,形成油路f,油路f一端与油路g连通,一端与油路e连通。

7.根据权利要求6所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述正压端充油管(4)的油路通过芯片基座(1)和正压基座(6)底部缝隙与油路c连通,负压端充油管(5)的油路与油路g连通。

8.根据权利要求4所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述中心过载膜片(10)通过热处理调整力学性能。

9.根据权利要求8所述的一种新型高过载差压传感器,其特征在于:所述中心过载膜片(10)在额定压力情况下,不发生形变,在超过额定压力后,变成过载压力下,发生形变。


技术总结
本实用新型属于测量仪表技术领域,具体涉及一种新型高过载差压传感器。本实用新型芯片基座安装在正压基座顶部中心位置的凹槽内,芯片基座内部粘有单晶硅差压芯片;芯片基座上烧结两个充油管,分为正压端充油管和负压端充油管;正压基座和负压基座内部开有油路,中心过载膜片安装在负压基座与正压基座之间,将正压基座和负压基座内的油路分为正压油路和负压油路,正压油路和负压油路的容积相等;通过正压端充油管将正压油路腔充硅油,通过负压端充油管将负压油路腔充硅油,充油完成后,通过氩弧焊接将正压端充油管和负压端充油管堵死密封。本实用新型保证正压端和负压端油路体积相等,从而达到单晶硅差压芯片精度稳定,提高传感器的稳定性。

技术研发人员:盛雪梅
受保护的技术使用者:盛雪梅
技术研发日:2020.02.15
技术公布日:2020.08.14
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1