颗粒物清洁度检测方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种颗粒物清洁度检测方法。

背景技术：

陶瓷在机械加工过程中容易因静电效应或者微裂而产生陶瓷小颗粒，并且容易沾染灰尘等杂质。而在半导体设备中，一些零部件需要使用陶瓷制作，例如静电吸盘(electrostaticchuck，简称esc)吸附晶圆的表面，若这些陶瓷件上存在颗粒物，则会产生晶圆吸附、工艺结果颗粒物超标等一系列问题。因此，在陶瓷件制作完成后，需要对陶瓷件进行清洗，以去除陶瓷件上颗粒物，并需要在陶瓷件的清洗过程中对陶瓷件的颗粒物清洁度进行检测，避免颗粒物清洁度未达标的陶瓷件投入使用。

现有的陶瓷件的颗粒物清洁度检测方式，通常是将清洗后的陶瓷件浸入浸泡液，再使用液体颗粒计数器(liquidparticlecounter，简称lpc)对浸泡液中的颗粒物数量进行检测，以借助检测到的颗粒物数量来判断陶瓷件的颗粒物清洁度是否达标。但是，现有的陶瓷件的颗粒物清洁度检测方式，仅在最终检测到的颗粒物数量上具有统一的技术标准，而对于在颗粒物清洁度检测过程中，会对颗粒物清洁度检测结果造成影响的一些相关干扰因素上并不具有统一的技术标准，这就使得现有的陶瓷件的颗粒物清洁度检测方式具有较多的人为主观因素，造成颗粒物清洁度检测的检测结果误差较大，准确度较低，从而对检测结果的可靠性和稳定性产生影响，进而对半导体工艺结果产生影响。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种颗粒物清洁度检测方法，其能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

为实现本发明的目的而提供一种颗粒物清洁度检测方法，包括以下步骤：

将浸泡液取至预设容器内；

对所述浸泡液的颗粒物数量进行检测，并判断检测到的所述浸泡液的颗粒物数量是否满足预设的第一标准；

若是，则采用所述浸泡液对待检测件进行颗粒物检测，其中，所述待检测件为已进行清洁处理的机械加工件。

可选的，所述若检测到的所述浸泡液的颗粒物数量满足预设的所述第一标准，则采用所述浸泡液对所述待检测件进行颗粒物检测包括以下步骤：

对所述浸泡液中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的所述浸泡液中的颗粒物数量作为第一检测值；

将所述待检测件浸没在所述浸泡液中；

对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡第一预设时间并静置，其中，所述第一预设时间为所述待检测件表面颗粒经震荡可全部脱落的时间；

检测超声震荡所述第一预设时间并静置后的所述浸泡液中的颗粒物数量，并将检测到的所述浸泡液中的颗粒物数量作为第二检测值；

计算所述第二检测值与所述第一检测值的差值，并判断所述差值是否满足预设的第二标准，若是，则所述待检测件的颗粒物清洁度合格。

可选的，所述第一预设时间的获得包括以下步骤：

在进行所述颗粒物清洁度检测之前，对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行n次超声震荡并静置，并在每次超声震荡并静置之后，对所述浸泡液的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，若第t+1次检测到的超声震荡并静置后的所述浸泡液的氢离子浓度指数和电阻值，与第t次检测到的超声震荡并静置后的所述浸泡液的氢离子浓度指数和电阻值相等，则将第1次到第t次对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡的时间之和作为所述第一预设时间，其中，n为大于或等于2的正整数，t为大于或等于1的正整数，且(t+1)小于或等于n。

可选的，所述若检测到的所述浸泡液的颗粒物数量满足预设的所述第一标准，则采用所述浸泡液对所述待检测件进行颗粒物检测，还包括以下步骤：

在所述对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡所述第一预设时间并静置之前，对所述浸泡液的氢离子浓度指数进行检测，并将检测到的所述浸泡液的氢离子浓度指数作为第一氢离子浓度指数；

在所述对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡所述第一预设时间并静置之后，对超声震荡所述第一预设时间并静置后的所述浸泡液的氢离子浓度指数进行检测，并将检测到的所述浸泡液的氢离子浓度指数作为第二氢离子浓度指数；

计算所述第二氢离子浓度指数与所述第一氢离子浓度指数的差值，并判断所述差值是否满足预设的第三标准，若是，则进行所述检测超声震荡所述第一预设时间并静置后的所述浸泡液中的颗粒物数量。

可选的，所述若检测到的所述浸泡液的颗粒物数量满足预设的所述第一标准，则采用所述浸泡液对所述待检测件进行颗粒物检测，还包括以下步骤：

在所述对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡所述第一预设时间并静置之前，对所述浸泡液的电阻值进行检测，并将检测到的所述浸泡液的电阻值作为第一电阻值；

在所述对浸有所述待检测件的所述浸泡液进行超声震荡所述第一预设时间并静置之后，对超声震荡所述第一预设时间并静置后的所述浸泡液的电阻值进行检测，并将检测到的所述浸泡液的电阻值作为第二电阻值；

计算所述第二电阻值与所述第一电阻值的差值，并判断所述第二电阻值与所述第一电阻值的差值是否满足预设的第四标准，若是，则进行所述检测所述浸泡液中的颗粒物数量。

可选的，所述浸泡液为去离子水，所述第一标准为在所述浸泡液中直径为大于或等于0.3μm(微米)的颗粒物的数量小于或等于400p/ml(个每毫升)。

可选的，在将所述待检测件浸没在所述浸泡液中时，使所述待检测件的顶部距离所述浸泡液的顶面第一预设距离，并使所述待检测件的底部距离所述浸泡液的底面第二预设距离，在检测超声震荡所述第一预设时间并静置后的所述浸泡液中的颗粒物数量时，在所述待检测件的顶部上方第三预设距离处取样。

可选的，所述若检测到的所述浸泡液的颗粒物数量满足预设的所述第一标准，则采用所述浸泡液对所述待检测件进行颗粒物检测，还包括以下步骤：

在所述对所述浸泡液中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的所述浸泡液中的颗粒物数量作为第一检测值之前，对所述浸泡液进行超声震荡并静置。

可选的，在所述对所述浸泡液中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的所述浸泡液中的颗粒物数量作为第一检测值之前，对所述浸泡液进行超声震荡第三预设时间，并静置第四预设时间。

可选的，所述将所述浸泡液取至所述预设容器内包括以下步骤：

以第五预设时间，将所述浸泡液取至第一预设容器内；

将所述第一预设容器放置在第二预设容器内；其中，所述第一预设容器包括采用聚乙烯材料制作的容器。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的颗粒物清洁度检测方法，在对待检测件进行颗粒物检测之前，先对浸泡液的颗粒物数量进行检测，并判断检测到的浸泡液的颗粒物数量是否满足预设的第一标准，若浸泡液的颗粒物数量满足预设的第一标准，再采用浸泡液对待检测件进行颗粒物检测，这样就可以避免浸泡液中的颗粒物对待检测件的颗粒物清洁度造成干扰，以能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

附图说明

图1为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的一种流程图；

图2为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的另一种流程图；

图3为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的另一种流程图；

图4为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的另一种流程图；

图5为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的另一种流程图；

图6为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法的另一种流程图；

图7为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在将浸泡液取至第一预设容器内的示意图；

图8为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在对浸泡液的颗粒物数量进行检测的示意图；

图9为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在对浸泡液进行超声震荡并静置的示意图；

图10为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在对浸泡液中的颗粒物数量进行检测获得第一检测值的示意图；

图11为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在将待检测件浸没在浸泡液中，并对浸有待检测件的浸泡液进行超声震荡并静置的示意图；

图12为本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法在对浸泡液中的颗粒物数量进行检测获得第二检测值的示意图；

附图标记说明：

1-浸泡液；2-预设容器；21-第一预设容器；22-第二预设容器；3-待检测件；4-液体颗粒计数器。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的颗粒物清洁度检测方法进行详细描述。

为了便于对本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法进行说明，首先对现有技术中的待检测件3的清洗方法以及颗粒物清洁度检测方法进行介绍。以待检测件3的材质为陶瓷为例，在现有技术中，待检测件3的清洗方法可以是先将待检测件3浸入脱脂剂中，以去除待检测件3上的脂类，避免待检测件3上的脂类将待检测件3上的颗粒物覆盖，导致在后续的清洗过程中待检测件3上的颗粒物无法被清洗下来，之后，可以再将待检测件3浸入去离子水(deionizedwater，检测di水)中漂洗，以去除待检测件3上被脱脂剂去除下的脂类以及脱脂剂，之后，可以再使用去离子水加压对待检测件3上的盲孔、褶皱等区域喷淋，以将待检测件3上位于盲孔、褶皱等区域中的颗粒物清洗下来，之后，可以再将待检测件3浸入酸溶液中，以借助酸溶液将待检测件3上的颗粒物刻蚀下来，之后，可以再将待检测件3浸入去离子水中漂洗，以去除待检测件3上被酸溶液刻蚀下来的颗粒污染物以及酸溶液，之后，可以再使用去离子水加压对待检测件3上的盲孔、褶皱等区域喷淋，以将待检测件3上位于盲孔、褶皱等区域中的颗粒物以及酸溶液清洗下来，之后，可以再将待检测件3浸入去离子水中进行超声震荡清洗，以去除待检测件3上的颗粒物，之后，可以对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测，若待检测件3的颗粒物清洁度合格，则循环上述清洗步骤，若待检测件3的颗粒物清洁度不合格，则可以将待检测件3浸入去离子水中浸洗，以去除在对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测过程中，残留在待检测件3上的浸泡液1，之后，可以使用过滤后的干燥气体将待检测件3吹干，以去除待检测件3上可见的水分，之后，可以再将待检测件3放入无尘室中烘烤，以去除待检测件3上的水分，之后，可以使用氮气对待检测件3进行全面吹扫，以去除待检测件3上颗粒物以及水分。

在现有技术中，待检测件3的颗粒物清洁度检测方法可以是先将洁净的浸泡槽放入超声波槽内，再向浸泡槽中加入去离子水，再将待检测件3放入至浸泡槽中，并浸没在去离子水中，之后，可以使用液体颗粒计数器4对去离子水的颗粒物数量进行检测，之后，可以对浸有待检测件3的去离子水进行超声震荡，之后，再使用液体颗粒计数器4对去离子水的颗粒物数量进行检测，通过计算超声震荡之前的去离子水的颗粒物数量与超声震荡之后的去离子水的颗粒物数量的差值，并判断该差值是否满足预设的标准，若该差值满足预设的标准，则待检测件3的颗粒物清洁度合格，若该差值不满足预设的标准，则待检测件3的颗粒物清洁度不合格。另外，待检测件3的颗粒物清洁度检测方式也可以是先用擦拭布对待检测件3进行擦拭，并目测擦拭布上是否有明显污迹，若擦拭布上有明显污迹，则将擦拭布放入去离子水中浸泡，并对浸泡有擦拭布的去离子水进行超声震荡，再利用液体颗粒计数器4对超声震荡之后的去离子水的颗粒物数量进行检测，以通过检测到的超声震荡之后的去离子水的颗粒物数量对待检测件3的颗粒物清洁度是否合格进行判断。

但是，本申请发明人在采用上述介绍的两种待检测件3的颗粒物清洁度检测方法对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测的过程中，发现上述介绍的两种待检测件3的颗粒物清洁度检测方法都存在较多的人为主观因素，容易造成颗粒物清洁度检测的检测结果误差较大，准确度较低，从而对检测结果的可靠性和稳定性产生影响，进而对半导体工艺结果产生影响。例如，在将待检测件3浸没在去离子水中，并通过计算超声震荡之前的去离子水的颗粒物数量与超声震荡之后的去离子水的颗粒物数量的差值，对待检测件3的颗粒物清洁度是否合格进行判断时，去离子水的标准、待检测件3的浸泡时间、浸泡程度以及超声震荡的超声波强度和时间等均没有统一的标准，这就导致不同人对这些参数的取值不同，存在较多的人为主观因素，又例如，在采用擦拭布对待检测件3进行擦拭，并目测擦拭布上是否有明显污迹，再通过将擦拭布放入去离子水中浸泡，以通过检测到的超声震荡之后的去离子水的颗粒物数量对待检测件3的颗粒物清洁度是否合格进行判断时，擦拭布存在污迹的程度、擦拭布本身的材质、擦拭力度、擦拭位置和擦拭面积等均没有统一的标准，这也会导致不同人对这些参数的取值不同，同样存在较多的人为主观因素。

如图1和图8所示，本发明实施例提供一种颗粒物清洁度检测方法，包括以下步骤：

s1，将浸泡液1取至预设容器2内；

s2，对浸泡液1的颗粒物数量进行检测，并判断检测到的浸泡液1的颗粒物数量是否满足预设的第一标准；

s3，若是，则采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测，其中，待检测件为已进行清洁处理的机械加工件。

本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法，在对待检测件3进行颗粒物检测之前，先对浸泡液1的颗粒物数量进行检测，并判断检测到的浸泡液1的颗粒物数量是否满足预设的第一标准，若浸泡液1的颗粒物数量满足第一标准，再采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测，这样就可以避免浸泡液1中的颗粒物对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，以能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

在实际应用中，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量不满足预设的第一标准，则可以对浸泡液1进行过滤，直到浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准。但是，并不以此为限，例如，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量不满足预设的第一标准，也可以对浸泡液1进行更换，直到浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准。

需要说明的是，本发明实施例中所涉及的待清洗件3可以为静电吸盘(electrostaticchuck，简称esc)，本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法，可用于检测该静电吸盘用于吸附晶圆的陶瓷件表面，当然本发明实施例提供的颗粒物清洁度检测方法并不限于对经过上述介绍的待检测件3的清洗方法清洗后的待检测件3的颗粒物清洁度进行检测，也并非限于上述陶瓷件表面。此外，对于第一标准的设定与所选取的浸泡液相关，以该浸泡液不影响待检测件的颗粒物清洁度为基准。

可选的，浸泡液1可以为去离子水。

可选的，浸泡液1可以为去离子水，第一标准可以为在浸泡液1中直径为大于或等于0.3μm(微米)的颗粒物的数量小于或等于400p/ml(个每毫升)。即，若检测到的浸泡液1中的直径为大于或等于0.3μm的颗粒物的数量小于或等于400p/ml，则检测到的浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准，可以采用该浸泡液1对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测，若检测到的浸泡液1中的直径为大于或等于0.3μm的颗粒物的数量大于400p/ml，则检测到的浸泡液1的颗粒物数量不满足预设的第一标准，不可以采用该浸泡液1对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测，通过使用颗粒物数量满足预设的第一标准的浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测，可以避免由于浸泡液1中的颗粒物数量过多，而对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，以能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

如图2、图10-图12所示，在本发明一优选实施例中，步骤s3，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准，则采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测可以包括以下步骤：

s31，对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的浸泡液1中的颗粒物数量作为第一检测值；

s32，将待检测件3浸没在浸泡液1中；

s33，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置，其中，该第一预设时间为待检测件3表面颗粒经震荡可全部脱落的时间；

s34，检测超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1中的颗粒物数量，并将检测到的浸泡液1中的颗粒物数量作为第二检测值；

s35，计算第二检测值与第一检测值的差值，并判断差值是否满足预设的第二标准，若是，则待检测件3的颗粒物清洁度合格。

该第一预设时间为待检测件3表面颗粒经震荡可全部脱落的时间。一般而言，对待检测件3震荡时间越长，待检测件3表面颗粒脱落的越完全，也即第一预设时间越长，则检测准确度越高。对于不同类型的待检测件3，第一预设时间可能相同也可能不同。此处所说的全部脱落，为基本上保证颗粒脱落至浸泡液1，最终浸泡液1中颗粒数量基本不变。通过对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间，可以使待检测件3表面上的颗粒全部脱落，这样可以避免在检测超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1中的颗粒物数量时，待检测件3的表面上仍附着有颗粒，从而能够准确的检测到待检测件3表面的颗粒物数量，使第二检测值准确，继而能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，以待检测件3的材质为陶瓷为例，第二标准可以为在浸泡液1中直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量小于或等于150000ea/ml(个每毫升)。此时，第一检测值和第二检测值可以为浸泡液1中直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量，若第二检测值与第一检测值的差值小于或等于150000ea/ml，则该差值满足预设的第二标准，待检测件3的颗粒物清洁度合格，若第二检测值与第一检测值的差值大于150000ea/ml，则该差值不满足预设的第二标准，待检测件3的颗粒物清洁度不合格。

但是，第二标准并不以此为限，第二标准可以根据待检测件3的材质改变，例如，当待检测件3的材质为铝合金、不锈钢和石英时，第二标准均可以为在浸泡液1中直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量小于或等于150000ea/ml，当待检测件3的材质为树脂时，第二标准可以为在浸泡液1中直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量小于或等于50000ea/ml。

另外，通过对超声震荡的时间进行预设，可以通过提前设置震荡时间，从而进一步缩短检测时长，操作更为便利。另外，可以避免每次对同类待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，由于超声震荡的时间不同对同类待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

在本发明一优选实施例中，第一预设时间的获得可以包括以下步骤：在进行颗粒物清洁度检测之前，对浸有待检测件3的浸泡液1进行n次超声震荡并静置，并在每次超声震荡并静置之后，对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，若第t+1次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第t次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值相等，则将第1次到第t次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间之和作为第一预设时间，其中，n为大于或等于2的正整数，t为大于或等于1的正整数，且(t+1)小于或等于n。

这是由于在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡并静置之后，待检测件3上的颗粒物会被超声震荡至浸泡液1中，因此，浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的氢离子浓度指数(即，ph值)和电阻值均会发生变化，且被超声震荡至浸泡液1的颗粒物越多，则浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的氢离子浓度指数和电阻值的变化越大。因此，当第t+1次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第t次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值不相等时，则说明超声震荡的时间不足以将待检测件3上的颗粒物充分震下，需要提高超声震荡时间，而当第t+1次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第t次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值相等时，则说明第t次对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测时，待检测件3上的颗粒物已经被充分震下，也就是说第1次到第t次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡所用的时间总和可以将待检测件3上的颗粒物充分震下，因此，可以将第1次到第t次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间之和作为第一预设时间。由于浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值的检测较为简单，因此，这样可以使得第一预设时间的获得较为简便。

但是，第一预设时间的获得方式并不以此为限，例如，也可以在每次超声震荡并静置之后，对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，若第t+1次检测到的颗粒物数量进，与第t次检测到的颗粒物数量进相等，则将第1次到第t次对浸有待检测件的浸泡液进行超声震荡的时间之和作为第一预设时间。

例如，在进行颗粒物清洁度检测之前，第1次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡0min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.35和4mω，第2次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡5min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.50和4.31mω，由于6.50和4.31mω与6.35和4mω不相等，即，第2次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第1次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值不相等，因此，第3次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡2min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.59和4.42mω，由于6.59和4.42mω与6.50和4.31mω不相等，即，第3次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第2次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值不相等，因此，第4次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡2min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.64和4.45mω，由于6.64和4.45mω与6.59和4.42mω不相等，即，第四次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第3次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值不相等，因此，第5次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡1min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.65和4.49mω，由于6.65和4.49mω与6.64和4.45mω不相等，即，第5次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第4次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值不相等，因此，第6次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡1min并静置5min，之后对浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值进行检测，检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值分别为6.65和4.49mω，由于6.65和4.49mω与6.65和4.49mω相等，即，第6次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值，与第5次检测到的超声震荡并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数和电阻值相等。

因此，将第1次到第5次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间之和作为第一预设时间，即，第1次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间0min、第2次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间5min、第3次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间2min、第4次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间2min、第5次对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡的时间1min相加，得到第一预设时间为10min。

如图3所示，在本发明一优选实施例中，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准，则采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测可以包括以下步骤：

在s33，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之前，s101，对浸泡液1的氢离子浓度指数进行检测，并将检测到的浸泡液1的氢离子浓度指数作为第一氢离子浓度指数；

在s33，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，s102，对超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1的氢离子浓度指数进行检测，并将检测到的浸泡液1的氢离子浓度指数作为第二氢离子浓度指数；

s103，计算第二氢离子浓度指数与第一氢离子浓度指数的差值，并判断差值是否满足预设的第三标准，若是，则进行检测超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1中的颗粒物数量。

由于在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，待检测件3上的颗粒物会被超声震荡至浸泡液1中，因此，浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的氢离子浓度指数(即，ph值)会发生变化，且被超声震荡至浸泡液1中的颗粒物越多，则浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的氢离子浓度指数的变化越大。通过计算浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置之后的第二氢离子浓度指数，与浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置之前的第一氢离子浓度指数的差值，可以获知浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置前后的氢离子浓度指数的变化数值，再判断该差值是否满足预设的第三标准，若是，则检测浸泡液1中的颗粒物数量，这样当浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置前后的氢离子浓度指数的变化数值过大，待检测件3的颗粒物清洁度必然不合格时，就无需对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，而只有当浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的氢离子浓度指数的变化数值较小，待检测件3的颗粒物清洁度可能合格时，才对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，可以减少对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测的次数，从而能够提高检测效率，并且，由于浸泡液1的氢离子浓度指数的检测较为简单，因此，这样可以使得检测较为简便。

可选的，第三标准可以为小于或等于0.5。即，若第二氢离子浓度指数与第一氢离子浓度指数的差值小于或等于0.5，则该差值满足预设的第三标准，可以检测浸泡液1中的颗粒物数量，若第二氢离子浓度指数与第一氢离子浓度指数的差值大于0.5，则该差值不满足预设的第三标准，无需检测浸泡液1中的颗粒物数量。举例来说，若在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之前，检测到的浸泡液1的第一氢离子浓度指数为6.35，在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，检测到的浸泡液1的第二氢离子浓度指数为6.65，则第二氢离子浓度指数与第一氢离子浓度指数的差值为0.3小于0.5，则该差值满足预设的第三标准，可以检测浸泡液1中的颗粒物数量。

如图4所示，在本发明一优选实施例中，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准，则采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测，还包括以下步骤：

在s33，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之前，s104，对浸泡液1的电阻值进行检测，并将检测到的浸泡液1的电阻值作为第一电阻值；

在s33，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，s105，对超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1的电阻值进行检测，并将检测到的浸泡液1的电阻值作为第二电阻值；

s106，计算第二电阻值与第一电阻值的差值，并判断差值是否满足预设的第四标准，若是，则进行检测超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1中的颗粒物数量。

由于在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，待检测件3上的颗粒物会被超声震荡至浸泡液1中，因此，浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的电阻值会发生变化，且被超声震荡至浸泡液1中的颗粒物越多，则浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的电阻值的变化越大。通过计算浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置之后的第二电阻值，与浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置之前的第一电阻值的差值，可以获知浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置前后的电阻值的变化数值，再判断该差值是否满足预设的第四标准，若是，则检测浸泡液1中的颗粒物数量，这样当浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡第一预设时间并静置前后的电阻值的变化数值过大，待检测件3的颗粒物清洁度必然不合格时，就无需对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，而只有当浸有待检测件3的浸泡液1在超声震荡前后的电阻值的变化数值较小，待检测件3的颗粒物清洁度可能合格时，才对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，可以减少对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测的次数，从而能够提高检测效率，并且，由于浸泡液1的电阻值的检测较为简单，因此，这样可以使得检测较为简便。

可选的，第四标准可以为小于或等于0.5mω(兆欧)。即，若第二电阻值与第一电阻值的差值小于或等于0.5mω，则该差值满足预设的第四标准，可以检测浸泡液1中的颗粒物数量，若第二电阻值与第一电阻值的差值大于0.5mω，则该差值不满足预设的第四标准，无需检测浸泡液1中的颗粒物数量。举例来说，若在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之前，检测到的浸泡液1的第一电阻值为4mω，在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间并静置之后，检测到的浸泡液1的第二电阻值为4.49mω，则第二电阻值与第一电阻值的差值为0.49mω小于0.5mω，则该差值满足预设的第四标准，可以检测浸泡液1中的颗粒物数量。

在本发明一优选实施例中，可以对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡第一预设时间，并静置第二预设时间。即，以第一预设时间，对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡，待对浸有待检测件3的浸泡液1以第一预设时间进行超声震荡之后，再以第二预设时间，对浸有待检测件3的浸泡液1进行静置。

通过在对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡之后，再对浸有待检测件3的浸泡液1进行静置，可以避免超声震荡产生的气泡对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，并通过对超声震荡的时间和静置的时间进行预设，可以避免每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，由于超声震荡的时间不同，以及静置的时间不同对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，第一预设时间可以为9min(分钟)-11min的任意一值。

优选的，第一预设时间可以为10min。

可选的，第二预设时间可以为大于等于5min的任意一值。

优选的，第二预设时间可以为5min。

在选定一个第一预设时间和一个第二预设时间之后，在每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，均采用选定的一个第一预设时间和选定的一个第二预设时间。举例来说，第一预设时间选定为10min，第二预设时间选定为5min，则在每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，均先对浸有待检测件3的浸泡液1进行超声震荡10min，之后，再对浸有待检测件3的浸泡液1进行静置5min。

在本发明一优选实施例中，可以对浸有待检测件3的浸泡液1以预设超声波强度进行超声震荡。

通过对超声震荡的超声波强度进行预设，可以避免每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，由于超声震荡的超声波强度不同对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，超声波强度可以为8-10w/inch²(瓦每平方英寸)的任意一值，即，在选定一个超声波强度之后，在每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，均采用选定的一个超声波强度。举例来说，超声波强度选定为9w/inch²，则在每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，均对浸有待检测件3的浸泡液1以9w/inch²的超声波强度进行超声震荡。

如图11所示，在本发明一优选实施例中，在将待检测件3浸没在浸泡液1中时，可以使待检测件3的顶部距离浸泡液1的顶面第一预设距离(如图11中距离a所示)，并使待检测件3的底部距离浸泡液1的底面第二预设距离(如图11中距离b所示)，在检测超声震荡第一预设时间并静置后的浸泡液1中的颗粒物数量时，可以在待检测件3的顶部上方第三预设距离处取样。。

通过使待检测件3的顶部距离浸泡液1的顶面第一预设距离，并使待检测件3的底部距离浸泡液1的底面第二预设距离，可以使待检测件3顶部的颗粒物和待检测件3底部的颗粒物均能够从待检测件3上被浸泡下来至浸泡液1中，并且通过对待检测件3的顶部与浸泡液1的顶面之间的距离进行预设，并对待检测件3的底部与浸泡液1的底面之间的距离进行预设，可以避免由于每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，待检测件3的顶部与浸泡液1的顶面之间的距离不同，以及待检测件3的底部与浸泡液1的底面之间的距离不同对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。并且，经过本申请发明人在实验中不断测试，发现在检测浸泡液1中的颗粒物数量时，在待检测件3的顶部上方第三预设距离处取样，所获得的浸泡液1中的颗粒物数量最能够体现待检测件3的颗粒物清洁度，并且通过对取样的位置进行预设，可以避免由于每次对待检测件3的颗粒物清洁度进行检测时，取样位置的不同对待检测件3的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，第一预设距离可以为85mm(毫米)-115mm。

优选的，第一预设距离可以为100mm。

可选的，第二预设距离可以为25mm-35mm。

优选的，第二预设距离可以为30mm。

可选的，可以通过在预设容器2内放置支撑架，并将待检测件3放置于支撑架上，以使待检测件3的顶部能够距离浸泡液1的顶面第一预设距离，并使待检测件3的顶部能够距离浸泡液1的底面第二预设距离。

可选的，支撑架的材质可以为特氟龙。

可选的，第三预设距离可以为25mm-35mm。

优选的，第三预设距离可以为30mm。

在本发明一优选实施例中，可以在待检测件3的顶部上方第三预设距离处多次取样，并将多次取样获得的浸泡液1中的颗粒物数量作为多个第二检测值，并计算多个第二检测值的平均值，并计算该平均值与第一检测值的差值，并判断该差值是否满足预设的第二标准，若是，则待检测件3的颗粒物清洁度合格。

例如在待检测件3的顶部上方第三预设距离处进行15次取样，直径为大于或等于0.1μm的颗粒物的数量分别为32000ea/ml、43000ea/ml、57000ea/ml、73000ea/ml、76000ea/ml、70000ea/ml、68000ea/ml、63000ea/ml、55000ea/ml、50000ea/ml、47000ea/ml、42000ea/ml、39000ea/ml、36000ea/ml和31000ea/ml，之后将15次取样获得的浸泡液1中的颗粒物数量作为15个第二检测值，并计算15个第二检测值的平均值，即为54000ea/ml，再计算54000ea/ml与第一检测值的差值，并判断该差值是否满足预设的第二标准，若是，则待检测件3的颗粒物清洁度合格。

需要说明的是，上文中的第二标准是在浸泡液1中直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量，而此处的取样的是在浸泡液1中直径为大于或等于0.1μm的颗粒物的数量，因此，此处的取样不可以与上文中的第二标准进行比较，需要再建立一个以浸泡液1中直径为大于或等于0.1μm的颗粒物的数量为基础的标准，通过取样浸泡液1中直径为大于或等于0.1μm的颗粒物的数量，由于直径为大于或等于0.1μm的颗粒物包括有直径为大于或等于0.2μm的颗粒物，因此，直径为大于或等于0.1μm的颗粒物的数量要多于直径为大于或等于0.2μm的颗粒物的数量，这样可以进一步提高检测结果的准确度。但是，取样的浸泡液1中的颗粒物的直径并不以此为限，例如，取样的浸泡液1中的颗粒物的直径也可以为大于或等于0.3μm。

如图5和图9所示，在本发明一优选实施例中，若检测到的浸泡液1的颗粒物数量满足预设的第一标准，则采用浸泡液1对待检测件3进行颗粒物检测，还包括以下步骤：

在s31，对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的浸泡液1中的颗粒物数量作为第一检测值之前，s107，对浸泡液1进行超声震荡并静置。

在获取第一检测值之前，先对浸泡液1进行超声震荡并静置，一方面可以使浸泡液1中的颗粒物均匀分散，另一方面可以避免超声震荡产生的气泡对浸泡液1的颗粒物清物检测造成干扰，以提高第一检测值的准确度。

在本发明一优选实施例中，在s31，对浸泡液1中的颗粒物数量进行检测，并将检测到的浸泡液1中的颗粒物数量作为第一检测值之前，可以对浸泡液1进行超声震荡第三预设时间，并静置第四预设时间。即，以第三预设时间，对浸泡液1进行超声震荡，待对浸泡液1以第三预设时间进行超声震荡之后，再以第四预设时间，对浸泡液1进行静置。

通过对超声震荡的时间和静置的时间进行预设，可以避免每次对浸泡液1的颗粒物清洁度进行检测时，由于超声震荡的时间不同，以及静置的时间不同对浸泡液1的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，第三预设时间可以为9min-11min的任意一值。

优选的，第三预设时间可以为10min。

可选的，第四预设时间可以为大于等于5min的任意一值。

优选的，第四预设时间可以为5min。

在选定一个第三预设时间和一个第四预设时间之后，在每次对浸泡液1的颗粒物清洁度进行检测时，均采用选定的一个第三预设时间和选定的一个第四预设时间。举例来说，第三预设时间选定为10min，第四预设时间选定为5min，则在每次对浸泡液1的颗粒物清洁度进行检测时，均先对浸泡液1进行超声震荡10min，之后，再对浸泡液1进行静置5min。

如图6、图7和图8所示，在本发明一优选实施例中，步骤s1，将浸泡液1取至预设容器2内可以包括以下步骤：

s201，以第五预设时间，将浸泡液1取至第一预设容器21内；

s202，将第一预设容器21放置在第二预设容器22内；其中，第一预设容器21可以包括采用聚乙烯材料制作的容器。

通过将浸泡液1取至第一预设容器21内的时间进行预设，可以避免每次对浸泡液1的颗粒物清洁度进行检测时，由于将浸泡液1取至第一预设容器21内的时间不同对浸泡液1的颗粒物清洁度造成干扰，进一步减少人为主观因素，从而能够进一步降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，继而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。并且，由于聚乙烯材料具有防潮、耐酸碱和抗氧化的特性，可以进一步降低检测结果的误差，进一步提高检测结果的准确度，从而进一步提高检测结果的可靠性和稳定性，进而进一步降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可选的，第五预设时间可以为135s(秒)-155s。

优选的，第五预设时间可以为150s。

如图8所示，在本发明一优选实施例中，第二预设容器22可以包括能够产生超声震荡的震荡槽。

综上所述，本发明提供的颗粒物清洁度检测方法，能够降低检测结果的误差，提高检测结果的准确度，从而提高检测结果的可靠性和稳定性，进而降低半导体设备的零部件对半导体工艺结果的影响。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。