技术特征：
1.一种适用于功率半导体器件结温和老化信息的在线监测方法，其特征是，包括以下步骤：1)设计导通压降v
ce(on)
测量电路，设计的导通压降v
ce(on)
测量电路供电电源来自驱动电路，做到导通压降v
ce(on)
测量电路与栅极驱动电路集成设计，实现在线条件下应用；2)igbt导通时，导通压降v
ce(on)
测量电路的实测输出电压与实际值可实现等比例输出，导通压降v
ce(on)
经过电压衰减电路，adc采样后接入dsp，再通过rs485通信传至上位机，对导通压降v
ce(on)
进行存储并监控；3)igbt的导通压降v
ce(on)
与结温t
j
和负载电流i有关，制作igbt的初始v
ce(on)
＝f(t
ji
,i
j
)特性曲线，在不同结温t
ji
(i＝1,2,
……
n)和特定的电流i
j
(j＝1,2,
……
m)下测量其导通压降v
ce(on)
，存储于上位机中作为初始对比数据；4)根据同一时刻在线提取的导通压降v
ce(on)
和采集负载电流i，结合步骤3)的v
ce(on)
＝f(t
ji
,i
j
)特性曲线，逆向预估出被测igbt的结温t
j
；5)通过长时间在线提取某一特定结温t
j
和电流i下导通压降v
ce(on)
的值，与前期保存的数据对比可以得出igbt的键铝合引线的老化状况，当导通压降v
ce(on)
的值出现阶跃式上升并超过初始值的20％时，即可判定该被测igbt临界失效并及时更换。2.根据权利要求1所述的适用于功率半导体器件结温和老化信息的在线监测方法，其特征是导通压降v
ce(on)
测量电路包括恒流源电路、导通压降v
ce(on)
提取电路、电压衰减与隔离采样电路和数据存储与监控电路，导通压降v
ce(on)
提取电路分别与驱动电路、恒流源电路电连接，电压衰减与隔离采样电路与v
ce(on)
提取电路电连接，数据存储与监控电路与电压衰减与隔离采样电路电连接。
技术总结
一种适用于功率半导体器件结温和老化信息的在线监测方法，涉及功率半导体器件技术领域，解决了功率半导体器件结温提取困难的问题，将导通压降V
技术研发人员：李锋 魏继云 王涛 杨宾 郑丹丹
受保护的技术使用者：新风光电子科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2021/9/9