技术特征：
1.一种磁饱和特性确定方法，其特征在于，所述方法包括：根据低频信号回路中输入的不同低频输入电流，获取不同低频输入电流对应的高频信号回路的高频响应电流、不同低频输入电流对应的所述低频信号回路的低频响应电流、不同低频输入电流对应的高频电流传感器的输出电压；不同低频响应电流对应高频电流传感器不同的磁饱和度；根据各所述输出电压和各所述高频响应电流，确定各所述低频响应电流对应的所述高频电流传感器的灵敏度；根据各所述低频响应电流和对应的高频电流传感器的灵敏度，确定所述高频电流传感器的磁饱和特性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取不同低频输入电流对应的高频信号回路的高频响应电流、所述低频信号回路的低频响应电流、高频电流传感器的输出电压，包括：对于任一个目标低频输入电流；在所述低频信号回路中输入所述目标低频输入电流时，获取所述高频信号回路中输入的不同高频输入电流对应的高频响应电流，所述低频信号回路中的低频响应电流，以及各所述高频输入电流对应所述高频电流传感器的输出电压；相应地，获取所述低频响应电流对应的所述高频电流传感器的灵敏度，包括：根据各所述高频响应电流和各所述输出电压，确定所述低频响应电流对应的高频电流电压散点图；对所述高频电流电压散点图进行拟合，获取拟合后直线的斜率；所述斜率表征所述低频响应电流对应的所述高频电流传感器的灵敏度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述低频信号回路中输入所述目标低频输入电流时，获取所述高频信号回路中输入的不同高频输入电流对应的高频响应电流，包括：在所述低频信号回路中输入所述目标低频输入电流，且所述高频信号回路中输入的不同高频输入电流时，采集所述高频信号回路中第一电阻的电压，得到各所述高频输入电流对应的第一电压；根据各所述第一电压和所述第一电阻，确定各所述高频输入电流对应的高频响应电流。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据各所述高频响应电流和各所述输出电压，确定所述低频响应电流对应的高频电流电压散点图，包括：对各所述输出电压进行傅里叶分析，提取各所述输出电压对应的高频电压分量；根据各所述高频响应电流和各所述高频电压分量生成所述高频电流电压散点图。5.根据权利要求1
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4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据低频信号回路中输入的不同低频输入电流，获取不同低频输入电流对应的所述低频信号回路的低频响应电流，包括：采集所述低频信号回路中输入不同低频输入电流时，所述低频信号回路中第二电阻的电压，得到各所述低频输入电流对应的第二电压；根据各所述第二电压和所述第二电阻，确定各所述低频输入电流对应的低频响应电
流。6.根据权利要求1
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4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述磁饱和特性确定矫正策略；所述矫正策略用于增加所述高频电流传感器的饱和电流上限；其中，增加饱和电流上限表征提高所述高频电流传感器的灵敏度。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述矫正策略包括：通过连接在所述高频电流传感器输出端的高通滤波器，对所述高频电流传感器输出电压中的低频响应电流进行滤除，使得所述高频电流传感器的磁饱和度降低。8.一种磁饱和特性确定装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块，用于根据低频信号回路中输入的不同低频输入电流，获取不同低频输入电流对应的高频信号回路的高频响应电流、不同低频输入电流对应的所述低频信号回路的低频响应电流、不同低频输入电流对应的高频电流传感器的输出电压；不同低频响应电流对应高频电流传感器不同的磁饱和度；第一确定模块，用于根据各所述输出电压和各所述高频响应电流，确定各所述低频响应电流对应的所述高频电流传感器的灵敏度；第二确定模块，用于根据各所述低频响应电流和对应的高频电流传感器的灵敏度，确定所述高频电流传感器的磁饱和特性。9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的磁饱和特性确定方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的磁饱和特性确定方法的步骤。
技术总结
本申请涉及一种磁饱和特性确定方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：根据低频信号回路中输入的不同低频输入电流，获取不同低频输入电流对应的高频信号回路的高频响应电流信号、不同低频输入电流对应的低频信号回路的低频响应电流信号、不同低频输入电流对应的高频电流传感器的输出电压；根据各输出电压和各高频响应电流信号，确定各低频输入电流对应的高频电流传感器的灵敏度；根据各低频输入电流和对应的高频电流传感器的灵敏度，确定高频电流传感器的磁饱和特性。不同低频响应电流对应不同磁饱和度，不同磁饱和度下，高频电流传感器的灵敏度不同。因此，各低频响应电流和灵敏度之间的对应关系即可反映高频电流传感器的磁饱和特性。感器的磁饱和特性。感器的磁饱和特性。
技术研发人员：张林 吕启深 陈腾彪 张欣 廖姗姗
受保护的技术使用者：深圳供电局有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/10/8