高电流接触装置和用于制造高电流接触装置的方法与流程

1.本发明涉及根据权利要求1的高电流接触装置和根据权利要求14的用于制造高电流接触装置的方法。


背景技术：

2.de102016107401a1公开了一种插入式装置插入件，其包含接触元件，例如用于传导电流的接触销。接触元件包含接触区域和连接区域，在接触区域中，接触元件与互补的接触元件接触，在连接区域中，导体被连接。在位于接触区域和连接区域之间的测量区域中检测至少一个接触元件的温度。


技术实现要素：

3.本发明的目的是提供一种用于传输电能的改进的高电流接触装置和一种用于制造高电流接触装置的改进方法。
4.该目的通过根据权利要求1的高电流接触装置和根据权利要求14的用于制造高电流接触装置的方法来实现。从属权利要求中规定了有利实施例。
5.已经认识到，借助于具有至少一个设计用于传输电能的第一接触元件、电路载体、至少一个用于传输数据信号的第一数据触点以及至少一个数据接口的高电流接触装置，可以提供用于机动车辆或充电站的改进的高电流接触装置。第一接触元件在馈通处沿着配合轴线穿过电路载体。电路载体的导体轨道将第一数据触点电连接到数据接口。电路载体被设计为注射成型的电路载体，其中电路载体的载体机械地支撑第一数据触点和数据接口。
6.这种设计的优点在于，由于提供了电路载体，用于组装高电流接触装置的组装费用显著降低，结果是高电流接触装置可以特别快速且经济地组装。高电流接触装置的部件数量也特别少。
7.在另一实施例中，高电流接触装置具有界定壳体内部的接触壳体。第一数据触点、电路载体和第一接触元件布置在壳体内部中。数据接口在相对于配合轴线倾斜的平面中横向穿过接触壳体。因此，从外部可以特别容易地接触数据接口。此外，因为数据接口被横向引导出接触壳体，所以数据接口可被容易地密封，并且可以保护壳体内部免受腐蚀性介质通过数据接口进入。
8.特别有利的是，载体由相同材料制成单件。载体具有第一部分和连接到第一部分的第二部分。第二部分相对于配合轴线偏离第一部分布置。馈通布置在第一部分中，数据触点布置在第二部分上。这种设计的优点在于，通过由相同材料制成单件的载体和沿配合轴线偏移布置的部分，载体可以灵活的方式适应高电流接触装置的几何设计。通过由相同材料制成单件的载体可减少部件数量和组装费用。
9.特别有利的是，高电流接触装置具有设计用于传输电能的第二接触元件。第二接触元件与第一接触元件具有不同的设计，其中第二接触元件布置在第二部分上。这种设计的优点在于，例如，在每种情况下，第一接触元件和第二接触元件的一个自由端布置在公共
平面中，即使第一接触元件和第二接触元件具有设计成具有不同长度的接触部分。因此，载体可以补偿接触元件的不同几何设计，结果是用于制造第一和第二接触元件的现有机床不需要翻新。因此，用于制造高电流接触装置的准备成本特别低。
10.特别有利的是，例如，通过第一接触元件传输直流电，并且通过第二接触元件传输交流电，特别是三相交流电，其中通过第二接触元件传输的电流例如显著低于通过第一接触元件传输的电流。结果，例如，第二接触元件可被设计成明显小于第一接触元件，并且例如通过接触部分，明显短于第一接触元件。
11.借助于载体具有至少一个加强肋的事实，提供了特别刚性的电路载体，其中加强肋沿着配合轴线延伸。由于加强肋，当第一和/或第二接触元件和/或数据触点插入载体时的弯曲可以保持较低，结果是防止对布置在载体上的导体轨道的机械损坏。
12.在另一实施例中，高电流接触装置具有至少一个密封套筒，其中密封套筒固定到电路载体。密封套筒相对于配合轴线轴向邻接馈通。密封套筒以流体密封的方式围绕第一接触元件接合。密封套筒防止腐蚀性介质通过电路载体横向穿过接触元件进入。通过在数据接口和第一接触元件处壳体内部两侧的密封来防止壳体内部的腐蚀。
13.特别有利的是，密封套筒以材料结合的方式且优选地还以形状配合的方式连接到电路载体。特别地，双组分注射成型方法在这里适用于制造密封套筒和电路载体。密封套筒的材料结合连接防止密封套筒处相对于电路载体的蠕变间隙。还确保密封套筒可靠地固定到电路载体，结果是防止当第一接触元件通过载体的馈通插入时密封套筒的不希望的脱离。
14.在另一实施例中，在馈通处，载体具有保持结构，该保持结构具有至少一个凹部和限定该凹部的腹板，其中密封套筒封闭该凹部，并且腹板至少嵌入在密封套筒中的某些区域中。这种设计的优点在于，密封套筒以特别稳定的方式机械地连接到载体。
15.在另一实施例中，电路布置在电路载体上，其中电路设计成识别关于高电流接触装置的操作参数的一条信息。电路载体通过布置在载体上的另一导体轨道将电路电连接到数据接口，并且设计成在数据接口处提供信息。这种设计的优点在于，高电流接触装置也可以通过评估装置来监控，该评估装置可以通过提供操作参数而连接在数据接口处，因此例如可以监控湿气进入壳体内部和/或壳体内部的温度和/或经由第一接触元件传输的电流。
16.在另一实施例中，电路具有至少一个带有至少一个温度传感器的温度测量装置，其中温度传感器设计成测量第一接触元件的温度作为操作参数。
17.温度传感器的特别好的热连接是借助于温度传感器嵌入在密封套筒中的事实而提供的。密封套筒采用导热设计，并且将温度传感器热连接到第一接触元件。
18.在另一实施例中，密封套筒包括以下材料中的至少一种：铜、铝、氧化铝、硝酸铝、氧化硅、硝酸硅、氮化硼、塑料、耐温塑料、硅树脂、聚氨酯。
19.同样有利的是，密封套筒是注射成型的，并且温度传感器以材料结合的方式连接到密封套筒，并且由密封套筒包覆成型。结果，可以确保密封套筒与温度传感器的特别好的热连接。
20.借助于以下事实：高电流接触装置的电路载体的载体是注射成型的，其中导体轨道形成在载体上并且数据接口固定到电路载体，高电流接触装置可以特别简单和成本有效的方式制造。因此，第一，高电流接触装置可以制造成具有可变的几何形状，第二，减少了部
件数量，结果是组装步骤特别少。
附图说明
21.下面参照附图更详细地解释本发明，其中：
22.图1示出了高电流接触装置的第一透视图；
23.图2示出了图1所示的高电流接触装置的第二透视图；
24.图3示出了图1所示的高电流接触装置的第三透视图；
25.图4示出了通过图1所示的高电流接触装置的沿着图1所示的截面a-a的剖视图；
26.图5示出了图3所示电路载体的载体的透视图；
27.图6示出了图4所示的剖视图的一部分；以及
28.图7至12示出了在高电流接触装置的制造过程中图1至6所示的高电流接触装置的一部分。
具体实施方式
29.下图参考坐标系。举例来说，坐标系设计为右手坐标系，具有x轴(纵向方向)、y轴(横向方向)和z轴(竖直方向)。
30.图1示出了高电流接触装置10的第一透视图。
31.高电流接触装置10具有接触壳体15、带有至少一个第一接触元件25的第一接触装置20、电路载体30(在图1中被覆盖)以及带有至少一个第一数据触点40的数据接触装置35。数据接触装置35还可以另外具有第二数据触点45。高电流接触装置10还可以具有带有至少一个第二接触元件55的第二接触装置50。在该实施例中，第一接触装置20相对于第二接触装置50沿z方向偏移布置。数据接触装置35在与第一接触装置20相反的z方向上紧挨着第二接触装置50布置。
32.此外，高电流接触装置10具有至少一个横向布置的数据接口60。数据接口60可以具有第一数据接触装置65和第二数据接触装置70，它们在图1中用虚线表示。
33.此外，第一接触装置20可以具有第三接触元件75。第三接触元件75可以具有与第一接触元件25相同的设计。在这种情况下，举例来说，第三接触元件75在y方向上相对于第一接触元件25偏移布置，其中举例来说，第一接触元件25和第三接触元件75布置在公共xy平面中。在这种情况下，在图1中，第一和第三接触元件25、75与另一高电流接触装置85的配合触点80接触，所述配合触点在每种情况下都以对应于第一和第三接触元件25、75的方式设计。另一高电流接触装置85在图1中仅通过虚线示意性示出。
34.除了第二接触元件55之外，第二接触装置50可以具有至少一个第四接触元件90。在该实施例中，第二接触装置50另外具有第五接触元件95，其中第二接触元件55和第四接触元件90被设计成彼此相同并且不同于第一和第三接触元件25、75，并且第五接触元件95被设计成不同于第一至第四接触元件25、75、55、90。
35.在该实施例中，第二接触装置50例如被设计为五极接触装置。在这种情况下，第三和第四接触元件75、90布置在围绕第五接触元件95的圆形轨道上。第一和第二数据触点40、45布置在公共xy平面中，并且同样布置在围绕第五触点元件95的圆形轨道上。
36.对于每个接触元件25、55、75、90、95以及对于数据触点40、45，接触壳体15具有相
关的接触容座120，其在每种情况下沿着配合轴线110延伸穿过接触壳体15。接触容座120由图1所示的高电流接触装置10后侧的电路载体30部分闭合。
37.在这种情况下，接触壳体15被设计成分别机械地支撑接触元件25、55、75、90、95和数据触点40、45，并且将它们彼此电绝缘。在这种情况下，接触元件25、55、75、90、95和各自相关的数据触点40、45可以在某些区域被压入各自相关的接触容座120中。
38.高电流接触装置10和另一高电流接触装置85可被设计成密封的，从而防止湿气、液体和/或其他腐蚀性介质进入接触壳体15的壳体内部100(参见图2)。
39.第一和第二接触装置20、50可以连接到高电流电缆105，例如在背离观察者的一侧。高电流电缆105可以连接到例如电能存储器、机动车辆的驱动马达或车辆的控制装置。高电流电缆105也可以连接到充电站，以便提供用于给电能存储器充电的充电电流。在该实施例中，图1所示的高电流接触装置10用于将充电站的充电插头连接到机动车辆的内部充电器，以对电能存储器充电。为此，第一接触装置20被设计成将电能传输到充电器，电能通过dc电压存在于第一和第三接触元件25、75处。
40.举例来说，第一和第三接触元件25、75被设计成在至少30秒的时间段内传输至少30至1000安培特别是50至500安培的电流。第一接触元件25和第三接触元件75之间存在的电压可以在48伏和500伏之间。因此，第一和第三接触元件25、75之间存在的电压明显不同于机动车辆的常规12或24伏网络。
41.第二接触装置50同样被设计用于电能的传输。在这种情况下，将通过第二接触装置50传输的电能可以存在于该第二接触装置处作为交流电，特别是作为三相交流电。根据存在的交流电，第二接触装置50具有相应数量的第二、第四和第五接触元件55、90、95。如图1所示，如果电能作为三相交流电提供，则第二接触装置50相应地具有五个接触元件55、90、95。在这种情况下，第五接触元件95可以连接到接地连接/保护接地导体，第二和第四接触元件55、90可以连接到外部导体。ac电压可以例如通过家用连接来提供。
42.经由第二、第四和第五接触元件55、90、95传输的电流明显低于经由第一和第三接触元件25、75传输的电流，例如在1至32安培的范围内，特别是在1至16安培的范围内。存在于第二、第四或第五接触元件55、90、95之间的ac电压可以高达约600伏。
43.数据接触装置35用于数据传输，因此不是用于传输电能以对能量存储器充电或驱动驱动马达，而是用于向充电站传输信息，例如关于能量存储器的操作状态或充电器的充电信息。结果，通过数据接触装置传输的电能特别低，其中不超过通过数据接触装置35传输的0.1安培的电流。
44.在该实施例中，第一接触元件25以直线沿着配合轴线110延伸。配合轴线110定向成平行于x轴延伸。第二至第五接触元件55、75、90、95和数据接触元件40、45同样设计成平行于配合轴线110延伸。
45.第一至第五接触元件25、55、75、90、95例如被设计为销接触件，并且用于被设计为插座接触件的配合接触件80的电接触连接，该插座接触件例如被设计为销接触件。
46.图2示出了图1所示的高电流接触装置的第二透视图。
47.电路载体30布置在接触壳体15的壳体内部100中。电路载体30在该实施例中被设计为注射成型的电路载体，其通常称为模制集成器件(mid)。电路载体30具有载体115。载体115包括电绝缘材料。电绝缘材料尤其可以是聚丙烯、聚乙烯和/或耐温塑料。
48.在图2中背离观察者的第一端侧135，第一数据接触装置65和第二数据接触装置70机械地连接到载体115。数据接触装置65、70在垂直于配合轴线110的平面中被横向引导穿过接触壳体15，并且能够通过以对应于第一和/或第二数据接触装置65、70的方式设计的数据连接装置140在外侧接触。举例来说，第一和第二数据接触装置65、70以密封方式设计，结果是防止接触壳体15和数据接触装置65、70之间的流体或液体进入壳体内部100。
49.在图2中面向观察者的第一至第五接触元件25、55、75、90、95的一侧，相应的接触元件25、55、75、90、95可以电连接(例如压接)到高电流电缆105的电导体。数据触点40、45可以在图2所示的一侧连接(例如压接)到数据电缆(例如双绞线电缆)。
50.图3示出了高电流接触装置10的透视图，其中为了清楚起见，在图3中省略了接触壳体15的图示。
51.电路载体30具有一个或多个示例性导体轨道145、150、155、160、252，其例如布置在载体115的第一端侧135。在这种情况下，举例来说，第一导体轨道145将第一数据触点40连接到第一数据接触装置65。此外，第二导体轨道150将第一数据接触装置65电连接到第二数据触点45。
52.至少一个电路165可以布置在电路载体30上。电路165例如通过第三导体轨道155和第四导体轨道160电连接到第二数据接触装置70。电路165被设计成识别关于高电流接触装置10的操作参数的一条信息。借助于第三和第四导体轨道155、160，电路165被设计成在第二数据接触装置70处提供关于高电流接触装置10的操作参数的一条信息。
53.在图3中背离观察者的第二端侧240，载体115例如没有导体轨道145、150、155、160。导体轨道145、150、155、160例如由铜和/或铝和/或氧化铝和/或硝酸铝和/或氧化硅和/或硝酸硅和/或氮化硼和/或黑色金属和/或有色金属的导电和/或非导电化学改性制成。电路载体30也可被设计成具有多层，使得导体轨道145、150、155、160被设计成部分地在载体115的内部延伸。
54.操作参数可以是例如高电流接触装置10的温度和/或经由高电流接触装置10传输的电流和/或第一接触装置20和/或第二接触装置50的电功率。例如，还可以检查功能，例如接触元件25、55、75、90、95的极性，并且通过电路165在第二数据接触装置70处提供相应的信息。
55.在载体115中，为每个接触元件25、55、75、90、95和数据触点40、45布置相应的馈通175。馈通175以孔的方式设计。相关的接触元件25、55、75、90、95或各自的相关数据触点40、45沿着配合轴线110穿过馈通175。在这种情况下，馈通175在第二端侧240的接触容座120处打开。接触元件25、55、75、90、95和数据触点40、45在两侧伸出载体115。
56.电路载体30的载体115由相同材料制成单件。特别有利的是，载体115具有第一部分180、第二部分185和连接部分190。第一部分180和第二部分185在沿x方向偏移布置的不同yz平面中延伸。例如，图3中的第一部分180布置成在远离观察者的x方向上偏离第二部分185布置。第一部分180和第二部分185采用基本平坦的设计。
57.连接部分190布置在第一部分180和第二部分185之间，并将第一部分180连接到第二部分185。连接部分190被设计成相对于第一部分180和第二部分185倾斜。
58.此外，载体115可以具有至少一个加强肋195。加强肋195布置在第一部分180上，例如在第一接触元件25和第三接触元件75之间。在这种情况下，例如，加强肋195在xz平面中
延伸。套环200也可以以圆周方式布置在第一部分180上，其中套环200在x方向上伸出第一部分180，并且布置在面向第二部分185的一侧。
59.加强肋195在一侧终止于套环200，在另一侧终止于连接部分190。套环200和加强肋195在第一部分180中和连接部分190处加强载体115。结果，当高电流接触装置10插入另一高电流接触装置85时，配合力可被特别好地支撑，并且可以防止载体115的变形。
60.此外，载体115可以在第二部分185上具有第一凹口205。第一凹口205被设计为第二部分185中的凹陷并连接到载体的侧表面201。侧表面201例如基本在xz方向上延伸。第一凹口205容纳第一数据接触装置65并相应地成形。第一凹口205例如在x方向上延伸到面向接触容座120的一侧。
61.第一和第二导体轨道145、150也从数据触点40、45经由第二部分185引入第一凹口205，其中第一和第二导体轨道145、150在第一凹口205中并通过第一数据触点装置65电接触连接。
62.在载体115的侧表面201之后，载体115具有第二凹口210。第二凹口210沿竖直方向布置在第二部分185和连接部分190之间的扭折处，并且在面向接触容座120的x方向上延伸。第二凹口210容纳第二数据接触装置70，并且以对应于第二数据接触装置70的方式设计。
63.由于第一和第二凹口205、210，数据接触装置65、70可以以最佳方式定位，并且特别容易从接触壳体的一侧接近。
64.高电流接触装置10具有用于每个接触元件25、55、75、90、95以及用于每个数据触点40、45的相应密封套筒230。密封套筒230包括柔性基质材料。基质材料可以包括例如硅树脂和/或聚氨酯和/或塑料。密封套筒230在第一端侧135以材料结合的方式连接到载体115。载体115和密封套筒230优选以双组分注射成型方法制造。
65.电路165可以具有温度测量装置170。温度测量装置170可以具有至少一个第一温度传感器235。第一温度传感器235布置在与第一接触元件25相距一定距离处，物理上在邻接第一接触元件25穿过的馈通175的区域中。例如，第一温度传感器235可以嵌入在密封套筒230中。密封套筒230优选地在基质材料中包括颗粒填充材料，其包括例如铜和/或铝和/或银。密封套筒230具有约0.3w/(m
×
k)至2w/(m
×
k)特别是0.3w/(m
×
k)至1.7w/(m
×
k)的热导率。密封套筒230将第一温度传感器235热连接到第一接触元件25。第一温度传感器235通过第三导体轨道155和第四导体轨道160电连接到第二数据接触装置70。
66.由于电路载体30设计为注射成型的电路载体，第三和第四导体轨道155、160经由第一部分180和连接部分190引入第一端侧135上的第二凹口210中。第二数据接触装置70与第三和第四导体轨道155、160接触。第二数据接触装置70也在第二凹口210中机械地连接到载体115。
67.导体轨道145、150、155、160沿着载体115的轮廓延伸。在这种情况下，电路载体30的注射成型设计使得导体轨道145、150、155、160不仅可以像常规印刷电路板的情况那样被设计在一个平面中，而且可以遵循载体115的轮廓。结果，电路载体30具有特别平坦且紧凑的设计。
68.此外，温度测量装置170可以具有第二温度传感器245和/或第三温度传感器250。在第一温度传感器235的情况下提供的解释类似地适用于第二和第三温度传感器245、250。
第二温度传感器245可以例如布置在载体115的第二部分185上的第二接触装置50的区域中，并且可以热连接到第二、第四和第五接触元件55、90、95。
69.第三温度传感器250可以例如布置在第三接触元件75穿过的馈通175处的区域275中，并且可以热联接到第三接触元件75。第三接触元件75上的密封套筒230也可以布置在载体115上，特别是注射成型至载体115，使得密封套筒230在圆周侧完全包围第三温度传感器250。结果，第三温度传感器250嵌入在密封套筒230中，正如第一温度传感器235嵌入在相关的密封套筒230中一样。结果，第三温度传感器250特别好地热联接到第三接触元件75。
70.第二温度传感器245也通过导体轨道电连接到第一数据接触装置65，导体轨道在图3中被覆盖。以类似的方式，第三温度传感器250可以经由未在图3中示出的其他导体轨道252电连接到第二数据接触装置70。
71.如果经由第一接触装置20传输例如至少10安培优选至少50安培的范围内的电流，则第一接触装置20变热。第一和第三接触元件25、75经由各自的相关密封套筒230的热联接使得第一和第三温度传感器235、250能够测量相关的第一和第三接触元件25、75的各自温度，并在第二数据接触装置70处提供一条相应的温度信息。
72.当控制例如充电过程特别是快速充电过程时，可以使用在第二数据接触装置70处提供的关于第一和第三接触元件25、75的温度的温度信息。由于第一和第三接触元件25、75的温度被监控，所以可以防止第一和第三接触元件25、75过热，还可以防止邻近第一和第三接触元件25、75布置的载体115的第一部分180过热。
73.还测量第二接触装置50的温度，并且在第一数据接触装置65处提供一条相应的温度信息。特别地，该温度信息可用于在电能传输期间防止第二接触装置50过热。
74.图4示出了通过图1所示的高电流接触装置10的沿着图1所示的截面a-a的剖视图。
75.每个接触元件25、55、75、90、95和每个数据触点40、45具有各自的接触部分215、密封部分220和连接部分225。密封部分220在相对于配合轴线110的轴向方向上布置在接触部分215和连接部分225之间。通过接触部分215，接触元件25、55、75、90、95分别向配合数据触点提供至相关配合触点80或数据触点40、45的电接触。密封部分220在相对于配合轴线110的轴向方向上直接邻接接触部分215。密封部分220可以设计成例如圆柱形。在图4中远离的一侧的后部，连接部分225邻接密封部分220，其中接触元件25、55、75、90、95通过连接部分225连接到高电流电缆105或数据触点40、45的各自相关的电导体。数据触点40、45在连接部分225处连接到数据电缆，而不是高电流电缆105。
76.密封套筒230以流体密封的方式封闭密封部分220上各自相关的接触元件25、55、75、90、95或各自相关的数据触点40、45。密封套筒230通过外圆周侧231抵靠接触容座120的密封区域232的内圆周侧。密封套筒230因此防止湿气和/或流体进入壳体内部100，从而防止高电流接触装置10的腐蚀。
77.第一接触装置20布置在第一部分180中。第二接触装置50和数据接触装置35布置在第二部分185中。由于倾斜延伸的连接部分190，例如，第一接触装置20相对于第二接触装置50和数据接触装置35的物理偏移可以在纵向方向上产生，结果是在每种情况下，接触元件25、55、75、90、95和数据触点40、45的一个自由端基本布置在公共yz平面251中。结果，例如，第一和第三接触元件25、75可被设计成沿纵向方向总体上比第二、第四和/或第五接触元件55、90、95和/或数据触点40、45更长。这具有的优点在于，第一和第三接触元件25、75可
以具有延伸的接触部分215，以便分别在第一、第三接触元件25、75和相关的配合触点80之间传输特别高的电流。
78.图5示出了图3所示的电路载体30的载体115的透视图。
79.在图5中，为了清楚起见，省略了接触装置20、50和数据接触装置35以及密封套筒230的图示。
80.例如，载体115具有邻接馈通175的保持结构255。保持结构255可以布置在每个或仅一些馈通175上。保持结构255围绕配合轴线110周向布置在馈通175上。保持结构255可以具有相对于配合轴线110沿圆周方向布置的多个凹部260。第二温度传感器245可以布置在第一端侧135，居中地位于第二、第四和第五接触元件25、90、95穿过的三个馈通175之间。凹部260被设计为通道开口，并且被设计成环的一部分的形式。凹部260被腹板265中断，腹板265在每种情况下沿径向方向延伸到馈通175，其中第一或第三温度传感器235、250布置在腹板265之一上。
81.图6示出了图4所示的截面图的一部分。
82.在馈通175处，保持结构255具有在第二端侧240以圆周方式形成的相应凹槽266。凹槽266在面向第二端侧240的一侧将凹槽260沿圆周方向彼此连接。如果密封套筒230在双组分注射成型方法中被注射成型至载体115，则凹部260和凹槽266填充有密封套筒230的仍须被固化的基质材料(以及可能的填充材料)。保持结构255具有的优点在于，密封套筒230通过特别大的表面积以材料结合的方式连接到载体115。密封套筒230也通过腹板265上的底切以形状配合的方式经由凹槽266连接到载体115。结果，当各自相关的接触元件25、55、75、90、95或数据触点40、45插入相关馈通175时，防止密封套筒230从载体115被不期望地撕裂。
83.图7至12示出了在制造步骤后的每种情况下图1至6所示的高电流接触装置10的截面。
84.在第一制造步骤(参见图7)，使用注射成型来制造载体115。这里，与图1至6所示的设计相反，保持结构255也可以沿配合轴线110在馈通175处被轴向推出。
85.在优选在第一制造步骤之后的第二制造步骤(参见图8)，第一端侧135至少在某些区域中被表面处理，例如通过激光。处理实现成使得轨道270形成在第一端侧135。轨道270确定导体轨道145、150、155、160、252的稍后轮廓和用于固定温度传感器235、245、250的固定区域275。
86.在第二制造步骤之后的第三制造步骤(参见图9)，载体115被电镀，其中将要沉积用于形成导体轨道145、150、155、160、252的金属沉积于在第二制造步骤中制造的轨道270和固定区域275上。
87.在第三制造步骤之后进行的第四制造步骤(参见图10)，电路165的部件被定位并焊接到相关的导体轨道145、150、155、160、252，例如通过回流焊接方法。数据接触装置65、70同样也被定位并焊接到固定区域275。
88.在第四制造步骤之后的第五制造步骤(参见图11)，密封套筒230通过双组分注射成型方法被注射成型至载体115并固化。这里，形状被设计成使得各个密封套筒230在y方向上以一定距离彼此相邻布置而不接触。这具有的优点在于，用于制造密封套筒230的材料消耗很低，而且用于制造密封套筒230的形式可以很好地接合在各个密封套筒230之间。
89.此外，当载体115被注射成型到第二端侧240上时，加强结构280可被成形为图1至6所示的设计。加强结构280用于在组装数据接触装置65、70时减少弯曲，结果是从而减少导体轨道145、150、155、160、252的变形。因此，可以防止对导体轨道145、150、155、160、252的损坏。
90.图1至12所示的设计具有的优点在于，显著减少用于高电流接触装置10的部件数量。通过在每个数据触点40、45和/或接触元件25、55、75、90、95处的密封套筒230，确保了接触壳体15的壳体内部100的可靠且简单的密封。特别是对于数据触点40、45，还防止了通过密封件馈送电缆所必需的复杂手动组装。
91.图1至12所示的高电流接触装置10也特别适用于以全自动方式制造和接线。由于将电路载体30引入壳体内部100，组装费用也很低，结果是组装时间特别短。总的来说，与已知的高电流接触装置相比，组装时间节省了50％以上。
92.附图标记列表
93.10高电流接触装置
94.15接触壳体
95.20第一接触装置
96.25第一接触元件
97.30电路载体
98.35数据接触装置
99.40第一数据触点
100.45第二数据触点
101.50第二接触装置
102.55第二接触元件
103.60数据接口
104.65第一数据接触装置
105.70第二数据接触装置
106.75第三接触元件
107.80配合触点
108.85另一高电流接触装置
109.90第四接触元件
110.95第五接触元件
111.100壳体内部
112.105高电流电缆
113.110配合轴线
114.115载体
115.120接触容座
116.135第一端面
117.140数据连接装置
118.145第一导体轨道
119.150第二导体轨道
120.155第三导体轨道
121.160第四导体轨道
122.165电路
123.170温度测量装置
124.175馈通
125.180第一部分
126.185第二部分
127.190连接部分
128.195加强肋
129.200套环
130.201(载体的)第一侧表面
131.205第一凹口
132.210第二凹口
133.215接触部分
134.220密封部分
135.225连接部分
136.230密封套筒
137.231外圆周侧
138.232密封区域
139.235第一温度传感器
140.240第二端侧
141.245第二温度传感器
142.250第三温度传感器
143.251公共平面
144.252另一导体轨道
145.255保持结构
146.260凹部
147.265腹板
148.266凹槽
149.270轨道
150.275紧固区域
151.280加强结构