技术特征：
1.一种基于pin二极管的s波段高功率双平衡矢量调制器，其特征在于，包括：输入耦合器，调制模块和功率合成器；所述输入耦合器为接收输入信号，产生两路正交的信号，通过其具有的两个输出端口输出；所述调制模块包括两个结构对称的子调制模块，所述的两个子调制模块分别与所述输入耦合器的两个输出端口连接并且接收其传输的信号，然后对接收信号的幅度和相位进行调制处理，最后将处理后的信号传输至所述功率合成器；所述功率合成器与所述两个子调制模块相连接，接收并且合成其经过调制处理后的信号；所述子调制模块包括第一耦合器、第二耦合器、第三耦合器和第四耦合器，其中，所述第一耦合器的输入端口与所述输入耦合器的其中之一的输出端口连接，所述第一耦合器的隔离端口接地，并且所述第一耦合器的耦合端口与所述第二耦合器的输入端口连接，所述第一耦合器的直通端口与所述第四耦合器的输入端口连接；所述第二耦合器的直通端口和耦合端口均连接有pin二极管，且该pin二极管的正极施加有第一直流偏置电压，所述第二耦合器的隔离端口与所述第三耦合器的耦合端口连接；所述第四耦合器的直通端口和耦合端口均连接有pin二极管，且该pin二极管的正极施加有第二直流偏置电压，所述第四耦合器的隔离端口与所述第三耦合器的直通端口连接；所述第三耦合器接收所述第二耦合器和第四耦合器传入的信号，并对其合成，最后输出至所述功率合成器中。2.根据权利于要求1所述的一种基于pin二极管的s波段高功率双平衡矢量调制器，其特征在于，所述输入耦合器、第一耦合器、第二耦合器、第三耦合器和第四耦合器均为3db定向耦合器。3.根据权利于要求2所述的一种基于pin二极管的s波段高功率双平衡矢量调制器，其特征在于，所述3db定向耦合器和功率合成器均采用微带线结构设计，并且所述功率合成器采用威尔金森功分器的设计方式。4.根据权利要求1
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3中任一权利要求所述的一种基于pin二极管的s波段高功率双平衡矢量调制器的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：获取当所述pin二极管的阻值为50欧姆时，其施加的直流偏置电压的电压值v0；调整所述两个子调制模块中的第一直流偏置电压和第二直流偏置电压之和均为2v0，使得所述两个子调制模块的反射系数的相位为0和180度。
技术总结
本发明公开了一种基于PIN二极管的S波段高功率双平衡矢量调制器，包括：输入耦合器，调制模块和功率合成器；输入耦合器为接收输入信号，产生两路正交的信号，通过其具有的两个输出端口输出；调制模块包括两个结构对称的子调制模块，的两个子调制模块分别与输入耦合器的两个输出端口连接并且接收其传输的信号，然后对接收信号的幅度和相位进行调制处理，最后将处理后的信号传输至功率合成器；功率合成器与两个子调制模块相连接，接收并且合成其经过调制处理后的信号；本发明采用双平衡设计结构，有助于消除PIN二极管的寄生参数。有助于消除PIN二极管的寄生参数。有助于消除PIN二极管的寄生参数。
技术研发人员：张宇 陈鹏 李东松 余旭涛 田玲 张雷
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2021.07.21
技术公布日：2021/11/2