一种深水浊积砂体展布范围的预测方法与流程

1.本发明涉及油田勘探开发技术领域，涉及一种适用于断陷盆地二台阶断层下降盘的深水浊积砂体展布范围的预测方法。


背景技术：

2.随着勘探程度的提高，深水浊积砂体成为断陷盆地油气开发的有利勘探目标。深水浊积砂体是一种近源快速堆积的沉积类型，陆相断陷盆地具有构造活动强烈、地貌特征复杂的特点，陡坡带多发育一些次级生长断层，在次级生长断层下降盘常发育与上升盘砂砾岩体沉积相关的深水浊积砂体。深水浊积砂体上覆地层为深湖相灰质泥岩，当利用三维地震解释技术描绘深水浊积砂体展布范围时，由于灰质泥岩集中段在地震剖面上表现为连续强反射，与浊积砂体的地震特点类似，干扰了浊积砂体识别。浊积砂体预测受砂体边缘灰质含量增高的影响，在地震反射特征表征上难以描绘浊积砂体边界，在开展实际勘探工作时描绘的深水浊积砂体展布范围有较大误差，目前这种误差难以通过三维地震的方法进行彻底消除，需要借助其他的一些方法进行综合分析。
3.中国发明专利cn112417664a公开了一种薄互层油藏考虑砂体展布规律的数值模拟方法，所述方法包括如下的步骤：步骤一：构建目标靶区的薄互层砂体展布定量预测知识库；步骤二：建立目标井不同小层钻遇厚度下不同方向的砂体展布范围预测模型；步骤三：量化储层连通率与注采井网对应关系；步骤四：建立油藏数值模拟模型，求得油藏数值模拟模型的传导率数据场；步骤五：采用获得的油藏数值模拟模型传导率数据场对油藏数值模拟模型进行初始化，进行数值模拟计算，通过改变不同的传导率数据场，实现不同开发方案的模拟计算。该方法针对目标靶区所在区域采用高斯配置协模拟地质统计学反演方法，得到若干个等概率的反演体，对所述反演体进行精细砂体雕刻，进而明确不同层位砂体空间展布，建立薄互层油藏砂体展布预测定量知识库。
4.中国发明专利cn111505720a公开了一种岩性圈闭的刻画方法，所述方法包括以下步骤：s1、选取能够满足岩性圈闭刻画需求的资料；s2、识别优势沉积相带；s3、识别坡折带的类型及所述坡折带的展布范围，并基于所述坡折带确定有利砂体展布；s4、对所述有利砂体展布进行定量刻画，完成岩性圈闭的刻画。步骤s3包括：s31、采用微古地貌-地层倾角属性-瞬时相位属性三元耦合的方法识别所述坡折带的类型及所述坡折带的展布范围；s32、建立多级坡折控制下的岩性体发育模式，确定所述有利砂体展布。
5.中国发明专利申请cn107917902a公开了一种盆缘负向构造成藏可能性研究方法，该方法通过古构造恢复，同时进行沉积储层分析明确砂体展布规律，从而落实不同成藏期次油气运移方向、油气输导体系及油气波及的最大范围。
6.目前还没有针对断陷盆地深水浊积砂体展布范围的有效计算方法，一方面是由于在早期的浊积岩油藏勘探重点为土豆状滑塌成因的浊积砂体，另一方面则是由于砂体在沉积之后受多期构造运动及物源搬运等作用的影响，其砂体展布范围的主控因素较为复杂，并未进行量化表征。因此，目前亟需一种适用于断陷盆地深水浊积砂体展布范围的计算方
法。


技术实现要素：

7.本发明主要目的在于提供一种深水浊积砂体展布范围的预测方法，本发明方法考虑了在断陷湖盆的复杂构造背景下深水浊积砂体受物源供给量、断层活动性、古地貌等因素，适用于断陷盆地深水浊积砂体展布范围的准确预测。
8.为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
9.本发明提供一种深水浊积砂体展布范围的预测方法，其包括以下步骤：
10.利用三维地震资料、实钻井资料及速度资料，计算为浊积砂体提供物源的断层上升盘沉积砂体最大厚度；
11.根据工区三维地震解释断层发育形态，并综合地震、速度、井资料，计算断层落差；
12.通过垂直于断层走向的二维地震剖面确定下降盘地层倾角；
13.基于钻测录井资料，根据研究区勘探程度较高区域的深水浊积砂体厚度及其深水浊积砂体的临界值，绘制研究区域砂体厚度等值线图，从而确定勘探程度较高区域深水浊积砂体展布范围。
14.进一步地，所述方法还包括：选取研究区较高勘探区域顺物源方向多条剖面，求取该研究区内深水浊积砂体展布距离与变量的线性相关常数；对于研究区较低勘探区域，选取顺物源方向剖面，求取对应剖面中变量。
15.进一步地，以砂砾岩5m厚度为深水浊积砂体临界值。
16.进一步地，利用上升盘沉积砂体最大厚度h、断层落差δh及下降盘地层倾角α，以砂岩厚度5m等值线为砂体展布边界，求取多组变量h、δh、α及深水浊积岩展布距离l对应数据，求取该研究区内深水浊积砂体展布距离与变量的线性相关常数a、b、c、d。
17.进一步地，利用计算公式l＝a*h+b*δh+c*α+d，对于研究区较低勘探区域，选取顺物源方向剖面，求取对应剖面中变量：上升盘沉积砂体最大厚度h、断层落差δh及下降盘地层倾角α，求取剖面对应位置深水浊积砂体展布距离l。
18.进一步地，探井密度大于0.1口/km2的勘探区域为较高勘探区域。
19.进一步地，探井密度小于0.1口/km2的勘探区域为较低勘探区域。
20.进一步地，所述研究区域为断陷盆地。
21.本发明中的适用于断陷盆地二台阶断层下降盘深水浊积砂体展布范围的预测方法，在理清深水浊积砂体展布范围主控因素的基础上，选择了断层上升盘沉积砂体最大厚度、断层落差、下降盘地层倾角这三个参数对下降盘深水浊积砂体展布范围进行量化表征，在最大程度简化的基础上，充分考虑了下降盘深水浊积砂体展布范围的主要控制因素。因此本发明对于断陷盆地二台阶断层下降盘深水浊积砂体展布范围的量化表征具有重要的参考意义，同时也能结合三维地震最大程度的量化表征断陷盆地二台阶断层下降盘深水浊积砂体平面展布范围，为深水浊积砂体勘探中砂体描述的有效性提供有利的支撑。
22.与现有技术相比，本发明具有以下优势：
23.(1)本发明确立了浊积砂体展布距离l与上升盘沉积砂体最大厚度h、断层落差δh及下降盘地层倾角α之间的线性相关关系，实现了砂体展布距离的定量表征；
24.(2)本发明建立了从高勘探程度区求取相关系数，在低勘探程度区计算浊积砂体
展布距离的工作流程，各参数获取方法简单合理，技术流程可操作性强；
25.(3)本发明克服了灰质泥岩发育区难以从地震资料上准确刻画浊积砂体边界的困难，实现了基于简单地质参数确定浊积砂体范围的目标，方法实用性强。
附图说明
26.构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
27.图1为本发明实施例1所述深水浊积砂体展布范围的预测方法的流程图；
28.图2为本发明实施例1中，断层上升盘沉积砂体最大厚度、断层落差、下降盘地层倾角这三个参数的计算方法顺物源方向剖面示意图；
29.图3为本发明实施例1中对于勘探程度较高区域，利用绘制扇体砂岩厚度等值线图，该研究区内深水浊积砂体展布距离与变量的线性相关常数a、b、c、d的示意图。
具体实施方式
30.应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
31.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作和/或它们的组合。
32.为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本发明的技术方案，以下将结合具体的实施例详细说明本发明的技术方案。
33.实施例1
34.如图1所示，所述深水浊积砂体展布范围的预测方法，包括以下步骤
35.步骤101，利用三维地震资料计算为浊积砂体提供物源的断层上升盘沉积砂体最大厚度h。综合分析研究区三维地震资料、速度资料、井资料等，计算扇体沉积之后上覆地层的累积落差δh，如图2所示，流程进入到步骤102；
36.步骤102，顺物源方向截取剖面，如图2所示，通过三维地震解释精细描述控制深水浊积砂体沉积的断层，综合速度资料、井资料，计算断层落差δh，流程进入到步骤103；
37.步骤103，通过垂直于断层(顺物源方向)的二维剖面确定地层倾角α，如图2所示。流程进入到步骤104；
38.步骤104，基于钻测录井资料，读取研究区较高勘探区域的深水浊积砂体厚度n，以砂砾岩5m厚度为深水浊积砂体的临界值，绘制此区域砂体厚度等值线图，从而确定较高勘探区域深水浊积砂体展布范围，如图3。流程进入到步骤105；
39.步骤105，选取较高勘探区域(ⅰ区)，顺物源方向多条剖面，如图3，利用已得到的上升盘沉积砂体最大厚度h、断层落差δh及下降盘地层倾角α，以砂岩厚度5m等值线为砂体展布边界，求取多组变量(h、δh、α)及深水浊积岩展布距离(l)对应数据，求取该研究区内深水浊积砂体展布距离与变量的线性相关常数a、b、c、d。流程进入步骤106；
40.步骤106，最终利用计算公式l＝a*h+b*δh+c*α+d，对于研究区较低勘探区域(ⅱ区)，选取顺物源方向剖面，求取对应剖面中变量(h、δh、α)，求取剖面对应位置深水浊积砂体展布距离l。流程结束。
41.本发明中的适用于断陷盆地二台阶断层下降盘深水浊积砂体展布范围的预测方法，综合深水浊积砂体展布范围主控因素，选择了断层上升盘沉积砂体最大厚度、断层落差、下降盘地层倾角这三个参数对下降盘深水浊积砂体展布范围进行量化表征，在最大程度简化的基础上，充分考虑了下降盘深水浊积砂体展布范围的主要控制因素，并进行了量化表征，方法合理。在断陷盆地陡坡带砂砾岩体勘探中具有较广的推广应用价值。
42.上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。