老化测试方法、系统与电子设备与流程

1.本公开涉及晶圆测试领域，具体而言，涉及一种老化测试方法、系统与电子设备。


背景技术：

2.芯片颗粒在使用过程中产生的失效问题不可避免，因此，通常会在晶圆生产完成后对芯片颗粒进行老化测试(burn in，bi测试)，目的是使得品质不好的芯片颗粒在加速老化的测试环境中尽快失效，保留稳定可靠的芯片颗粒。
3.现有技术通常通过大量芯片颗粒的实验结果确定一个固定的时间作为老化时间。由于不同的产品存在差异，固定的老化时间不能有效区分芯片颗粒间存在的差异或者生产过程的异常，某些芯片颗粒会出现过度老化或者老化不足的问题，最终导致老化测试无法达到预期的效果。
4.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本公开的目的在于提供一种老化测试方法、系统与电子设备，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的晶圆老化测试过程中不同晶圆和芯片颗粒存在老化不足或过度老化的问题。
6.根据本公开实施例的第一方面，提供一种老化测试方法，包括：获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
7.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型包括：获取前i个所述老化时间段结束后对应的i个所述测试通过率及所述i个测试通过率对应的测试时间；将所述i个测试通过率以及所述i个测试通过率对应的测试时间带入预设公式以确定所述失效分布模型的常数，所述预设公式至少包括威布尔分布公式，所述失效分布模型是变量为时间的模型；根据所述失效分布模型的常数确定所述失效分布模型。
8.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：将所述失效分布模型的值等于预设失效概率时对应的时间设置为所述目标老化时间。
9.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老
化时间。
10.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：将所述第一切线与x轴的第一交点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与x轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
12.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与x轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标的预设倍数确定为所述目标老化时间。
13.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述第二交点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
14.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第二交点距离最近的点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
15.在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的x坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第二交点距离最近的点对应的横坐标的预设倍数确定为所述目标老化时间。
16.在本公开的一种示例性实施例中，所述目标芯片颗粒的多个测试单元的数量使得当失效概率达到预设值时，置信度大于等于0.95，所述置信度根据失效概率与所述测试单元的数量得到。
17.在本公开的一种示例性实施例中，所述目标芯片颗粒为目标晶圆中多个芯片颗粒的一个，所述方法还包括：在所述目标晶圆的所述多个芯片颗粒均达到对应的目标老化时间时，停止对所述目标晶圆进行环境老化测试。
18.根据本公开实施例的第二方面，提供一种老化测试系统，包括：测试结果获取部件，设置为获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；失效模型拟合部件，设置为根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；老化时间确定部件，设置为根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；老化时间控制部件，设置为在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进
行电流老化测试。
19.根据本公开的第三方面，提供一种电子设备，包括：存储器；以及耦合到所述存储器的处理器，所述处理器被配置为基于存储在所述存储器中的指令，执行如上述任意一项所述的方法。
20.根据本公开的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述的老化测试方法。
21.本公开实施例通过根据目标芯片颗粒的多个测试单元在每个老化时间段结束后的测试通过率生成该目标芯片颗粒对应的失效分布模型，继而确定该目标芯片颗粒对应的目标老化时间，根据该目标老化时间确定是否对该目标芯片颗粒继续进行电流老化测试，可以为每个芯片颗粒确定合适的老化时间，避免相关技术中使用统一老化时间造成的部分晶圆或芯片颗粒存在老化不足或老化过度的问题，有效提高芯片产品的可靠性。
22.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
23.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1是本公开示例性实施例中老化测试方法的流程图。
25.图2是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
26.图3是本公开另一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
27.图4是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
28.图5是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
29.图6是本公开示例性实施例中一种老化测试系统的方框图。
30.图7是本公开示例性实施例中一种电子设备的方框图。
具体实施方式
31.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
32.此外，附图仅为本公开的示意性图解，图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个
硬件部件或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
33.下面结合附图对本公开示例实施方式进行详细说明。
34.图1是本公开示例性实施例中老化测试方法的流程图。
35.参考图1，老化测试方法100可以包括：
36.步骤s1，获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；
37.步骤s2，根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；
38.步骤s3，根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；
39.步骤s4，在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
40.本公开实施例通过根据目标芯片颗粒的多个测试单元在每个老化时间段结束后的测试通过率生成该目标芯片颗粒对应的失效分布模型，继而确定该目标芯片颗粒对应的目标老化时间，根据该目标老化时间确定是否对该目标芯片颗粒继续进行电流老化测试，可以为每个芯片颗粒确定合适的老化时间，避免相关技术中使用统一老化时间造成的部分晶圆或芯片颗粒存在老化不足或老化过度的问题，有效提高芯片产品的可靠性。
41.相关技术通常预先进行实验，根据大量芯片颗粒(die)的老化测试结果确定失效概率(或测试通过率)满足条件的老化时长作为后续实际测试过程中全部晶圆(wafer)的老化时长。其中，确定失效概率满足预设条件需要使失效概率的置信度达到0.95以上。
42.老化测试结果的样本数n与失效概率f的置信度c的关系为：
43.c＝1-rnꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
44.其中，r＝1-f，f*1000000为ppm(parts per million，百万失效概率，即一百万个样本中失效样本的个数)。假设r为0.999，f为0.001，样本数n需要达到2994才能使置信度达到或高于0.95。目前最大尺寸的晶圆包含900个芯片颗粒(die)，因此在相关技术中，对芯片颗粒进行测试以获取数量满足置信度要求的实验结果(例如2994个)，需要使用大量产品批次的晶圆参加实验，测试周期长，且成本高。
45.此外，每个芯片颗粒的生产工艺存在差别，对大量芯片颗粒设置相同的老化时间会造成部分芯片颗粒过度老化或老化不足。
46.在本公开实施例中，以芯片颗粒为单位确定老化时间，使用每个芯片颗粒对应的老化时间对每个芯片颗粒进行老化测试，可以使每个芯片颗粒均得到合适的老化测试，避免过度老化或老化不足。
47.下面以确定一个芯片颗粒(即目标芯片颗粒)为例说明芯片颗粒对应的老化时间的确定方法。可以理解的是，该方法可以应用在一片晶圆上的每个芯片颗粒上，即可以对一片晶圆上的不同芯片颗粒设置不同的老化时间。由于晶圆老化测试包括环境老化测试和电流老化测试，环境老化测试需要对整个晶圆进行，因此本公开实施例确定的芯片颗粒的老化时间指电流老化时间，当一片晶圆中的全部芯片颗粒均达到电流老化时间，结束电流老
化后，对该片晶圆整体结束环境老化测试。
48.下面，对老化测试方法100的各步骤进行详细说明。
49.在步骤s1，获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数。
50.在本公开实施例中，首先将目标芯片颗粒划分为多个测试单元，以满足置信度要求。一般一个芯片颗粒有多个存储库(bank)，每个存储库又包含多个存储阵列(array)，测试单元的划分依据可以为存储阵列或存储库，只需要使测试单元的数量达到预设值(例如2994)即可，本公开不对测试单元的具体划分方式进行限制。
51.其次，方法100在晶圆的实际测试过程中执行，即时确定一个目标芯片颗粒的目标老化时间，而非通过预先测试确定，因此方法100能够节省掉进行晶圆老化时间确定实验的成本，不但具有更好的老化效果，还能够提高老化测试的效率、降低老化测试的成本。
52.为了实时确定目标芯片颗粒的目标老化时间，本公开实施例在老化测试进程中设置多个老化时间段，每个老化时间段的时长相等。老化测试过程中，每完成一个老化时间段的老化，即对目标芯片颗粒的多个测试单元进行一次测试。测试结果为通过或失效，测试结果为通过的测试单元与本次参与测试的测试单元的比值即为当前时间的测试通过率，测试结果为失效的测试单元与本次参与测试的测试单元的比值即为当前时间的失效概率。
53.在步骤s2，根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型。
54.假设第i个老化时间段结束时的测试通过率为r(ti)，第i-1个老化时间段结束时的测试通过率为r(t
i-1
)，以此类推，根据多个测试通过率，可以得到测试通过率曲线r(t)，t为已老化时间，t为变量。由以上定义可知，根据测试通过率曲线r(t)可得到失效概率曲线f(t)的表达公式为：
55.f(t)＝1-r(t)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
56.f(t)是指不可靠度，又叫失效概率函数，其标准定义为“产品在规定的时间内和规定的条件下，不能完成规定功能的概率”，是和可靠度r(t)相对应的一个函数，任意一个时刻f(t)+r(t)＝1。它是失效密度函数f(x)在一段时间内的积分，是一个累计函数。
57.接下来，对失效概率曲线进行拟合，以得到失效分布模型(即失效分布函数)，该失效分布模型用于描述该目标芯片颗粒在当前测试单元数量下失效概率随时间变动的情况，从而可以根据该失效分布模型，确定失效概率、置信度达到预设值的时候对应的老化时间，该老化时间即为与该目标芯片颗粒对应的能达到最佳老化效果的目标老化时间。
58.可以使用威布尔分布(weibull distribution)模型、正态分布模型或对数正态分布模型等计算失效分布模型。
59.在本公开的一个实施例中，以威布尔分布模型为例来确定失效分布模型为λ(t)。λ(t)又称为失效率，其标准定义为“在某时刻还未失效的产品在下一个单位时间内失效的概率”，即在某时刻产品发生失效的可能性，是一个瞬时函数。但是当单位时间拉长时，失效率就会变成该单位时间内的积累函数f(t)。威布尔分布模型包括三参数和二参数两种形式，三参数威布尔分布模型可以转换为二参数威布尔分布模型，本实施例中，可以采用三参数威布尔分布模型也可以采用二参数威布尔分布模型。三参数威布尔分布模型的参数包括β、
η和γ，其中，β为形状参数，β的取值大于0，决定分布曲线的形状，η为尺度参数，η的取值大于0，起到放大和缩小横坐标尺度的作用，γ为位置参数，γ的取值大于等于0，决定了分布曲线的起始位置。当γ的取值为0时，三参数威布尔分布模型转换为二参数威布尔分布模型。二参数威布尔分布模型的失效分布函数为公式(3)所示：
[0060][0061]
对公式(2)进行变形，得到：
[0062][0063]
对公式(4)两边取自然对数得到：
[0064][0065]
对公式(5)两边再次取自然对数得到：
[0066]
ln[-ln(1-f(t))]＝βlnt-βlnη
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(6)
[0067]
由于f(t)和t可以基于当前测试结果得到，因此，在多个时间点t经过多次测量得到对应的f(t)，可以得到β和η的值。
[0068]
令x＝lnt，y＝ln[-ln(1-f(t))]，根据多次测量结果得到多组x、y，由此可以根据以下公式快速拟合得到β和η的值：
[0069][0070][0071]
其中，x和y均基于当前时间点(即第i个老化时间段结束时的时间)得到，和为已测试的各老化时间段对应的x的平均值和y的平均值，n是测试单元的数量，即样本数。根据历次测量得到的x和y可以得到β和η的值，进而可以带入公式(9)得到拟合的失效分布函数λ(t)的值：
[0072][0073]
根据λ(t)曲线，即可得到任意时间点t的预测失效概率f(t)，无论t是过去时刻、当前时刻还是未来时刻。可以理解的是，由于λ(t)曲线是拟合得到的，f(t)的值可能接近实测值，但是不一定等于实测值。
[0074]
在步骤s3，根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间。
[0075]
在一个实施例中，可以根据失效分布模型，将失效概率达到预设标准值的时间确定为目标芯片颗粒的目标老化时间。
[0076]
假设要求置信度c达到0.95，样本数量n(目标芯片颗粒中测试单元的数量)为3000，根据公式(1)，需要失效概率f达到0.0002，即fspec＝200ppm。
[0077]
设置公式(9)中λ(t)在t时刻达到上述fspec，则有：
[0078][0079]
根据上述fspec的数值以及β和η的值，可得t的值，该t的值即该目标芯片颗粒的目标老化时间。
[0080]
在另一个实施例中，还可以根据λ(t)曲线的切线确定目标老化时间。
[0081]
图2是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
[0082]
参考图2，曲线λ(t)是单调递减曲线，代表随着时间增加，失效概率下降，即测试失败的测试单元与参加测试的测试单元的比值下降。由于前期确定测试失败的测试单元会退出后期测试，因此参加测试的测试单元的数量会越来越少。此外，由于性能较差的测试单元在老化测试前期迅速坏掉，因此随着测试时间增加，测试失败的测试单元会越来越少。
[0083]
在图2所示实施例中，将失效分布函数的切线与x轴的交点确定为目标老化时间。如图2中，失效分布函数λ(t)的切线为a，切线a与x轴的交点为a，a点对应的时间t1(即a点的横坐标)即为目标老化时间。
[0084]
切线a可以根据λ(t)上至少三个点得到。在一个实施例中，可以根据λ(t)上的至少三个点拟合出一条直线作为切线a。在另一个实施例中，可以根据λ(t)上的至少三个点连成的曲线的切线得到。确定切线a时使用的点的数量以及方法可以有多种，本公开对此不作特殊限制。
[0085]
图3是本公开另一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
[0086]
参考图3，在另一个实施例中，可以将失效分布函数λ(t)的切线为a与x轴的交点a到曲线λ(t)的最近的点b所对应的时间作为目标老化时间。
[0087]
点a与曲线λ(t)之间的最短距离可以根据计算得到，进而可以根据该最短距离确定曲线λ(t)上点b的位置，将点b的横坐标t2设置为目标老化时间。
[0088]
根据图3所示实施例确定的目标老化时间较长，能够避免老化不足问题。
[0089]
在本公开的另一个实施例中，还可以将点b的横坐标t2乘以系数α以得到目标老化时间t3：
[0090]
t3＝α*t2
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(11)
[0091]
以进一步避免老化不足问题。该系数可以根据产线的品质稳定情况灵活调整，例如，产线品质较稳定时，可以缩短目标老化时间，将该系数设置为小于1，产线品质不稳时，可以增加目标老化时间，将该系数设置为大于1，例如可以为2。本领域技术人员可以自行设置上述系数，本公开不以此为限。
[0092]
图4是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
[0093]
参考图4，在再一个实施例中，可以根据曲线λ(t)的两条切线的交点c确定目标老化时间。可以根据较前时间的多个采样点确曲线λ(t)的切线a，根据较后时间的多个采样点确定失效分布函数λ(t)的切线b，即切线b的采样点的x坐标大于切线a的采样点的x坐标。在一些实施例中，切线a的采样点可以包括曲线λ(t)上y坐标最大的点，切线b的采样点可以包括曲线λ(t)上y坐标最小的点，如图4所示。根据采样点确定切线的方法可以与图2所示实施例相同，本公开于此不再赘述。
[0094]
确定切线a和切线b后，即可确定a和b的交点c，进而可以将交点c的横坐标t4设置为目标老化时间。
[0095]
图5是本公开一个实施例中确定目标老化时间的示意图。
[0096]
参考图5，在又一个实施例中，可以将切线a与切线b的交点c到曲线λ(t)的最短点d的横坐标t5设置为目标老化时间。
[0097]
或者进一步地，将点d对应的时间点t5乘以系数α，以得到目标老化时间，该系数α可以根据产线质量稳定情况设置。
[0098]
以上确定目标老化时间的方法仅为示例，根据失效分布模型(失效分布函数)确定目标老化时间的方法还可以有多种，本公开对此不作特殊限制。
[0099]
在步骤s4，在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
[0100]
根据在当前时刻(即第i个老化时间段结束时)得到的测试结果实时确定目标芯片颗粒对应的目标老化时间，如果当前时刻已经超过目标老化时间，说明此时目标芯片颗粒的失效概率已经达到目标值，需要停止对目标芯片颗粒进行电流老化，以避免对目标芯片颗粒老化过度。但是不一定停止环境老化测试，因为同一片晶圆上的其他芯片颗粒可能还需要继续进行老化测试。如果当前时刻没有达到该目标老化时间，则继续对目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的老化测试，以避免老化不足。
[0101]
在目标芯片颗粒所在的目标晶圆上的全部芯片颗粒均达到目标老化时间后，停止对目标晶圆进行环境老化测试。
[0102]
综上所述，本公开实施例提供的晶圆老化测试方法，通过根据芯片颗粒的阶段测试情况实时分析合适的目标老化时间，可以针对性地对芯片颗粒进行老化避免使用统一老化时间造成的部分芯片颗粒老化不足或老化过度，可以有效提高基于芯片颗粒生产的芯片的稳定性。此外，由于实时测试，实时控制老化的进行或停止，无需预先使用大量晶圆进行试验，可以节省掉相关技术中需要的试验成本。
[0103]
对应于上述方法实施例，本公开还提供一种老化测试系统，可以用于执行上述方法实施例。
[0104]
图6是本公开示例性实施例中一种老化测试系统的方框图。
[0105]
参考图6，老化测试系统600可以包括：
[0106]
测试结果获取部件61，设置为获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；
[0107]
失效模型拟合部件62，设置为根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；
[0108]
老化时间确定部件63，设置为根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；
[0109]
老化时间控制部件64，设置为在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
[0110]
由于装置600的各功能已在其对应的方法实施例中予以详细说明，本公开于此不再赘述。
[0111]
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干部件或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多部件或者单元的特征和功能可以在一个部件或者单元中具体化。反之，上文描述的一个部件或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个部件或者单元来具体化。
[0112]
在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。
[0113]
所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“部件”或“系统”。
[0114]
下面参照图7来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备700。图7显示的电子设备700仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
[0115]
如图7所示，电子设备700以通用计算设备的形式表现。电子设备700的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元710、上述至少一个存储单元720、连接不同系统组件(包括存储单元720和处理单元710)的总线730。
[0116]
其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元710执行，使得所述处理单元710执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如，所述处理单元710可以执行如本公开实施例所示的方法。
[0117]
存储单元720可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)7201和/或高速缓存存储单元7202，还可以进一步包括只读存储单元(rom)7203。
[0118]
存储单元720还可以包括具有一组(至少一个)程序部件7205的程序/实用工具7204，这样的程序部件7205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序部件以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
[0119]
总线730可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
[0120]
电子设备700也可以与一个或多个外部设备800(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备700交互的设备通信，和/或与使得该电子设备700能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口750进行。并且，电子设备700还可以通过网络适配器760与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器760通过总线730与电子设备700的其它部件通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备700使用其它硬件和/或软件部件，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
[0121]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的
方法。
[0122]
在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。
[0123]
根据本发明的实施方式的用于实现上述方法的程序产品可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
[0124]
所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
[0125]
计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
[0126]
可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。
[0127]
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
[0128]
此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
[0129]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和构思由权利要求指出。