NTC温度传感器检测方法、装置、NTC温度传感器及制造方法与流程

ntc温度传感器检测方法、装置、ntc温度传感器及制造方法
技术领域
1.本技术涉及热敏电阻技术领域，尤其涉及ntc温度传感器检测方法、装置、ntc温度传感器及制造方法。


背景技术：

2.ntc温度传感器即负温度系数温度传感器，其是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的热敏电阻合件。其常用结构如下，热敏电阻晶圆前后两个面镀有金属电极。该电极为银材质，具有很好的导电性、延展性和导热性，是高精度产品上常用的导电材料。而热敏电阻使用寿命受本身的密封性及防水性能的限制：由于热敏电阻使用在长期通电并置于高湿度状态环境中，水汽进入到热敏芯片周围，导致芯片银电极发生迁移，在晶圆侧面形成了并联电阻，造成了整体电阻值下降，导致阻值变小。
3.传统的ntc温度传感器生产过程中，得到ntc温度传感器成品后，需要对ntc温度传感器施加5v直流电压，并将其置于去离子水沸水中沸煮1500小时后，检测其阻值是否发生异常来判断该ntc温度传感器成品的密封性能是否合格。
4.上述方案检测耗时，且需要检测设备复杂、检测工序麻烦。


技术实现要素：

5.为克服相关技术中存在的问题，本技术提供一种ntc温度传感器检测方法、装置、ntc温度传感器及制造方法，能够简化检测工序。
6.本技术第一方面提供一种ntc温度传感器检测方法，包括：
7.获取ntc负温度系数温度传感器的荧光检测图像；所述荧光检测图像为紫外灯照射下采集到的ntc温度传感器的图像；所述ntc温度传感器为采用含荧光剂的荧光密封胶进行涂覆密封得到的热敏电阻；
8.基于所述荧光检测图像提取荧光连通域；所述荧光连通域内的每个像素点的灰度值均在荧光灰度值范围内；
9.计算所述荧光连通域的荧光连通域数；
10.判断所述荧光连通域数是否为一，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层无孔洞；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层存在孔洞；
11.判断所述ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格；所述预设缺陷条件至少包括：所述ntc温度传感器的密封层存在孔洞。
12.在一种实施方式中，所述预设缺陷条件还包括：所述ntc温度传感器的密封层不均匀；
13.所述基于所述荧光检测图像提取荧光连通域之后，包括：
14.计算得到所述荧光连通域的平均荧光强度；
15.基于所述荧光连通域内的每个像素点的灰度值与所述平均荧光强度的比较结果，
得到所述ntc温度传感器的密封层的均匀度检测结果。
16.在一种实施方式中，所述预设缺陷条件还包括：所述ntc温度传感器的密封层不均匀；
17.所述基于所述荧光检测图像提取荧光连通域之后，包括：
18.计算所述荧光连通域内所有像素点的灰度值方差；
19.判断所述灰度值方差是否大于方差阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀。
20.在一种实施方式中，所述基于所述荧光连通域内的每个像素点的灰度值与所述平均荧光强度的比较结果，得到所述ntc温度传感器的密封层的均匀度检测结果，包括：
21.判断所述荧光连通域内异常荧光像素点的数量是否大于异常数量阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀；
22.所述异常荧光像素点为灰度值与所述平均荧光强度误差大于误差阈值的像素点。
23.在一种实施方式中，所述基于所述荧光连通域内的每个像素点的灰度值与所述平均荧光强度的比较结果，得到所述ntc温度传感器的密封层的均匀度检测结果，包括：
24.判断所述荧光连通域内异常荧光像素点的最大连通域的面积是否大于异常面积阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀；
25.所述异常荧光像素点为灰度值与所述平均荧光强度误差大于误差阈值的像素点。
26.在一种实施方式中，所述预设缺陷条件还包括：所述ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足；
27.所述基于所述荧光检测图像提取荧光连通域之后，包括：
28.判断所述荧光连通域内所有像素点的灰度值的最小值是否小于最小灰度阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足；若否，则判定ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度足够；
29.所述最小灰度阈值基于密封层最小涂覆厚度确定。
30.在一种实施方式中，所述预设缺陷条件还包括：所述ntc温度传感器的焊点未密封；
31.所述基于所述荧光检测图像提取荧光连通域之后，包括：
32.计算所述荧光连通域的面积；
33.判断所述荧光连通域的面积是否小于密封面积阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的焊点未密封；若否，则所述ntc温度传感器的焊点已密封。
34.在一种实施方式中，所述判定所述ntc温度传感器的密封性能合格之后，还包括：
35.获取所述ntc温度传感器在水煮实验条件下的阻值数据；所述水煮实验条件包括：施加5v直流电压，密封加压至1.0mpa至1.5mpa压力，以及水煮800小时；
36.判断所述阻值数据中是否存在异常阻值，若否，则判定所述ntc温度传感器的耐候性符合标准。
37.本技术第二方面提供一种ntc温度传感器检测装置，包括：
38.荧光检测设备61、紫外灯62和处理器63；
39.所述荧光检测设备61用于采集紫外灯62照射下的ntc温度传感器的荧光检测图
像，并将所述荧光检测图像传输至处理器63；
40.所述处理器63用于执行如上所述的任一项检测方法。
41.本技术第三方面提供一种ntc温度传感器，适用如上所述的任一项检测方法，由内到外依次包括：
42.热敏电阻芯片71、第一密封层72、树脂包覆层73、第二密封层74、树脂灌封层75及铜壳76；
43.所述热敏电阻芯片71两端具有引脚77，所述引脚77与所述热敏电阻芯片71的金属电极连接的一端位于所述铜壳76内，所述引脚77另一端露出于所述铜壳76外，且外套有热缩套管；
44.所述树脂灌封层75充满所述第二密封层74与所述铜壳76之间的空隙；
45.所述树脂包覆层73采用硬性环氧树脂；所述树脂灌封层75采用软性环氧树脂；
46.所述第一密封层72和所述第二密封层74均含有荧光剂。
47.本技术第四方面提供一种ntc温度传感器制造方法，用于如上所述的ntc温度传感器，包括：
48.在密封胶内添加荧光剂，得到荧光密封胶；
49.在热敏电阻芯片外侧涂覆3层所述荧光密封胶，形成第一密封层，使得引脚与所述热敏电阻芯片的金属电极连接的一端包裹于所述第一密封层内；
50.利用硬性环氧树脂包裹所述第一密封层外部，形成树脂包覆层；
51.在所述树脂包覆层外部涂覆2层所述荧光密封胶，形成第二密封层，得到ntc温度传感器内部功能件；
52.将所述ntc温度传感器内部功能件放入铜壳内部，使得所述引脚与所述热敏电阻芯片的金属电极连接的一端位于所述铜壳内，所述引脚另一端露出于所述铜壳外；
53.利用软性环氧树脂填充所述铜壳与所述ntc温度传感器内部功能件之间的空隙，形成树脂灌封层；
54.在露出于所述铜壳外的引脚上嵌套热缩套管，得到所述ntc温度传感器。
55.本技术提供的技术方案可以包括以下有益效果：
56.由于ntc温度传感器采用含荧光剂的荧光密封胶进行涂覆密封，在紫外灯照射下，荧光检测设备可获得ntc温度传感器的荧光检测图像，在该荧光检测图像中，ntc温度传感器的密封部分会呈现荧光视觉效果，与非密封区域的灰度值形成差异。若要保证ntc温度传感器的密封性能，则相应地，荧光密封胶需要完全涂覆ntc温度传感器，此时，荧光区域应为一个完整连通域，因此，本技术对荧光检测图像进行荧光连通域的提取和计数，若存在多个荧光连通域，则说明在ntc温度传感器上涂覆密封胶形成的密封层存在孔洞；由于在ntc温度传感器使用过程中，环境中的水汽会通过孔洞进入到热敏电阻芯片周围，导致银电极发生迁移，影响ntc温度传感器的使用寿命，因此，若判断得到ntc温度传感器的密封层存在孔洞，则可判定该ntc温度传感器的密封性能不合格，从而筛选得到ntc温度传感器不良品，避免不良品投入使用引发安全问题。本技术提供的检测方法仅需通过图像处理即可得到ntc温度传感器的密封性能检测结果，与传统的水煮检测方法相比，耗费时间短且对设备简单，无需人工对水煮后的热敏电阻进行转移和阻值测试，检测工序更为精简。
57.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不
能限制本技术。
附图说明
58.通过结合附图对本技术示例性实施方式进行更详细的描述，本技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本技术示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
59.图1是本技术实施例示出的实施例一的ntc温度传感器检测方法的流程示意图；
60.图2是本技术实施例示出的实施例二的ntc温度传感器检测方法的流程示意图；
61.图3是本技术实施例示出的实施例三的ntc温度传感器检测方法的流程示意图；
62.图4是本技术实施例示出的实施例四的ntc温度传感器检测方法的流程示意图；
63.图5是本技术实施例示出的实施例五的ntc温度传感器检测方法的流程示意图；
64.图6是本技术实施例示出的ntc温度传感器检测装置的结构示意图；
65.图7是本技术实施例示出的ntc温度传感器的结构示意图；
66.图8是本技术实施例示出的ntc温度传感器制造方法的流程示意图。
具体实施方式
67.下面将参照附图更详细地描述本技术的优选实施方式。虽然附图中显示了本技术的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本技术更加透彻和完整，并且能够将本技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。
68.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
69.应当理解，尽管在本技术可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
70.实施例一
71.传统的ntc温度传感器生产过程中，得到ntc温度传感器成品后，需要对ntc温度传感器施加5v直流电压，并将其置于去离子水沸水中沸煮1500小时后，检测其阻值是否发生异常来判断该ntc温度传感器成品的密封性能是否合格。该方案检测耗时，且需要检测设备复杂、检测工序麻烦。
72.针对上述问题，本技术实施例提供一种ntc温度传感器检测方法，耗费时间短且对设备简单。
73.以下结合附图详细描述本技术实施例的技术方案。
74.参见图1，所述ntc温度传感器检测方法，包括：
75.101、获取ntc温度传感器的荧光检测图像；
76.在本技术实施例中，荧光检测图像为紫外灯照射下采集到的ntc温度传感器的图像；ntc温度传感器为采用含荧光剂的荧光密封胶进行涂覆密封得到的热敏电阻。
77.在实际应用过程中，可以通过荧光检测设备进行荧光检测图像的采集，由于ntc温度传感器所采用的荧光密封胶中含有荧光剂，因此，经过紫外灯照射后，荧光剂显荧光，从而在荧光检测图像中与非密封区域区分开来。
78.102、基于荧光检测图像提取荧光连通域；
79.所述荧光连通域内的每个像素点的灰度值均在荧光灰度值范围内，在本技术实施例中，由于荧光剂显荧光，导致荧光检测图像内，密封层区域像素点的灰度值与非密封区域有差异，因此，将荧光检测图像的像素点的灰度值与荧光灰度值一一比对，即可提取得到荧光连通域。
80.在实际应用过程中，荧光灰度值范围可以预设设定并调整，此处不作限定。
81.103、计算所述荧光连通域的荧光连通域数；
82.104、基于荧光连通域数得到ntc温度传感器的密封层的孔洞检测结果；
83.示例性的：
84.判断所述荧光连通域数是否为一，
85.若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层无孔洞；
86.若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层存在孔洞。
87.在实际应用过程中，若荧光检测图像中存在两个及以上的荧光连通域，则说明ntc温度传感器的密封层存在缝隙，则会影响密封层的密封性能，进而影响ntc温度传感器的使用寿命。
88.105、将ntc温度传感器与预设缺陷条件进行对比，得到ntc温度传感器的密封性能检测结果。
89.其中，预设缺陷条件至少包括：所述ntc温度传感器的密封层存在孔洞。
90.示例性的：
91.判断所述ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格。
92.进一步地，判定ntc温度传感器的密封性能合格之后，还可以通过加压来缩短水煮时长，对ntc温度传感器的密封性能进行二次检测，具体包括：
93.获取所述ntc温度传感器在水煮实验条件下的阻值数据；判断所述阻值数据中是否存在异常阻值，若否，则判定所述ntc温度传感器的耐候性符合标准。
94.其中，水煮实验条件包括：施加5v直流电压，密封加压至1.0mpa至1.5mpa压力，以及水煮800小时。
95.由于ntc温度传感器采用含荧光剂的荧光密封胶进行涂覆密封，在紫外灯照射下，荧光检测设备可获得ntc温度传感器的荧光检测图像，在该荧光检测图像中，ntc温度传感器的密封部分会呈现荧光视觉效果，与非密封区域的灰度值形成差异。若要保证ntc温度传感器的密封性能，则相应地，荧光密封胶需要完全涂覆ntc温度传感器，此时，荧光区域应为一个完整连通域，因此，本技术对荧光检测图像进行荧光连通域的提取和计数，若存在多个荧光连通域，则说明在ntc温度传感器上涂覆密封胶形成的密封层存在孔洞；由于在ntc温
度传感器使用过程中，环境中的水汽会通过孔洞进入到热敏电阻芯片周围，导致银电极发生迁移，影响ntc温度传感器的使用寿命，因此，若判断得到ntc温度传感器的密封层存在孔洞，则可判定该ntc温度传感器的密封性能不合格，从而筛选得到ntc温度传感器不良品，避免不良品投入使用引发安全问题。
96.本技术提供的检测方法仅需通过图像处理即可得到ntc温度传感器的密封性能检测结果，与传统的水煮检测方法相比，耗费时间短且对设备简单，无需人工对水煮后的热敏电阻进行转移和阻值测试，检测工序更为精简。
97.实施例二
98.在实际应用过程中，除密封层存在孔洞会影响ntc温度传感器的使用寿命外，密封层的均匀度也会对ntc温度传感器的使用寿命造成影响，因此，在ntc温度传感器检测过程中，还可以对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测。
99.参见图2，一种ntc温度传感器检测方法，包括：
100.201、获取ntc温度传感器的荧光检测图像；
101.在本技术实施例中，步骤201与上述实施例一中的步骤101的内容一致，此处不再赘述。
102.202、基于荧光检测图像提取荧光连通域；
103.在本技术实施例中，步骤202与上述实施例一中的步骤102的内容一致，此处不再赘述。
104.203、计算荧光连通域的荧光连通域数和平均荧光强度；
105.在本技术实施例中，对于一张荧光检测图像，每个像素点的灰度值代表了该像素点的荧光强度大小，因此，荧光连通域的平均荧光强度可以按照以下公式进行计算：
106.mean＝intden/area
107.其中，mean表示平均荧光强度；intden表示荧光连通域的荧光强度总和；area表示荧光连通域的区域面积。
108.204、基于荧光连通域数得到ntc温度传感器的密封层的孔洞检测结果；
109.在本技术实施例中，步骤204的内容已经在上述实施例一中进行了详细的说明，此处不再赘述。
110.205、基于荧光连通域内的每个像素点的灰度值与平均荧光强度的比较结果，得到ntc温度传感器的密封层的均匀度检测结果；
111.在本技术实施例中，可以基于异常荧光像素点的数量或最大连通域面积进行均匀度的检测；其中，所述异常荧光像素点为灰度值与所述平均荧光强度误差大于误差阈值的像素点。
112.示例性的：
113.判断所述荧光连通域内异常荧光像素点的数量是否大于异常数量阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀。
114.或
115.判断所述荧光连通域内异常荧光像素点的最大连通域的面积是否大于异常面积阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀。
116.在实际应用中，若ntc温度传感器的密封层的厚薄均匀，则荧光连通域的像素点的灰度值应集中在某一标准灰度值附近，当存在多于异常数量阈值的异常荧光像素点时，说明荧光连通域中存在大量像素点的灰度值脱离上述标准灰度值附近，则说明ntc温度传感器的密封层出现了大量异常点，从而造成ntc温度传感器的密封层不均匀；
117.而当异常荧光像素点的最大连通域的面积大于异常面积阈值时，说明荧光连通域中存在一个大面积区域的出现了密集异常点，从而造成ntc温度传感器的密封层不均匀。
118.需要说明的是，在实际应用过程中，可以对异常荧光像素点的数量或最大连通域面积择一作为均匀度的检测依据，也可以将两个结合用于对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测，此处不作限定。
119.需要说明的是，在实际应用过程中，上述误差阈值、异常数量阈值和异常面积阈值可以依据实际情况进行取值，此处不作限定。
120.需要说明的是，本技术实施例对步骤204和步骤205的执行时序并没有严格的限定，即步骤205可以在步骤204之前执行或二者并行。
121.206、将ntc温度传感器与预设缺陷条件进行对比，得到ntc温度传感器的密封性能检测结果。
122.在本技术实施例中，判断ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格。
123.在本技术实施例中，预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞和ntc温度传感器的密封层不均匀。
124.本技术实施例中在基于荧光连通域数对ntc温度传感器进行孔洞检测的基础上，引入了ntc温度传感器的密封层的均匀度检测，通过计算平均荧光强度确定一个标准灰度值区间，根据不处于该标准灰度值区间的异常像素点的存在情况，包括异常像素点数量或异常像素点最大连通域面积，来判定ntc温度传感器的密封层的均匀度；基于孔洞检测和均匀度检测实现对ntc温度传感器的密封层的双重检测，进一步地保证了ntc温度传感器密封层的密封性能。
125.实施例三
126.在实际应用过程中，除密封层存在孔洞会影响ntc温度传感器的使用寿命外，密封层的均匀度也会对ntc温度传感器的使用寿命造成影响，因此，在ntc温度传感器检测过程中，还可以对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测。
127.参见图3，一种ntc温度传感器检测方法，包括：
128.301、获取ntc温度传感器的荧光检测图像；
129.在本技术实施例中，步骤301与上述实施例一中的步骤101的内容一致，此处不再赘述。
130.302、基于荧光检测图像提取荧光连通域；
131.在本技术实施例中，步骤302与上述实施例一中的步骤102的内容一致，此处不再赘述。
132.303、计算荧光连通域的荧光连通域数和灰度值方差；
133.在本技术实施例中，对于均匀的密封层，其在荧光检测图像中，各像素点的像素强
度应呈现一致，通过计算荧光连通域的灰度值方差，即可得到密封层区域的像素强度的一致程度，继而即可反馈密封层的均匀度情况。
134.304、基于荧光连通域数得到ntc温度传感器的密封层的孔洞检测结果；
135.在本技术实施例中，步骤304的内容已经在上述实施例一中进行了详细的说明，此处不再赘述。
136.305、基于灰度值方差与方差阈值的比较结果，得到ntc温度传感器的密封层的均匀度检测结果；
137.示例性的：
138.判断所述灰度值方差是否大于方差阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层不均匀；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封层均匀。
139.需要说明的是，在实际应用过程中，方差阈值可以依据实际情况进行设定，此处不作限定。
140.需要说明的是，本技术实施例对步骤304和步骤305的执行时序并没有严格的限定，即步骤305可以在步骤304之前执行或二者并行。
141.306、将ntc温度传感器与预设缺陷条件进行对比，得到ntc温度传感器的密封性能检测结果。
142.在本技术实施例中，判断ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格。
143.在本技术实施例中，预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞和ntc温度传感器的密封层不均匀。
144.本技术实施例中在基于荧光连通域数对ntc温度传感器进行孔洞检测的基础上，引入了ntc温度传感器的密封层的均匀度检测，通过计算荧光连通域的灰度值方差来判断荧光检测图像中，密封层区域的像素强度的一致程度，进而判定ntc温度传感器的密封层的均匀度；基于孔洞检测和均匀度检测实现对ntc温度传感器的密封层的双重检测，进一步地保证了ntc温度传感器密封层的密封性能。
145.实施例四
146.在实际应用过程中，密封层存在孔洞会导致ntc温度传感器的使用过程中，水汽从孔洞进入ntc温度传感器内部，导致银电极发生迁移；而密封层过薄也会导致水汽容易进入ntc温度传感器内部，影响ntc温度传感器的使用寿命，因此，在ntc温度传感器检测过程中，还可以对ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度进行检测。
147.参见图4，一种ntc温度传感器检测方法，包括：
148.401、获取ntc温度传感器的荧光检测图像；
149.在本技术实施例中，步骤401与上述实施例一中的步骤101的内容一致，此处不再赘述。
150.402、基于荧光检测图像提取荧光连通域；
151.在本技术实施例中，步骤402与上述实施例一中的步骤102的内容一致，此处不再赘述。
152.403、计算荧光连通域的荧光连通域数，以及荧光连通域内所有像素点的灰度值的
最小值；
153.在实际应用过程中，由于密封胶为白色，而密封胶包裹的热敏电阻芯片呈红色，若密封性过薄，则红色的热敏电阻芯片会通过密封层透出，在荧光检测图像中，与较厚的密封层相比，呈现较低灰度值，因此，对荧光连通域内所有像素点的灰度值的最小值进行判断，即对密封层区域的最薄处的厚度进行判断，即可判定密封层的涂覆厚度是否合格。
154.404、基于荧光连通域对ntc温度传感器的密封层进行孔洞检测；
155.在本技术实施例中，步骤404的内容已经在上述实施例一中进行了详细的说明，此处不再赘述。
156.405、根据上述最小值与最小灰度阈值的比较结果得到ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度检测结果；
157.示例性的：
158.判断所述荧光连通域内所有像素点的灰度值的最小值是否小于最小灰度阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足；若否，则判定ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度足够；其中，所述最小灰度阈值基于密封层最小涂覆厚度确定。
159.需要说明的是，本技术实施例对步骤404和步骤405的执行时序并没有严格的限定，即步骤405可以在步骤404之前执行或二者并行。
160.406、将ntc温度传感器与预设缺陷条件进行对比，得到ntc温度传感器的密封性能检测结果。
161.在本技术实施例中，判断ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格。
162.在本技术实施例中，预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞和ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足。
163.进一步地，本技术实施例中，还可以在步骤406之前，基于提取到的荧光连通域对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测，具体的检测步骤已在上述实施例二或实施例三中进行了说明，此处不再赘述。
164.若上述步骤406前，存在基于提取到的荧光连通域对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测的步骤，则预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞、ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足以及ntc温度传感器的密封层不均匀。
165.本技术实施例中在基于荧光连通域数对ntc温度传感器进行孔洞检测的基础上，引入了ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度检测，通过计算荧光连通域内所有像素点的灰度值的最小值来判断密封层最薄处的涂覆厚度是否足够，进而避免ntc温度传感器的密封层过薄，难以阻止水汽进入ntc温度传感器内部的情况。基于孔洞检测和涂覆厚度检测实现对ntc温度传感器的密封层的双重检测，进一步地保证了ntc温度传感器密封层的密封性能。
166.实施例五
167.在实际应用过程中，ntc温度传感器的生产要求密封层完全覆盖热敏芯片的焊点及引线，因此，在ntc温度传感器检测过程中，还可以对ntc温度传感器的密封层的涂覆面积进行检测，以保证热敏芯片的焊点及引线位于密封区域内。
168.参见图5，一种ntc温度传感器检测方法，包括：
169.501、获取ntc温度传感器的荧光检测图像；
170.在本技术实施例中，步骤501与上述实施例一中的步骤101的内容一致，此处不再赘述。
171.502、基于荧光检测图像提取荧光连通域；
172.在本技术实施例中，步骤502与上述实施例一中的步骤102的内容一致，此处不再赘述。
173.503、计算荧光连通域的荧光连通域数和面积；
174.504、基于荧光连通域对ntc温度传感器的密封层进行孔洞检测；
175.在本技术实施例中，步骤504的内容已经在上述实施例一中进行了详细的说明，此处不再赘述。
176.505、根据荧光连通域的面积与密封面积阈值的比较结果得到ntc温度传感器的焊点密封检测结果；
177.示例性的：
178.判断所述荧光连通域的面积是否小于密封面积阈值，若是，则判定所述ntc温度传感器的焊点未密封；若否，则所述ntc温度传感器的焊点已密封。
179.在实际应用过程中，为了保证ntc温度传感器的密封性能，要求密封层完全覆盖热敏电阻芯片的焊点及引线，且引线和焊点之间的涂覆长度至少为2cm，因此，需要将该涂覆区域纳入密封面积的考虑范围内，进行密封面积阈值的设置，继而保证ntc温度传感器密封层的密封性能。
180.506、将ntc温度传感器与预设缺陷条件进行对比，得到ntc温度传感器的密封性能检测结果。
181.在本技术实施例中，判断所述ntc温度传感器是否满足任一个预设缺陷条件，若是，则判定所述ntc温度传感器的密封性能不合格；若否，则判定所述ntc温度传感器的密封性能合格。
182.在本技术实施例中，预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞和ntc温度传感器的焊点未密封。
183.进一步地，本技术实施例中，还可以在步骤506之前，基于提取到的荧光连通域对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测，具体的检测步骤已在上述实施例二或实施例三中进行了说明，此处不再赘述。
184.若上述步骤506前，存在基于提取到的荧光连通域对ntc温度传感器的密封层的均匀度进行检测的步骤，则预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞、ntc温度传感器的焊点未密封以及ntc温度传感器的密封层不均匀。
185.进一步地，本技术实施例中，还可以在步骤506之前，基于提取到的荧光连通域进行ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度检测，具体的检测步骤已在上述实施例四中进行了说明，此处不再赘述。
186.若上述步骤506前，存在基于提取到的荧光连通域对ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度进行检测的步骤，则预设缺陷条件包括但不限于：ntc温度传感器的密封层存在孔洞、ntc温度传感器的焊点未密封以及ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足。
187.需要说明的是，在实际应有过程中，可以在步骤506之前对ntc温度传感器的密封层的均匀度和涂覆厚度均进行检测，此时，预设缺陷条件包括：ntc温度传感器的密封层存在孔洞、ntc温度传感器的焊点未密封、ntc温度传感器的密封层的涂覆厚度不足以及ntc温度传感器的密封层不均匀。
188.本技术实施例中在基于荧光连通域数对ntc温度传感器进行孔洞检测的基础上，引入了对ntc温度传感器的焊点和引线的涂覆检测，利用涂覆面积来判断焊点和引线是否位于密封层内，进而实现对ntc温度传感器的密封层的双重检测，进一步地保证了ntc温度传感器密封层的密封性能。
189.实施例六
190.与前述应用功能实现方法实施例相对应，本技术还提供了一种ntc温度传感器检测装置及相应的实施例。
191.图6是本技术实施例示出的ntc温度传感器检测装置的结构示意图。
192.参见图6，一种ntc温度传感器检测装置，包括：
193.荧光检测设备61、紫外灯62和处理器63；
194.所述荧光检测设备61用于采集紫外灯62照射下的ntc温度传感器的荧光检测图像，并将所述荧光检测图像传输至处理器63；
195.所述处理器63用于执行如上述实施例一至五中任一项所述的检测方法。
196.在本技术实施例中，处理器可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
197.实施例七
198.与前述应用功能实现方法实施例相对应，本技术还提供了一种ntc温度传感器及相应的实施例。
199.图7是本技术实施例示出的ntc温度传感器的结构示意图。
200.参见图7，所述ntc温度传感器由内到外依次包括：
201.热敏电阻芯片71、第一密封层72、树脂包覆层73、第二密封层74、树脂灌封层75及铜壳76；
202.热敏电阻芯片71两端具有引脚77，引脚77与热敏电阻芯片71的金属电极连接的一端位于铜壳76内，引脚77另一端露出于铜壳76外，且外套有热缩套管；树脂灌封层75充满第二密封层74与铜壳76之间的空隙；
203.其中，树脂包覆层73采用硬性环氧树脂；树脂灌封层75采用软性环氧树脂；第一密封层72和第二密封层74均含有荧光剂。
204.在实际应用过程中，树脂包覆层和树脂灌封层还可以采用酚醛树脂或硅胶中的任意一种，即上述对于树脂包覆层和树脂灌封层所选用的材料的描述不作为对本技术的限定。
205.在本技术实施例中，通过含有荧光剂的第一密封层和第二密封层，能够将密封区
域与非密封区域区分开来，继而利用荧光检测设备对ntc温度传感器进行针对性的计算机视觉检测，同时降低检测的工作量。
206.实施例八
207.与前述应用功能实现方法实施例相对应，本技术还提供了一种ntc温度传感器制造方法及相应的实施例。
208.图8是本技术实施例示出的ntc温度传感器制造方法的流程示意图。
209.参见图8，所述ntc温度传感器制造方法，包括：
210.801、在密封胶内添加荧光剂，得到荧光密封胶；
211.在本技术实施例中，在密封胶中添加2％的荧光剂，得到荧光密封胶。
212.需要说明的是，实际应用过程中，添加的荧光剂的比例可以调整，上述描述仅是本技术实施例中的一个示例，不构成对本技术的唯一限定。
213.802、在热敏电阻芯片外侧涂覆3层所述荧光密封胶，形成第一密封层；
214.具体的，在热敏电阻芯片外侧涂覆3层所述荧光密封胶，形成第一密封层，使得引脚与所述热敏电阻芯片的金属电极连接的一端包裹于所述第一密封层内，保证热敏电阻芯片的焊点及距离焊点2cm的区域均被密封胶均匀覆盖密封。
215.在实际应用过程中，每层密封层均匀涂覆后需要固化，每两层密封层之间需间隔8小时再进行涂覆，以保证密封厚度及密封质量。
216.803、利用硬性环氧树脂包裹所述第一密封层外部，形成树脂包覆层；
217.在本技术实施例中，采用真空搅拌脱泡机对硬性环氧树脂进行搅拌消泡，以提升硬性环氧树脂的致密性，有效避免内部气泡。
218.804、在所述树脂包覆层外部涂覆2层所述荧光密封胶，形成第二密封层，得到ntc温度传感器内部功能件；
219.在实际应用过程中，每层密封层均匀涂覆后需要固化，2层密封层之间需间隔8小时再进行涂覆，以保证密封厚度及密封质量。
220.805、将所述ntc温度传感器内部功能件放入铜壳内部；
221.将所述ntc温度传感器内部功能件放入铜壳内部，使得所述引脚与所述热敏电阻芯片的金属电极连接的一端位于所述铜壳内，所述引脚另一端露出于所述铜壳外；
222.806、利用软性环氧树脂填充所述铜壳与所述ntc温度传感器内部功能件之间的空隙，形成树脂灌封层；
223.807、在露出于所述铜壳外的引脚上嵌套热缩套管，得到所述ntc温度传感器。
224.在本技术实施例中，采用3mm至7mm的热缩套管，并在装配过程中将ntc温度传感器的插装方式调整成自上而下，阻止水蒸气进入热敏芯片。
225.关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不再做详细阐述说明。
226.上文中已经参考附图详细描述了本技术的方案。在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所涉及的动作和模块并不一定是本技术所必须的。另外，可以理解，本技术实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减，本技术实施例装置中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。
227.此外，根据本技术的方法还可以实现为一种计算机程序或计算机程序产品，该计算机程序或计算机程序产品包括用于执行本技术的上述方法中部分或全部步骤的计算机程序代码指令。
228.或者，本技术还可以实施为一种非暂时性机器可读存储介质(或计算机可读存储介质、或机器可读存储介质)，其上存储有可执行代码(或计算机程序、或计算机指令代码)，当所述可执行代码(或计算机程序、或计算机指令代码)被电子设备(或电子设备、服务器等)的处理器执行时，使所述处理器执行根据本技术的上述方法的各个步骤的部分或全部。
229.本领域技术人员还将明白的是，结合这里的申请所描述的各种示例性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。
230.附图中的流程图和框图显示了根据本技术的多个实施例的系统和方法的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标记的功能也可以以不同于附图中所标记的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
231.以上已经描述了本技术的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。