一种检测晶片缺陷用载物台及缺陷检测装置的制作方法

1.本技术涉及一种检测晶片缺陷用载物台及缺陷检测装置，属于晶片检测领域。


背景技术：

2.碳化硅(sic)半导体材料是自第一代元素半导体材料(si)和第二代化合物半导体材料(gaas、gap等)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，sic半导体材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率等特点，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。
3.目前，制备碳化硅晶片的主要方法包括物理气相传输法(pvt法)、液相法等，这些方法制备的碳化硅晶片都不可避免的存在缺陷，如微管等，微管等缺陷的存在会导致后续器件性能的严重下降，因此必须精确的检测出晶片中缺陷的存在位置。目前主要是使用显微镜检测晶片中的缺陷，显微镜的承托平台大多是不透明设计，因此很容易对检测结果造成干扰。


技术实现要素：

4.为了解决上述问题，本技术提出了一种检测晶片缺陷用载物台及缺陷检测装置。该载物台对晶片的待检测区域无遮挡，避免在检测晶片时放置台作为背景对测试结果产生干扰，保证检测的精确度。
5.根据本技术的一个方面，提供了一种检测晶片缺陷用载物台，其包括：
6.放置台，所述放置台包括第一镂空区，所述第一镂空区的开口用于承载待检测的晶片；
7.所述第一镂空区用于使发射信号源发出的信号穿过所述晶片传输到接收信号源。
8.可选的，沿所述第一镂空区的开口的周向设置有第一放置槽，所述第一放置槽用于放置待检测的晶片。
9.可选的，所述第一放置槽的周向设置有缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述第一放置槽的深度。
10.可选的，所述第一镂空区的侧部至少开设有一个取放口，所述取放口沿第一镂空区向外延伸，直至所述缓冲槽的侧壁。
11.可选的，还包括支撑台，所述支撑台包括第二镂空区，所述第二镂空区与所述第一镂空区的位置对应，所述第二镂空区的开口用于承载所述放置台。
12.可选的，沿所述第二镂空区的开口周向设置有第二放置槽，所述第二放置槽与所述放置台外沿的形状适配，以用于放置所述放置台。
13.可选的，所述放置台的高度大于所述第二放置槽的深度。
14.可选的，所述支撑台下方设置有滑轨，所述滑轨用于使所述支撑台发生滑动。
15.可选的，所述滑轨连接有齿条，所述支撑台的一端连接有旋转手柄，所述旋转手柄套设有齿轮，所述齿轮与齿条啮合连接，用于带动齿条运动，进而带动所述支撑台运动。
16.根据本技术的又一个方面，提供了一种晶片缺陷检测装置，其包括上述任一项所述的载物台和光源。
17.本技术能产生的有益效果包括但不限于：
18.1.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过在放置台设置第一镂空区，将待检测的晶片边缘搭放在第一镂空区的开口处，从而使晶片的两侧均无遮挡物，避免在检测晶片时放置台作为背景对测试结果产生干扰，保证检测的精确度。
19.2.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过沿第一镂空区的开口周向设置第一放置槽，将待检测的晶片放置在第一放置槽内，从而防止晶片在检测过程中移动而导致漏检或重复检测，进一步提高检测的精确性；此外，还可以防止晶片滑落而对晶片产生损坏。
20.3.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过在第一放置槽的周向设置缓冲槽，从而减小了第一放置槽侧壁的高度，防止在放置或取出晶片时第一放置槽的开口对晶片产生碰撞，保证晶片的完整，同时能够减轻放置台的重量，同时保证第一放置槽具有足够的强度。
21.4.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过在第一镂空区的侧部开设有取放口，从而方便将晶片放入或取出。
22.5.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过在支撑台设置第二镂空区，使第二镂空区的开口用于承载放置台，从而实现支撑台与放置台的分离设计，便于对污染或损坏的放置台进行更换，同时可以更换不同尺寸或不同形状的放置台，实现对不同尺寸或不同形状的放置台的更换。
23.6.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过沿第二镂空区的开口周向设置第二放置槽，将放置台放置在第二放置槽内，从而防止放置台与支撑台的相对位置发生相对移动，进一步保证检测的精确度，防止因放置台移动而导致的漏检或重复检测的现象发生。
24.7.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过设置放置台的高度大于第二放置槽的深度，从而便于放入或取出放置台。
25.8.本技术所提供的检测晶片缺陷用载物台，通过在支撑台下方设置滑轨来移动支撑台的位置，便于取放支撑台上的放置台同时滑轨具有一定的限位作用，能够防止支撑台左右移动。
26.9.本技术所提供的晶片缺陷检测装置，不会对光源发出的光线产生干扰，检测准确性高。
附图说明
27.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
28.图1为本技术实施例1涉及的载物台中放置台的立体示意图；
29.图2为本技术实施例1涉及的载物台中支撑台的立体示意图；
30.图3为本技术实施例1涉及的载物台的立体示意图；
31.图4为本技术实施例2涉及的缺陷检测装置的正视示意图。
32.部件和附图标记列表：
33.1、放置台；2、第一镂空区；3、第一放置槽；4、缓冲槽；5、取放口；6、支撑台；7、第二镂空区；8、第二放置槽；9、旋转手柄；10、光源。
具体实施方式
34.为了更清楚的阐释本技术的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。
35.为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
36.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
37.另外，在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
38.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
40.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不是必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
41.本技术的检测晶片缺陷用载物台，可以用做偏光检测装置的载物台，也可以用作背光检测装置的载物台，或其他检测装置的载物台。此外，本技术的检测晶片缺陷用载物台可以用于但不限于检测碳化硅晶片中的缺陷。下述实施例中以背光检测碳化硅晶片中的缺陷为例进行说明，但不限于背光检测碳化硅晶片中的缺陷。
42.实施例1
43.如图1-3所示，本技术的实施例公开了一种检测晶片缺陷用载物台，其包括：放置
台1，放置台1包括第一镂空区2，第一镂空区2的开口用于承载待检测的晶片；第一镂空区2用于使发射信号源发出的信号穿过晶片传输到接收信号源。通过在放置台1设置第一镂空区2，将待检测的晶片边缘搭放在第一镂空区2的开口处，从而使晶片的两侧均无遮挡物，避免在检测晶片时放置台1作为背景对测试结果产生干扰，保证检测的精确度。
44.具体的，本实施例对第一镂空区2的开口面积及形状不做限制，例如可以为圆形、三角形、四边形、多边形或其他不规则形状等。具体的，本实施例对待检测的晶片的面积及形状不做限制，只要能实现将晶片搭放在第一镂空区2的开口处即可，例如可以为圆形、三角形、四边形、多边形或其他不规则形状等。
45.具体的，本实施例对放置台1的材质不做限定，为了避免对晶片产生二次污染，例如可以为石墨、陶瓷或聚四氟乙烯等材质。
46.具体的，待检测的晶片可以直接放在第一镂空区2的上方，也可以在第一镂空区2的开口处开设环形槽或设置其他夹持机构以将待检测的晶片固定。
47.作为一种实施方式，沿第一镂空区2的开口的周向设置有第一放置槽3，第一放置槽3用于放置待检测的晶片。通过沿第一镂空区2的开口周向设置第一放置槽3，将待检测的晶片放置在第一放置槽3内，从而防止晶片在检测过程中移动而导致漏检或重复检测，进一步提高检测的精确性；此外，还可以防止晶片滑落而对晶片产生损坏。
48.具体的，本实施例对第一放置槽3的宽度不做限制，只要能实现放置待检测的晶片即可。优选的，第一放置槽3的宽度为2-3mm，该设置方式可以防止晶片脱落，此外，可以减少晶片边缘处的遮挡面积，保证晶片具有足够大的检测面积。
49.优选的，第一放置槽3的形状与待检测的晶片的形状适配。
50.作为一种实施方式，第一放置槽3的周向设置有缓冲槽4，缓冲槽4的深度小于第一放置槽3的深度。通过在第一放置槽3的周向设置缓冲槽4，从而减小了第一放置槽3侧壁的高度，防止在放置或取出晶片时第一放置槽3的开口对晶片产生碰撞，保证晶片的完整，同时能够减轻放置台1的重量，同时保证第一放置槽3具有足够的强度。
51.作为一种实施方式，第一镂空区2的侧部至少开设有一个取放口5，取放口5沿第一镂空区2向外延伸，直至缓冲槽4的侧壁。通过在第一镂空区2的侧部开设有取放口5，从而方便将晶片放入或取出。
52.具体的，本实施例对取放口5的形状不做限制，例如可以为半圆形、三角形、四方形或多边形等。
53.具体的，缓冲槽4的侧部的相对两侧分别设置有一个取放口5。
54.作为一种实施方式，还包括支撑台6，支撑台6包括第二镂空区7，第二镂空区7与第一镂空区2的位置对应，第二镂空区7的开口用于承载放置台1。通过在支撑台6设置第二镂空区7，使第二镂空区7的开口用于承载放置台1，从而实现支撑台6与放置台1的分离设计，便于对污染或损坏的放置台1进行更换，同时可以更换不同尺寸或不同形状的放置台1，实现对不同尺寸或不同形状的放置台1的更换。
55.可以理解的是，上述提到的“不同尺寸或不同形状的放置台1”，指的是第一镂空区2的不同尺寸或不同形状。
56.作为一种实施方式，沿第二镂空区7的开口周向设置有第二放置槽8，第二放置槽8与放置台1外沿的形状适配，以用于放置放置台1。通过沿第二镂空区7的开口周向设置第二
放置槽8，将放置台1放置在第二放置槽8内，从而防止放置台1与支撑台6的相对位置发生相对移动，进一步保证检测的精确度，防止因放置台1移动而导致的漏检或重复检测的现象发生。
57.具体的，本实施例对第二放置槽8的形状及放置台1的形状不做限制，例如圆形、三角形、四边形或多边形等，只要第二放置槽8的形状与放置台1的外沿形状适配即可。优选的，为了进一步防止放置台1在第二放置槽8内发生旋转，第二放置槽8的形状与放置台1的外沿形状均为四边形。
58.作为一种实施方式，放置台1的高度大于第二放置槽8的深度。通过设置放置台1的高度大于第二放置槽8的深度，从而便于放入或取出放置台1。
59.作为一种未示出的实施方式，为了便于拿取放置台1，放置台1的相对两侧开设有开口。
60.作为一种实施方式，支撑台6下方设置有滑轨，滑轨用于使支撑台6发生滑动。通过在支撑台6下方设置滑轨来移动支撑台6的位置，便于取放支撑台6上的放置台1同时滑轨具有一定的限位作用，能够防止支撑台6左右移动。
61.作为一种实施方式，滑轨连接有齿条，支撑台6的一端连接有旋转手柄9，旋转手柄9套设有齿轮，齿轮与齿条啮合连接，用于带动齿条运动，进而带动支撑台6运动。该设置方式能使支撑台6的移动更加顺畅。
62.实施例2
63.如图4所示，本技术的实施例2提供了一种晶片缺陷检测装置，其包括实施例1的载物台和光源10。使用该载物台的晶片缺陷检测装置不会对光源10发出的光线产生干扰，能够保证晶片缺陷检测装置的检测准确性。
64.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
65.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。