一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪的制作方法

1.本实用新型涉及近红外光谱分析仪领域，具体是一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪。


背景技术：

2.近红外光谱分析技术是一种典型的高效分析技术，这种光谱分析技术是20世纪80年代初发展起来的一项可以实现无损检测的测试技术，它是现代电子技术、光谱分析技术、计算机技术和化学计量技术的集合体，传统的近红外光谱分析仪由光源、样品池、分光器、检测器及计算机这5部分组成，并可分为两大类：固定波长型和扫描型；固定波长型又分为滤光片型与led型，滤光片型近红外光谱分析仪采用若干片干涉滤光片对光源发射出的光进行分光，测量时根据需要的波长转动片轮选择一个合适的滤光片光路，仪器体积大且不方便携带，这种分析仪的单色光的谱带较宽，波长分辨率差，功耗大，有效光功率小，寿命短，led（即发光二极管)型近红外光谱分析仪采用led作为光源，通过不同的发光二极管产生不同波长的光，该类近红外分析仪的光谱半宽过大，达到30nm以上，满足不了精确地选择特定波长的要求，此外，有些仪器上还会采用led加滤光片的方式，同样会出现有效光功率过小的情况，影响了测量精度和准确性；扫描型又分为光栅型、傅里叶型、声光可调滤光器型（a0tf型)和多通道型，光栅型近红外分析仪采用了光栅进行分光，因狭缝的限制而导致其分辨率和灵敏度均较低，且其对光路要求严格，外界光强会影响测试结果，扫描速度较慢，傅里叶型近红外分析仪因带有移动部件，在扫描过程中会发生晃动和偏转，造成干涉信号的不稳定，降低了其灵敏度，声光可调滤光器型（a0tf型)近红外分析仪通过交变电场控制晶体的排列来对复合光进行分光，分光的谱带较宽，分辨率较低，且自然界的杂光会影响分析的结果，多通道型近红外分析仪光源发出的光经过样品后聚焦到固定光栅上，经全息光栅色散后的光由多通道检测器同时检测，其缺点是动态范围有限，且对温度敏感。
3.现有的基于半导体激光器的近红外光谱分析仪需要放置在固定的工作台面上进行工作，不方便调节整个近红外光谱分析仪的高度，也不方便携带和运输。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪，本实用新型基于半导体激光器的近红外光谱分析仪方便调节高度，近红外光谱分析仪、伸缩装置和三脚架之间可拆卸连接，方便携带，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪，包括近红外光谱分析仪，所述近红外光谱分析仪底部固定安装有第一磁吸片，所述第一磁吸片底部磁吸连接有第二磁吸片，所述第二磁吸片外侧壁安装有顶座，所述顶座底部固定安装有伸缩装置，所述伸缩装置包括上柱、下套和底块，所述上柱底部焊接有底块，所述底块外侧壁开设有外螺纹且通过外螺纹和内螺纹螺纹安装在下套内侧壁，所述下套内侧壁开设有内螺纹，所述伸缩装置底部可
拆卸连接有三角架。
7.作为本实用新型进一步的方案：所述近红外光谱分析仪底部安装有机脚。
8.作为本实用新型再进一步的方案：所述近红外光谱分析仪外侧壁一侧安装有显示屏和控制面板。
9.作为本实用新型再进一步的方案：所述伸缩装置底部焊接有螺柱且通过螺柱和螺孔可拆卸安装有三角架。
10.作为本实用新型再进一步的方案：所述三角架包括上块、斜杆和下块，所述斜杆顶部固定连接有上块，所述斜杆底部固定连接有下块。
11.作为本实用新型再进一步的方案：所述第一磁吸片和第二磁吸片磁极相异。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
13.本实用新型基于半导体激光器的近红外光谱分析仪方便调节高度，近红外光谱分析仪、伸缩装置和三脚架之间可拆卸连接，方便携带，先将近红外光谱分析仪、伸缩装置和三角架运输到目的地，将三角架放置在地面上使下块着地，此时将伸缩装置底部的螺柱拧进三角架顶部上块表面的螺孔内，将伸缩装置调节到适当的高度，如需调高则手持上柱顺时针拧动，使上柱底部的底块在下套内侧壁向上旋转，使上柱缓缓伸出下套，如需调低伸缩装置的高度，逆时针转动上柱，原理同上，此时将近红外光谱分析仪放在顶座顶部，由于第一磁吸片和第二磁吸片磁极相异，吸铁石具有异性相吸的特质，近红外光谱分析仪底部固定连接的第一磁吸片被顶座内侧壁的第二磁吸片牢牢吸住，使近红外光谱分析仪稳固的放置在伸缩装置顶部的顶座上，解决现有的基于半导体激光器的近红外光谱分析仪不方便调节整个近红外光谱分析仪的高度，也不方便携带和运输的问题。
附图说明
14.图1为本实用新型实施例的一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪的整体结构示意图一；
15.图2为本实用新型实施例的一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪的整体结构示意图二；
16.图3为本实用新型实施例的一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪的伸缩装置和三角架的结构示意图；
17.图4为本实用新型实施例的一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪的伸缩装置和三角架的剖面结构示意图。
18.图中：1、近红外光谱分析仪；2、显示屏；3、控制面板；4、伸缩装置；401、上柱；402、下套；403、底块；5、三角架；501、上块；502、斜杆；503、下块；6、机脚；7、顶座；8、第一磁吸片；9、第二磁吸片；10、外螺纹；11、内螺纹；12、螺柱；13、螺孔。
具体实施方式
19.下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。除特殊说明的之外，本实施例中所采用到的材料及设备均可从市场购得。所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相
同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解对本技术的限制。
20.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
21.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连通”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中介媒介间相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
22.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
23.请参阅图1～4，本实用新型实施例中，一种基于半导体激光器的近红外光谱分析仪，包括近红外光谱分析仪1，所述近红外光谱分析仪1底部固定安装有第一磁吸片8，所述第一磁吸片8底部磁吸连接有第二磁吸片9，所述第二磁吸片9外侧壁安装有顶座7，所述顶座7底部固定安装有伸缩装置4，所述伸缩装置4包括上柱401、下套402和底块403，所述上柱401底部焊接有底块403，所述底块403外侧壁开设有外螺纹10且通过外螺纹10和内螺纹11螺纹安装在下套402内侧壁，所述下套402内侧壁开设有内螺纹11，所述伸缩装置4底部可拆卸连接有三角架5，本实用新型基于半导体激光器的近红外光谱分析仪方便调节高度，近红外光谱分析仪1、伸缩装置4和三脚架之间可拆卸连接，方便携带。
24.其中，所述近红外光谱分析仪1底部安装有机脚6，支撑稳固。
25.其中，所述近红外光谱分析仪1外侧壁一侧安装有显示屏2和控制面板3，方便工作。
26.其中，所述伸缩装置4底部焊接有螺柱12且通过螺柱12和螺孔13可拆卸安装有三角架5，方便将伸缩装置4安装到三角架5顶部或将伸缩装置4从三角架5顶部拆卸下来。
27.其中，所述三角架5包括上块501、斜杆502和下块503，所述斜杆502顶部固定连接有上块501，所述斜杆502底部固定连接有下块503，支撑稳固。
28.其中，所述第一磁吸片8和第二磁吸片9磁极相异，吸铁石具有异性相吸的特质，近红外光谱分析仪1底部固定连接的第一磁吸片8被顶座7内侧壁的第二磁吸片9牢牢吸住，使近红外光谱分析仪1稳固的放置在伸缩装置4顶部的顶座7上。
29.本实用新型的工作原理是：本实用新型基于半导体激光器的近红外光谱分析仪方便调节高度，近红外光谱分析仪1、伸缩装置4和三脚架之间可拆卸连接，方便携带，先将近红外光谱分析仪1、伸缩装置4和三角架5运输到目的地，将三角架5放置在地面上使下块503着地，此时将伸缩装置4底部的螺柱12拧进三角架5顶部上块501表面的螺孔13内，将伸缩装置4调节到适当的高度，如需调高则手持上柱401顺时针拧动，使上柱401底部的底块403在
下套402内侧壁向上旋转，使上柱401缓缓伸出下套402，如需调低伸缩装置4的高度，逆时针转动上柱401，原理同上，此时将近红外光谱分析仪1放在顶座7顶部，由于第一磁吸片8和第二磁吸片9磁极相异，吸铁石具有异性相吸的特质，近红外光谱分析仪1底部固定连接的第一磁吸片8被顶座7内侧壁的第二磁吸片9牢牢吸住，使近红外光谱分析仪1稳固的放置在伸缩装置4顶部的顶座7上。
30.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。