一种采样装置、相关设备和控制方法与流程

本技术涉及电子，尤其涉及一种采样装置、相关设备和控制方法。

背景技术：

1、概率计算在图像分割、医疗诊断等重要的领域内有着广泛的应用，例如贝叶斯网络模型。但是在大规模的概率模型中，节点与节点之间的依赖关系非常复杂，无法通过贝叶斯公式进行直接求解，一般会采用马尔科夫链蒙特卡洛(markov chain monte carlo，mcmc)的方法进行求解。而在采用mcmc方法求解概率模型的过程中，需要对概率模型中大量的条件概率分布进行采样操作，对于用于计算的硬件而言，例如中央处理器(centerprocessing unit，cpu)或者图形处理器(graphic processing unit，gpu)，目前用于实现采样操作的采样电路需要在cpu或gpu芯片上占用较大的面积。

2、然而，目前工艺对于芯片面积是有一定限度要求的，在芯片面积不变的情况下，要想使得芯片具有更多、更强的功能，就需要追求在面积有限的芯片上集成更多的电路或者器件，也即是说，芯片中的电路或器件需要做得越来越小，占用更少的面积才能满足人们对于芯片具有更多、更强功能的需求。因此，如何提供一种占用面积较小的采样装置，减少实现采样操作对于芯片面积的开销，是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种采样装置、相关设备和控制方法，能够减少实现采样操作对于芯片面积的开销。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种采样装置，可包括第一采样平面、第一供压电路、x个第二供压电路、控制器和读取电路，所述第一采样平面包括x个第一铁电电容；x为大于0的整数；其中，所述x个第一铁电电容中每个第一铁电电容的第一电极与所述第一供压电路连接；所述第一供压电路用于为每个所述第一铁电电容的所述第一电极提供第一电压；所述x个第一铁电电容中第x个第一铁电电容的第二电极与所述x个第二供压电路中第x个第二供压电路连接；x取1、2、……、x，所述第x个第二供压电路用于为所述第x个第一铁电电容的所述第二电极提供第二电压；所述控制器分别与所述第一供压电路和所述x个第二供压电路连接；所述控制器用于：接收采样指令，所述采样指令包括x个概率值；基于所述x个概率值分别控制所述第一供压电路和/或所述x个第二供压电路调整所述第一电压和/或所述第二电压；所述第x个第一铁电电容上的所述第一电压和所述第二电压的电压差对应所述x个概率值中的第x个概率值；所述读取电路用于读取每个所述第一铁电电容的极化方向；其中，每个所述第一铁电电容的极化方向基于所述第一电压和所述第二电压的电压差在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

3、本技术实施例中，提供一种基于铁电电容的采样装置，当该采样装置用于实现采样操作时，能够减少采样电路或采样装置对于芯片面积的占用，使得芯片能有更多富余面积集成其它功能的电路或装置，满足人们对于芯片具有更多、更强功能的需求。具体地，例如在利用该采样装置针对某一随机事件(如事件a)进行采样时，可通过铁电电容模拟该事件a的发生过程，确定该事件a对应的多种不同结果是否发生，达到对事件a采样的目的，首先可以通过调整铁电电容两端的电压差，将不同铁电电容的极化方向翻转概率与事件a不同结果发生的概率对应，使得铁电电容的极化方向可以按照一定概率翻转；然后再读取铁电电容极化方向的翻转情况，因为实际事件的不同结果之间一般是存在互斥关系，因此可以基于读取结果确定出一个极化方向发生翻转的铁电电容，认为该铁电电容对应的事件a的某一结果发生了，并作为本次采样的采样结果。综上，本技术提供的基于铁电电容的采样装置在用于实际采样过程中，各个铁电电容的极化方向翻转概率分布与概率事件不同结果的概率分布一致，且针对上述采样结果的判断逻辑也符合实际事件的发展规律，因此，本技术提供的采样装置可用于实际采样过程。就目前工艺而言，铁电电容的面积要小于寄存器的面积，因此，区别于利用较多寄存器实现采样操作的方案，本技术提供的采样装置占用芯片的面积也较小；此外，本技术提供的采样装置中，采样平面中x个铁电电容的上电极或下电极(即第一电极)可以共用一个供压电路(即第一供压电路)，减少了供压电路的数量，从而进一步减少该采样装置对于芯片面积的占用。

4、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极与所述读取电路连接。

5、本技术实施例中，采样装置中的读取电路可以与铁电电容的上电极或者下电极连接，使得采样装置的电路实现更具有灵活性，从而提高采样装置的适用性。

6、在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括上电极或下电极，所述第二电极包括上电极或下电极，所述第一电极与所述第二电极为不同电极。

7、本技术实施例中，采样装置中铁电电容的第一电极可以是上电极，也可以是下电极，采样平面中多个铁电电容的第一电极可以与第一供压电路连接，也即是说，共用第一供压电路的可以是多个铁电电容的上电极，也可以是多个铁电电容的下电极，使得采样装置的实现更具有灵活性，从而提高采样装置的适用性。

8、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路包括第一场效应管或第一数模转换电路；所述x个第二供压电路包括第二场效应管或第二数模转换电路。

9、本技术实施例中，采样装置中的第一供压电路可以是场效应管，也可以是数模转换电路；第二供压电路可以是场效应管，也可以是数模转换电路，也即是说，采样装置包括的两组供压电路可以都是场效应管或者数模转换电路，也可以场效应管和数模转换电路的组合。由于场效应管和数模转换电路的结构简单，面积较小，采样装置利用它们为铁电电容两端的上电极和下电极提供电压，不仅能够进一步减少芯片面积的开销。

10、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路或所述x个第二供压电路集成于所述读取电路中。

11、本技术实施例中，采样装置中用于为铁电电容的上电极或下电极提供电压的供压电路，可以集成在读取电路中，复用读取电路中的部分结构，从而可以减少电路开销，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

12、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容的所述第一电极和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

13、本技术实施例中，采样装置中同一个采样平面内，可以包括多组(例如y组)铁电电容，不同组中的多个铁电电容的第一电极(如上电极)可以共用同一个供压电路(即第一供压电路)，也即是说，一个供压电路可以为同一采样平面中的x*y个铁电电容的第一电极提供电压，这极大地减少了供压电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

14、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第二铁电电容中第x个第二铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第x个第二供压电路；x取1、2、……、x。

15、本技术实施例中，采样装置中同一个采样平面内，可以包括多组(例如y组)铁电电容，不同组中序号相同(x取值相同时)的多个铁电电容的第二电极(如下电极)可以共用同一个供压电路(即第x个第二供压电路)，也即是说，一个供压电路可以为同一采样平面中的y个铁电电容的第二电极提供电压，这极大地减少了供压电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

16、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极与每个所述第一铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

17、本技术实施例中，采样装置中包括多个采样平面(例如s个采样平面)，不同采样平面中的多个组的铁电电容的第一电极(如上电极)可以共用同一个供压电路(即第一供压电路)，也即是说，一个供压电路可以为不同采样平面中的s*y个铁电电容的第一电极提供电压；此外，若同一采样平面的不同组中的铁电电容也可以共用该供压电路时，则一个供压电路可以为不同采样平面中的s*x*y个铁电电容的第一电极提供电压，这极大地减少了供压电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

18、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第三铁电电容中第x个第三铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第二供压电路；x取1、2、……、x。

19、本技术实施例中，采样装置中包括多个采样平面(例如s个采样平面)，不同采样平面内不同组中序号相同(x取值相同时)的多个铁电电容的第二电极(如下电极)可以共用同一个供压电路(即第x个第二供压电路)，也即是说，一个供压电路可以为不同采样平面中的s*y个铁电电容的第二电极提供电压，当同一采样平面中序号相同的多个组的铁电电容的第一电极也可以共用该供压电路时，则一个该供压电路可以为不同采样平面中的s*x*y个铁电电容的第一电极提供电压，这极大地减少了供压电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

20、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路；所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

21、本技术实施例中，采样装置中同一个采样平面内可以包括多组铁电电容，同一组中的多个铁电电容的第一电极或者第二电极(如上电极)可以共用同一个读取电路(即读取电路)，且不同组中的多个铁电电容也可以共用该读取电路，也即是说，一个读取电路可以将同一采样平面中的x*y个铁电电容的极化方向的翻转情况读取出来，这极大地减少了读取电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

22、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

23、本技术实施例中，采样装置中可以包括多个采样平面(例如s个采样平面)，每个采样平面可以包括一组或多组铁电电容(例如y组)，不同采样平面中不同组内的多个铁电电容的第一电极或者第二电极(如上电极)可以共用同一个读取电路(即读取电路)，也即是说，一个读取电路可以将不同采样平面中的s*y个铁电电容的极化方向的翻转情况读取出来；并且，若同一采样平面的不同组中的铁电电容也可以共用该读取时，则一个读取电路可以将不同采样平面中的s*x*y个铁电电容的极化方向的翻转情况读取出来，这极大地减少了读取电路的数量，进一步减少采样装置对于芯片面积的占用。

24、在一种可能的实现方式中，当所述第一电极的所述第一电压和所述第二电极的所述第二电压之间的电压差大于或等于预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向在所述第一极化方向和所述第二极化方向之间进行翻转；当所述电压差小于所述预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向按照所述电压差对应的概率值在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

25、本技术实施例中，采样装置包括一个或多个铁电电容的极化方向的翻转，与铁电电容两端的电压差有关，当电压差到达一定数值时，铁电电容的极化方向将会翻转；当电压差未能到达一定数值时，铁电电容的极化方向将会按照电压差具体数值对应的概率值进行翻转。

26、第二方面，本技术实施例提供了一种采样装置，可包括第一供压电路、x个第二供压电路、控制器和读取电路，所述采样装置与第一采样平面耦合，所述第一采样平面包括x个第一铁电电容；x为大于0的整数；其中，所述x个第一铁电电容中每个第一铁电电容的第一电极与所述第一供压电路连接；所述第一供压电路用于为每个所述第一铁电电容的所述第一电极提供第一电压；所述x个第一铁电电容中第x个第一铁电电容的第二电极与所述x个第二供压电路中第x个第二供压电路连接；x取1、2、……、x，所述第x个第二供压电路用于为所述第x个第一铁电电容的所述第二电极提供第二电压；所述控制器分别与所述第一供压电路和所述x个第二供压电路连接；所述控制器用于：接收采样指令，所述采样指令包括x个概率值；基于所述x个概率值分别控制所述第一供压电路和/或所述x个第二供压电路调整所述第一电压和/或所述第二电压；所述第x个第一铁电电容上的所述第一电压和所述第二电压的电压差对应所述x个概率值中的第x个概率值；所述读取电路用于读取每个所述第一铁电电容的极化方向；其中，每个所述第一铁电电容的极化方向基于所述第一电压和所述第二电压的电压差在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

27、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极与所述读取电路连接。

28、在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括上电极或下电极，所述第二电极包括上电极或下电极，所述第一电极与所述第二电极为不同电极。

29、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路包括第一场效应管或第一数模转换电路；所述x个第二供压电路包括第二场效应管或第二数模转换电路。

30、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路或所述x个第二供压电路集成于所述读取电路中。

31、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容的所述第一电极和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

32、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第二铁电电容中第x个第二铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第x个第二供压电路；x取1、2、……、x。

33、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还与第二采样平面耦合，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极与每个所述第一铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

34、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还与第二采样平面耦合，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第三铁电电容中第x个第三铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第二供压电路；x取1、2、……、x。

35、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路；所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

36、在一种可能的实现方式中，所述采样装置还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

37、在一种可能的实现方式中，当所述第一电压和所述第二电压的电压差大于或等于预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向在所述第一极化方向和所述第二极化方向之间进行翻转；当所述电压差小于所述预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向按照所述电压差对应的概率值在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

38、第三方面，本技术实施例提供了一种铁电电容阵列，可包括第一采样平面，所述第一采样平面包括x个第一铁电电容，所述第一采样平面与采样装置耦合，所述采样装置包括第一供压电路、x个第二供压电路、控制器和读取电路；x为大于0的整数；其中，所述x个第一铁电电容中每个第一铁电电容的第一电极与所述第一供压电路连接；所述第一供压电路用于为每个所述第一铁电电容的所述第一电极提供第一电压；所述x个第一铁电电容中第x个第一铁电电容的第二电极与所述x个第二供压电路中第x个第二供压电路连接；x取1、2、……、x，所述第x个第二供压电路用于为所述第x个第一铁电电容的所述第二电极提供第二电压；所述控制器分别与所述第一供压电路和所述x个第二供压电路连接；所述控制器用于：接收采样指令，所述采样指令包括x个概率值；基于所述x个概率值分别控制所述第一供压电路和/或所述x个第二供压电路调整所述第一电压和/或所述第二电压；所述第x个第一铁电电容上的所述第一电压和所述第二电压的电压差对应所述x个概率值中的第x个概率值；所述读取电路用于读取每个所述第一铁电电容的极化方向；其中，每个所述第一铁电电容的极化方向基于所述第一电压和所述第二电压的电压差在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

39、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极与所述读取电路连接。

40、在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括上电极或下电极，所述第二电极包括上电极或下电极，所述第一电极与所述第二电极为不同电极。

41、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路包括第一场效应管或第一数模转换电路；所述x个第二供压电路包括第二场效应管或第二数模转换电路。

42、在一种可能的实现方式中，所述第一供压电路或所述x个第二供压电路集成于所述读取电路中。

43、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容的所述第一电极和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

44、在一种可能的实现方式中，所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第二铁电电容中第x个第二铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第x个第二供压电路；x取1、2、……、x。

45、在一种可能的实现方式中，所述铁电电容阵列还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极与每个所述第一铁电电容的所述第一电极，以并联方式与所述第一供压电路连接，共用所述第一供压电路。

46、在一种可能的实现方式中，所述铁电电容阵列还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，所述第x个第一铁电电容的所述第二电极与所述x个第三铁电电容中第x个第三铁电电容的所述第二电极，以并联方式与所述第x个第二供压电路连接，共用所述第二供压电路；x取1、2、……、x。

47、在一种可能的实现方式中，每个所述第一铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路；所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第二铁电电容中每个第二铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

48、在一种可能的实现方式中，所述铁电电容阵列还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容，每个所述第一铁电电容和所述x个第三铁电电容中每个第三铁电电容的所述第一电极或所述第二电极，以并联方式与所述读取电路连接，共用所述读取电路。

49、在一种可能的实现方式中，当所述第一电压和所述第二电压的电压差大于或等于预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向在所述第一极化方向和所述第二极化方向之间进行翻转；当所述电压差小于所述预设阈值时，对应的第一铁电电容的极化方向按照所述电压差对应的概率值在第一极化方向和第二极化方向之间进行翻转。

50、第四方面，本技术实施例提供了一种控制方法，该方法适用于上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置。该方法包括：通过所述控制器控制所述第一供压电路和/或所述x个第二供压电路对所述第一电压和/或所述第二电压进行第一调整，将每个所述第一铁电电容的极化方向初始化为所述第一极化方向；通过所述控制器接收采样指令，所述采样指令包括x个概率值；并基于所述x个概率值分别控制所述第一供压电路和/或所述x个第二供压电路对所述第一电压和或所述第二电压进行第二调整，所述第x个第一铁电电容上的所述第一电压和所述第二电压的电压差对应所述x个概率值中的第x个概率值；通过所述读取电路读取铁电电容每个所述第一铁电电容的极化方向；其中，每个所述第一铁电电容的极化方向基于所述第一电压和所述第二电压的电压差从所述第一极化方向翻转到所述第二极化方向。

51、本技术实施例中，在利用上述采样装置进行采样之前，可以先对铁电电容的极化方向进行初始化，使其回到初始状态(即第一极化方向，也可以是第二极化方向)；因为实际事件的不同结果之间一般是存在互斥关系的，在完成采样后，读取电路只需读取本次采样后铁电电容的极化方向的状态，即可逐一确定铁电电容的极化方向是否发生翻转(可以按照一定顺序逐一确定，也可以随机逐一确定)，并可以将第一个发生翻转的铁电电容的极化方向作为采样结果；若确定到最后一个铁电电容时，前面仍无铁电电容的极化方向发生翻转，则可以不用判断最后一个铁电电容的极化方向是否发生翻转，可认为最后一个铁电电容的极化方向发生了翻转，并作为采样结果。若在采样之前不进行铁电电容极化方向的初始化，则需要额外的存储器件，对本次采样前铁电电容的极化方向状态进行记录保存，并需要将本次采样结束后铁电电容的极化方向状态与存储器件记录保存的本次采样前的状态进行对比，才能确定出铁电电容的极化方向是否发生翻转；此外，由于铁电电容极化方向的翻转概率与铁电电容当前处于的状态也有关，若不进行初始化，则在实际采样调整铁电电容两端电压的过程中，可能会出现有的铁电电容的上电极电压大于下电极电压，而有的铁电电容的上电极电压小于下电极电压，电路复杂度较高，可能需要特定的供压电路才能实现。因此，当本技术实施例提供的采样装置使用本技术提供的控制方法实现采样操作时，可以简化采样逻辑，降低采样装置对于供压电路的要求，提高采样装置的适用性。

52、在一中可能的实现方式中，所述方法，还包括：当所述第一采样平面还包括x个第二铁电电容时，通过所述读取电路读取每个所述第二铁电电容的极化方向。

53、本技术实施例中，利用上述采样装置进行采样时，可以同时利用同一采样平面中多个组(例如y组)的铁电电容进行采样，也即是说，可以利用一个采样平面对某一概率事件同时采样y次，能够有效提高采样效率。

54、在一中可能的实现方式中，当所述采样装置还包括第二采样平面，所述第二采样平面包括x个第三铁电电容时，通过所述读取电路读取每个所述第三铁电电容的极化方向。

55、本技术实施例中，利用上述采样装置进行采样时，在通过某一采样平面完成一次采样后，后续的采样可以先通过其它采样平面进行，考虑到铁电电容的极化方向的翻转次数有限，利用不同采样平面进行采样，可以将采样的工作负载分摊在不同采样平面上，使得不同铁电电容的翻转次数可以均衡，以此延长采样装置的使用寿命，降低维护成本。当然，也可以同时利用不同采样平面同时进行采样，能够有效提高采样效率。

56、第五方面，本技术实施例提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置。

57、第六方面，本技术实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置；该电子设备还包括主处理器，该主处理器与该采样装置耦合，该主处理器用于向该采样装置发送采样指令以及接收该采样装置的采样结果；该电子设备还包括存储器，该存储器用于保存该主处理器和该采样装置运行时必要的程序指令和数据；该电子设备还可以包括通信接口，用于该电子设备与其他设备或通信网络通信。

58、第七方面，本技术实施例提供了一种电子设备，该电子设备具有实现上述第四方面中任意一种采样装置的控制方法的功能。该功能可以通过硬件实现，也可以通过硬件执行相应的软件实现。该硬件或软件包括一个或多个与上述功能相对应的模块。

59、第八方面，本技术提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被采样装置执行时，使得该采样装置可以执行上述第四方面中任意一项所述的控制方法流程。

60、第九方面，本技术实施例提供了一种计算机程序，该计算机程序包括指令，当该计算机程序被上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置执行时，使得该采样装置可以执行上述第四方面中任意一项所述的控制方法流程。

61、第十方面，本技术提供了一种芯片系统，该芯片系统包括上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置。在一种可能的设计中，所述芯片系统还包括处理器和存储器，所述存储器，用于保存所述采样装置和所述处理器的必要或相关的程序指令和数据。该芯片系统，可以由芯片构成，也可以包含芯片和其它分立器件。

62、第十一方面，本技术提供一种片上系统soc芯片，该soc芯片包括上述第一方面和第二方面以及结合第一方面和第二方面可能的实现方式中任一种提供的采样装置、与所述采样装置耦合的处理器、内部存储器和外部存储器，所述内部存储器和外部存储器，用于保存所述采样装置和所述处理器的必要或相关的程序指令和数据。该soc芯片，可以由芯片构成，也可以包含芯片和其他分立器件。