Die的缺陷扫描检测分析方法与流程

die的缺陷扫描检测分析方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种die的缺陷扫描检测分析方法。


背景技术：

2.在半导体技术中的发展中，缺陷是影响晶圆良率的主要原因，所以缺陷扫描在半导体制造中占据主要地位；针对小尺寸的die(die大小小于2um时)晶圆需要进行缺陷扫描时，以现有的光学扫描机台，无法识别出小于2um的die，所以以现有的技术小die需要进行缺陷扫描时，需要把多个die合并成一个较大的die进行缺陷扫描(请参阅图1)。
3.但是die合并后的die和实际的die会有失真，由于光学扫描机台是die间逐个对比，所以合并die后缺陷扫描容易发生缺陷扫描偏移(defect scan shift)现象(请参阅图2、3)。针对缺陷扫描偏移问题，以现有的技术筛选容易丢失真实缺陷并且易造成缺出来的缺陷图上的信号比较多(defect scan hot)，存在杂乱的信息(比如真实的有50颗，但由于一些失真信号的影响扫描出来500颗)。
4.为此，针对以上原因需要一套针对小尺寸die缺陷扫描的方法。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种die的缺陷扫描检测分析方法，用于解决现有技术中die合并后的die和实际的die会有失真，合并die后缺陷扫描容易发生缺陷扫描偏移现象，针对缺陷扫描偏移问题，以现有的技术筛选容易丢失真实缺陷并且易造成缺陷扫描热点的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种die的缺陷扫描检测分析方法包括：
7.步骤一、提供扫描机台，在所述扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；
8.步骤二、将所述待检测晶圆中多个die整合为多个第一测试区，利用所述扫描机台对所述第一测试区进行缺陷检测并得到其缺陷分布图像；
9.步骤三、根据所述缺陷分布图像判断缺陷类型；
10.若所述缺陷类型不为线分布或聚集点分布，则输出扫描结果；
11.若所述缺陷类型为线分布或聚集点分布，则判断为线分布或聚集点分布的缺陷是否为所述扫描机台扫描造成的缺陷扫描偏移：
12.若没有发生缺陷扫描偏移，则输出扫描结果；
13.若发生缺陷扫描偏移，则将包括线分布或聚集点分布缺陷区域对应的所述die整合为第二测试区，对所述扫描机台进行参数调整以去除造成缺陷扫描偏移的信号，之后输出扫描结果。
14.优选地，步骤一中的所述扫描机台为光学扫描机台。
15.优选地，步骤一中的所述版图文件为所述待检测晶圆的gds文件。
16.优选地，步骤二中的所述die的尺寸小于2微米。
17.优选地，步骤二中的所述第一测试区包括两行相邻且每行为三个的所述die。
18.优选地，步骤三中造成所述缺陷扫描偏移的信号包括能量信号和点信号。
19.优选地，步骤三中利用所述缺陷的信号值大于所述扫描机台的设置阈值定义出所述缺陷扫描偏移。
20.如上所述，本发明的die的缺陷扫描检测分析方法，具有以下有益效果：
21.本发明在光学扫描机台端中导入产品的版图文件，当缺陷扫描时，如果发现存在缺陷集中于一条线或者集中在固定的聚集点的问题，将这些缺陷区域和版图文件对比生成一个新的测试区域，并把这个测试区域来进行参数的调整，从而减少了在对缺陷图像筛选时丢失真实缺陷的几率，也不易造成造成缺出来的缺陷图上的信号比较多的问题。
附图说明
22.图1显示为现有技术中合并后的die示意图；
23.图2显示为现有技术中晶圆局部分缺陷扫描偏移示意图；
24.图3显示为现有技术中晶圆整体缺陷扫描偏移示意图；
25.图4显示为本发明的改进后扫描示意图；
26.图5显示为本发明的方法示意图。
具体实施方式
27.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
28.请参阅图5，本发明提供一种die的缺陷扫描检测分析方法包括：
29.步骤一，提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；
30.在一种可选的实施方式中，步骤一中的扫描机台为光学扫描机台。
31.在一种可选的实施方式中，步骤一中的版图文件为待检测晶圆的gds文件。
32.步骤二，针对小尺寸的di,晶圆需要进行缺陷扫描时，以现有的光学扫描机台，无法识别出小于2um的die，所以以现有的技术小die需要进行缺陷扫描时，需要把多个die合并成一个较大的die进行缺陷扫描，为此，需要将待检测晶圆中多个die整合为多个第一测试区，利用扫描机台对第一测试区进行缺陷检测并得到其缺陷分布图像；
33.在一种可选的实施方式中，步骤二中的die的尺寸小于2微米。
34.在一种可选的实施方式中，请参阅图1，步骤二中的第一测试区包括两行相邻且每行为三个的die，即为一个2*3个die的矩阵分布的测试区。
35.步骤三，根据缺陷分布图像判断缺陷类型；
36.若缺陷类型不为线分布或聚集点分布，说明扫描结果并没有发生缺陷扫描偏移现象，则输出扫描结果；
37.若缺陷类型为线分布或聚集点分布，则判断为线分布或聚集点分布的缺陷是否为扫描机台扫描造成的缺陷扫描偏移：
38.若没有发生缺陷扫描偏移，则输出扫描结果；
39.若发生缺陷扫描偏移，则将包括线分布或聚集点分布缺陷区域对应的die整合为第二测试区，即把原先的区域重新划分出一个区域，对扫描机台进行参数调整以去除造成缺陷扫描偏移的信号，之后输出扫描结果。
40.在一种可选的实施方式中，步骤三中造成缺陷扫描偏移的信号包括能量信号和点信号，这些杂乱的信号会对扫描结构造成影响，需要将其过滤掉。
41.在一种可选的实施方式中，版图偏移信号定义是根据机台的扫描结果确认的，里面有每一个缺陷的信号值，我们定义为版图偏移信号值，这个值在扫描机台端的参数中，可以直接定义的，据机台端信号值的大小定义，超过这个值我们就定义为偏移信号，也就是说，步骤三中利用缺陷的信号值大于扫描机台的设置阈值定义出缺陷扫描偏移。
42.在一种可选的实施方式中，请参阅图4，利用该方法过滤杂乱的信号后，留下那些真实的信号，其扫描结果减少了在对缺陷图像筛选时丢失真实缺陷的几率，也不易造成造成缺出来的缺陷图上的信号比较多的问题。
43.需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
44.综上所述，本发明在光学扫描机台端中导入产品的版图文件，当缺陷扫描时，如果发现存在缺陷集中于一条线或者集中在固定的聚集点的问题，将这些缺陷区域和版图文件对比生成一个新的测试区域，并把这个测试区域来进行参数的调整，从而减少了在对缺陷图像筛选时丢失真实缺陷的几率，也不易造成造成缺出来的缺陷图上的信号比较多的问题。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
45.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。