节点接触的电阻测量方法及设备与流程

1.本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种节点接触的电阻测量方法及设备。


背景技术：

2.dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)是一种内部存储器，包括一个或多个存储阵列，每个存储阵列由m
×
n个的存储单元组成，每个存储单元可以存储一位数据。存储单元通过存储电容进行电荷的存储，nc(node contact，节点接触)用于连接晶体管和存储电容，nc的电阻会影响对存储电容的数据读写速度。nc的电阻越大，读写速度越小，读写时延较大。从而，确定nc的电阻对提高dram的读写速度和读写时延具有较重要的指导作用。
3.现有技术中，nc的电阻测量过程是测量一组电压和电流的过程。例如，可以在dram的主体(body)和nc上分别连接测试探针，以通过测试探针测试主体和nc之间的电压差和对应的电流。从而，可以通过该电压和电流计算得到nc的电阻。
4.然而，上述方法测试得到的nc的电阻准确度较低。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供一种节点接触的电阻测量方法及设备，以提高nc的电阻准确度。
6.第一方面，本公开实施例提供一种节点接触的电阻测量方法，所述方法包括：
7.从dram上确定至少三条通路，每条所述通路依次包括：第一部件、所述dram上晶体管的衬底以及第二部件，所述第一部件为所述dram的第一主体，所述第二部件为所述dram的节点接触或所述dram的第二主体，不同所述通路包括不同长度的所述衬底；
8.分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻；
9.根据至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
10.在一些实施方式中，所述根据至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻，包括：
11.确定任意两条所述通路中的所述衬底之间的长度比值；
12.通过所述长度比值确定所述至少三条通路中所述衬底的电阻之间的函数关系；
13.根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
14.在一些实施方式中，所述根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻，包括：
15.根据每个所述通路创建一个函数关系，所述函数关系是所述通路的通路电阻与所述通路中的第一主体的电阻、所述衬底的电阻以及所述第二部件的电阻之间的对应关系；
16.对所述通路的所述函数关系以及所述衬底的电阻之间的函数关系进行求解，得到
所述节点接触的电阻。
17.在一些实施方式中，所述从dram上确定至少三条通路，包括：
18.从所述dram中选取所述衬底均匀分布的目标区域；
19.从所述目标区域中确定所述至少三条通路。
20.在一些实施方式中，不同所述通路的所述第一部件共用同一所述第一主体，和/或，不同所述通路的所述第一部件使用不同的所述第一主体。
21.在一些实施方式中，所述从所述目标区域中确定所述至少三条通路，包括：
22.从所述目标区域中选取两个相邻主体，分别作为所述第一主体和所述第二主体；
23.从所述目标区域中选取至少两个节点接触；
24.根据所述第一主体、所述第二主体和所述至少两个节点接触确定所述至少三条通路，一条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和所述第二主体，至少两条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和一个所述节点接触。
25.在一些实施方式中，所述从所述目标区域中选取至少两个节点接触，包括：
26.从所述相邻主体之间的节点接触中选取至少两个节点接触，所述至少两个节点接触与所述相邻主体位于同一直线上。
27.在一些实施方式中，所述至少两个节点接触在所述第一主体和所述第二主体之间均匀分布。
28.在一些实施方式中，选取的所述节点接触为两个或三个，所述通路为三个或四个。在一些实施方式中，所述分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻，包括：
29.针对每个所述通路，在所述通路的第一部件连接第一测试探针，以及，在所述通路的第二部件连接第二测试探针；
30.通过所述第一测试探针和所述第二测试探针对所述通路进行测试，得到所述通路的两端的电压差和经过所述通路的电流；
31.根据所述电压差和所述电流确定所述通路的通路电阻。
32.在一些实施方式中，所述第一测试探针与所述第一主体的连接位置是距离所述节点接触最近的位置；当所述第二部件为所述第二主体时，所述第二测试探针与所述第二主体的连接位置是距离所述节点接触最近的位置。
33.在一些实施方式中，所述方法还包括：
34.对所述dram进行处理，以使所述dram的多晶硅栅极层暴露在外，并进入分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻的步骤。
35.第二方面，本公开实施例提供一种节点接触的电阻测量装置，包括：
36.通路确定模块，用于从dram上确定至少三条通路，每条所述通路依次包括：第一部件、所述dram上晶体管的衬底以及第二部件，所述第一部件为所述dram的第一主体，所述第二部件为所述dram的节点接触或所述dram的第二主体，不同所述通路包括不同长度的所述衬底；
37.通路电阻测试模块，用于分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻；
38.电阻确定模块，用于根据至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
39.在一些实施方式中，所述电阻确定模块还用于：
40.确定任意两条所述通路中的所述衬底之间的长度比值；
41.通过所述长度比值确定所述至少三条通路中所述衬底的电阻之间的函数关系；
42.根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
43.在一些实施方式中，所述电阻确定模块还用于：
44.在根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻时，根据每个所述通路创建一个函数关系，所述函数关系是所述通路的通路电阻与所述通路中的第一主体的电阻、所述衬底的电阻以及所述第二部件的电阻之间的对应关系；
45.对所述通路的所述函数关系以及所述衬底的电阻之间的函数关系进行求解，得到所述节点接触的电阻。
46.在一些实施方式中，所述通路确定模块还用于：
47.在从dram上确定至少三条通路时，从所述dram中选取所述衬底均匀分布的目标区域；
48.从所述目标区域中确定所述至少三条通路。
49.在一些实施方式中，不同所述通路的所述第一部件共用同一所述第一主体，和/或，不同所述通路的所述第一部件使用不同的所述第一主体。
50.在一些实施方式中，所述通路确定模块还用于：
51.在从所述目标区域中确定所述至少三条通路时，从所述目标区域中选取两个相邻主体，分别作为所述第一主体和所述第二主体；
52.从所述目标区域中选取至少两个节点接触；
53.根据所述第一主体、所述第二主体和所述至少两个节点接触确定所述至少三条通路，一条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和所述第二主体，至少两条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和一个所述节点接触。
54.在一些实施方式中，所述从所述目标区域中选取至少两个节点接触，包括：
55.从所述相邻主体之间的节点接触中选取至少两个节点接触，所述至少两个节点接触与所述相邻主体位于同一直线上。
56.在一些实施方式中，所述至少两个节点接触在所述第一主体和所述第二主体之间均匀分布。
57.在一些实施方式中，选取的所述节点接触为两个或三个，所述通路为三个或四个。
58.在一些实施方式中，所述通路电阻测试模块还用于：
59.在分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻时，针对每个所述通路，在所述通路的第一部件连接第一测试探针，以及，在所述通路的第二部件连接第二测试探针；
60.通过所述第一测试探针和所述第二测试探针对所述通路进行测试，得到所述通路的两端的电压差和经过所述通路的电流；
61.根据所述电压差和所述电流确定所述通路的通路电阻。
62.在一些实施方式中，所述第一测试探针与所述第一主体的连接位置是距离所述节
点接触最近的位置；当所述第二部件为所述第二主体时，所述第二测试探针与所述第二主体的连接位置是距离所述节点接触最近的位置。
63.在一些实施方式中，所述装置还包括：
64.预处理模块，用于对所述dram进行处理，以使所述dram的多晶硅栅极层暴露在外，并进入所述通路确定模块。
65.第三方面，本公开实施例还提供一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；
66.所述存储器存储计算机执行指令；
67.所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述电子设备实现第一方面所述的方法。
68.第四方面，本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算设备执行所述计算机执行指令时，使计算设备实现如第一方面所述的方法。
69.第五方面，本公开实施例还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品用于执行第一方面所述的方法。
70.本公开实施例提供的节点接触的电阻测量方法及设备，可以确定多条通路，以对每条通路进行测试，得到该通路的通路电阻。每条通路的通路电阻与该通路中包括的各个结构的电阻构成一个方程式，从而可以得到多个这样的方程式。这样，就可以结合多个方程式求解得到通路中的节点接触的电阻。求解得到的节点接触的电阻就是从通路的通路电阻中提取的节点接触的电阻，并不包括通路中主体的电阻和衬底的电阻，提高了节点接触的电阻的准确度。
附图说明
71.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开实施例的实施例，并与说明书一起用于解释本公开实施例的原理。
72.图1是本公开实施例提供的一种dram的侧视结构示意图；
73.图2是本公开实施例提供的一种dram的俯视结构示意图；
74.图3是本公开实施例提供的一种节点接触的电阻测量方法的步骤流程图；
75.图4是本公开实施例提供的一种通路的示意图；
76.图5是本公开实施例提供的一种等效电路的结构示意图；
77.图6至图9是本公开实施例分别提供的四条通路对应的等效电路结构示意图；
78.图10是本公开实施例提供的一种节点接触的电阻测量装置的结构示意图；
79.图11是本公开实施例提供的一种电子设备的结构框图。
80.通过上述附图，已示出本公开实施例明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开实施例构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开实施例的概念。
具体实施方式
81.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例
中所描述的实施方式并不代表与本公开实施例相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开实施例的一些方面相一致的装置和方法的例子。
82.图1是本公开实施例提供的一种dram的侧视结构示意图，图2是本公开实施例提供的一种dram的俯视结构示意图。参照图1和图2所示，dram包括主体(body contact)、晶体管的衬底、wl(word line，字线)、blc(bit line contact，位线接触)、nc、bl(bit line，位线)、sti(shallow trench isolation，浅槽隔离)。从图2中可以看出，主体分散在四周，中间是多个aa(active area，活性区)，每个活性区可以设置至少两个nc，nc之间可以有blc。此外，位线在图中处于竖直方向，存在多条，每条位线连接多个aa，位线通过blc与aa区接触。字线在图2中处于与位线垂直的水平方向，每条字线也连接多个aa。图1中的nc耦接在同一个位线上，在进行nc的电阻测试时，能够保证nc之间的间距相同，有利于进行测试。图2中主体的位置可以调整，使得主体距离nc的位置相同或者基本相同。
83.上述晶体管可以为任意类型的晶体管，例如，nmos(negative channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，n型沟道金属氧化物半导体场效应管)。
84.上述晶体管的漏极可以连接存储电容的一个极板，以向存储电容的该极板写入数据和读取数据。上述wl用于控制晶体管的导通或截止，以控制对存储电容的极板的读写。例如，对于nmos，wl可以通过一个高电平信号导通晶体管，以对存储电容的极板进行读写，相应地，wl还可以通过一个低电平信号截止晶体管，以禁止对存储单元的极板进行读写。
85.在对存储电容的极板进行读写的过程中，晶体管将bl和极板连接起来，从而可以通过bl对极板进行读写。
86.从图1中可以看出，dram的主体、部分衬底和nc构成一通路，从而通过主体和nc之间的电压差和电流计算得到的nc电阻并不准确，其不仅包括nc的电阻，还包括图1中该通路中pn结的电阻、主体的电阻以及部分衬底的电阻。
87.为了更加准确的确定nc的电阻，本公开实施例考虑确定多条上述通路，以对每条通路进行测试，得到该通路的通路电阻。每条通路的通路电阻与该通路中包括的各个结构的电阻构成一个方程式，从而可以得到多个这样的方程式，这样，就可以结合多个方程式求解得到nc的电阻。求解得到的nc的电阻就是从通路的通路电阻中提取的nc的电阻，并不包括通路中主体的电阻和衬底的电阻，提高了nc的电阻准确度。
88.可以看出，本公开实施例得到的nc的电阻包括pn结的电阻和nc本身的电阻，也是说本公开实施例得到的nc的电阻也是一个近似值。但相较于将pn结的电阻、主体的电阻以及部分衬底的电阻之和作为nc的近似电阻，本公开实施例仍然提高了nc的电阻的准确度。
89.图3是本公开实施例提供的一种节点接触的电阻测量方法的步骤流程图。请参照图3，上述方法包括以下步骤s101至s103。
90.s101：从dram上确定至少三条通路，每条通路依次包括：第一部件、dram上晶体管的衬底以及第二部件，第一部件为dram的第一主体，第二部件为dram的节点接触或dram的第二主体，不同通路包括不同长度的衬底。
91.需要说明的是，在dram的各个主体尺寸、密度均相同的情况下，不同主体的电阻相同，也就是说第一主体和第二主体的电阻相同。由于本公开实施例的通路中最多包括主体、衬底和nc，从而为了唯一的确定主体的电阻、衬底的电阻和nc的电阻，需要至少三条通路，以构建三个方程式，并且需要建立不同通路的衬底的电阻之间的关系。
92.由于本公开实施例通过通路构建通路电阻和通路中部件的电阻之间的方程式，以求解nc的电阻，从而，在通路相同时，通路对应的方程式也相同，从而不同方程式的数量不足，导致无法解出nc的电阻。
93.从图1中可以看出，通路中的第一部件和第二部件之间的距离决定了衬底的长度，两者可以相同。当不同通路的衬底长度不同时，可以使不同通路包括的衬底不同，也就是通路不同，进而可以避免由于通路相同而导致无法解出nc的电阻。
94.根据电阻率公式：电阻r＝电阻率ρ
×
长度l/横截面积s，可知，在衬底的分布均匀的场景下，也就是说衬底的电阻率ρ和衬底的横截面积s均固定的情况下，衬底的电阻与衬底的长度l成正比。从而可以根据衬底的长度之间的关系建立不同通路之间的电阻之间的关系。
95.可以看出，上述电阻之间的关系的准确度依赖于前述衬底的分布，在分布均匀的情况下，不同通路中的衬底的电阻之间的关系的准确度较高。相较于在dram的任意区域中选取上述至少三条通路，本公开实施例可以从dram中选取衬底均匀分布的目标区域，然后，从该目标区域中确定至少三条通路。如此，可以有效提高电阻之间的关系的准确度，进而进一步提高nc的电阻的准确度。
96.其中，衬底均匀分布可以理解为：衬底的密度均匀、图1中衬底的深度h均匀。衬底的深度h均匀可以为不同位置的深度h相同。
97.可以理解的是，上述通路可以由第一部件和第二部件决定，在第一部件和第二部件确定之后，第一部件和第二部件之间的衬底也就确定，从而通路即可确定。也就是说，上述选取至少三条通路的过程可以为选取第一部件和第二部件的过程。
98.在选取第一主体时，可以为不同通路选取同一个第一主体，以使不同通路的第一部件共用同一第一主体。如此，在切换到下一个通路以测试通路电阻时，仅需要将第二部件的测试探针进行移动，而不需要移动第一部件的测试探针，有助于降低通路电阻的测试复杂度，节约测试时间，提高测试效率。图4是本公开实施例提供的一种通路的示意图。可以看出，图4中的通路和图1中的通路共用同一个主体。
99.在另一些实施方式中，还可以为不同通路选取同一个第一主体，以使不同通路的第一部件使用不同的第一主体。如此，可以同时实现不同通路的通路电阻的测试，有助于节约测试时间，提高测试效率。
100.在实际应用中，上述至少三条通路中的全部通路可以共用同一个第一主体，或，至少三条通路中的全部通路均使用不同的第一主体，或，至少三条通路中的部分通路共用一个第一主体，而另外部分通路使用不同的第一主体。
101.在一些实施方式中，可以将距离第一主体不同距离的两个不同nc和另一个主体(第二主体)作为三个第二部件，或，将距离第一主体不同距离的三个不同nc作为三个第二部件。
102.当上述三个第二部件包括两个nc和第二主体时，上述从目标区域中确定至少三条通路的过程可以包括：首先，从目标区域中选取两个相邻主体，分别作为第一主体和第二主体。然后，从该目标区域中选取至少两个nc。最后，根据第一主体、第二主体和至少两个nc确定至少三条通路，一条通路的所述第一部件和所述第二部件分别为第一主体和第二主体，至少两条通路的第一部件和第二部件分别为第一主体和一个nc。
103.本公开实施例的上述至少两个nc可以是一个或多个aa区中的nc。
104.图5是本公开实施例提供的一种等效电路的结构示意图。可以将图1中的两个主体分别作为第一主体和第二主体，从图1中两个主体之间的四个nc中选取三个nc，得到图5所示的等效电路。图5中的两个r1是第一主体的电阻和第二主体的电阻，三个r2是从图1中提取的三个nc的电阻，r3至r6分别是四个衬底的电阻。
105.参照图5所示，第一衬底的电阻r3是第一主体和第一个nc之间的衬底的电阻，第二衬底的电阻r4是第一个nc和第二个nc之间的衬底的电阻，第四衬底的电阻r6是第二个nc和第三个nc之间的衬底的电阻，第三衬底的电阻r5是第三个nc和第二主体之间的衬底的电阻。当第一衬底、第二衬底、第三衬底和第四衬底的长度均相同时，上述r3＝r4＝r5＝r6。
106.基于图5所示的等效电路，图6至图9是本公开实施例分别提供的四条通路对应的等效电路结构示意图，不同等效电路对应的通路不同。
107.参照图6所示，当通路的第一部件为第一主体，第二部件为图5中的第一个nc时，第一主体的电阻r1、第一衬底的电阻r3和第一个nc的电阻r2构成一个该通路的等效电路。
108.参照图7所示，当通路的第一部件为第一主体，第二部件为图5中的第二个nc时，第一主体的电阻r1、第一衬底的电阻r3、第二衬底的电阻r4和图5中第二个nc的电阻r2构成该通路对应的等效电路。图7中r3和r4之和也可以理解为第一主体和第二个nc之间的衬底的电阻r34。
109.参照图8所示，当通路的第一部件为第一主体，第二部件为图5中的第二主体时，第一主体的电阻r1、第一衬底的电阻r3、第二衬底的电阻r4、第四衬底的电阻r6、第三衬底的电阻r5和图5中第二主体的电阻r1构成该通路对应的等效电路。图8中r3、r4、r5和r6之和也可以理解为第一主体和第二主体之间的衬底的电阻r35。
110.参照图9所示，当通路的第一部件为第一主体，第二部件为图5中的第三个nc时，第一主体的电阻r1、第一衬底的电阻r3、第二衬底的电阻r4、第四衬底的电阻r6和图5中第三个nc的电阻r2构成该通路对应的等效电路。图9中r3、r4和r6之和也可以理解为第一主体和第三个nc之间的衬底的电阻r36。
111.结合图5至9中可以看出，图7所示的等效电路中的衬底的长度l2大于图6所示的等效电路中的衬底的长度l1，图8所示的等效电路中的衬底的长度l3大于图7所示的等效电路中的衬底的长度l2，图9所示的等效电路中的衬底的长度l4大于图8所示的等效电路中的衬底的长度l2，且小于图8所示的等效电路中的衬底的长度l3。
112.本公开实施例可以从衬底分布均匀的目标区域中选取至少三条通路，并且其中一条通路的两端均为主体，该通路对应的方程式中包括两个未知数：主体的电阻r1和衬底的电阻r35。而其余通路的所述第一部件和所述第二部件分别为第一主体和nc，从而对应的方程式中包括三个未知数：r1、衬底的电阻以及nc的电阻。
113.可以看出，选取的nc为两个时，通路为三个，也就是图6至图8所示的三条通路。此时，本公开实施例即可根据三条通路对应的通路电阻解出nc的电阻。这种算法对通路电阻的测试成本较低，并且方程式较少，以尽可能的降低求解nc的电阻的复杂度，提高确定nc的电阻的效率。
114.此外，当选取的nc为三个时，通路为四条。也就是说，本公开实施例还可以在上述图6至图8所示的三条通路基础上，再将图9所示的通路作为第四条通路。从而，可以通过较
多的一组函数关系排除差异，选择有效的一组函数关系进行计算，有助于进一步提高测试准确度。
115.在一些实施方式中，可以从相邻主体之间的nc中选取至少两个nc，至少两个nc与相邻主体位于同一直线上。如此，可以尽可能的降低衬底对测试的影响，有助于进一步提高测试的准确度。在一些实施方式中，上述至少两个nc在第一主体和第二主体之间均匀分布。如此，可以尽可能的使r3至r6对应的衬底的长度相当，进而使r3至r6的大小相当，这时，不同通路的衬底的电阻是倍数关系，有助于降低nc的电阻的求解复杂度。
116.在一些实施方式中，可以对dram进行处理，以使dram的多晶硅栅极(pg，polycide mos gate)层暴露在外，并进入从dram上确定至少三条通路的步骤。如此，可以更加准确的确定nc和主体的位置，进而更好的确定通路，避免选取的通路异常，有助于进一步提高nc的电阻的准确度。
117.在一些实施方式中，在测试之前还需要确定nc扎针是否良好。当nc产生高亮现象时，可以确定nc扎针良好。如此，可以保证nc上的电性正常，有助于保证测试的顺利进行。当然，还需要保证主体的扎针良好，避免主体和测试探针之间的连接异常。
118.s102：分别对通路进行测试以获取通路的通路电阻。
119.其中，通路电路是通路中各部件的电阻之和，也就是说，通路电阻是通路中的第一部件的电阻、衬底的电阻和第二部件的电阻之和。当通路包括第一主体、衬底和第二主体时，通路电阻是通路中的第一主体的电阻、衬底的电阻和第二主体的电阻之和。当通路包括第一主体、衬底和nc时，通路电阻是通路中的第一主体的电阻、衬底的电阻和nc的电阻之和。
120.本公开实施例可以通过电流和电压差确定通路电阻。首先，针对每个通路，在通路的第一部件连接第一测试探针，以及，在通路的第二部件连接第二测试探针。然后，通过第一测试探针和第二测试探针对通路进行测试，得到通路的两端的电压差和经过通路的电流。最后，根据电压差和电流确定通路的通路电阻，通路电阻是电压差与电流的比值。
121.在实际应用中，可以将通路的其中一端的电压设置为0，以进行测试。测试的方式可以为两种。第一种测试方式中，可以在通路的另一端施加电压，以测试电流。在第二种测试方式中，可以在通路的另一端提供电流，以测试电压。
122.可以看出，在其中一端的电压为0时，两端的电压差就是另一端的电压，如此，可以避免根据两端的电压计算电压差，有助于降低通路电阻的计算复杂度。
123.在一些实施方式中，上述第一测试探针与第一主体的连接位置是距离nc最近的位置。当第二部件为第二主体时，第二测试探针与第二主体的连接位置是距离nc最近的位置。也就是说，第一测试探针和第二测试探针均设置在距离存储阵列距离最近的主体处，如此，可以尽可能的使第一主体和第二主体以及衬底构成的通路在一条直线上，可以降低衬底对通路电阻的影响，有助于提高nc的电阻的准确度。
124.如图4所示，当左侧主体为第一主体，右侧主体为第二主体时，第一主体和第二主体之间存在多个nc，从而，可以将第一测试探针设置在第一主体上的靠右位置，也就是距离nc最近的位置，以及将第二测试探针设置在第二主体上的靠左位置，也就是距离nc最近的位置。
125.此外，在使用纳米测试探针(nanoprobe)进行电性测试时，尽量避免长时间照射，
以防止积碳的产生，对电性测试造成误差。
126.s103：根据至少三个通路电阻确定节点接触的电阻。
127.其中，至少三个通路电阻中包括至少两个nc的电阻，从而可以三个通路电阻中提取出来nc的电阻。首先，确定任意两条通路中的衬底之间的长度比值。然后，通过长度比值确定至少三条通路中衬底的电阻之间的函数关系。最后，根据函数关系和至少三个通路电阻确定nc的电阻。
128.在确定长度比值时，可以先确定长度最小的衬底，再将其余通路的衬底的长度与该最小长度的比值作为长度比值。
129.考虑电阻率公式如下：电阻r＝电阻率ρ
×
长度l/横截面积s，在衬底的分布均匀的场景下，也就是说衬底的电阻率ρ和衬底的横截面积s均固定的情况下，衬底的电阻与衬底的长度l成正比。从而，其余通路的衬底的电阻可以为长度最小的衬底的电阻与该长度比值的乘积，每个通路的衬底的电阻均可以用最小长度的衬底的电阻表示，这样也就是构建了衬底的电阻之间的函数关系。
130.基于上述不同通路中衬底的电阻之间的函数关系，至少三个通路电阻中共包括三个未知数：主体的电阻、nc的电阻和最小长度的衬底的电阻。这样，可以从中唯一解出这三个未知数，但本公开实施例仅关注nc的电阻，可以不求解主体的电阻、最小长度的衬底的电阻。
131.在一些实施方式中，上述根据上述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个通路电阻确定nc的电阻的过程可以包括：首先，根据每个通路创建一个函数关系，函数关系是通路的通路电阻与通路中的第一主体的电阻、衬底的电阻以及第二部件的电阻之间的对应关系；然后，对通路的函数关系以及衬底的电阻之间的函数关系进行求解，得到nc的电阻。
132.具体地，可以将衬底的电阻之间的函数关系带入通路电阻中，以求解nc的电阻。
133.例如，对于图6至图8所示的三条通路，可以构建三个通路的函数关系。图6对应的等效电路对应一个通路的函数关系：
134.通路电阻r_r1＝r1+r2+r3
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(1)
135.图7对应的等效电路对应一个通路的函数关系：
136.通路电阻r_r2＝r1+r2+r3+r4＝r1+r2+r34
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(2)
137.图8对应的等效电路对应一个通路的函数关系：
138.通路电阻r_r3＝2
×
r1+r3+r4+r6+r5＝2
×
r1+r35
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)
139.此外，还可以构建不同通路的衬底的电阻之间的函数关系。图6对应的通路中的衬底的长度最小，从而可以通过电阻r3表示图7和图8对应的通路中的衬底的电阻r34和r35。当图6中对应的通路中衬底的长度为l1，且图7对应的通路中衬底的长度为l2时，图7对应的通路中衬底的电阻r34和r3之间的函数关系如下：
140.r34＝(l2/l1)
×
r3
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(4)
141.当图8对应的通路中衬底的长度为l3时，图8对应的通路中衬底的电阻r35和r3之间的函数关系如下：
142.r35＝(l3/l1)
×
r3
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(5)
143.其中，l3大于l2大于l1。基于上述函数关系(1)至(5)，可以求解得到nc的电阻r2，nc的电阻r2的公式可以为：
[0144][0145]
此外，还可以在上述图6至图8所示的三条通路之外，还可以结合图9对应的通路，计算nc的电阻。
[0146]
其中，图9对应的等效电路对应一个通路的函数关系：
[0147]
通路电阻r_r4＝r1+r2+r3+r4+r6＝r1+r2+r36
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(7)
[0148]
当图9对应的通路中衬底的长度为l4时，图9对应的通路中衬底的电阻r36和r3之间的函数关系如下：
[0149]
r36＝(l4/l1)
×
r3
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(8)
[0150]
当第三个nc位于第二个nc与第二主体之间时，从图5中可以看出，l4大于l2小于l3。
[0151]
基于上述函数关系(1)至(5)以及(7)和(8)，可以求解得到nc的电阻r2，nc的电阻r2的公式可以为：
[0152][0153]
可以理解的是，l1是第一个nc和第一主体之间的距离，l2是第二个nc和第一主体之间的距离，l2-l1可以为第一个nc和第二个nc之间的距离。
[0154]
在实际应用中，可以根据实际需求选取公式(7)或公式(9)计算得到nc的电阻。可以看出，公式(7)对应的通路较少，测试通路电阻所需要的时长较小，但计算复杂度较高。而(9)对应的通路较多，测试通路电阻所需要的时长较大，但计算复杂度较低。此外，公式(9)还可以通过较多的一组函数关系排除差异，选择有效的一组函数关系进行计算。
[0155]
最后需要说明的是，本公开实施例中的l1至l4可以根据设计时设置的间距确定，也可以通过测量获得。
[0156]
对应于上述方法实施例，图10是本公开实施例提供的一种节点接触的电阻测量装置的结构示意图。请参照图10，上述节点接触的电阻测量装置200，包括：
[0157]
通路确定模块201，用于从dram上确定至少三条通路，每条所述通路依次包括：第一部件、所述dram上晶体管的衬底以及第二部件，所述第一部件为所述dram的第一主体，所述第二部件为所述dram的节点接触或所述dram的第二主体，不同所述通路包括不同长度的所述衬底。
[0158]
通路电阻测试模块202，用于分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻。
[0159]
电阻确定模块203，用于根据至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
[0160]
在一些实施方式中，所述电阻确定模块203还用于：
[0161]
确定任意两条所述通路中的所述衬底之间的长度比值；
[0162]
通过所述长度比值确定所述至少三条通路中所述衬底的电阻之间的函数关系；
[0163]
根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点接触的电阻。
[0164]
在一些实施方式中，所述电阻确定模块203还用于：
[0165]
在根据所述衬底的电阻之间的函数关系和至少三个所述通路电阻确定所述节点
接触的电阻时，根据每个所述通路创建一个函数关系，所述函数关系是所述通路的通路电阻与所述通路中的第一主体的电阻、所述衬底的电阻以及所述第二部件的电阻之间的对应关系；
[0166]
对所述通路的所述函数关系以及所述衬底的电阻之间的函数关系进行求解，得到所述节点接触的电阻。
[0167]
在一些实施方式中，所述通路确定模块201还用于：
[0168]
在从dram上确定至少三条通路时，从所述dram中选取所述衬底均匀分布的目标区域；
[0169]
从所述目标区域中确定所述至少三条通路。
[0170]
在一些实施方式中，不同所述通路的所述第一部件共用同一所述第一主体，和/或，不同所述通路的所述第一部件使用不同的所述第一主体。
[0171]
在一些实施方式中，所述通路确定模块201还用于：
[0172]
在从所述目标区域中确定所述至少三条通路时，从所述目标区域中选取两个相邻主体，分别作为所述第一主体和所述第二主体；
[0173]
从所述目标区域中选取至少两个节点接触；
[0174]
根据所述第一主体、所述第二主体和所述至少两个节点接触确定所述至少三条通路，一条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和所述第二主体，至少两条所述通路的所述第一部件和所述第二部件分别为所述第一主体和一个所述节点接触。
[0175]
在一些实施方式中，所述从所述目标区域中选取至少两个节点接触，包括：
[0176]
从所述相邻主体之间的节点接触中选取至少两个节点接触，所述至少两个节点接触与所述相邻主体位于同一直线上。
[0177]
在一些实施方式中，所述至少两个节点接触在所述第一主体和所述第二主体之间均匀分布。
[0178]
在一些实施方式中，选取的所述节点接触为两个或三个，所述通路为三个或四个。
[0179]
在一些实施方式中，所述通路电阻测试模块202还用于：
[0180]
在分别对所述通路进行测试以获取所述通路的通路电阻时，针对每个所述通路，在所述通路的第一部件连接第一测试探针，以及，在所述通路的第二部件连接第二测试探针。
[0181]
通过所述第一测试探针和所述第二测试探针对所述通路进行测试，得到所述通路的两端的电压差和经过所述通路的电流。
[0182]
根据所述电压差和所述电流确定所述通路的通路电阻。
[0183]
在一些实施方式中，所述第一测试探针与所述第一主体的连接位置是距离所述节点接触最近的位置；当所述第二部件为所述第二主体时，所述第二测试探针与所述第二主体的连接位置是距离所述节点接触最近的位置。
[0184]
在一些实施方式中，所述装置还包括：
[0185]
预处理模块，用于对所述dram进行处理，以使所述dram的多晶硅栅极层暴露在外，并进入所述通路确定模块。
[0186]
上述装置实施例是与前述方法实施例对应的实施例，具有与方法实施例相同的技
术效果。该装置实施例的详细说明可以参照前述方法实施例的详细说明，在此不再赘述。
[0187]
本公开实施例还提供一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器。
[0188]
所述存储器存储计算机执行指令。
[0189]
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述电子设备实现上述节点接触的电阻测量方法。
[0190]
图11是本公开实施例提供的一种电子设备的结构框图。该电子设备600包括存储器602和至少一个处理器601。
[0191]
其中，存储器602存储计算机执行指令。
[0192]
至少一个处理器601执行存储器602存储的计算机执行指令，使得电子设备601实现前述节点接触的电阻测量方法。
[0193]
此外，该电子设备还可以包括接收器603和发送器604，接收器603用于接收从其余装置或设备的信息，并转发给处理器601，发送器604用于将信息发送到其余装置或设备。
[0194]
本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算设备执行所述计算机执行指令时，使计算设备实现节点接触的电阻测量方法。
[0195]
本公开实施例还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品用于执行上述节点接触的电阻测量方法。
[0196]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
[0197]
上述本公开实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0198]
以上仅为本公开实施例的优选实施例，并非因此限制本公开实施例的专利范围，凡是利用本公开实施例说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本公开实施例的专利保护范围内。